KR900008523B1 - 마이크로파의 정합회로장치 - Google Patents

마이크로파의 정합회로장치 Download PDF

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도시마사 가와까미
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가부시기가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음.

Description

마이크로파의 정합회로장치
제1도는 본 발명의 일실시예를 도시한 회로도.
제2도는 제1도 회로 부품의 실제 장착 상태를 도시하는 사시도.
제3도는 본 발명에 사용된 임피이던스회로용 커패시터의 특성 설명도.
제4도는 제1도 회로의 주파수 특성 및 안정 계수를 도시하는 특성도.
제5도는 종래의 마이크로파 증폭기의 주파수 특성 및 안정계수를 도시하는 특성도.
제6도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도.
제7도는 제6도 회로 부품의 실제 장착 상태를 도시한 사시도.
제8도는 제6도 회로의 주파수 특성도.
제9도는 본 발명의 또다른 실시예(혼합기)를 도시한 회로도.
제10도는 제9도의 혼합기의 동작을 설명하는 회로도.
제11도는 제9도의 혼합기의 주파수 특성과 종래의 혼합기의 특성을 비교해서 도시한 주파수 특성도.
제12도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 유전체 기판 11 : 입력단자
12, 16 : 직류 차단 커패시터 13, 15 : 주선로
14 : 반도체 증폭소자 17 : 출력단자
18, 19, 40 : 개방형 스터브 23, 41 : 저항체
32, 34 : 대역필터 33 : 혼합다이오드
36 : 저역통과필터 37 : 중간주파 출력단자
38, 39 : 선로부
본 발명은 마이크로파 정합회로 장치에 관한 것으로 구체적으로는 마이크로파의 특성을 개선한 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 마이크로파 증폭기에 사용되는 반도체 증폭소자의 이득은 -6dB/oct의 주파수 특성을 가지며, 그 입력 및 출력 임피이던스는 대단히 높은 것으로 알려져 있다. 또한, 반도체 증폭 소자가 가지는 차단주파수 특성은 반도체 기술의 진보와 함께 개선되고 광대역 되어가고 있다. 따라서, 마이크로파 증폭기를 구성하는 경우, 마이크로파 전력의 불필요한 반사를 감소시켜 양호한 마이크로파 특성을 얻도록, 신호원과 마이크로파 증폭기 사이 및 마이크로파 증폭기와 다음 단의 회로 사이에서 각각 임피이던스 정합을 해야할 필요가 있다.
임피이던스 정합방법은 크게 둘로 구분할 수 있는데 제1방법은 커패시터, 인덕터, 또는 유전체기판 상에 구성된 선로 및 스터브(stub) 등 손실이 없는 소자를 사용한 무손실 회로망에 의한 방법이다. 제2방법은 저항기와 무손실 소자를 조합한 손실을 포함하는 회로망에 의한 방법이다. 제2방법은, 손실에 의한 증폭기의 이득 저하를 초래하기 때문에 특수한 경우를 제외하고 일반적으로는 사용하지 않고, 제1방법이 채용되는 일이 많다. 무손실 회로망에서는, 사용주파수가 비교적 낮은 UHF대까지는 커패시터 및 인덕터 등의 소자가 사용되나, 사용주파수가 높아짐에 따라 정확한 소용량, 소인덕 턴스치가 요구됨으로 커패시터 및 인덕터 등의 소자로는 요구되는 특성을 얻기가 어려울 때가 있다. 이 때문에, 마이크로파대의 신호를 취급하는 회로에서는 유전체 상에 구성된 마이크로파 스트립선로 등을 이용한 정합회로가 채용된다.
즉, 마이크로파 증폭기에 있어서, 입·출력 단자의 임피이던스는 사용주파수 대역에서 특성 임피이던스 Zo를 주파수에 관계없는 치, 예를들면 50Ω로 취하는 것이 일반적이다. 마이크로파 증폭기내부의 반도체 증폭소자(FET소자)는 입·출력 임피이던스가 다같이 높기 때문에 이것을 특성 임피이던스 Zo에 정합시킬 필요가 있다. 이것을 위한 정합회로는 전송선로와 개방 또는 단락 선로에 의하여 구성된다. 전송선로는 선로 길이 및 자기 특성 임피이던스를 가지며, 부하 임피이던스에 대한 위상 및 임피이던스를 변화시킬 수 있다. 또한, 상기 전송 선로와 개방 또는 단락 선로는 어드미턴스를 변화시킬 수 있다.
종래의 마이크로파 증폭기는 사용주파수 대역에서 임피이던스의 정합이 취해지는 경우 전력의 반사는 없고 마이크로파 증폭기의 이득은 커지며, 사용주파수 대역 외에 있어서는 전력의 반사가 커지기 때문에 이득은 작아진다.
그러나, 한편으로 입·출력측의 정합회로는 사용주파수 대역(4㎓대) 및 이보다 높은 특정의 주파수(7㎓대)에 있어서도 정합상태에 접근하기 때문에, 이들 주파수 대역에 있어서도 마이크로파 증폭기의 이득이 커진다. 즉, 4㎓대 이외의 7㎓대 이상에 있어서도 이득이 커진다.
또한, 마이크로파 증폭기의 안전계수 K와 안정성의 관계는 다음의 관계가 있다. 즉, 안정계수 K가 1이상인 경우에는 마이크로파 증폭기의 입·출력 부하 임피이던스에 관계없이 마이크로파 증폭기는 안정되고, 1이하일때는 입·출력 부하의 임피이던스에 따라서 마이크로파 증폭기는 불안정해지거나 발진한다.
상기한 종래의 마이크로파 증폭기에 의하면, 안정계수 K는 12㎓대에 있어서 1이하가 되며, 마이크로파 증폭기의 입·출력의 부하 임피이던스의 조건에 따라 반사성분의 영향으로 발진 또는 불안정한 동작을 유발한다. 예를들면, 이 마이크로파 증폭기에 다른 회로가 접속될때 전원을 투입하는 경우, 이것에 의한 노이즈의 반사현상이 발생하여 12㎓대에서 자기발진을 발생할 수가 있다. 따라서, 무손실의 정합회로의 사용한 종래의 마이크로파 증폭기에서는, 마이크로파 증폭기의 사용주파수 대역뿐만 아니라 사용반도체 증폭 소자의 최대발진주파수 및 부하조건까지 고려하여 설계를 해야되는 번잡함이 있었다.
본 발명은 상기의 사정을 고려하여 연구된 것으로서, 간단한 구성으로 안정된 동작을 얻을 수 있도록 마이크로파 특성을 개선한 마이크로파 정합회로장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 마이크로파 특성을 개선함으로써 회로설계를 용이하게 할 수 있는 마이크로파 정합회로장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 혼합기의 주파수특성을 광대역으로 할 수 있는 마이크로파 정합회로장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 유전체기판과, 이 기판 위에 형성되며 반도체 소자와의 사이에 고주파 신호를 전송하는 주선로와, 이 주선로에 근접해서 상기 기판 위에 형성되며 이 주선로와 상기 반도체 소자와의 정합을 얻기 위한 스터브로 구성되는 마이크로파 정합회로 장치에 있어서, 상기 주선로와 상기 스터브 사이에 소정의 고주파 신호에 대해선 저임피이던스를 나타내고 불필요한 신호에 대해서는 고임피이던스를 나타내는 임피이던스 회로(21), (22), (23)를 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치를 제공하는 것이다. 이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 일실시예를 도시하는 회로이고, 제2도는 그 부품의 실제 장착상태를 도시한 사시도이다. 고주파 입력신호는 입력단자(11)에 공급되며, 직류차단 커패시터(12) 및 주선로(13)를 통하여 반도체 증폭소자(14)에 입력된다. 이 반도체 증폭소자(14)는 전계효과형 트랜지스트(FET)이다. 이 증폭소자(14)의 출력은 주선로(15) 및 직류차단 커패시터(16)를 통하여 출력단자(17)에서 출력된다.
본 발명에서는 주선로(13)와 스터브(18)의 접속구성 및 주선로(15)와 스터브(19)의 접속구성이 종래와 다르다. 즉, 주선로(13)와 스터브(18)의 사이 및 주선로(15)와 스터브(19)의 사이에는 각각 주파수에 따라 상이한 임피이던스를 나타내는 임피이던스회로를 구성하기 위한 커패시터(21), (22)가 접속되어 있다.
반도체 증폭소자(14)는 소스접지로서 사용되고, 그 소스는 유전체기판(10)에 형성된 접지패턴에 직접 접속되며, 다시 게이트는 입력측 정합회로에 접속되고, 드레인은 출력측 정합회로에 접속된다.
상기의 회로에 있어서, 임피이던스회로 커패시터(21), (22)는 각각 사용주파수대(4㎓대)에 있어서 자기 임피이던스가 거의 0이 되도록 설정되어 있다. 제3도는 이들 커패시터(21), (22)의 임피이던스를 S파라미터로 잡아 그 S파라미턴의 주파수 특성을 스미스차아트에 표시한 것이다. 중심 주파수 fo(이 실시예의 경우 4㎓)보다 입력신호주파수가 낮을 때는 커패시터의 커패시턴스 성분이 그 특성으로서 나타나나, 입력신호 주파수가 높아짐에 따라 커패시터의 인덕턴스 성분과 저항성분이 커지지 때문에 이것이 커패시터의 임피이던스 특성의 주성분을 점유하게 된다.
따라서, 상기의 구성에 의하면,
① 사용주파수 대역에 있어서는 커패시터(21), (22)의 임피이던스는 0이 되고, 개방형 스터브(18), (19)는 통상의 작용을 한다. 즉, 입력측 정함회로와 반도체 증폭소자(14)와의 임피이던스 정합과, 반도체 증폭소자(14)와 출력측 정합회로와의 임피이던스 정합이 무손실로 얻어질 수 있다.
② 다음에 주파수가 높아짐에 따라 커패시터(21), (22)가 가지는 인덕턴스 성분과 저항성분이 증가하여 임피이던스 정합은 손실을 포함하는 회로망이 되고, 지금까지 반사되고 있던 전력의 흡수를얻을 수 있다. 따라서, 증폭기로서는 이 손실로 인하여 불안정 발진요인 등이 억제되어, 안정화가 도모된다.
제4도는 상기의 마이크로파 증폭기의 이득 및 안정계수 K의 주파수 특성을 나타내고 있다. 이 주파수특성에서 명확히 알 수 있는 바와같이, 사용하지 않는 12㎓의 주파수 부근에 있어서는 안정계수 K는 종래의 0.9정도에서 1.8로 커진다.
이와같이 안정계수가 1.8정도에 이르면 반도체 증폭소자(14)의 마이크로파 특성의 불안정과 온도변동에 의한 불안정을 고려해도 증폭기의 안정도는 극히 높아진다. 상기의 실시예에서는 개방형 스터브(18), (19)와 주선로(13), (15)의 사이에 각각 커패시터(21), (22)를 접속했으나, 단락형 스터브와 주선로와의 사이에 커패시터를 설치해도 좋다.
상기의 실시예에 있어서, 각 소자와 선로의 설계 수치예는 하기와 같다.
직류차단 커패시터(12)의 용량치는 4pF, 주선로(13)에 있어서의 선로부(131)의 임피이던스는 75Ω이고 그 선로길이는 0.14λ, 선로부(132)의 임피이던스는 120Ω이고 그 선로길이는 0.1λ, 임피이던스회로 커패시터(21)의 용량치는 4pF, 스터브(18)의 임피이던스는 10Ω이고 그 선로길이는 0.03λ, 주선로(15)에 있어서의 선로부(132)의 임피이던스는 120Ω이고 그 선로길이는 0.13λ, 선로부(152)의 임피이던스는 58Ω이고 그 선로길이는 0.03λ, 임피이던스회로 커패시터(22)의 용량치는 4pF, 스터브(19)의 임피이던스는 28Ω이고 그 선로길이는 0.02λ, 직류 차단 커패시터(16)의 용량치는 4pF이다.
단, λ는 사용주파수(4㎓)에서의 1파장의 길이로서 75㎜이다.
상기와 같이 본 발명은 대단히 간단한 구성을 가지고도 사용주파수 대역 이외에서도 마이크로파 증폭기의 안정도가 향상되며, 또한 값싸게 대량 생산할 수 있는 마이크로파 정합 회로장치를 제공할 수 있다.
제5도는 종래의 마이크로파 증폭기의 주파수 특성을 표시한다. 종래의 마이크로파 증폭기에는 스터브와 선로가 일체로 접속되어 있다. 그러므로, 제5도의 도시와 같이 6-8㎓대와 12㎓대에서의 안정계수는 1이하의 특성을 갖는다.
종래의 마이크로파 증폭기는 사용주파수 대역에 있어서 임피이던스의 정합이 취해지고 있는 경우, 전력이 반사가 없기 때문에 마이크로파 증폭기의 이득은 커지며 또 안정계수가 1이하라도 반사성분이 없기 때문에 안정되게 된다. 그러나, 사용주파수 대역외에 있어서는 전력의 반사가 커지기 때문에 이득은 작아지며 이 주파수대에 있어서의 증폭기의 안정계수가 1이하이면 반사성분의 영향으로 동작이 불안정해진다.
한편, 입·출력측의 정합회로는 사용주파수 대역(4㎓대) 뿐만 아니라 이것보다 높은 어떤 특정의 주파수(7㎓대)에 있어서도 정합상태로 접근하기 때문에, 이 주파수 대역(7㎓대)에 있어서도 반도체 증폭소자(14)와 정합회로를 합한 이득은 어느정도 커진다. 즉, 제5도에 도시한 바와같이 4㎓대 이외의 7㎓대에 있어서도 마이크로파 증폭기로서의 이득이 어느 정도 높아진다.
따라서, 종래의 마이크로파 증폭기에 의하면, 안정계수 K는 12㎓대나 6-8㎓대에 있어서 1 이하가 되기 때문에 마이크로파 증폭기의 입·출력부하 임피이던스의 조건에 따라 반사성분의 영향으로 발진 또는 불안정한 동작이 일어난다.
그런, 본 발명에 의하면 앞에서의 설명과 같이 사용주파수대 이외에서도 안정계수가 1 이상이 되므로 안정도가 향상된다.
상기의 실시예에서는, 주로 사용주파수보다 높은 주파수 대역에 있어서 정합회로가 손실이 발생하도록 임피이던스회로 커패시터(21), (22)의 특성을 이용했을 뿐만 아니라, 또한 사용 주파수보다 낮은 주파수 대역에 있어서도 불안정요인을 제거할 수 있다.
즉, 제5도의 종래의 마이크로파 증폭기의 특성을 보면 알 수 있는 것과 같이, 증폭기의 안정계수는 사용 주파수대(4㎓대) 보다 낮은 주파수대 있어서도 1 이하가 된다. 안정계수 1 이하가 되는 경우에는 마이크로파 증폭기는 부하의 조건에 따라서 불안정 동작을 할 가능성이 있다. 이러한 불안정 동작을 억제하도록한 실시예가 제6도 및 제7도에 도시하는 실시예이다.
제6도는 그 회로도이고 제7도는 그 부품의 실제 장착상태를 나타내며, 제8도는 이 마이크로파 증폭기의 마이크로파 특성이다. 제1도와 동일한 부분에는 제1도와 동일한 부호를 부여하여 설명한다.
이 실시예의 경우, 출력회로측의 임피이던스회로는 커패시터(22)에 다시 저항체(23)를 병렬로 접속한 것이다. 이 저항체(23)의 값은 예를들면 33Ω이다. 기타의 구성부분은 제1도의 회로와 동일하다. 이 실시예에 의하면, 앞의 실시예의 ① ②의 작용 이외에 입력신호 주파수가 사용 주파수보다 낮아졌을때 캐패시터(22)가 가지는 임피이던스가 증대하기 때문에 신호에 대하여 저항체(23)의 영향이 커진다. 따라서, 입력신호 주파수가 사용주파수보다 낮아졌을 경우에도 정합회로는 저항 성분을 함유하여 신호에 손실을 주는 회로로서 작용하여 주파수가 상승했을 경우와 동일하게 마이크로파 증폭기를 안정화시킨다.
제8도는 상기의 실시예에 따른 마이크로파 증폭기의 주파수 특성이다. 이 특성으로부터 알 수 있듯이 안정계수는 2㎓ 부근에 있어서는 종래의 0.9에서 1 이상으로, 또한 8㎓ 부근에 있어서는 종래의 2.0에서 4.0 전후로 개선되고 있다.
이로인해, 사용주파수 대역보다 높은 대역의 주파수의 신호가 입력되어도, 또한 낮은 대역의 주파수의 신호가 입력되어도 안정된 동작을 얻을 수 있다.
이상 설명한 실시예는 불필요한 신호의 감쇠작용을 얻는 마이크로파 증폭기에 대하여 설명했으나, 본 발명은 마이크로파 혼합회로에 적용해도 그 효과를 효율적으로 발휘한다.
제9도는 본 발명을 마이크로파 혼합회로에 적용한 실시예이다.
고주파 입력신호는 입력단자(31)에 공급된다. 입력단자(31)는 대역필터(32)의 입력측선로에 접속되고, 이 대역 필터(32)의 출력선로는 혼합 다이오드(33)의 애노우드에 접속된다. 혼합 다이오드(33)의 캐소우드는 국부 발진신호를 도입하기 위한 대역필터(34)의 한쪽의 선호에 접속된다. 대역필터(34)의 다른쪽의 선로의 단자(35)에는 국부발진신호가 공급된다. 또한, 상기 혼합 다이오드(33)의 캐소우드는 저역통과필터(36)를 통하여 중간 주파출력단자(37)에 접속된다.
이 마이크로파 혼합회로에 있어서, 선로부(38), (39)는 혼합 다이오드(33)에 대하여 정류전류를 흘려보내는 귀환경로를 형성하고 있다. 또한, 혼합 다이오드(33)의 애노우드측에 근접해서 배치된 개방형 스터브(40)는 단자(35)로부터 공급되는 국부발진신호가 고주파입력단자(31)측에 누설되는 것을 방지하기 위한 것이다. 따라서, 이 개방형 스터브(40)는 국부발진신호의 파장 λ의 1/4의 선로길이를 가진다.
또한, 개방형 스터브(40)와 선로부(38)와의 사이에는 저항체(41)와 커패시터(42)의병렬회로로 구성된 임피이던스 회로가 접속된다. 커패시터(42)는 여기에서 국부발진신호와 고주파신호에 대해서는 충분한 통과 특성을 부여하는 저임피이던스를 나타내고, 그들로부터 저주파수의 중간주파신호에 대해서는 비교적 높은 임피이던스를 나타내는 용량치로 설정되어 있다.
상기의 마이크로파 혼합회로에 있어서의 정합회로는 즉 스터브(40), 저항체(41) 및 커패시터(42)부는 그 부분에서의 취급신호, 즉 고주파입력신호 및 국부발진신호에 대해서는 무손실이고, 불필요한 신호, 예를 들면 중간 주파수신호의 반사 성분에 대해서는 손실을 발생시킨다. 이결과, 출력단자(37)에서 양호한 중간주파수신호를 얻을 수 있다.
제10도 및 제11도는 상기 마이크로파 혼합회로와의 동작을 비교용으로 도시한 도면이다. 여기에서, 제10도와 같은 혼합회로, 즉 본 발명이 적용되지 않은 혼합회로를 생각해 본다. 입력단자(31)에 고주파신호가 공급되고 입력단자(35)에 국부발진신호가 공급되어 출력단자(37)에서는 중간주파수신호 IF1이 얻어지는 것으로 구성한다.
고주파신호와 국부발진신호가 혼합 다이오드(33)에서 혼합되므로써 발생한 중간주파수신호 IF1는 단자(37)에 나타난다. 그러나, 이 중간주파수신호 IF1의 누설성분은 실선으로 표시하는 것과 같이 주선로(32A), (34A)와 스터브(40A)의 해제단까지 도달하여, 각각의 해제단에서 반사하여 파선으로표시하는 바와같이 출력단자(37)로 복귀한다. 이 성분이 반사성분 IF2이다.
본 발명을 적용하지 않는 종래의 마이크로파 혼합회로에 있어서, 출력단자(37)의 중간주파신호의 반사손실은 제11도 파선으로 표시하는 것과 같은 특성 곡선을 이룬다. 그러나, 본 발명을 적용한 마이크로파 혼합 회로에 의하면 중간주파신호의 반사손실은 실선의 표시와 같은 특성 곡선이 된다. 즉, 중간주파의 반사성분이 본 발명에 의하여 설치된 임피이던스 회로를 구성하는 커패시터(42) 및 저항체(41)의 작용에 의하여 감쇠되고, 단자(37)로 돌아오는 반사파가 크게 저감된다. 한편, 국부발진신호에 대해서는 개방형 스터브(40)에 의한 입력단자(31)에의 누설방지 효과가 얻어지고, 저항체(41) 및 커패시터(42)가 설치되어 있어도 고주파 입력단자(31)측과 혼합 다이오드(33)와의 정합 및 주파수변환 손실등 다른 특성에 대한 영향은 없다.
제12도는 다시 다른 마이크로파 혼합회로의실시예이다. 이 실시예의 구성부분은 제9도의 실시예와 동일한 구성의 부분에는 제9도와 같은 부호를 부여한다. 본 실시예의 경우, 혼합 다이오드(33)의 캐소우드와 대역필터(34)의 선로(34A)와의 사이에 저항체(43)와 커패시터(44)를 병렬로 접속하여 임피이던스회로를 구성한다. 이렇게 임피이던스회로를 구성하면, 이 임피이던스회로에 의해 반사파(저주파)에 대한 손실효과를 얻을 수 있다. 즉, 커패시터(44)의 용량치는 국부발진신호에 대해서는 손실 0, 중간주파신호에 대해서는 손실대(大)의 값으로 설정한다. 따라서, 출력단자(37)의 중간주파신호는 더한층 양호한 신호가 된다. 또한, 개방형 스터브(40)로서의 선로의 배치는 제9도에 도시한 실시예 이외에 제12도의 도시와 같이 배치해도 된다. 제12도와 같이 개방형 스터브(40)의 배치위치를 설정함으로써 저항체(41) 및 커패시터(42)등의 부품의 접속위치가 선로(32A)를 따라 확산되지 않도록 하고, 대역필터(32)와 혼합 다이오드(33)의 정합특성을 더한층 안정시킬 수 있다.
상기와 같이, 마이크로파 혼합회로에 본 발명을 적용하면, 간단한 구성에 의하여 저주파(중간주파)출력단자(37)는 혼합회로에 대하여 우수한 광대역 정합을 얻는다. 또한, 본 발명의 정합회로는 다른 특성에 영향이 없으므로 마이크로파회로의 정수 설정을 끝낸 단계에서도 쉽게 소정의 임피이던스 특성을 얻을 수 있는 임피이던스회로를 접속할 수 있다. 또한, 정합회로가 간단한 구성으로 이루어지므로 장치의 소형화와 가격의 저감화를 도모할 수 있다.
종래의 혼합회로에 있어서, 출력단자는 다른 사용주파수에 비교해서 대단히 낮은 주파수이기 때문에 부정합을 발생하는 경우가 많고, 다음 단의 회로와의 부정합까지 발생하여 리플을 발생시키는 경우가 있었으나 본 발명에 의하면 이러한 결함을 해소시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 유전체기판(10)과, 이 기판(10)위에 형성되며 반도체소자(14)와의 사이에 고주파신호를 전달하는 주선로(13, 15)와, 이 주선로(13, 15)에 근접해서 상기 기판(10)위에 형성되며 이 주선로(13, 15)와 상기 반도체 소자(14)와의 사이에서 정합을 얻기 위한 스터브(18, 19)로 구성되는 마이크로파 정합회로장치에 있어서, 상기 주선로(13, 15)와 상기 스터브(18, 19)사이에 소정의 고주파신호에 대해서는 저임피이던스를 나타내고 불필요한 신호에 대해서는 고임피이던스를 나타내는 임피이던스회로(21, 22, 23)를 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 임피이던스회로는 커패시터(21, 22)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 임피이던스회로는 상기 커패시터(22)와 병렬로 접속된 저항체(23)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 주선로(13, 15) 및 상기 스터브(18, 19)는 상기 반도체소자(14)의 입력회로 축 및 출력회로축에 각각 형성되고, 상기 임피이던스회로(21, 22, 23)는 각각의 주선로와 스터브사이(13-18), (15-19)에 접속되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  5. 유전체기판(10)과, 이 기판(10)위에 형성되며 고주파신호를 혼합 다이오드(33)의 일단으로 유도하기 위한 고주파신호 도입용 주선로(32)와, 상기 혼합 다이오드(33)의 타단에 국부발진신호를 도입하기 위한 국부발진신호 도입용 주선로(34)와, 상기 혼합 다이오드(33)의 상기 타단에 접속되며 중간주파신호를 출력하기 위한 저역필터를 형성하는 저역통과필터신호(36)와, 상기 고주파신호 도입용 주선로(32)에 근접해서 형성되며 상기 국부 발진신호가 상기 고주파입력측에 누설되는 것을 저감하기 위한 스터브(40)로 구성되는 마이크로파 정합회로장치에 있어서, 상기 스터브(40)와 상기 고주파신호 도입용 주선로(32) 사이에 상기 중간 주파신호의 반사성분을 흡수하는 임피이던스회로(41, 42, 43, 44)를 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 임피이던스회로는 커패시터(42, 44)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 임피이던스회로는 상기 커패시터(42, 44)와 병렬접속된 저항체(41, 43)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 국부발진신호 도입용 주선로(34)와 상기 혼합 다이오드(33) 사이에 상기 중간 주파신호의 반사성분을 흡수하는 임피이던스회로를 접속한 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 임피이던스회로는 커패시터(42, 44)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 임피이던스회로는 상기 커패시터(42, 44)와 병렬 접속된 저항체(41, 43)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 정합회로장치.
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