KR920002086B1

KR920002086B1 - 자기 디스크(磁氣 Disk)

Info

Publication number: KR920002086B1
Application number: KR1019860004629A
Authority: KR
Inventors: 유끼오 이께나가; 가쓰히꼬 다까하시; 겐지 히지까타; 또시오 가노에; 쓰네요시 오까다
Original assignee: 폴리플라스틱스 가부시끼가이샤; 고니시 히꼬이찌
Priority date: 1985-06-14
Filing date: 1986-06-11
Publication date: 1992-03-10
Also published as: EP0206599B1; KR870000685A; CA1288543C; US4726998A; EP0206599A2; JPH0673179B2; SG129692G; EP0206599A3; DE3675437D1; JPS61289523A

Abstract

내용 없음.

Description

자기 디스크(磁氣 Disk)

본 발명은 자기 기록물질과, 특히 플로피디스크와 같은 자기 디스크에 관한 것이다.

자기 디스크의 기판으로서는 2-축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 PET라 약칭한다) 필름이 현재까지 사용되어 왔다. 근래에는 기록밀도의 증가, 기록시간의 연장 및 자기 디스크의 크기 감소에 따라 작동특성이 우수하고 두께의 얇음에 상관없이 기록중에 뒤틀림이 없는 자기 디스크의 수요가 증가되었다.

따라서 기판디스크의 강성을 유지하기 위하여 PET 필름의 질과 필름 성형기술의 개선이 시험되고 있다. 그러나 필름물질이 PET인 경우 일정한 두께 이하로 얇게 제조하면 기계적 강도가 부족하여 작동특성의 손상이나 기록중의 뒤틀림과 같은 결점이 수반되게 된다. 또한 인장강도가 불충분하고 신도가 크며 온도와 습도에 대한 선팽창계수가 높음에 기인하는 치수 안정성이 부족한 2-축 연신 PET의 결점때문에 새로운 종류의 물질이 요구되고 있다.

본 발명을 요약하면 다음과 같다.

본 발명의 목적은 기계적 강도와, 온도 및 습도 변화에 대한 치수안정성이 우수하며 기판 필름의 두께를 현저히 감소시킴으로써 정보기록 밀도가 증가된 자기 디스크를 제공할 수 있는 수지상 기제물질을 제공하는 것이다.

본 발명의 자기 디스크는 용융상태에서 비등방성상(非等方性) 일 수 있는 중합체를 포함하는 수시 조성물의 기판과, 이 기판의 적어도 한 표면상에 형성된 자기층으로 구성된다.

실제적인 관점에서 상기 기판은, 다수의 단축 배향된 시이트의 적층판이어서, 결과적으로 다축 배향된 적층판인 것이 바람직하다. 기판의 가장 실재적인 구체예는 시이트의 한 배향방향이 다른 것과 약 90°의 각도로 교차하여 상기 기판의 종국적으로는 양측 배향되도록, 단축 배향된 두 시이트가 서로 적층된 적층판이다.

본 발명은 상기 목적을 수행하는 것을 목적으로 하며, 비등방성 용융상을 형성하고 용융가공이 가능한 중합체 조성물의 시이트를 주성분으로 하는 기판층의 적어도 일면에 자기층이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 디스크에 관한 것이다.

본 발명 자기 디스크의 기판을 형성하는 수지상 물질은 용융되었을 때 광학 비등방성을 나타내고 용융가공이 가능하며, 일반적으로 더모트로픽 액정(thermotropic liquid crystal)중합체로 분류되는 열가소성 중합체 조성물이다.

상기한 바와 같이 비등방성 용융상을 형성하는 중합체는 중합체의 분자쇄가 규칙적이고 평행한 배열을 갖는 것을 특징으로 한다. 분자가 이와 같은 배열을 갖는 상태를 액정 상태 또는 액정 물질의 네마틱상이라 칭한다. 이와같은 중합체는 가늘고 길며 평행하고, 분자의 종축에 따라 상당히 견고하며 일반적으로 동축이거나 서로 평행관계에 있는 다수의 고리연장 결합을 갖는 단량체로 구성된다.

비등방성 용융상의 성질은 교차 편광자를 이용하는 종래의 편광조사법에 의하여 확인할 수 있다. 더욱 상세히 말하면 비등방성 용융상의 확인은 리이쯔(Leitz) 편광현미경을 사용하여 40배율에서 라이쯔 고온단계에 위치시킨 시료를 질소 분위기하에서 관찰하여 수행할 수 있다. 상기한 중합체는 광학 비등방성이다. 즉 이 중합체는 교차 편광자 사이에서 조사했을 때 광 투과성이다. 시료가 광학 비등방성이면 정돈상태에서도 편광을 통과하게할 것이다.

비등방성 용융상을 형성하는 중합체의 성분에는 다음의 것이 포함된다.

(1) 하나 또는 그이상의 방향족 디카르복실산과 지방족 환상 디카르복실산으로 구성되는것; (2) 하나 또는 그이상의 방향족 디올과 지방족 환상디올과 지방족 디올로 구성되는 것; (3) 하나 또는 그이상의 방향족 히드록시 카르복실산으로 구성되는 것; (4) 하나 또는 그이상의 방향족 티올카르복실산으로 구성되는 것; (5) 하나 또는 그이상의 방향족 디티올과 방향족 티올페놀로 구성되는 것; (6) 하나 또는 그이상의 방향족 히드록시아민과 방향족 디아민으로 구성되는 것.

비등방성 용융상을 형성하는 중합체는 각각 다음 조합물중의 어느하나로 구성된다.

Ⅰ) (1)과 (2)를 포함하는 폴리에스테르; Ⅱ) (3)만을 포함하는폴리에스테르; Ⅲ) (1), (2) 및 (3)을 포함하는 폴리에스테르; Ⅳ) (4)만을 포함하는 폴리티올에스테르; Ⅴ) (1)과 (5)를 포함하는 폴리티올에스테르; Ⅵ) (1), (4) 및 (5)를 포함하는 폴리티올에스테르; Ⅶ) (1), (3) 및 (6)을 포함하는 폴리에스테르아미드; Ⅷ) (1), (2), (3) 및 (6)을 포함하는폴리에스테르아미드.

상기 성분 조합물의 범위에는 포함되지 않았으나 비등방성 용융상을 형성할 수있는 중합체중에는 방향족 폴리아조메틴이 있으며, 그의 실시예는 폴리(니트릴로-2-메틸-1,4-페닐렌니트릴로에틸리딘-1,4-페닐렌에틸리딘);폴리(니트릴로-2-메틸-1,4-페닐렌니트릴로메틸리딘-1,4-페닐렌메틸리딘); 및 폴리(니트릴로-2-클로로-1,4-페닐렌니트릴로메틸리딘-1,4-페닐렌메틸리딘)이 포함된다.

상기한 성분 조합물의 범위에는 포함되지 않으나 비등방성 용융상을 형성할 수 있는 기타 중합체중에는 폴리에스테르 탄산염이 있다. 이들 탄산염중의 몇종은실질적으로 4-옥시벤조일, 디올시페닐, 디옥시카아보닐 및 테레프탈로일 단위로 구성된다.

상기한 성분 Ⅰ) 내지 Ⅷ)에 속하는 화합물은 다음과 같다 : 즉테레프탈산, 4,4'- 디페닐디카르복실산, 4,4'-트리페닐디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 디페닐에테르-4,4'-디카르복실산, 디페녹시에탄-4,4', 디카르복실산, 디페녹시부탄-4,4'-디카르복실산, 디페닐에탄-4,4'-디카르복실산, 이소프탈산, 디페닐에테르-3,3'-디카복 실산, 디페녹시에탄-3,3'-디카르복실산, 디페닐에탄-3,3'-디카르복실산 및 나프탈렌-1,6-디카르복실산과 같은 방향족 디카르복실산; 클로로테레프탈산, 디클로로 테레프탈산, 브로모테레프탈산, 메틸테레프탈산, 디메틸데레프탈산, 에틸테레프탈산, 메톡시테레프탈산 및 에톡시테레프탈산과 같은 상기 방향족 디카르복실산의 알킬-, 알콕시- 또는 할로겐-치환유도체.

트랜스-1,4-시클로헥산디카르복실산, 씨스-1,4-시클로헥산디카르복실산, 및 1,3-시클로헥산디카르복실산과 같은 지방 환상 디카르복실산; 트랜스-1,4-(1-메틸)시클로헥산디카르복실산과 트랜스-1,4-(1-클로로)시클로헥산디카르복실산과 같은 상기한 지방 환상 디카르복실산의 알킬-, 일콕시- 또는 할로겐-치환유도체.

히드로퀴논, 레조트시놀, 4,4'-디히드록시디페닐, 4,4' -디히드록시트리페닐, 2,6-나프탈렌디올, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 비스(4-히드록시페녹시)에탄, 3,3'-디히드록시디페닐, 3,3'-디히드록시디페닐에테르, 1,6-나프탈렌디올, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 및 2,2-비스(4-히드록시페닐)메탄과 같은 방향족 디올 ; 그리고 클로로히드로퀴논, 메틸히드로퀴논, 1-부틸히드로퀴논, 페닐히드로퀴논, 메톡시히드로퀴논, 페녹시히드로퀴논, 4-클로로레조트시놀 및 4-메틸레조트시놀과 같은 상기한 방향족 디올의 알킬-, 알콕시- 또는 할로겐- 치환유도체.

트랜스-1,4-시클로헥산디올, 씨스-1,4-시클로헥산디올, 트랜스-1,4-시클로헥산디메탄올, 싸스-1,4-시클로헥산디메탄올, 트랜스-1,3-시클로헥산디올, 씨스-1,2-시클로헥산디올 및 트랜스-1,3-시클로헥산디메탄올과 같은 지방환상디올 ; 그리고 트랜스-1,4-(1-메틸)시클로헥산디올과 트랜스-1,4-(1-클로로)시클로헥산디올과 같은 상기한 지방환상디올의 알킬-, 알콕시- 또는 할로겐-치환유도체.

에틸렌글리콜, 1-3-프로판디올, 1,4-부탄디올 및 네오펜틸글리콜과 같은 직쇄 및 측쇄 지방족 디올을 포함하는 지방족 디올.

4-히드록시벤조산, 3-히드록시벤조산, 6-히드록시-2-나프토산 및 6-히드록시-1-나프토산과 같은 방향족히드록시 카르복실산; 3-메틸-4-히드록시벤조산, 3,5-디메틸-4-히드록시벤조산, 2,6-디메틸-4-히드록시벤조산, 3-메톡시-4-히드록시벤조산, 3,5-디메톡시-4-히드록시벤조산, 6-히드록시-5-메틸-2-나프토산, 6-히드록시-5-메톡시-2-나프토산, 3-클로로-4-히드록시벤조산, 2-클로로-4-히드록시벤조산, 2,3-디클로로-4-히드록시벤조산, 3,5-디클로로-4-히드록시벤조산, 2,5-디클로로-4-히드록시벤조산, 3-브로모-4-히드록시벤조산, 6-히드록시-5-클로로-2-나프토산, 6-히드록시-7-클로로-2-나프토산 및 6-히드록시-5,7-디클로로-2-나프토산과 같은 방향족 히드록시카르복실산의 알킬-, 알콕시-또는 할로겐-치환유도체.

4-메르캅토벤조산, 3-메트캅토벤조산, 6-메르캅토-2-나프토산 및 7-메르캅토-2-나프토산과 같은 방향족 메르캅토 카르복실산.

벤젠-1,4-디티올, 벤젠-1,3-디티올, 2,6-나프탈렌디티올 및 2,7-나프탈렌디티올과 같은 방향족디티올.

4- 메르캅토페놀, 3-메르캅토페놀, 6-메르캅토페놀 및 7-메르캅토페놀과 같은 방향족 메르캅토페놀.

4-아미노페놀, N-메틸-4-아미노페놀, 1,4-페닐렌디아민, N-메틸-1,4-페닐렌디아민, N,N'-디메틸-1,4-페닐렌디아민, 3-아미노페놀, 3-메틸-4-아미노페놀, 3-메틸-4-아미노페놀, 2-클로로-4-아미노페놀, 4-아미노-1-나프톨, 4-아미노-4'-히드록시피페닐, 4-아미노-4'-히드록시디페닐 에테르, 4-아미노-4'-히드록시디페닐메탄, 4-아미노-4'-히드록시디페닐 술피드, 4,4'-디아미노디페닐 술피드(티오디아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 2,5-디아미노톨루엔, 4,4'-에틸렌디아닐린, 4,4'-디아미노디페녹시에탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌디아닐린) 및 4,4'-디아미노디페닐에테르(옥시디아닐린)과 같은 방향족 히드록시아민과 방향족 디아민.

상기 성분으로 구성되는 위에 기재한 중합체 Ⅰ) 내지 Ⅷ)에서 비등방성 용융상을 형성할 수 있는 것과, 성분의 종류와 종합체내의 조성비와 연속분포에 따라 비등방성 용융상을 형성할 수 없는 것이 포함되는바, 상기한 중합체중 비등방성 용융상을 형성할 수 있는 중합체만 본 발명에 사용될 수 있다.

비등방성 용융상을 형성하고 본 발명에 사용하기 적당한 중합체로서의 폴리에스테르 Ⅰ), Ⅱ) 및 Ⅲ)과 폴리에스테르 아미드 Ⅷ)은 축합반응에 의하여 소요반복 단위를 형성할 수 있는 관능기를 각각 갖는 유기 단량체 화합물간의 반응으로 구성되는 여러가지 에스테르 형성방법에 의하여 제조할 수 있다. 이와같은 관능기로서는 예컨대 카르복실, 히드록실, 에스테르, 아실옥시, 할로겐화아실 및 아민기가 있다. 상기한 유기단량체 화합물은 열교환유체의 부존재하에 용융 애시돌리시스(산분해)방법에 의하여 반응시킬 수 있다. 이방법에 의하면, 우선 단량체는 함께 가열되어 반응물의 용융물을 형성한다. 반응이 진행함에 따라 고체중합체 입자가 용융물에 현탁된다. 축합반응의 최종단계에서 부산물로서 형성된 휘발성물질(즉 아세트산이나 물)을 용이하게 제거하기 위하여는 반응계를 진공화시킬 수 있다.

슬러리 중합반응도 역시 본 발명에서 바람직하게 사용되는 완전 지방족 폴리에스테르 형성에 이용된다. 이 방법으로 얻은 고체 생성물은 열교환매체에 현탁된 상태로 있다.

상기한 용융 애시돌리시스와 슬러리 중합반응을 이용하는 모든 공정에 있어서는 완전 방향족 폴리에스테르가 되는 유기단량체 반응물이, 상기 단량체의 히드록실기를 상온에서 에스테르화하여 얻은 저급 아실에스테르와 같은 변성된 형태로 반응에 참여할 수 있다.

저급 아실기는 2 내지 4개의 탄소원자를 갖는것이 바람직하다. 이와같은 유기 단량체 반응물의 아세트산염을 반응에 사용하는 것이 바람직하다.

용융 애시돌리시스와 슬러리 방법중의 어느것에도 사용가능한 촉매의 전형적인 실예로는 산화 디알킬주석(예를들면 산화 디부틸주석), 산화디아릴주석, 2산환티탄, 3산화안티몬, 규산알콕시티탄, 티탄알콕사이드, 카르복실산의 알칼리 및 알칼리토금속염(예컨대 아세트산아연), 루이스산(예컨대 BF₃) 및 할로겐화수소(예컨대 HC1)와 같은 기상의 산촉매가 있다. 촉매의 양은 일반적으로 단량체의 총중량에 대하여 약 0.001 내지 1중량%, 특히 약 0.01 내지 0.2중량%이다.

본 발명에 사용하기 적당한 완전 방향족 중합체는 실질적으로 통상의 용제에는 불용성인 경향이 있으며, 따라서 용액공정에는 부적당하다. 그러나 상기한 바와 같이 이와 같은 중합체는 통상의 용융공정 진행에 용이하게 순응한다. 특히 바람직한 완전지방족 중합체는 펜타플루오르페놀에 어느정도 가용성이다.

본 발명에 사용하기 적당한 완전 방향족 폴리에스테르의 중량-평균분자량은 약 2,000 내지 200,000, 바람직하게는 약 10,000 내지 50,000, 더욱 바람직하게는 약 20,000 내지 25,000이다. 한편 바람직한 완전 방향족 폴리에스테르 아미드의 분자량은 일반적으로 약 5,000 내지 50,000, 바람직하게는 약 10,000 내지 30,000으로 예를들면 15,000 내지 17,000이다. 이들 분자량은 겔 투과 크로마토그라피와, 중합체의 용해를 유발하지 않는 기타 표준방법, 예를들면 압착-성형 필름의 적외선 스펙트로포토미트리에 의한 말단기 측정법에 의하여 측정할 수 있다. 분자량은 펜타플루오르페놀 용액을 제조하고 광산란법에 의하여 측정할 수 있다.

상기한 완전 방향족 폴리에스테르와 폴리에스테르아미드는 0.1중량%의 농도로 60℃에서 펜타플로우로페놀에 용해시켰을 때 대체로 적어도 약 2.0dl/g, 예컨대 약 2.0 내지 10.0dl/g의 대수점도 (Ⅰ.Ⅴ.)를 나타낸다.

본 발명에 사용하기 특히 적당한 비등방성 용융상을 형성하는 폴리에스테르는 6-히드록시-나프토산, 2,6-디히드록시나프탈렌 및 2,6-디카르복시나프탈렌과 같은 나프탈렌부분을 함유하는 반복단위를 약 10몰%이상의 양으로 함유한다. 바람직한 폴리에스테르 아미드는 상기의 나프탈렌부분과, 4-아미노페놀이나 1,4-페닐렌디아민을 포함하는 기타부분을 함유한다. 더욱 상세히 말하면 이들 아미드는 다음과 같다 :

(1) 다음의 반복단위 Ⅰ과 Ⅱ를 필수성분으로 하는 폴리에스테르;

이 폴리에스테르는 약 10 내지 90몰%의 단위 Ⅰ과 약 10 내지 90몰%의 단위Ⅱ를 포함하고 있다. 한 구체예에서 단위 Ⅰ은 약 65 내지 85%, 바람직하게는 약 70 내지 80몰%(예를들면 약 75몰%) 범위의 양으로 존재한다. 다른 구체예로서 단위 Ⅱ는 약 15 내지 35몰%, 바람직하게는 20 내지 30몰%의 적은 양으로서 존재한다. 어떤 경우에는 적어도 고리에 결합된 수소원자부분이 1 내지 4개 탄소원자의 알킬, 1 내지 4개 탄소원자의 알콕시, 할로겐, 페닐, 치환페닐 및 이들 성분의 조합물중에서 선택된 치환분으로 치환될 수 있다.

(2) 다음의 반복단위 Ⅰ,Ⅱ 및 Ⅲ을 필수성분으로 하는 폴리에스테르.

이 폴리에스테르는 약 30 내지 70몰%의 양으로 단위 Ⅰ를 포함하며,바람직하게는 약 40 내지 60몰%의 단위 Ⅰ과, 약 20 내지 30몰%의 단위 Ⅱ와 약 20 내지 30몰%의 단위 Ⅲ를 포함하고 있다. 어떤 경우에는 적어도 고리에 결합된 수소원자를 1 내지 4개 탄소원자의 알킬, 1 내지 4개 탄소원자의 알콕시, 할로겐, 페닐, 치환페닐 및 이들 성분의 조합성분으로부터 선택된 치환분으로 치환될 수 있다.

(3) 다음의 반복단위 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 및 Ⅳ를 필수성분으로 하는 폴리에스테르.

(상기 일반식등에서 R은 메틸, 클로로, 브로모, 또는 이들 성분의 조합성분을 나타내며, 방향족 고리상의 수소원자에 대한 치환분이다) 이 폴리에스테르는 약 20 내지 60몰%의 단위 Ⅰ과, 약 5 내지 18몰%의 단위 Ⅱ와, 약 5 내지 35몰%의 단위 Ⅲ인 약 20 내지 40몰%의 단위 Ⅳ, 바람직하게는 약 35 내지 45몰%의 단위 Ⅰ과, 약 10 내지 15몰%의 단위 Ⅱ와, 약 15 내지 25몰%의 단위 Ⅲ 및 약 25 내지 35몰%의 단위 Ⅳ로 구성된다. 단위 Ⅱ와 Ⅲ의 총 몰농도는 실질적으로 단위 Ⅳ의 농도와 동일하다. 어떤 경우에는 적어도 고리에 결합된 수소원자를 1 내지 4개 탄소원자의 알킬기, 1 내지 4개 탄소원자의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환페닐, 이들 성분의 조합성분중에서 선택된 치환분으로 치환시킬 수 있다. 이와 같은 완전 방향족 폴리에스테르는 펜타플루오로페놀에 0.3W/V%의 농도로 60℃에서 용해시켰을 때 대체로 적어도 2.0dl/g, 예컨대 2.0 내지 10.0dl/g의 대수점도를 나타낸다.

(4) 다음과 같은 반복단위 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 및 Ⅳ를 필수성분으로 하는 폴리에스테르.

Ⅲ. 일반식

으로 표시되는 디옥시아릴단위.(상기식에서 Ar은 적어도 하나의 방향족 고리를 표함하는 2가의 기를 나타낸다)

Ⅳ. 일반식

으로 표시되는 디카르복시아릴단위.(상기식에서 Ar'는 적어도 하나의 방향족고리를 함유하는 2가의 기를 나타낸다)

이 폴리에스테르는 약 20 내지 40몰%의 단위 Ⅰ과, 10 이상으로부터 약 50몰%까지의 단위 Ⅱ와, 5 이상으로부터 약 30몰%까지의 단위 Ⅲ과, 5 이상으로부터 약 30몰%까지의 단위 Ⅳ, 바람직하게는 약 20 내지 30몰%(예를들면 약 25몰%)의 단위 Ⅰ과, 약 25 내지 40몰%(예를들면 약 35몰%)의 단위 Ⅱ과, 약 15 내지 25몰%(예를들면 약 20몰%)의 단위 Ⅲ과 약 15 내지 2몰%(예글들면 약 20몰%)의 단위 Ⅳ로 구성된다. 어떤 경우에는 적어도 고리에 결합된 수소원자 부분만을 1 내지 4개 탄소원자의 알킬, 1 내지 4개 탄소원자의 알콕시,페닐, 치환페닐 및 이들 성분의 조합성분중에서 선택된 치환분으로 치환시킬 수 있다.

단위 Ⅲ 과 Ⅳ는, 이들 단위를 중합체의 주쇄 양측상에 있는 다른 단위에 결합시키는 2가 결합이 하나 또는 두개의 방향족 고리에 위치적으로 대칭(예를들면 이들 단위는 나프탈렌고리상에 존재하는 경우 서로 파라 위치에 있거나 또는 대각선 고리상에 위치한다)이라는 의미에서 대칭인것이 바람직하다. 그러나 레조트시놀이나 이소프탈산으로부터 유도된것과 같은 비대칭단위도 역시 사용 가능하다.

바람직한 시옥시아릴 단위 Ⅲ은

이고, 바람직한 디카르복시이릴 단위 Ⅳ는

이다.

(5) 다음과 같은 반복단위 Ⅰ, Ⅱ및 Ⅲ을 필수성분으로 하는 폴리에스테르.

Ⅱ. 일반식

으로 표시되는 디옥시아릴단위.(상기 식에서 Ar은 적어도 하나의 방향족 고리를 함유하는 2가의 기를 나타낸다.)

Ⅲ. 일반식

(상기식에서 Ar'는 적어도 하나의 방향족 고리를 함유하는 2가의 기를 나타낸다)으로 표시되는 디카르복시아릴단위.

이 폴리에스테르는 약 10 내지 90몰%의 단위 Ⅰ과, 5 내지 45몰%의 단위 Ⅱ와 5 내지 45몰%의 단위 Ⅲ으로, 바람직하게는 약 20 내지 80몰%의 단위 Ⅱ과 약 10 내지 40몰의 단위 Ⅱ와, 약 10 내지 40몰%의 단위 Ⅲ으로 구성된다. 더욱 바람직하게는이 폴리에스테르는 약 60 내지 80몰%의 단위 Ⅰ과, 약 10 내지 20몰%의 단위 Ⅱ와 약 10 내지 20몰%의 단위 Ⅲ으로 구성한다.

어떤 경우에는 적어도 수소원자의 부분을 1 내지 4개 탄소원자의 알킬기, 1 내지 4개 탄소원자의 알콕시, 할로겐, 페닐 및 치환페닐중에서 선택된 치환분으로 치환시킬 수 있다.

바람직한 디옥시아릴 단위 Ⅱ는

이며, 바람직한 디카르복시아릴단위 Ⅲ은

이다.

(6)다음의 반복단위 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 및 Ⅳ를 필수성분으로 하는 폴리에스테르아미드.

Ⅱ. 일반식

으로 표시되는 (상기식에서 A는 적어도 하나의 방향족 고리를 함유하는 2가의 기나 또는 2가의 트랜스 시클로헥산기를 나타낸다)단위.

Ⅲ. 일반식

으로 표시되는 (상기식에서 Ar은 적어도 하나의 방향족 고리를 함유하는 2가의 기를 나타내고; Y는 O, NH 또는 NR을 나타내며; Z는 NH 또는 NR을 나타내고 R은 1 내지 6개의 탄소원자의 알킬기나 또는 아릴기로 나타낸다)단위.

Ⅳ. 일반식

으로 표시되는 단위. (상기식에서 Ar'는 적어도 하나의 방향족고리를 함유하는 2가의 기를 나타낸다).

이 폴리에스테르는 약 10 내지 90몰%의 단위 Ⅰ과, 약 5 내지 45몰%의 단위 Ⅱ와, 약 5 내지 45몰%의 단위 Ⅲ과 약 0 내지 40몰%의 단위 Ⅳ로 구성된다.

어떤 경우에는 적어도 고리에 결합된 수소원자부분을 1 내지 4개 탄소원자의 알킬, 1 내지 4개의 탄소원자의 알콕시, 할로겐, 페닐, 치환페닐 및 이들성분의 조합성분 중에서 선택된 치환분으로 치환시킬 수 있다.

바람직한 디카르복시아릴 단위 Ⅱ는

이고, 바람직한 단위 Ⅲ은

또는

이며, 바람직한 디옥시아릴 단위 Ⅳ는

이다.

본 발명에 따르는 비등방성 용융상을 형성하는 중합체는, 고분자쇄의 일부는 상기한 바와같은 비등방성용융상을 형성하는 중합체의 부분이고 여타부는 비등방성 용융상을 형성하지 않는 열가소성 수지 부분으로 구성되는 것을 포함한다.

본 발명에서 이용되는 비등방성 용융상을 형성하고, 용융공정이 가능한 중합체 조성물은 (1) 비등방성용융상을 형성하는 하나 이상의 기타 중합체와, (2) 비등방성 용융상을 형성하지 않는 열가소성수지와, (3)열경화성수지와, (4) 저분자 유기화합물, (5) 무기물질, 을 더 포함한다.

비등방성 용융상을 형성하는 중합체는 조성물의 기타부분과 열역학적으로 혼화성일 수도 있고 비혼화성일 수도 있다.

열가소성 수지(2)에는 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 폴리비날아세테이트, 염화폴리비닐, 염화폴리비닐리덴, 폴리스티렌, 아크릴수지, ABS수지, AS수지, BS수지, 폴리우레탄, 실리콘수지, 플루오토수지, 폴리아세탈, 폴리카아보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 방향족 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리아크릴토니트릴, 폴리비닐알코올, 폴리비닐에테르, 폴리에테르아미드, 폴리아미도 이미드, 폴리에테르 에테르이미드, 폴리에테르 에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리페닐렌옥사이드가 포함된다.

열경화성수지(3)에는 예컨대 페놀, 에폭시, 멜라민, 요소, 불포화 폴리에스테르 및 알키드 수지가 포함된다.

저분자 유기화합물(4)에는, 예컨대 가소제, 와같은 일반적인 열가소성 및 열경화성 수지용 첨가제, 산화방지제와 자외선 및 열경화성 수지용 첨가제, 산화방지제와, 자외선 흡수제와 같은 내후안정제, 핵형성제, 정전방지제, 난연제화합물,염료 및 안료와 같은 착색제 및 기포제는 물로 디비닐화합물과 과산화물과 가황제와 같은 가교결합제, 및 유동성 증진 및 금형이탈 증진용의 윤활제로서 사용되는 저분자 유기화합물이 포함된다.

무기물질(5)에는, 예컨대 일반적인 열가소성 및 열경화성수지용 첨가제, 즉 유리, 섬유, 탄소, 금속, 시래믹 및 붕고섬유와 석면과 같은 일반적인 무기섬유; 탄산칼슘, 고분산성 규산, 알루미나, 수산화알루미늄, 활석분, 운모, 유리플레이크, 유리구, 석영분, 규사, 여러가지 금속분, 카아본 블랙, 황산바륨 및 황산 칼슘과 같은 분말물질; 탄화규소, 알루미나, 질산붕소 및 질화규소와 같은 무기화합물, 휘스커(WHISKER) 및 금속 휘스커등이 포함된다.

본 발명의 중합체 조성물에 있어서, 중합체 고리는 용융되는 경우 정지상태에 있어서도 높은 배향도를 나타내고, 또한 용융성형에 있어서 용융물이 유동되기 때문에 높은 배향도를 나타내며, 이에 의하여 박층 성형물과 같은 2-차원의 물체에 있어서도 높은 배향도를 나타낸다.

따라서 본 발명의 중합체 조성물을 자기 디스크의 기판과 같이 기질 수지에 요구되는 치수안정성, 여러가지 기계적 성질 및내열성 등을 포함하는 요건을 충분히 만족시킨다.

그러나 사용편의상 원형으로 형성된 플로피 디스크로서 사용되는 자기디스크에 대하여는 우수한 치수안정성, 즉 온도와 습도에 대한 원형의 모든 방향으로의 선팽창계수뿐만 아니라 이들 값의 등방성도 역시 요구된다.

일본특허공개공보 제31718/1983은 더모트로픽 액정 중합체의 단축배향 적층시이트로 구성되는 고성능의 다축배향 적층재를 제안하고 있는바, 이 중합체는 본 발명에서 기판으로서 바람직하게 사용된다.

상기 특허는 바람직한 기계적 성질과 우수한 내열 및 내화학약품성을 갖는 다축배향 적층재의 제조방법을 개시하고 있는바, 이 방법은, (a) 비등방성용융상을 형성할 수 있는 실질적으로 1-방 배향된 중합체의 적어도 두개의 시이트를 제조하는 단계와, (b) 각개 시이트에 있어서는 실질적인 1-방 배향을 유지하면서 다축배향 적층재를 구성시키기 위하여 두 시이트의 축방향이 서로 일정한 각도로 교차할 수 있는 방법으로, 상기의 적어도 두 시이트를 열결합 조건에 노출시키는 단계, 로 구성된다.

본 발명을 실시함에 있어서는, 서로 약 90^o의 각도로 교차하도록 위치하는, 상기한 바와 같은 두 중합체시이트를 열-가압하여 얻은 적층필름을 사용하는 것이 바람직하다.

이와같이 비등방성 용융상을 형성하는 중합체 조성물로부터 2-축 배향 적층필름을 형성시키면 적당한 등방성 선팽창계수를 갖는 디스크 기판을 얻을 수 있다.

본 발명의 자기 디스크용 자기층을 특정의 것이 아니며,공지된 자기물질로 구성되는 어떠한 층도 사용가능하다.

이와같은 층의 특수한 실예로서는 y-Fe₂O₃

CrO₃CO로 도우프한 산화철, Fe나 CO나 Ni와 같은 금속 및 이들 금속의 합금으로 구성되는 것이 있으며, 특별히 유기중합체를 실질적으로 함유하지 않는 박막형의 자기층이 바람직하다.

본 발명에 따라서 자기 디스크를 제조하는 방법에 있어서는 열가소성 수지에 일반적으로 이용되는 필름가공방법, 예를들면 비-연신 또는 연신필름에 대한 공정과 같은 T-다이방법이나 또는 인플레이션법을 이용함으로써 비등방성 용융상을 형성하는 중합체를 필름으로 제조할 수 있다.

필요한 경우에는, 이와같이 생성된 필름을 열처리하여 필름의 기계적 강도를 더 개선할 수 있다.

열처리에 적당한 조건은 200 내지 270℃의 온도범위이다. 이와같이 얻은 단축배향필름은 상기한 특허공개공보 제31718/1983에 개시된 방법에 의하여 다축 배향필름으로 적층한다.

적층법을 이용하여 2-축 및 다축배향된 시이트를 형성할때에는 필요에 따라 접착제를 사용할 수 있다. 사용 가능한 접착제는 일반적인 적층필름 제조에 사용되는 것으로서, 고온 용융물형, 반응성 형, 유기용제형 및 유제형이 있으며, 이들중 접착제의 고온 용융물형이 공정의 용이성 때문에 바람직하며, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리아크릴, 아세트산 폴리비닐 및 이들의 공중합체를 이와같은 목적으로 사용한다.

이와같이 얻은 디스크 기판상에 자기층을 형성시킨다. 여러가지 공지된 층 형성법을 이용할 수 있다. 이들 방법으로서는 예컨대, γ-Fe₂O₃

Cr0₃CO로 도우프한 산화철, Fe나 Ni 또는 CO와 같은 금속 및 이들 금속으로 구성된 합금등의 분말을, 염화비밀과 아세트산 비닐과의 공중합체, 폴리우레탄, 폴리부타디엔, 폴리에폭시, 폴리아크릴 또는 페놀수지와 같은 수지결합제와, 또한 여러가지 안정제, 분산제, 정전방지제 및 윤활제와 같은 첨가제와 함께 용제에 용해시켜 제조한 용액으로 피복하는 방법과, 스퍼터링, 증착법 또는 철 도금에 의하여 원하는 금속층을 직접 형성시키는 방법이 있다.

기판 필름상에 상기 자기층을 형성시키기 전에 공지된 코로나 방전처리(공기, 질소 또는 카르본산 가스중에서)하는 방법, 접착성이나 윤활유 또는 표면 평활성을 부여하기 위하여 기타 여러종류의 중합체를 적층하는 방법, 또는 기타 종류의 화합물을 사용하여 피복하는 방법등을 이용할 수 있다. 이와같은 방법으로 피복형이거나 증착형의 디스크의 제조가 가능하다.

산화방지제, 열안정제, 자외선흡수제, 핵 형성제 또는 표면 투영형성제와 같은 무기 또는 유기첨가제를 본 발명 목적을 방해하지 않는 범위에서 정상적인 양으로, 본 발명에 따라 기판으로서 사용될 필름에 가할 수 있다.

본 발명의 효과를 기술하면 다음과 같다.

본 발명의 상기한 바와 같이, 특정의 중합체로 구성된 필름의 적어도 한 표면에 형성된 자기층을 가지며 물리적 성질이 우수한 자기디스크를 제공하며, 따라서 다음과 같은 탁월한 효과를 나타낸다.

(1) 열수축성이 낮고, 두께가 얇더라도 작동특성이 우수하며 기록중 뒤틀림이 없는 자기디스크를 제조할 수 있으며, 그 결과 필름두께의 감소, 크기의 감소 및 자기디스크이 기록밀도 증가가 가능하다.

(2) 이 자기디스크는 디스크기판과 자기층 사이의 접착성이 우수한 자기 기록물질을 부여할 수 있으며, 따라서 기록중의 변형이 전혀 없게 된다.

(3) 이 자기디스크는 기계적 당도와 치수 안정성이 우수하며, 2-축 배향 적층필름을 사용하므로써 얻게되는 등방성의 낮은 선 팽창계수 때문에 자기 디스크로서의 높은 성능을 나타낸다.

본 발명의 자기디스크의 모든 종류의 자기 기록용 플로피 디스크로서 사용 가능하다.

본 발명의 구체예를 기술하면 다음과 같다.

본 발명을 실시하는 방법을 실시예를 참고하여 기술할 것인바, 본 발명이 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다.

[참고실시예 1 내지 4]

후술하는 비등방성 용융상을 형성하는 중합체 A, B, C 및 D를 포함하는 펠리트를, 슬리트 다이스가 장비된 필름 압출기를 사용하여 각각 310, 320, 315 및 320℃의 온도에서, 5m/분의 연신속도로 압출-성형하여 82mm폭과 0.15mm두께의 필름을 얻었다.

한 필름의 종축이 다른 필름의 종축과 수직 교차되는 배열방법으로 동일 종류의 두 필름 시이트를 적층하고 이 적층된 필름을 300℃에서 고온-가압하여 필름을 제조하였다. 이들 적층필름의 특성이 표 1에 기재되어 있다.

이들 필름의 기계적 성질은 ASTM D-882에 따라 측정하고, 선팽창계수는 일정 부하 신도 시험기(Nippon Jido Seigyo K.K 제조)로 측정하였다.

[참고 비교실실예 1 ]

폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 290℃에서 용융된 동안 T-다이가 장비된 압출기로 압출한 다음 용융된 제품이 비-연신 필름으로 고화되도록 켄칭드럼상에 권취하였다. 얻어진 필름을 예열로울에 의하여 80℃로 가열하고, 동시에 1,000℃로 가열한 탄화실리콘 가열소자로 양측을 신속 가열시키고, 종방향으로 3.7배 연신하고, 다음에 110℃에서 폭방향으로 3.8배 연신하여 두께 0.2mm의 필름을 얻었다. 이 필름의 특성도 역시 표 1에 기재되어 있다.

비등방성 용융상을 형성하며, 필름 형성용 수지로서 사용되는 중합체 A, B, C 및 D는 다음의 구조단위로 구성된다.

상기한 수지 A, B, C 및 D의 상세한 제조방법을 이하에 기술한다.

(수지 A)

1081중량부의 4-아세톡시벤조산, 460중량부의 6-아세톡시-2-나프토산, 166중량부의 이소프탈산 및 194중량부의 1,4-디아세톡시벤젠을 교반기, 질소도입관 및 증류관이 장비된 반응기에 넣고 질소 기류하에서 260℃까지 가열하였다. 반응기로부터 아세트산을 증류하면서 반응 혼합물을 2.5시간동안 260℃에서 격렬히 교반하고 280℃에서 3시간 더 교반하였다.

다음에 온도를 320℃까지 상승시키고, 질소를 도입하여 현탁시킨 다음 반응기의 압력을 15분계 걸쳐서 0.1mmHg까지 서서히 감압시켰다. 이 혼합물을 동일한 온도 압력에서 1시간 교반하였다.

얻어진 중합체는 60℃에서 펜타플루오토페놀에서 측정했을때 0.1중량%의 농도와 5.0의 비점도를 나타내었다.

(수지 B)

1081중량부의 4-아세톡시벤조산, 489중량부의 2,6-디아세톡시나트탈렌 및 332중량부의 테레프탈산을 교반기, 질소도입관 및 증류관이 장비된 반응기에 공급하고, 질소 기류중에서 250℃까지 가열하였다. 반응기로부터 아세트산을 증류하면서, 반응 혼합물을 250℃에서 2시간 동안 격렬히 교반하고, 280℃에서 시간동안 더 교반하였다.

다음에 온도를 320℃로 상승시키고, 질소도입으로 현탁시킨 후에 반응기의 압력을 30분에 걸쳐 0.2mmJHg까지 서서히 감압시켰다. 이 혼합물을 동일한 온도와 압력에서 1.5시간동안 교반하였다.

얻어진 중합체는 60℃에서 펜타플루오토페놀에서 측정했을때 0.1중량%의 농도와 2.5의 비점도를 나타내었다.

(수지 C)

1261중량부의 4-아세톡시벤조산과 691중량부의 6-아세톡시-2-나프토산을 교반기, 질소도입관 및 증류관이 장비된 반응기에 공급하고, 질소기류중에서 250℃까지 가열하였다. 반응기로부터 아세트산을 증류하면서, 250℃에서 3시간동안 혼합물을 격렬히 교반하고, 2시간동안 280℃에서 더 교반하였다.

다음에 온도를 320℃까지 상승시키고, 질소도입으로 현탁액이 되게 한후 반응기압력을 20분에 걸쳐 0.1mmHg까지 서서히 감압시켰다.

반응 혼합물을 동일온도와 압력에서 1시간동안 교반하였다. 얻어진 중합체는 60℃에서 펜타플루오토페놀에서 측정했을때 0.1중량%의 농도와 5.4의 비점도를 나타내었다.

(수지 D)

1612중량부의 6-아세톡시-2-나프토산, 290중량부의 4-아세톡시아세트아닐리드, 249중량부의 테레프탈산 및 0.4중량부의 아세트산 나트륨을 교반기, 질소도입관 및 증류관이 장비된 반응기에 도입하고 질소기류중에서 250℃까지 가열하였다.

반응기로부터 아세트산을 유거하면서 반응 혼합물을 250℃에서 1시간동안 격렬히 교반하고, 300℃에서 3시간동안 더 교반하였다.

다음에 온도를 340℃까지 상승시키고, 질소를 도입하여 현탁액을 제조한 다음반응기의 압력을 30분간에 걸쳐 0.2mmHg로 서서히 감소시켰다.

반응 혼합물을 동일온도와 압력에서 30분간 교반하였다. 얻어진 중합체는 60℃에서 펜타플루오로페놀에서 측정했을때 0.1중량%의 농도와 3.9의 비점도를 나타내었다.

[표 1]

[실시예 1 내지 4 및 비교실시예 1]

참고실시예 1 내지 4와 참고 비교실시예 1에 따라 제조된 필름을 γ-Fe₂O₃분말을 함유하는 피복제(염화비닐-아세트산비닐-비닐알코올의 공중합체와 아크릴로니트릴-부타디엔의 공중합체)로 피복시켰다. 이들 필름의 선 팽창계수는 표 2에 기재되어 있다.

[실시예 5 내지 8 및 비교실시예 2]

참고실시예 1 내지 4와 비교실시예 1에 기술된 바에따라 제조된 필름을 CO-γ-Fe₂O₃분말을 함유하는 피복제로 피복시켜서 각개의 자기디스크를 얻었다.(실시예 5 내지 8과 비교실시예 2)

이들 필름의 선 팽창계수가 표 2 에 기재되어 있다.

[표 2]

표 2와 3으로부터 명확한 바와같이, 본 발명에 따라 제조된 비등방성 용융상을 형성하는 각각의 중합체 필름으로 구성되는 적층필름에는 접착성이 우수한 자기층이 제공되며, 상기 필름을 디스크의 기판필름으로서 이용함으로서 등방성의 낮은 선팽창계수를 갖는 우수한 자기디스크가 얻어졌다.

Claims

용융된 상태에서 비등방성상이 가능한 액정 중합체를 함유하는 수지 조성물의 기판과, 상기 기판의 적어도 한 표면에 형성된 자기층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 디스크.
제1항에 있어서, 상기 기판은 다수의 단축 배향 시이트의 적층판이어서, 결국 상기 기판은 다축 배향된 것임을 특징으로 하는 자기 디스크.
제1항에 있어서, 상기 기판은 한 시이트 배향 방향이 다른 하나의 시이트 배항방향과 약 90℃의 각도로 교차하도록 서로 적층된, 두단축 배향시이트의 적층판이어서, 결국 상기 기판의 2-축 배향된 것임을 특징으로 하는 자기 디스크.
제1항에 있어서, 상기 액정 중합체의 성분은; (1) 지환족 디카르복실산과 방향족 디카르복실산중 하나 또는 그 이상으로 구성되는 것; (2) 지방족 디올, 지환족 디올과 방향족 디올중 하나 또는 그 이상으로 구성되는 것; (3) 방향족 히드록시 카르복실산의 하나 또는 그 이상으로 구성되는 것; (4) 방향족 티올카르복실산의 하나 또는 그 이상으로 구성되는 것; (5) 방향족 티올페놀과 방향족 디티올중 하나 또는 그 이상으로 구성되는 것; 그리고 (6) 방향족 디아민과 방향족 히드록시아민중 하나 또는 그 이상으로 구성되는 것을 포함하고, 상기 액정 중합체는; (Ⅰ) (1)과 (2)로 구성된 폴리에스테르 ; (Ⅱ) (3)만으로 구성된 폴리에스테르; (Ⅲ) (1),(2)와 (3)으로 구성된 폴리에스테르; (Ⅳ) (4)만으로 구성된 폴리티올 에스테르; (Ⅴ) (1)과 (5)로 구성된 폴리티올 에스테르; (Ⅵ) (1),(4)와 (5)로 구성된 폴리티올 에스테르; (Ⅶ) (1),(3)과 (6)으로 구성된 폴리에스테르 아미드; (Ⅷ) (1),(2),(3)과 (6)으로 구성된 폴리에스테르 아미드의 상기 조합물중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 디스크.