KR900003312B1

KR900003312B1 - 전기성분의 기판

Info

Publication number: KR900003312B1
Application number: KR1019870005935A
Authority: KR
Inventors: 쓰네요시 오까라
Original assignee: 폴리플라스틱스 가부시끼가이샤; 아사노 다께시
Priority date: 1986-06-11
Filing date: 1987-06-11
Publication date: 1990-05-14
Also published as: JPS62291195A; JPH0682893B2; KR880001187A

Abstract

내용 없음.

Description

전기성분의 기판

제 1 도는 본 발명의 기판을 보인도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판

2 : 드라이 셀(dry cel1)을 삽입하기 위한 요입부

3 : 모터를 삽입하기 위한 요입부 4 : 전기성분

본 발명은 소위 프린트된 배선판과 같은 전기성분의 기판을 3차원적으로 형성하는 것에 관한 것이다.

근래에 여러가지 고분자 물질이 프린트된 배선기판, 전력 트랜지스터, 디리스터 모듈(module)및 그와 유사한 것을 형성하는데 사용되어 왔었다. 특히 열경화성 수지 기판들이 시간에 따라 혹은 고온에서의 변형을 막거나, 펜놀 적층, 유리 에폭시 적층 또는 그와 유사한 것을 견고하게 형성하자는 관점으로 부터 종종 사용되어 왔었다. 따라서 이들 기판의 포스트 처리가 불가능하여 그들은 그와같은 평탄면을 형성하는데 사용되어야 한다. 따라서 그러한 평탄성 기판을 완벽한 형태를 갖춘 전기 장치안으로 일체화하기 위하여 전기장치는 동일 평면에서 지지요소들을 갖추어야 한다. 또한 기판상에 성분을 설치하기 위하여 금속 지지요소는 기판상에서 갖추어져야 하고, 지지 성분상에 성분의 설치가 뒤따른다. 따라서 열경화성 수지 기판을 포함하는 전기 시스템의 구조는 여러과정을 요구하며 매우 복잡하다.

본 발명의 발명자는 비록 열가소성이지만 액체 결정 폴리에스테르가 액체 결정 폴리에스테르가 경도, 또는 전기 성분의 기판과 같은 폴리에스테르의 사용을 허락할 정도로 고온에서의 뛰어난 변형력과 같은 특성을 갖는다는 것을 알았었다. 그러한 폴리에스테르의 사용으로 상기 문제를 해결할수 있다는 것으로서 본 발명은 이들 발견을 기초로 하여 달성되어 왔었다.

판형적(plate-shaped product)은 전기회로가 밀접하게 연결 형성되어 있는 평탄부와 전기 회로 형성이 없는 평단부를 열적으로 휘게함으로써 형성되는 3차원 함수부를 갖는 것을 특징으로 하는 비등방성 용융 페이저(이후에는, 액체결정 폴리에스테르로 간단히 언급됨)를 형성할수 있는 향열성 대기 액체 결정 폴리에스테르를 몰드함으로써 얻어지는 판형적을 포함하는 전기 성분의 기판을 제공하는 것이다.

본 발명에서 사용되고 있는 액체 결정 폴리에스테르는 용융 처리할수 있고, 규칙적으로 평행하게 배열되어지는 용융상태에서 그의 분자 체인으로 특징 지워진다. 그렇게 배열된 분자상태는 때로는 액체 결정단계 또는 액체결정물질의 네매ㅌ;ㄱ(nematic)상이라고 불리운다. 그래서 폴리머는 길고 평탄하며, 분자의 주축을 따라 고강도를 나타내고, 현재 서로 동측적으로 또는 평행하게 있는 다수의 체인결합을 갖는 단량체로 부터 보통 준비되어진다.

비등방성 용융 페이저의 특성은 크로스티드(crossted)분극기를 이용한 일반적인 회절 방법에 의하여 확고해질 수 있다. 특히 비등방성 용융 페이저는 질소분위기내에 있는 Leitz핫스테이지상에 놓여 있는 샘플을 40배율의 Leitz분극현미경으로 관찰함으로써 확고해질수 있다. 상기 폴리머는 광학적으로 비등방성이다. 즉, 폴리머의 샘플이 크로스티드 분극기들 사이에서 검사될때, 빛은 투과된다. 만약 샘플이 광학적으로 비등방성이라면 분극된 빛은 정적상태에서도 투과되어야 한다.

비등방성용융 페이저를 형성할수 있는 상기 폴리머를 구성하고 있는 성분의 예로서는 ①방향족 디카르본산 및/또는 지환족 디카르본산중의 하나 또는 그 이상, ②방향족 디올들, 지환족 디올들 및/또는 지방족 디올들 중의 하나 또는 그 이상, ③방향족 히드록시 카르본산들 중의 하나 또는 그 이상, ④방향족 씨올 카르본산들 중의 하나 또는 그 이상, ⑤방향족 디씨올들 및/또는 방향족 씨올 펜놀들 중의 하나 또는 그 이상, ⑥방향족 히드록실 아민들 및/또는 방향족 디아민들 중의 하나 또는 그 이상을 포함한다

반면 비등방성 용융 페이저를 형성할수 있는 이들 폴리머는 다음과 같다.

Ⅰ)성분 ①및 ②를 포함하는 폴리에스테르들, II)성분 ③만을 포함하는 폴리에스테르들, Ⅲ)성분 ①, ②및 ③을 포함하는 폴리에스테르들, IV)성분 ④만을 포함하는 폴리씨올 에스테르들, V)성분 ①및 ⑤를 포함하는 폴리시올 에스테르들, VI)성분 ①, ④및 ⑤를 포함하는 폴리씨올 에스테르들, Ⅶ)성분 ①, ③및 ⑥을 포함하는 폴리에스테르 아미드들, Ⅷ)성분 ①, ②, ③및 ⑥을 포함하는 폴리에스테르 아미드들, 또한 비록 상기 종류에는 속하지 않지만, 비등방성용융 페이저를 형성할수 있는 폴리머는 방향족 폴리아조메신일지 모른다. 그의 예로서는 폴리(니트릴로-2-메틸-1,4-펜닐렌니트릴로 에틸리딘-1,4-펜닐렌에틸리딘) ; 폴리(니트릴로-2-메틸-1,4-펜닐렌니트릴로 메틸리딘) 및 폴리(니트릴로-2-클로로-1,4-펜닐렌 니트릴로 메틸리딘-1,4-펜닐렌 메틸리딘)이다.

특히 비등방성 용융 페이저를 형성할 수 있는 폴리머는 상기 종류에는 속하지 않지만, 폴리에스테르 카보네이트 일지 모른다. 그러한 폴리에스테르 카보네이트는 기본적으로 4-옥시벤조일, 디옥시펜닐, 디옥시 디카르복실익 및 테레프탈오일 유니트들이다.

이제, 폴러머 I) 내지 Ⅷ)를 구성하고 있는 성분들의 예들이 서술 되어질 것이다.

방향족 디카르본산의 예로서는 방향족 테레프탈익; 4 4'-디펜닐 디카르복실익, 디펜닐 에테르-4,4'-디카르복실익, 디펜옥시에탄-4,4'-디카르복실익, 디펜옥시부탄-4,4'-디카르복실익, 디펜닐에탄-4,4'-디카르복실익, 이소프탈익; 디펜닐 에테르-3,3'-디카르복실익 디펜옥시에탄-3,3'-디카르복실익, 디펜닐에탄-3,3'-디카르복실익 및 나프탈렌-1,6-디카르본산과 같은 방향족 디카르본산 및 클로로 테레프탈익, 디클로로테레프탈익, 브롬테레프탈익, 메틸테레프탈익, 디메틸테레프탈익, 에텔테레프탈익, 메톡시테레프탈익 및 에톡시 테레프탈익 산들과 같은 그의 알킬-, 알콕시-및 할로겐-치환 유도체들이 있다.

지환족 디카르본산의 예로서는 트랜스-1,5,4-시클로 알리팻익 디카르복실익, 시스-1,4-시클로헥산 디카르복실익 및 1,3-시클로헥산 디카르본산과 같은 지환족 디카르복실익산들 및, 트랜스-1,4-(1-메틸)-시클로헥산 디카르복실익 및 트랜스-1,4-(1-클로로)-시클로 헥산 디카르복실익산들과 같은 알킬-, 알콕시-및 할로겐-치환 유도체들이 있다.

방향족 디올의 예로서는 히드로퀴논, 레졸신올, 4,4′-디히드록시 디펜닐, 4-4′-디히드록시트리펜닐, 2,6-나프탈렌디올, 4,4′-디히드록시 디펜닐 에테르, 비스-(4-히드록시 펜옥시)에탄, 3,3'-디히드록시디펜닐, 3,3'-디히드록시 디펜닐 에테르 , 1,6-나프탈렌디올, 2,2-비스(4-히드록시펜닐)프로판 및 2,2'-비스(4-히드록시펜닐)메탄및, 클로로히드로퀴논, 메틸 히드로퀴논, 1-부틸히드로퀴논, 펜닐히드로퀴논, 메톡시히드로퀴논, 펜옥시히드로퀴논, 4-클로로레졸신올 및 4-메틸레졸신올이다.

지환족 디올의 예로서는 트랜스-1,4-시클로헥산 디올, 시스-1,4-시클로헥산디올, 트랜스-1,4-시클로헥산디메탄올, 시스-1,4-시클로헥산디메탄올, 트랜스-1,3-시클로헥산디메탄올과 같은 지환족 디올들 및 트랜스-1,4-(1-메틸)시클로헥산디올 및 트랜스-1,4-(1-클로로)시클로 헥산디올과 같은 그의 알킬-, 알콕시-및 할로겐-치환 유도체들이다.

지방족 디올은 직선 체인이거나 가지일지 모르며, 그에 대한 예로서는 에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올 및 네오펜틸 글리콜이다.

방향족 히드록시 카르본산의 예로서는 4-히드록시벤조익, 3-히드록시벤조익, 6-히드록시-2-나프토익 및 6-히드록시-1-나프토익산들과 같은 방향족 히드록시 카르본산들 및, 3-메틸-4-히드록시벤조익, 3,5-디메틸-4-히드록시벤조익, 2,6-디메틸-4-히드록시벤조익, 3-메톡시-4-히드록시벤조익, 3,5-디메톡시-4-히드록시 벤조익, 6-히드록시-5-메틸-2-나프토익, 6-히드록시-5-메톡시-2-나프토익, 3-클로로-4-히드록시벤조익, 2-클로로-4-히드록시벤조익, 2,3-디클로로-4-히드록시 벤조익, 3,5-디클로로-4-히드록시벤조익, 2,5-디클로로-4-히드록시벤조익, 3-브롬-4-히드록시벤조익, 6-히드록시-5-클로로-2-나프토익, 6-히드록시-7-클로로-2-나프토익 및 6-히드록시-5,7-디클로로-2-나프토익산들이다.

방향족 메르카프토 카르본산의 예로서는 4-메르카프토벤조익, 3-메르카프토벤조익, 6-메르카프토-2-나프토익 및 7-메르카프토-2-나프토익산들이다.

방향족 디씨올들의 예로서는 벤젠-1,4-디씨올, 벤젠-1,3-디씨올, 2,6-나프탈렌디씨올 및 2,7-나프탈렌디씨올이다

방향족 메르카프토 펜올의 예로서는 4-메르카프토펜올, 3-메르카프토펜올, 6-메르카프토펜올 및 7-메르카프토펜올이다.

방향족 히드록시아민 및 방향족 디아민의 예로서는 4-아미노펜올, N-메틸-4-아미노펜올, 1,4-펜닐렌 디아민, N-메틸-1,4-펜닐렌디아민, N,N'-디메틸-1,4-펜닐렌디아민, 3-아미노펜올, 3-메틸-4-아미노펜올, 2-클로로-4-아미노펜올, 4-아미노-1-나프톨, 4-아미노-4'-히드록시-디펜닐, 4-아미노-4'-히드록시디펜닐 에테르, 4-아미노-4'-히드록시디펜닐메탄, 4-아미노-4'-히드록시디펜닐슐피드, 4,4'-디아미노펜닐 슐피드(씨오디아닐린), 4,4'-디아미노디펜닐 슐폰, 2,5-디아미 노토루엔, 4-4'-디아미디펜옥시에탄, 4,4'-디아미노디펜닐 메탄(메틸렌 디아닐린)및 4,4'-디아미노디펜닐 에테르(옥시디아닐린)이다.

상기 성분들 중, 몇가지를 포함하는 상기 폴리머 I)내지 Ⅷ)의 몇몇은 성분들의 종류, 비율 또는 연속 분포에 의존하는 어느 비등방성 용융 페이저를 형성하지 아니한다. 따라서 본 발명에 사용되고 있는 폴리머는 폴리머 I)내지 Ⅷ)중에서 비등방성용융 페이저를 형성할 수 있는 것들만에 제한 되어진다.

비등방성 용융 페이저를 형성할수 있는 폴리머로서 본 발명에서 더 유용하게 사용되는 상기 폴리머 I),II) III)및 폴리에스테르 아미드 Ⅷ)은 응축으로써 요구된 순환 유니트를 형성할수 있는 기능 그룹들을 갖는 여러가지 유기체 단량체들로부터 여러가지 에스테르화 처리에 의하여 준비되어질 수 있다. 예를 들면, 이들 유기체 단량체들의 기능 그룹은 카르복시, 히드록시, 에스테르, 아실옥시, 아실할리드 또는 아미노그룹일지 모른다. 단량체들은 어느 열교환없이 용융산분해처리에 따라 반응될수 있다. 이러한 처리에 의하여 단량체의 혼합은 용융을 얻기 위하여 열이 가해진다. 반응이 진행함에 따라 폴리머는 액체내에 폴리머의 고체 입자들의 지지대를 형성하기 위하여 발생되어지고, 발생된 휘발성물질(예를 들면, 아세트산 또는 물)은 응축의 최종단계에서 제거되어진다. 이 제거는 진공에서 쉽게 행할수 있다.

대안으로, 본 발명에서 유용하게 사용되는 모든 방향족 폴리에스테르는 슬러리(slurry)중합처리에 의하여 준비될 수 있다. 이러한 과정에 의하면 고체생산은 열교환매체에 매달려 있는 상태에서 얻어낼수 있다.

상기 두가지 처리중에서 어느 하나에 의하면 모든 방향족 폴리에스테르를 형성할수 있는 유기체 단량체들은 그에 대한 히드록실 그룹이 에스테르화(즉, 하부 아실 에스테르로서)되어 있는 수정된 형태에서 반응하는데 사용되어질지 모른다. 하부아실 그룹은 탄소원자 2내지 4를 갖는 것이 좋다. 그러한 유기체단량체 반응물의 아세테이트를 사용하는 것이 좋다.

용융산분해처리 및 슬러리 처리에서 사용되고 있는 촉매의 대표적인 예로서는 디알킬틴 옥사이드(예를 들면, 디부틸틴 옥사이드), 디아릴린 옥사이드, 티탄늄 디옥사이드, 안티몬 트리옥사이드, 알콕시티탄늄 실리케이트, 티탄늄 알콕사이드, 알카리 및 카르본산의 알카린 어스(earth)금속염들, 루이스(Lewis)산들(예를들면, BF₃)및 할로겐수소(예를 들면 Hc1)과 같은 가스산촉매들이다. 사용된 촉매의 량은 보통 중량으로 약 0.001내지 1%이며, 더 좋게는 사용된 단량체의 전체량을 기준하여 중량으로 약 0. 01내지 0.2%이다.

본 발명에서 유용하게 사용되고 있는 모든 방향족 폴리머는 유기체용매로 거의 용해할수 없어서 용해처리에 있어서는 적당하지 못하다. 그러나 상기 서술된 바와 같이 폴리머는 보통 용융 처리로 쉽게 처리될수 있다. 모든 방향족 폴리머의 더 좋은 예로서는 펜타플루오로펜올에서 어느정도 용해되는 것이다.

본 발명에서 유용하게 사용되어지는 모든 방향족 폴리에스테르는 일반적으로 약 2,000내지 200,000정도의 평균분자량을 가지며, 특히 더 좋게는 약 20,000내지 25,000정도인 반면에, 본 발명에서 유용하게 사용되고 있는 모든 방향족 폴리에스테르 아미드는 일반적으로 약 5,000내지 50,000정도의 분자량을 가지며, 더 좋게는 10,000내지 30,000 예를 들면, 15,000내지 17,000정도이다. 이들 분자량의 측정은 겔침투색층분석 또는 폴리머 용해를 하지 않는 다른 기준방법 예를 들면, 적외선 분광기로 단자 그룹 내용에 대한 그러한 폴리머의 막에 몰드된 압축을 검사하는 것을 포함하는 방법에 의하여 수행될 수 있다. 다른 방법으로는 펜타플루오르에서 그러한 폴리머의 용해를 사용하는 광산란방법에 의하여 수행될수 있다.

펜다플루오르펜올에서 상기 모든 방향족 폴리에스테르 또는 폴리에스테르 아미드의 0.1%(중량으로)용해는 60℃에서 적어도 약 2.0dl/g 예를 들면 약 2 0내지 10.0d1/g의 고유점성(I. V.)를 갖는다.

상기 폴리머를 구성하고 있는 성분의 더 좋은 예로서는 2,6-나프탈렌 디카르복실익산, 2,6-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시 나프탈렌 및 6-히드록시-2-나프토익산, 4,4'-디펜닐 디카르복실익산 및 4,4'-디히드록시 비펜닐과 같은 비펜닐화합물들이며, 다음 일반식(I),(II)및 (Ⅲ)에 의하여 관계되는 화합물들

여기에서 X는 탄소원자 1내지 4를 갖는 알킬렌 그룹, 알킬리덴그룹, -O-, -So-,-So₂-,-S-및-CO-중에서 선택된 그룹을 나타내고, Y는 -(CH₂)n 및 -O(CH₂)n O-(여기에서 n은 l 내지 4이다)중에서 선택된 그룹을 나타낸다.

p-히드록시 벤조익산, 테레프탈익산, 히드로퀴논, p아미노펜올 및 p-펜닐렌디아민, 그리고 그들 링상에서 치환되어지는 그들 유도체(여기에서 치환제는 염소, 브롬, 메틸, 펜닐 및 1-펜닐에틸 중에서 선택되어진다)와 같은 m-치환벤젠 유도체 및, 이소프탈익산 및 레졸신올과 같은 m-치환벤젠 유도체.

분자체인에서 상기 성분들을 부분적으로 포함하는 폴리에스테르의 더 좋은 예로서는 상기 알킬 그룹이 탄소원자 2내지 4를 갖는 곳에 폴리알킬렌 테레프탈레이트이다.

특히 더 좋은 예로서는 나프탈렌화합물, 비펜닐 화합물 및 상기 성분중에서 p-치환벤젠유도체로 구성하고 있는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물을 기본 성분으로서 포함하고 있는 것들이다. 또한 p-치환벤젠 유도체, p-히드록시벤조익산, 메틸히드로퀴논 및 1-펜닐에틸히드로퀴논 중에서 특히 좋다.

성분중 특별한 조합의 예로서는 다음과 같다.

여기에서 Z는 -cl, -Br 및 -CH₃중에서 선택된 치환분이며, X는 탄소원자 1내지 4를 갖는 알킬렌, 알킬리딘, -O-,-So-, So₂-,-S-및-CO-중에서 선택된 치환분이다.

본 발명에서 사용되고 있는 비등방 용융 페이저를 형성할수 있는 폴리에스테르의 좋은 예로서는 6-히드록시-2-나프토일, 2,6-디히드록시 나프탈렌 또는 2,6-디카르복시 나프탈렌과 같은 나프탈렌 구조를 포함하는 반복 유니트의 적어도 10몰 %를 포함한 것들이며, 폴리에스테르 아미드의 좋은 예로서는 상기 나프탈렌 구조 및 4-아미노펜올 또는 1,4-펜닐렌디아민을 포함하는 반복 유니트를 포함하고 있는 것들이다.

폴리에스테르 및 폴리에스테르 아미드의 좋은 예가 지금 서술될 것이다.

(1) 다음 반복 유니트 I 및 II를 대체로 포함하는 폴리에스테르:

이 폴리에스테르는 유니트 I의 약 10 내지 90몰%와 유니트 II의 10 내지 90몰%를 포함한다. 폴리에스테르의 실시예에 따르면 유니트 I은 약 65 내지 85몰%의 양을 포함하고, 좋게는 약 70 내지 80몰%(예를들면, 약 75몰%)인 반면에 또 다른 실시예에 의하면 유니트 II는 15 내지 35몰%의 매우 작은 양을 포함하고, 좋게는 약 20 내지 30몰%이다. 또한 링과 결합된 하나 또는 그 이상의 수소원자는 탄소원자 1 내지 4를 갖는 알킬 그룹, 탄소원자 1 내지 4를 갖는 알콕시그룹, 치환된 펜닐 그룹 및 그의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 치환분으로 대치될지 모른다.

(2) 다음의 반복유니트 I,II 및 III를 대체로 포함하는 폴리에스테르 :

이 폴리에스테르는 유니트 I의 약 30 내지 70몰%를 포함한다. 좋게는 유니트 I의 약 40 내지 60몰%,유니트 II의 약 20 내지 30몰%, 유니트 III의 약 20 내지 30몰%를 포함한다. 또한 링에 결합되어 있는 하나 또는 그 이상의 수소원자는 탄소원자 1 내지 4를 알콜그룹, 탄소원자 1 내지 4 및 할로겐 원자를 갖는 알콕시 그룹, 펜닐그룹, 치환펜닐그룹 및 그의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 치환분으로 대치될지 모른다.

(3) 다음의 반복 유니트 I,II,Ⅲ 및를 대체로 포함하는 폴리에스테르 :

여기에서 R은 방향족 링상에 수소원자를 대치하는 치환분이고, 메틸, 클로로 또는 브롬 또는 그의 조합을 나타낸다.

이 폴리에스테르는 유니트 I 의 약 20 내지 60몰%, 유니트 II의 약 5 내지 18몰%, 유니트 III의 약 5 내지 35몰%, 유니트 IV의 약 20 내지 40몰%인 반면에, 유니트 II의 몰%와 유니트 III의 몰%와의 합이 유니트 IV의 몰%와 같다는 조건하에서 유니트 I의 약 35 내지 45몰%, 유니트 II의 10 내지 15몰%, 유니트 III의 약 15 내지 25몰%, 유니트 IV의 약 25 내지 35몰%인 것이 더 좋다. 또한 링과 결합된 하나 또는 그이상의 수소원자는 탄소원자 1 내지 4를 갖는 알킬그룹, 탄소원자 1 내지 4 및 할로겐 원자를 갖는 알콕시그룹, 펜닐그룹, 치환펜닐그룹 및 그의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 치환분으로 대치될지 모른다. 펜타플루오로펜올에서 이 모든 방향족 폴리에스테르의 0.3%(W/V)용해는 60℃에서 적어도 2.0dl/g, 예를들면 2.0 내지 10.0d1/g의 고유점성을 나타낸다.

(4) 다음의 반복유니트 I,II,III 및 IV를 대체로 포함하는 폴리에스테르:

III. 일반식에 의하면 관련되는 디옥시아릴

O-Ar-O

여기에서 Ar은 적어도 하나의 방향족 링을 포함한 2가 그룹을 나타낸다.

일반식에 의하여 관련되는 디카르복시아릴

여기에서 Ar'는 적어도 하나의 방향족 링을 포함하는 2가 그룹을 나타낸다.

이 폴리에스테르는 유니트 I의 약 20 내지 40몰%, 유니트 II의 10몰% 이상 50몰%미만, 유니트 III의 5몰%이상 30몰%미만, 유니트 IV의 5몰이상 30몰% 미만이며, 좋게는 유니트 I의 약 20 내지 30몰%(예를들면, 약 25몰%), 유니트 II의 약 25 내지 40몰%(예를 들면, 약 35몰%), 유니트 III의 약 15 내지 25몰%(예를 들면, 약 20몰%), 유니트 IV의 15 내지 25몰%(예를 들면, 약 20몰%)를 포함한다. 또한 링과 결합된 하나 또는 그 이상의 수소원자는 탄소원자 1 내지 4를 갖는 알킬그룹, 탄소원자 1 내지 4 및 할로겐원자를 갖는 알콕시 그룹, 펜닐그룹, 치환펜닐 그룹 및 그의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 치환분으로 대치될지 모른다.

유니트 III 및 IV는 대칭이며, 여기에서 "대칭"이라는 용어는 폴리머의 중추체인에서 두측면상에 다른 유니트와 함께 각각 연결되어 있는 두결합이 하나 또는 그 이상의 링상에 대칭적으로 존재한다는(예를 들면, 결합이 나프탈렌 링상에 존재할때, 그들은 서로 상대 P-위치에서 또는 반대 링상에서 존재한다)의미이다. 그러나 레졸신올 또는 이소프탈익산으로부터 유도된 것과 같은 비대칭 유니트는 또한 사용될수 있다.

디옥시아릴 유니트 III의 좋은 예로서는

이며, 디카르복시아릴 유니트 IV의 좋은 예로서는

이다.

(5) 다음의 반복유니트 I,II 및 III를 대체로 포함하는 폴리에스테르.

Ⅱ: 일반식에 관련되는 디옥시아릴 유니트.

O-Ar-O

여기에서 Ar는 적어도 하나의 방향족 링을 포함하는 2가 그룹을 나타낸다.

III: 일반식에 의하여 관련되는 디카르복시아릴 유니트:

이 폴리에스테르는 유니트 Ⅰ의 10 내지 90몰%, 유니트 II의 5 내지 45몰%, 유니트 III의 5 내지 45몰%이며, 좋게는 유니트 I의 약 20 내지 80몰%, 유니트 Ⅱ의 10 내지 40몰%, 유니트 Ⅲ의 약 10 내지 40몰%이며, 특히 더 좋게는 유니트 I의 약 60 내지 80몰%, 유니트 II의 약 10 내지 20몰%, 유니트 III의 약 10 내지 20몰%이다. 링과 결합된 하나 또는 그 이상의 수소원자는 탄소원자 1 내지 4 및 할로겐 원자를 갖는 알콕시 그룹, 치환 펜닐 그룹 및 그의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 치환분으로 대치될지 모른다.

디옥시아릴 유니트 II의 좋은 예로서는

이며, 디카르복시아릴 유니트 Ⅲ의 좋은 예로서는

이다.

(6) 다음의 반복유니트 I,II,III 및 IV를 대체로 포함하는 폴리에스테르 아미드:

II : 일반식에 의하여 관련되는 유니트

여기에서 A는 적어도 하나의 방향족 링을 포함하는 2가 그룹 또는 2가 트랜스-시클로헥산 그룹을 나타낸다.

III : 일반식에 의하며 관련되는 유니트 :

Y-Ar-z

여기에서 Ar은 적어도 하나의 방향족 링을 포함한 2가 그룹을 나타내며, Y는 O,NH 또는 NR를 나타내며, Z는 NH 또는 NR(여기에서 R은 탄소원자 l 내지 6을 가진 알킬 그룹 또는 아릴그룹을 나타낸다)을 나타낸다.

IV:일반식에 의하여 관련되는 유니트:

O-Ar'-O

여기에서 Ar'는 적어도 하나의 방향족 링을 포함한 2가 그룹을 나타낸다.

이 폴리에스테르 아미드는 유니트 I의 10 내지 90몰%, 유니트 II의 약 5 내지 45몰%, 유니트 Ⅲ의 0내지 40몰%를 포함한다. 또한 링과 결합된 하나 또는 그 이상의 수소원자는 탄소원자 1 내지 4 및 할로겐 원자를 갖는 알콕시그룹, 탄소원자 1 내지 4를 갖는 알킬그룹, 펜닐그룹, 치환펜닐그룹 또는 그의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 치환분으로 대치될런지 모른다.

디카르복시 유니트 II의 좋은 예로서는

이고, 유니트 Ⅲ의 좋은 예로서는

이며, 디옥시아릴 유니트 Ⅳ 좋은 예로서는

이다.

또한 본 발명에서 사용되고 있는 비등방성 용융 페이저를 형성할 수 있는 폴리머는 폴리머 체인 일부가 비등방성 용융 페이저를 형성할수 있는 상기 폴리머의 단편을 포함하고, 그 나머지 부분이 그러한 페이저를 형성할 수 없는 열가소성 수지의 단편을 포함하는 폴리머이다.

상기 액체 결정 폴리에스테르는 그 자체의 보강효과에 힘입어서 고강도 물질이고, 작은 선형 팽창계수 및 작은 성형수축율을 가져서 그의 차원 왜곡이 매우 작다. 또한 비록 낮은 용융 점성으로 인하여 뛰어난 유체력을 갖지만, 180 내지 200℃의 고온에 대한 저항력이 좋다. 더우기 화학물질, 기상 및 더운물에 대한 저항성이 뛰어나고, 다른 물질에 영향을 주지 않는다.

비록 액체결정 폴리에스테르가 전기 성분의 기판을 형성하기 위하여 거기에다 어느 첨가제를 첨가하지 않고 단지 하나만을 사용될 수 있지만, 300。K에서 특히 결과적인 기판이 열 소비관점으로부터 열전도이어야할 때, 적어도 10W/mk의 열전도성을 갖는 충전재로 폴리에스테르의 깊은 혼합을 하는데 사용하는 것이다. 충진재는 금속의 산화물, 질화물 및 탄화물 중에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물이다. 특히, 충전재는 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 알루미늄 산화물, 토륨 산화물, 아연산화물, 실리콘 질화물, 붕소 질화물, 알루미늄 질화물, 규산질화물과 같이 주기표의 첫번째 주기 내지 일곱번째 주기의 그룹 II,III 및 Ⅳ소자의 산화물, 질화물 및 탄화물중에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 것이 좋다.

비록 첨가된 충전재의 양이 입자크기, 특수한 표면영역 또는 충전재의 표면활성에 따라 변하지만, 용량으로 5 내지 90%이며, 좋게는 전체 혼합양에 의거하여 용량으로 20 내지 70%이다. 또한 비록 충전재의 형성은 특별하게 제한하지는 않지만, 충전재는 한정적으로 나누어지는 것이 좋다. 그러한 충전재는 본 발명에 따른 액체 결정 폴리에스테르로 만들어진 기판의 열전도성을 향상시키므로 기판의 열소비가 증진되어서 성능이 향상된다.

본 발명에 따른 전기 성분의 기판이 액체 결정 폴리에스테르를 평탄 시이트 안으로 사출하는 것, 구리-클라드(clad)적층을 형성하기 위하여 시이트를 구리 시이트로 적층하는 것, 감산방법과 같이 인쇄배선판을 형성하는 보통과정에 따라 적층상에 진기회로를 형성하는 것, 플라스틱을 성형하는 보통처리에 따라 결과적인 적층을 요구된 형상으로 열적으로 구부리는 것을 포함하는 처리에 의하여 생산될 수 있다.

본 명세서에서 사용된 "열적굽힘"이란 용어는 간단한 굽힘 뿐만 아니라 드로잉, 예를 들면 진공형성 또는 압력 몰딩과 같은 사출방법으로도 언급한다. 전기회로가 형성되어 있는 적층은 요구시 직당하게 선택된 어느 형태로 몰드될지 모른다. 그러나 적층은 심각한 변형 또는 신장 (예를 들면, 진공형성에서의 깊은 틈)하기 쉬워질때, 변형의 적층이 쉽게 구부러질때, 요구되어지지 않는 전기회로에 어느 영향을 주지않는 그러한 형으로 적층이 성형되어야 한다. 다시 말하면 본 발명에 따른 열굽힘에 의하여 형성되는 "기능적인 부분"이란 용어는 다양하게 쓰이며, 이의 예로서는 전기장치의 하우징상에 기판을 설치하는 부분, 기판 보강부분, 구성요소 보호부분, 기판상에 구성요소를 설치하는 부분이다. 기능부분의 특별한 예로서는 기판상에 설치된 IC, LSI 또는 그와 유사한 것을 보호하기 위하여 기판 주변상에서 형성 되어지고, IC 또는 그와 유사한것, 혹은 구성요소가 설치되어지는 위치에서 형성되는 접시형 요입부의 높이와 같은 높이를 갖는 구성 요소보호부분, 셀 또는 모터가 위치되어 있는 요입부와 같은 구성요소 설치부분, 큰 기판의 주변부 또는 중심부분에서 형성되어지는 리브와 같은 기판 보강부이다. 또한 비록 전기장치의 하우징상에 형성된 돌기부에 나사로 기판을 고정하는 것은 실제로 많이 사용되어 왔었지만, 본 발명에 따라 기판은 기판을 구부림으로써 형성되는 설치부에 고정시킬 수 있어서 그러한 돌출부를 형성할 필요가 없다.

IC 또는 그와 유사한 것을 설치하기 전에 구부리는 것이 좋다.

또한 액체 결정 폴리에스테르 이외의 수지로 만들어진 기능부분은 동일 몰딩 기계로 한번에 기판의 굽힘과 동시에 몰딩을 외삽함으로써 기판상에서 설치될 수 있다.

액체 결정 폴리에스테르를 사출에 의하여 얻어지는 시이트는 사출방향의 직각 방향에서 저 강성을 지니도록 하기 위하여 방향성을 갖는다.

본 발명에 의하면 여러가지 무기 충전재들은 전기성분의 기판의 성능을 향상시킬 목적으로 액체 결정 폴리머에다 첨가 되어질수 있다. 무기 층전재는 열가소성 또는 열경화성 수지에다 일반적으로 첨가되어지는 것일지 모른다.

그에 대한 예로서는 유리, 탄소, 금속, 세라믹, 붕소, 칼륨 티탄 충전재 및 석면과 같은 무기 충전재들, 칼슘 탄산염, 알루미늄 수산화물, 활석, 운모, 유리조각, 유리구슬, 석영분말, 석영가루, 규회석, 여러가지 금속가루, 흑탄소, 황산바륨등과 같은 분말 충전재들이다. 섬유탄소 또는 분말탄소와 같은 전도성 충전재의 용도는 활성효과 조건으로서 좋다.

성형력의 관점에 있어서는 수지 혼합물의 전체양에 의거하여 충전재의 양을 70%정도로 하는 것이 좋다.

또는 열가소성 또는 열경화성에 일반적으로 첨가되어지는 어느 알려진 첨가제는 요구하는 성능에 맞게 적당하게 사용될지 모른다. 첨가제의 예로서는 가소제, 부식제 및 UV 흡수제와 같은 안정제, 비정적제, 불꽂지연제, 염료 또는 안료와 같은 색물질, 흐름성 또는 성형완화 특성을 개선하기 위한 윤활제, 결정화가속제(핵형성제)이다.

본 발명에 따른 기판형태의 예로서 제 1 도에 도시되어 있으며, 제 1 도에서 번호1은 본 발명의 기판, 번호 2는 드라이 셀을 삽입하기 위한 요입부번호, 3은 모터를 삽입하기 위한 요입부, 번호, 4는 전기 성분, 번호 5은 전기회로, 번호 6은 전기장치의 하우징이다.

상기 서술한 바와 같이 본 발명은 전기회로가 갖추어져 있고, 고정확차원을 갖는 전기 성분의 기판을 제공하는 것이며, 그의 기능은 고강성, 열저항력, 저선팽창 계수 및 액체 결정 폴리에스테르와 같은 것으로 인하여 더 개선되어진다.

또한 액체 결정 폴리에스테르는 고 탄성력을 갖는다. 따라서 드라이 셀을 삽입하기 위한 요입부는 제 1 도에 도시되어 있는 바와 같이 형성되어 있을때, 셀이 잘 유지될 수 있는 반면에, 모터를 삽입하기 위한 요입부가 형성되어 있을때, 모터는 잘 유지될 수 있다. 따라서 구조를 간단하게 할 수 있다는 이점이 있다. 더우기 본 발명에 따른 기판은 여러 분야에 이용할 생각이며, 기판은 전기 전자 성분의 생산에 대하여 합리성 또는 간소화에 기여한다.

[실시예]

이제 본 발명의 실시예들을 서술한 것이다.

[실시예 1]

80μ의 평균 입자크기 (300。K에서 열전도성 36W/m. k를 나타내는)를 갖는 α-알루미늄 체적으로 35%를, 하기에 서술되어질 20,000의 평균 분자량을 갖는 수지 A에다 첨가하여 얻은 혼합물은 펠렛을 얻기 위하여 250℃에서 사출 되어졌고, 펠렛화 되어졌다. 50cm/min 속도의 기어 펌프를 갖는 구멍 및 진공굽힘으로 고정된 사출기를 가지고서 0.4mm 정도의 두께를 갖는 시이트 안으로 이 펠렛이 사출되어졌고, 이를 죄기롤 집어 올려서 120℃로 가열한다. 200℃까지 열을 가하더라도, 시이트는 300。K에서 열전도성 1.5W/m.k를 나타냈고, 변형을 일으키지 않는다.

시이트의 두표면이 분사기에 의하여 거칠어졌다. 세개의 거친 시이트들은 시이트의 사출방향이 인접 시이트의 직각방향이었던 방향으로 에폭시 접착제로 적층 되어졌고, 옆으로 15cm 씩 방형으로 자른다. 20μm의 구리박이 에폭시 접착제로 방형적층한 두표면에 가해졌다. 1.5cm 간격으로 방형적층의 간폭을 형성하는 넓이 12cm를 갖는 방형내에 회로를 형성하기 위하여 보통처리에 따른 에칭에 의하여 구리박의 불필요한 부분이 제거된다. 거기에 형성된 회로를 갖는 결과적인 적층을 하이팅이 방형적층의 주변 및, 깊이 1cm를 갖는 접시형 적으로 형성된 진공으로 제한되어졌었던 그러한 방법으로 셋트한 장거리 적외선 히이터로 약 200℃까지 가열하였다.

접시형 적을 얻기 위하여 회로부를 확장하지 않고 적층주변만이 확장되어졌다.

IC, 연결장치 및 다른 전기 성분은 접시형적내에 설치 되어졌다. 이렇게 생산된 회로를 갖는 기판은 쉽게 생산 되어질 수 있고, 고강도, 고정확 차원성, 열전도성 및 열저항력등이 뛰어나다는 이점이 있다. 또한 진동 시험을 함으로써 기판상에 설치된 전기성분이 충분히 보호된다는 것을 알수 있다.

[실시예 2 내지 4]

접시형 적을 얻기 위하여 하기에 서술되어질 수지 B,C 또는 D가 수지 A 대신에 사용되었다는 것을 제외하고는 실시예 1에서 서술한 바와 같은 순서로 반복한다. 전기 회로의 형성 ; IC, 연결장치 및 다른 전기성분의 굽힘 및 설치는 실시예 1에서 서술된 방법과 유사한 방법으로 행하여졌다.

이렇게 생산된 기판은 실시예 1에서 나타난 성능과 같이 뛰어난 성능이 나타났다.

상기 수지 A, B, C 및 D는 다음 구성 유니트를 갖는다.

수지 A,B,C 및 D의 생산의 특별한 예가 서술되어질 것이다.

[수지A]

중량으로 4-아제톡시벤조익산의 108l분의 1, 중량으로 6-아세톡시-2-나프토익산의 460분의 1, 중량으로 이소프탈익산의 166분의 1, 중량으로 1,4-디아세톡시벤젠의 194분의 1은 교반기, 질소 가스 주입관 및 증류기와 함께 이루어진 반응기에 주입되어졌다. 그 내용물은 질소분위기 내에서 260℃까지 가열해서 아세트산을 반응기에서 증류하여 제거하는 동안에 260℃에서 2.5시간동안, 280℃에서 3시간동안 활발히 저었다. 그 내용물은 320℃까지 가열하였다. 질소주입을 멈춘후에 반응기의 내부압력을 15분 간격으로 0.lmmHg까지 점차적으로 감소시켰다. 이 온도 이 압력하에서 1시간 동안, 그 내용물을 더 저었다

얻어진 폴리머는 60℃에서 중량으로 농도 0.1%의 펜타플루오로펜놀에서 결정되었던대로 순수점성 50을 가졌다.

[수지 B]

중량으로 4-아세톡시벤조익산의 1081분의1, 중량으로 2,6-디아세톡시나프탈렌의 489분의 1, 중량으로 테레프탈익산의 332분의 1은 교반기, 질소가스 주입관 및 증류기와 함께 이루어진 반응기에 주입되어졌다. 그 내용물은 질소 분위기 내에서 250℃까지 가열하여 아세트산을 반응기로부터 증류하여 제거하는 동안에 250℃에서 2시간동안, 280℃에서 2.5시간동안, 활발히 저었다. 그 내용물은 320℃까지 가열하였다. 질소주입을 멈춘후에 반응기의 내부압력을 30분 간격으로 0.2mmHg까지 점차적으로 감소시켰다. 이 온도 이 압력하에서 1.5시간동안, 그 내용물을 더 저었다.

얻어진 폴리머는 60℃에서 중량으로 농도 0.1%의 펜타플루오로펜놀에서 결정되었던대로 순수점성 2.5을 가졌다.

[수지 C]

중량으로 4-아세톡시벤조익산의 1261분의 1, 중량으로 6-아세톡시-2-나프토익산의 691분의 l은 교반기, 질소 가스 주입관 및 증류기와 함께 이루어진 반응기에 주입되어졌다. 그 내용물은 질소분위기 내에서 250℃까지 가열해서 아세트산을 반응기로부터 증류하여 제거하는 동안에 250℃에서 3시간동안, 280℃에서 2시간동안 활발히 저었다. 그 내용물은 320℃까지 가열하였다. 질소주입을 멈춘후에 반응기의 내부압력을 15분 간격으로 0.lmmHg까지 점차적으로 감소시켰다. 이 온도 이 압력하에서 1시간 동안, 그 내용물을 더 저었다

얻어진 폴리머는 60℃에서 중량으로 농도 0.1%의 펜타플루오로펜놀에서 결정되었던대로 순수점성 5.4을 가졌다.

[수지 D]

중량으로 4-아세톡시-2-나프토익산의 1612분의 1, 중량으로 4-아세톡시아세타닐리드의 291분의 1, 중량으로 테레프탈익산의 249분의 1, 중량으로 나트륨 아세테이트의 0.4분의 1은 교반기, 질소가스 주입관 및 증류기와 함께 이루어진 반응기에 주입되어졌다. 그 내용물은 질소 분위기 내에서 250℃까지 가열하여 아세트산을 반응기로부터 증류하여 제거하는 동안에 250℃에서 1시간동안, 300℃에서 3시간동안, 활발히 저었다. 그 내용물은 320℃까지 가열하였다. 질소주입은 멈춘 후에 반응기의 내부압력을 30분 간격으로 0.2mmHg까지 감소시켰다. 이 온도, 이 압력하에서 30분동안 더 저었다.

얻어진 폴리머는 60℃에서 중량으로 농도 0.1%의 펜타플루오로펜놀에서 결정되었던대로 순수점성 3.9을 가졌다.

Claims

전기 성분의 기판에 있어서, 판형 적(plate-shaped product)이 전기회로와 밀접하게 형성하는 평탄부와 전기회로가 형성되어 있는 평탄부를 열적으로 구부림으로써 형성되는 3차원 기능부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 비등방성 용융 페이저를 형성할수 있는 용융 처리할 수 있는 열가소성 액체 결정 폴리에스테르의 몰드에 의하여 얻어진 판형적을 포함하는 전기 성분의 기판.
청구범위 제 1 항에 있어서, 비등방성 용융 페이저를 형성할 수 있는 용융처리 가능한 열가소성 액체결정 폴리에스테르와, 300°K에서 적어도 10W/m. k의 열전도율을 갖는 충전재를 포함하는 긴요한 혼합물로 이루어진 판형적인 전기 성분의 기판.
청구범위 제 2 항에 있어서, 충전재가 금속의 산화물, 질화물 및 탄화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 전기 성분의 기판.
청구범위 제 2 항에 있어서, 충전재가 주기표의 첫번째 주기부터 일곱번째 주기의 그룹 II,III 및 IV소자의 산화물, 질화물 및 탄화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 혼합물인 전기 성분의 기판.
청구범위 제 2 항에 있어서, 충전재가 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 알루미늄 산화물, 토륨 산화물, 아연 산화물, 규산 질화물, 붕소 질화물, 알루미늄 질화물 및 규산 탄화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 전기 성분의 기판.
청구범위 제 1 항에 있어서, 기능부분이 전기 장치의 하우징상에 구성요소를 설치하는데 쓰이는 부분, 기판보강부분, 구성요소 보호부분 또는 구성요소가 설치되어 있는 부분인 전기 성분의 기판.
청구범위 제 1 항에 있어서, 열적 굽힘이 열적 드로잉(drawing)을 포함하는 전기 성분의 기판.
청구범위 제 7 항에 있어서, 열적 드로잉이 진공형성 또는 압력 몰딩인 전기 성분의 기판.