JPH07245501A - 高周波用バイアスチョーク回路 - Google Patents
高周波用バイアスチョーク回路Info
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- JPH07245501A JPH07245501A JP6034312A JP3431294A JPH07245501A JP H07245501 A JPH07245501 A JP H07245501A JP 6034312 A JP6034312 A JP 6034312A JP 3431294 A JP3431294 A JP 3431294A JP H07245501 A JPH07245501 A JP H07245501A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 奇数倍高調波にも偶数倍高調波と同じ程度に
減衰を与えられ、直流バイアス電流供給路の高周波イン
ピーダンスが大きく高周波伝送線路の基本波には従来回
路より少ない減衰しか与えない高周波用バイアスチョー
ク回路の提供。 【構成】 １／４λチョークライン１及び１／６λチョ
ークラインはマイクロストリップ線路でなる。１／４λ
チョークライン１及びコンデンサ４は１／４λショート
スタブをなしている。１／４λショートスタブは、基本
波の２倍を含む偶数倍高調波を減衰させる。１／６λチ
ョークライン２及びコンデンサ４は１／６ショートスタ
ブをなしている。この１／６ショートスタブと１／１２
λオープンスタブ３とは、基本波の３倍を含む奇数倍高
調波を大幅に減衰させるフィルタの作用をする。
減衰を与えられ、直流バイアス電流供給路の高周波イン
ピーダンスが大きく高周波伝送線路の基本波には従来回
路より少ない減衰しか与えない高周波用バイアスチョー
ク回路の提供。 【構成】 １／４λチョークライン１及び１／６λチョ
ークラインはマイクロストリップ線路でなる。１／４λ
チョークライン１及びコンデンサ４は１／４λショート
スタブをなしている。１／４λショートスタブは、基本
波の２倍を含む偶数倍高調波を減衰させる。１／６λチ
ョークライン２及びコンデンサ４は１／６ショートスタ
ブをなしている。この１／６ショートスタブと１／１２
λオープンスタブ３とは、基本波の３倍を含む奇数倍高
調波を大幅に減衰させるフィルタの作用をする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、マイクロ波集積回路
でなる増幅器、減衰器、移相器などにおける高周波伝送
線路に直流バイアス電流を供給するとともに、該高周波
伝送線路に波長λの基本波とともに伝送される該基本波
の高調波に減衰を与える高周波用バイアスチョーク回路
に関する。
でなる増幅器、減衰器、移相器などにおける高周波伝送
線路に直流バイアス電流を供給するとともに、該高周波
伝送線路に波長λの基本波とともに伝送される該基本波
の高調波に減衰を与える高周波用バイアスチョーク回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、マイクロ波集積回路で用いられ
る従来の高周波用バイアスチョーク回路の構成を示す回
路図である。図３の高周波用バイアスチョーク回路は、
ＣＱ出版社から出版された技術雑誌”トランジスタ技
術”１９８２年３月号、３２７ページに記載された１０
ＧＨｚ帯ＧａＡｓＦＥＴ増幅器の等価回路図の一部を示
すものである。この高周波用バイアスチョーク回路は１
／４λチョークライン１、コンデンサ４、ＲＦ信号ライ
ン５，６、ＲＦＩＮ端子、ＲＦＯＵＴ端子、及びＤＣＩ
Ｎ端子を備えてなる。ここでλは、高周波伝送線路に伝
送される基本波の波長を表す。
る従来の高周波用バイアスチョーク回路の構成を示す回
路図である。図３の高周波用バイアスチョーク回路は、
ＣＱ出版社から出版された技術雑誌”トランジスタ技
術”１９８２年３月号、３２７ページに記載された１０
ＧＨｚ帯ＧａＡｓＦＥＴ増幅器の等価回路図の一部を示
すものである。この高周波用バイアスチョーク回路は１
／４λチョークライン１、コンデンサ４、ＲＦ信号ライ
ン５，６、ＲＦＩＮ端子、ＲＦＯＵＴ端子、及びＤＣＩ
Ｎ端子を備えてなる。ここでλは、高周波伝送線路に伝
送される基本波の波長を表す。
【０００３】ＲＦ信号ライン５，６は、波長λの基本波
を伝送するためのマイクロストリップ線路でなる５０オ
ームの高周波伝送線路である。１／４λチョークライン
１もマイクロストリップ線路でなる。１／４λチョーク
ライン１及びコンデンサ４は１／４λショートスタブを
なしている。コンデンサ４に代えて１／４λオープンス
タブが用いられることもある。
を伝送するためのマイクロストリップ線路でなる５０オ
ームの高周波伝送線路である。１／４λチョークライン
１もマイクロストリップ線路でなる。１／４λチョーク
ライン１及びコンデンサ４は１／４λショートスタブを
なしている。コンデンサ４に代えて１／４λオープンス
タブが用いられることもある。
【０００４】図３の高周波用バイアスチョーク回路で
は、ＲＦＩＮ端子に入力された波長λの高周波信号は、
ＲＦ信号ライン５，６を経てＲＦＯＵＴ端子へ出力され
る。ＲＦ信号ライン５，６は、マイクロストリップ線路
でなり、マイクロ波増幅器の高周波伝送線路をなしてい
る。ＤＣＩＮ端子からは直流バイアス電流が供給され
る。この直流バイアス電流は、１／４λチョークライン
１を経てＲＦ信号ライン５，６の節点Ｎ１へ導かれ、Ｒ
Ｆ信号ライン５，６に接続されているトランジスタやダ
イオードに供給される。図にはトランジスタ、ダイオー
ドなどの能動素子は示されていない。これら能動素子及
び図３の回路でマイクロ波集積回路の増幅器をなしてい
る。
は、ＲＦＩＮ端子に入力された波長λの高周波信号は、
ＲＦ信号ライン５，６を経てＲＦＯＵＴ端子へ出力され
る。ＲＦ信号ライン５，６は、マイクロストリップ線路
でなり、マイクロ波増幅器の高周波伝送線路をなしてい
る。ＤＣＩＮ端子からは直流バイアス電流が供給され
る。この直流バイアス電流は、１／４λチョークライン
１を経てＲＦ信号ライン５，６の節点Ｎ１へ導かれ、Ｒ
Ｆ信号ライン５，６に接続されているトランジスタやダ
イオードに供給される。図にはトランジスタ、ダイオー
ドなどの能動素子は示されていない。これら能動素子及
び図３の回路でマイクロ波集積回路の増幅器をなしてい
る。
【０００５】図４は、図３の高周波用バイアスチョーク
回路において、ＲＦＩＮ端子からＲＦＯＵＴ端子の間の
高周波伝送線路で入力高周波信号が受ける通過損失を示
す特性図である。本図に示す如く、図３の高周波用バイ
アスチョーク回路では、基本波は減衰を受けずに通過
し、２倍波、４倍波等の偶数高調波を遮断する。
回路において、ＲＦＩＮ端子からＲＦＯＵＴ端子の間の
高周波伝送線路で入力高周波信号が受ける通過損失を示
す特性図である。本図に示す如く、図３の高周波用バイ
アスチョーク回路では、基本波は減衰を受けずに通過
し、２倍波、４倍波等の偶数高調波を遮断する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３の従来の高周波用
バイアスチョーク回路は、図４の通過損失特性図に示さ
れているように、基本波だけでなく、３倍高調波、５倍
高調波などの基本波の奇数倍の高調波もほとんど減衰を
与えずに通過させてしまう。
バイアスチョーク回路は、図４の通過損失特性図に示さ
れているように、基本波だけでなく、３倍高調波、５倍
高調波などの基本波の奇数倍の高調波もほとんど減衰を
与えずに通過させてしまう。
【０００７】また、図３の高周波用バイアスチョーク回
路では、ＤＣＩＮ端子から高周波伝送線路の節点Ｎ１に
至る直流バイアス電流供給路が１本の１／４λチョーク
ライン１だけでなるから、その１／４λチョークライン
１における電圧降下を抑制するためにマイクロストリッ
プ線路でなる１／４λチョークライン１の幅はその直流
バイアス電流に応じた広さにせざるを得ない。１／４λ
チョークライン１の線幅が広いと、高周波的には半分の
幅の線路２本分より、単位長さ当たりのインピーダンス
が小さく、すなわち節点Ｎ１から見た１／４λチョーク
ライン１の高周波インピーダンスが小さく、５０オーム
高周波伝送線路の基本波まで１／４λチョークライン１
に流れ、ＲＦＯＵＴ端子から出力されるべき基本波が減
衰を受ける。このことは、１／４λチョークライン１が
コイルでなる場合にも同じである。直流では、断面積ｓ
の１本の線材と、並列に接続された断面積ｓ／２の線材
２本とは同じ抵抗を示すが、マイクロ波領域では、断面
積ｓの１本の線材は、並列に接続された断面積ｓ／２の
線材２本より小さいインピーダンスしか示さない。この
ように、図３の従来の高周波用バイアスチョーク回路に
は、奇数倍高調波に与える減衰、及び直流バイアス電流
供給路の基本波に対する高周波インピーダンスに関し解
決するべき課題があった。
路では、ＤＣＩＮ端子から高周波伝送線路の節点Ｎ１に
至る直流バイアス電流供給路が１本の１／４λチョーク
ライン１だけでなるから、その１／４λチョークライン
１における電圧降下を抑制するためにマイクロストリッ
プ線路でなる１／４λチョークライン１の幅はその直流
バイアス電流に応じた広さにせざるを得ない。１／４λ
チョークライン１の線幅が広いと、高周波的には半分の
幅の線路２本分より、単位長さ当たりのインピーダンス
が小さく、すなわち節点Ｎ１から見た１／４λチョーク
ライン１の高周波インピーダンスが小さく、５０オーム
高周波伝送線路の基本波まで１／４λチョークライン１
に流れ、ＲＦＯＵＴ端子から出力されるべき基本波が減
衰を受ける。このことは、１／４λチョークライン１が
コイルでなる場合にも同じである。直流では、断面積ｓ
の１本の線材と、並列に接続された断面積ｓ／２の線材
２本とは同じ抵抗を示すが、マイクロ波領域では、断面
積ｓの１本の線材は、並列に接続された断面積ｓ／２の
線材２本より小さいインピーダンスしか示さない。この
ように、図３の従来の高周波用バイアスチョーク回路に
は、奇数倍高調波に与える減衰、及び直流バイアス電流
供給路の基本波に対する高周波インピーダンスに関し解
決するべき課題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本願発明は次の手段を提供する。
に本願発明は次の手段を提供する。
【０００９】マイクロストリップ線路その他の高周波
伝送線路に直流バイアス電流を供給するとともに、該高
周波伝送線路に波長λの基本波とともに伝送される該基
本波の高調波に減衰を与える高周波用バイアスチョーク
回路において、前記直流バイアス電流の入力端と前記高
周波伝送線路上の点との間に接続された１／４λ（１／
４波長）チョークラインと、該直流バイアス電流の入力
端と接地電位との間に接続されたコンデンサと、前記直
流バイアス電流の入力端と前記高周波伝送線路上の点と
の間に接続された１／６λ（１／６波長）チョークライ
ンと、この１／６λチョークラインと前記高周波伝送線
路との節点に接続された１／１２λ（１／１２波長）オ
ープンスタブとを備えてなることを特徴とする高周波用
バイアスチョーク回路。
伝送線路に直流バイアス電流を供給するとともに、該高
周波伝送線路に波長λの基本波とともに伝送される該基
本波の高調波に減衰を与える高周波用バイアスチョーク
回路において、前記直流バイアス電流の入力端と前記高
周波伝送線路上の点との間に接続された１／４λ（１／
４波長）チョークラインと、該直流バイアス電流の入力
端と接地電位との間に接続されたコンデンサと、前記直
流バイアス電流の入力端と前記高周波伝送線路上の点と
の間に接続された１／６λ（１／６波長）チョークライ
ンと、この１／６λチョークラインと前記高周波伝送線
路との節点に接続された１／１２λ（１／１２波長）オ
ープンスタブとを備えてなることを特徴とする高周波用
バイアスチョーク回路。
【００１０】 前記１／４λチョークラインと前記高
周波伝送線路との節点と、前記１／６λチョークライン
と前記高周波伝送線路との節点とが異なる位置にあり、
これら両節点の間は前記高周波伝送線路の一部分で接続
されていることを特徴とする上記に記載の高周波用バ
イアスチョーク回路。
周波伝送線路との節点と、前記１／６λチョークライン
と前記高周波伝送線路との節点とが異なる位置にあり、
これら両節点の間は前記高周波伝送線路の一部分で接続
されていることを特徴とする上記に記載の高周波用バ
イアスチョーク回路。
【００１１】前記１／６λチョークラインがマイクロ
ストリップ線路でなることを特徴とする上記又はに
記載の高周波用バイアスチョーク回路。
ストリップ線路でなることを特徴とする上記又はに
記載の高周波用バイアスチョーク回路。
【００１２】前記１／１２λオープンスタブがマイク
ロストリップ線路でなることを特徴とする上記、又
はに記載の高周波用バイアスチョーク回路。
ロストリップ線路でなることを特徴とする上記、又
はに記載の高周波用バイアスチョーク回路。
【００１３】
【作用】本願発明では、直流バイアス電流入力端子と高
周波伝送線路とを接続する線路として、１／４λチョー
クラインに加えて１／６λチョークラインを設け、さら
にその１／６λチョークラインと高周波伝送線路との節
点に１／１２λオープンスタブを接続している。直流バ
イアス電流入力端子と接地電位との間にコンデンサが接
続され、その直流バイアス電流入力端子を高周波的に接
地している構成は図３の従来の高周波用バイアスチョー
ク回路と同じである。
周波伝送線路とを接続する線路として、１／４λチョー
クラインに加えて１／６λチョークラインを設け、さら
にその１／６λチョークラインと高周波伝送線路との節
点に１／１２λオープンスタブを接続している。直流バ
イアス電流入力端子と接地電位との間にコンデンサが接
続され、その直流バイアス電流入力端子を高周波的に接
地している構成は図３の従来の高周波用バイアスチョー
ク回路と同じである。
【００１４】本発明の高周波用バイアスチョーク回路で
は、従来の回路と同様に１／４λチョークラインとコン
デンサとでなる１／４λショートスタブで高周波伝送線
路上の偶数倍高調波を減衰している。もちろん、高周波
伝送線路から見た１／４λショートスタブは、波長λの
基本波に対しては無限大のインピーダンスを示すから、
基本波には減衰を与えない。
は、従来の回路と同様に１／４λチョークラインとコン
デンサとでなる１／４λショートスタブで高周波伝送線
路上の偶数倍高調波を減衰している。もちろん、高周波
伝送線路から見た１／４λショートスタブは、波長λの
基本波に対しては無限大のインピーダンスを示すから、
基本波には減衰を与えない。
【００１５】１／６λチョークラインとコンデンサとで
１／６λのショートスタブを構成する。この１／６ショ
ートスタブと１／１２λオープンスタブとは、基本波の
３倍を含む奇数倍高調波を大幅に減衰させるフィルタの
作用をする。
１／６λのショートスタブを構成する。この１／６ショ
ートスタブと１／１２λオープンスタブとは、基本波の
３倍を含む奇数倍高調波を大幅に減衰させるフィルタの
作用をする。
【００１６】したがって、本発明の高周波用バイアスチ
ョーク回路は、１／４λチョークラインとコンデンサと
でなる第１のチョーク回路と、１／６λチョークライン
とコンデンサと１／１２λオープンスタブとでなる第２
のチョーク回路とを備え、第１のチョーク回路で偶数倍
高調波に減衰を与え、第２のチョーク回路で奇数倍高調
波に減衰を与える。
ョーク回路は、１／４λチョークラインとコンデンサと
でなる第１のチョーク回路と、１／６λチョークライン
とコンデンサと１／１２λオープンスタブとでなる第２
のチョーク回路とを備え、第１のチョーク回路で偶数倍
高調波に減衰を与え、第２のチョーク回路で奇数倍高調
波に減衰を与える。
【００１７】
【実施例】次に、実施例を挙げ本発明を一層詳しく説明
する。
する。
【００１８】図１は、マイクロ波集積回路で用いられる
本発明の一実施例である高周波用バイアスチョーク回路
の構成を示す回路図である。この図は、１０ＧＨｚマイ
クロ波増幅器における高周波用バイアスチョーク回路の
部分を示す回路図である。この高周波用バイアスチョー
ク回路は１／４λチョークライン１、１／６λチョーク
ライン２、１／１２λオープンスタブ３、コンデンサ
４、ＲＦ信号ライン５，６，７、ＲＦＩＮ端子、ＲＦＯ
ＵＴ端子、及びＤＣＩＮ端子を備えてなる。ここでλ
は、ＲＦ信号ライン５，６，７でなる高周波伝送線路に
伝送される基本波の波長を表す。
本発明の一実施例である高周波用バイアスチョーク回路
の構成を示す回路図である。この図は、１０ＧＨｚマイ
クロ波増幅器における高周波用バイアスチョーク回路の
部分を示す回路図である。この高周波用バイアスチョー
ク回路は１／４λチョークライン１、１／６λチョーク
ライン２、１／１２λオープンスタブ３、コンデンサ
４、ＲＦ信号ライン５，６，７、ＲＦＩＮ端子、ＲＦＯ
ＵＴ端子、及びＤＣＩＮ端子を備えてなる。ここでλ
は、ＲＦ信号ライン５，６，７でなる高周波伝送線路に
伝送される基本波の波長を表す。
【００１９】ＲＦ信号ライン５，６，７は、波長λの基
本波を伝送するためのマイクロストリップ線路でなる５
０オームの高周波伝送線路である。１／４λチョークラ
イン１及び１／６λチョークラインもマイクロストリッ
プ線路でなる。１／４λチョークライン１及びコンデン
サ４は１／４λショートスタブをなしている。１／６λ
チョークライン２及びコンデンサ４は１／６ショートス
タブをなしている。この１／６ショートスタブと１／１
２λオープンスタブ３とは、基本波の３倍を含む奇数倍
高調波を大幅に減衰させるフィルタの作用をする。
本波を伝送するためのマイクロストリップ線路でなる５
０オームの高周波伝送線路である。１／４λチョークラ
イン１及び１／６λチョークラインもマイクロストリッ
プ線路でなる。１／４λチョークライン１及びコンデン
サ４は１／４λショートスタブをなしている。１／６λ
チョークライン２及びコンデンサ４は１／６ショートス
タブをなしている。この１／６ショートスタブと１／１
２λオープンスタブ３とは、基本波の３倍を含む奇数倍
高調波を大幅に減衰させるフィルタの作用をする。
【００２０】図１の高周波用バイアスチョーク回路で
は、ＲＦＩＮ端子に入力された波長λの高周波信号は、
ＲＦ信号ライン５，６，７を経てＲＦＯＵＴ端子へ出力
される。ＲＦ信号ライン５，６，７は、マイクロストリ
ップ線路でなり、マイクロ波増幅器の高周波伝送線路を
なしている。ＤＣＩＮ端子からは直流バイアス電流が供
給される。この直流バイアス電流は、１／４λチョーク
ライン１を経てＲＦ信号ライン５，６の節点Ｎ１へ導か
れるとともに、また１／６λチョークラインを経てＲＦ
信号ライン６，７の節点Ｎ２へ導かれ、ＲＦ信号ライン
５，６，７に接続されているトランジスタやダイオード
に供給される。図にはトランジスタ、ダイオードなどの
能動素子は示されていない。これら能動素子及び図１の
回路でマイクロ波集積回路の増幅器をなしている。
は、ＲＦＩＮ端子に入力された波長λの高周波信号は、
ＲＦ信号ライン５，６，７を経てＲＦＯＵＴ端子へ出力
される。ＲＦ信号ライン５，６，７は、マイクロストリ
ップ線路でなり、マイクロ波増幅器の高周波伝送線路を
なしている。ＤＣＩＮ端子からは直流バイアス電流が供
給される。この直流バイアス電流は、１／４λチョーク
ライン１を経てＲＦ信号ライン５，６の節点Ｎ１へ導か
れるとともに、また１／６λチョークラインを経てＲＦ
信号ライン６，７の節点Ｎ２へ導かれ、ＲＦ信号ライン
５，６，７に接続されているトランジスタやダイオード
に供給される。図にはトランジスタ、ダイオードなどの
能動素子は示されていない。これら能動素子及び図１の
回路でマイクロ波集積回路の増幅器をなしている。
【００２１】図２は、図１の高周波用バイアスチョーク
回路において、ＲＦＩＮ端子からＲＦＯＵＴ端子の間の
高周波伝送線路で入力高周波信号が受ける通過損失を示
す特性図である。本図に示す如く、図１の実施例の高周
波用バイアスチョーク回路では、基本波は減衰を受けず
に通過し、２倍波、４倍波等の偶数高調波および３倍
波、５倍波等の奇数倍高調波を遮断する。
回路において、ＲＦＩＮ端子からＲＦＯＵＴ端子の間の
高周波伝送線路で入力高周波信号が受ける通過損失を示
す特性図である。本図に示す如く、図１の実施例の高周
波用バイアスチョーク回路では、基本波は減衰を受けず
に通過し、２倍波、４倍波等の偶数高調波および３倍
波、５倍波等の奇数倍高調波を遮断する。
【００２２】上述の如く、本実施例では、直流バイアス
電流入力端子ＤＣＩＮと高周波伝送線路とを接続する線
路として、１／４λチョークライン１に加えて１／６λ
チョークライン２を設け、さらにその１／６λチョーク
ライン２と高周波伝送線路との節点Ｎ２に１／１２λオ
ープンスタブ３を接続している。直流バイアス電流入力
端子ＤＣＩＮと接地電位との間にコンデンサ４が接続さ
れ、その直流バイアス電流入力端子ＤＣＩＮを高周波的
に接地している構成は図３の従来の高周波用バイアスチ
ョーク回路と同じである。
電流入力端子ＤＣＩＮと高周波伝送線路とを接続する線
路として、１／４λチョークライン１に加えて１／６λ
チョークライン２を設け、さらにその１／６λチョーク
ライン２と高周波伝送線路との節点Ｎ２に１／１２λオ
ープンスタブ３を接続している。直流バイアス電流入力
端子ＤＣＩＮと接地電位との間にコンデンサ４が接続さ
れ、その直流バイアス電流入力端子ＤＣＩＮを高周波的
に接地している構成は図３の従来の高周波用バイアスチ
ョーク回路と同じである。
【００２３】本実施例の高周波用バイアスチョーク回路
では、従来の回路と同様に１／４λチョークライン１と
コンデンサ４とでなる１／４λショートスタブで高周波
伝送線路上の偶数倍高調波を減衰している。もちろん、
高周波伝送線路から見た１／４λショートスタブは、波
長λの基本波に対しては無限大のインピーダンスを示す
から、基本波には減衰を与えない。
では、従来の回路と同様に１／４λチョークライン１と
コンデンサ４とでなる１／４λショートスタブで高周波
伝送線路上の偶数倍高調波を減衰している。もちろん、
高周波伝送線路から見た１／４λショートスタブは、波
長λの基本波に対しては無限大のインピーダンスを示す
から、基本波には減衰を与えない。
【００２４】本実施例の高周波用バイアスチョーク回路
は、１／４λチョークライン１とコンデンサ４とでなる
第１のチョーク回路と、１／６λチョークライン２とコ
ンデンサ４と１／１２λオープンスタブ３とでなる第２
のチョーク回路とを備え、第１のチョーク回路で偶数倍
高調波に減衰を与え、第２のチョーク回路で奇数倍高調
波に減衰を与えている。
は、１／４λチョークライン１とコンデンサ４とでなる
第１のチョーク回路と、１／６λチョークライン２とコ
ンデンサ４と１／１２λオープンスタブ３とでなる第２
のチョーク回路とを備え、第１のチョーク回路で偶数倍
高調波に減衰を与え、第２のチョーク回路で奇数倍高調
波に減衰を与えている。
【００２５】また、本実施例では、直流バイアス電流入
力端子ＤＣＩＮから高周波伝送線路に至る直流バイアス
電流供給路として、１／４λチョークライン１及び１／
６λチョークライン２との２本の線路を有するから、一
定の直流バイアス電流において、それぞれの線路として
図３の１／４λチョークライン１のマイクロストリップ
線路幅の１／２幅のマイクロストリップ線路を用いるこ
とができ、ひいては１／４λチョークライン１及び１／
６λチョークライン２の両線路による高周波インピーダ
ンスを図３の回路における１／４λチョークライン１に
よる高周波インピーダンスよりも大きくできる。したが
って、図１の回路では、１／４λチョークライン１及び
１／６λチョークライン２が高周波伝送線路の基本波に
与える減衰は、図３の１／４λチョークライン１が高周
波伝送線路の基本波に与える減衰より少ない。
力端子ＤＣＩＮから高周波伝送線路に至る直流バイアス
電流供給路として、１／４λチョークライン１及び１／
６λチョークライン２との２本の線路を有するから、一
定の直流バイアス電流において、それぞれの線路として
図３の１／４λチョークライン１のマイクロストリップ
線路幅の１／２幅のマイクロストリップ線路を用いるこ
とができ、ひいては１／４λチョークライン１及び１／
６λチョークライン２の両線路による高周波インピーダ
ンスを図３の回路における１／４λチョークライン１に
よる高周波インピーダンスよりも大きくできる。したが
って、図１の回路では、１／４λチョークライン１及び
１／６λチョークライン２が高周波伝送線路の基本波に
与える減衰は、図３の１／４λチョークライン１が高周
波伝送線路の基本波に与える減衰より少ない。
【００２６】なお、図１の実施例は、本発明を１０ＧＨ
ｚマイクロ波増幅器に適用した例でであるが、本発明が
この実施例に限られるものでないことはもちろんであ
り、増幅器の他に、減衰器、移相器その他のマイクロ波
回路に適用でき、１０ＧＨｚ帯以外の周波数のマイクロ
波にも適用できる。
ｚマイクロ波増幅器に適用した例でであるが、本発明が
この実施例に限られるものでないことはもちろんであ
り、増幅器の他に、減衰器、移相器その他のマイクロ波
回路に適用でき、１０ＧＨｚ帯以外の周波数のマイクロ
波にも適用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上に実施例を挙げ詳しく説明したよう
に、本願発明によれば、奇数倍高調波にも偶数倍高調波
と同じ程度に減衰を与えられ、直流バイアス電流供給路
の高周波インピーダンスが大きく高周波伝送線路の基本
波には従来回路より少ない減衰しか与えない高周波用バ
イアスチョーク回路を提供できる。
に、本願発明によれば、奇数倍高調波にも偶数倍高調波
と同じ程度に減衰を与えられ、直流バイアス電流供給路
の高周波インピーダンスが大きく高周波伝送線路の基本
波には従来回路より少ない減衰しか与えない高周波用バ
イアスチョーク回路を提供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である
【図２】図１の実施例の高周波伝送線路における通過損
失を示す回路図である。
失を示す回路図である。
【図３】従来の高周波用バイアスチョーク回路を示す回
路図である。
路図である。
【図４】図３の高周波用バイアスチョーク回路おける高
周波伝送線路による通過損失を示す回路図である。
周波伝送線路による通過損失を示す回路図である。
１・・・１／４λチョークライン ２・・・・１／６λチョークライン ３・・・・１／１２λオープンスタブ ４・・・・コンデンサ ５，６，７・・・・ＲＦ信号ライン
Claims (4)
- 【請求項１】マイクロストリップ線路その他の高周波伝
送線路に直流バイアス電流を供給するとともに、該高周
波伝送線路に波長λの基本波とともに伝送される該基本
波の高調波に減衰を与える高周波用バイアスチョーク回
路において、 前記直流バイアス電流の入力端と前記高周波伝送線路上
の点との間に接続された１／４λチョークラインと、該
直流バイアス電流の入力端と接地電位との間に接続され
たコンデンサと、前記直流バイアス電流の入力端と前記
高周波伝送線路上の点との間に接続された１／６λチョ
ークラインと、この１／６λチョークラインと前記高周
波伝送線路との節点に接続された１／１２λオープンス
タブとを備えてなることを特徴とする高周波用バイアス
チョーク回路。 - 【請求項２】前記１／４λチョークラインと前記高周波
伝送線路との節点と、前記１／６λチョークラインと前
記高周波伝送線路との節点とが異なる位置にあり、これ
ら両節点の間は前記高周波伝送線路の一部分で接続され
ていることを特徴とする請求項１に記載の高周波用バイ
アスチョーク回路。 - 【請求項３】前記１／６λチョークラインがマイクロス
トリップ線路でなることを特徴とする請求項１又は２に
記載の高周波用バイアスチョーク回路。 - 【請求項４】前記１／１２λオープンスタブがマイクロ
ストリップ線路でなることを特徴とする請求項１、２又
は３に記載の高周波用バイアスチョーク回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034312A JPH07245501A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 高周波用バイアスチョーク回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034312A JPH07245501A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 高周波用バイアスチョーク回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245501A true JPH07245501A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12410653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6034312A Pending JPH07245501A (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 高周波用バイアスチョーク回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245501A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171650A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
| JP2012065276A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Japan Radio Co Ltd | アンテナ静電気保護回路 |
| KR101304315B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2013-09-11 | 전자부품연구원 | 마이크로스트립 스터브를 이용하여 하모닉 성분을 저감시키는 필터링 장치 |
| CN105932991A (zh) * | 2015-02-26 | 2016-09-07 | 株式会社东芝 | 高频半导体集成电路 |
| JPWO2015163457A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-04-20 | 三菱電機株式会社 | 歪補償回路 |
| JP2017079386A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 三菱電機特機システム株式会社 | バイアス回路 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP6034312A patent/JPH07245501A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171650A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
| JP2012065276A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Japan Radio Co Ltd | アンテナ静電気保護回路 |
| KR101304315B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2013-09-11 | 전자부품연구원 | 마이크로스트립 스터브를 이용하여 하모닉 성분을 저감시키는 필터링 장치 |
| JPWO2015163457A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-04-20 | 三菱電機株式会社 | 歪補償回路 |
| CN105932991A (zh) * | 2015-02-26 | 2016-09-07 | 株式会社东芝 | 高频半导体集成电路 |
| JP2017079386A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 三菱電機特機システム株式会社 | バイアス回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980707 |