JPH0673179B2 - 磁気デイスク - Google Patents
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- JPH0673179B2 JPH0673179B2 JP12961685A JP12961685A JPH0673179B2 JP H0673179 B2 JPH0673179 B2 JP H0673179B2 JP 12961685 A JP12961685 A JP 12961685A JP 12961685 A JP12961685 A JP 12961685A JP H0673179 B2 JPH0673179 B2 JP H0673179B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録材料、特にフロッピーディスク等の磁
気ディスクに関するものである。
気ディスクに関するものである。
磁気ディスクのディスク基板としては、従来、二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート（以下PETと略称）フィル
ムが主として用いられている。又最近では記録の高密度
化、記録時間の延長、磁気ディスクの小型化に伴い、薄
くても磁気ディスクとしての走行特性が良好でしかも記
録の歪を生じない磁気ディスクが要求されている。そこ
で、基板ディスクの剛性を保つために、PETフィルム素
材の改質やフィルム成形加工技術の改良等の検討がなさ
れている。
ポリエチレンテレフタレート（以下PETと略称）フィル
ムが主として用いられている。又最近では記録の高密度
化、記録時間の延長、磁気ディスクの小型化に伴い、薄
くても磁気ディスクとしての走行特性が良好でしかも記
録の歪を生じない磁気ディスクが要求されている。そこ
で、基板ディスクの剛性を保つために、PETフィルム素
材の改質やフィルム成形加工技術の改良等の検討がなさ
れている。
併しながら素材がPETである限り、ある一定厚さ以下に
薄くすると、機械的強度が不足し、磁気ディスクとして
の走行特性が損なわれたり、記録の歪が生じたりする欠
点があった。又二軸延伸PETフィルムは引張強度が未だ
不充分であり、又伸びが大きく、更に温度及び湿度に対
する線膨張係数が大きいため寸法安定性が劣る等の欠点
があり、新しい素材が要求される。
薄くすると、機械的強度が不足し、磁気ディスクとして
の走行特性が損なわれたり、記録の歪が生じたりする欠
点があった。又二軸延伸PETフィルムは引張強度が未だ
不充分であり、又伸びが大きく、更に温度及び湿度に対
する線膨張係数が大きいため寸法安定性が劣る等の欠点
があり、新しい素材が要求される。
本発明の目的は、磁気ディスクのベースフィルム厚を極
めて薄くすることによって更に情報記録密度を高めるこ
とを可能にでき、機械的強度及び温度や湿度の変化に対
する寸法安定性が極めて優れたベース樹脂材料を提供す
るにある。
めて薄くすることによって更に情報記録密度を高めるこ
とを可能にでき、機械的強度及び温度や湿度の変化に対
する寸法安定性が極めて優れたベース樹脂材料を提供す
るにある。
本発明は、上記目的を達成するため異方性溶融相を形成
する溶融加工可能なポリマー組成物のシートを主体とす
る基板層の少なくとも片面に磁性層を設けたことを特徴
とする磁気ディスクに係わるものである。
する溶融加工可能なポリマー組成物のシートを主体とす
る基板層の少なくとも片面に磁性層を設けたことを特徴
とする磁気ディスクに係わるものである。
本発明の磁気ディスクの基板層を形成する樹脂は、溶融
時に光学的異方性を示す、熱可塑性溶融加工可能なポリ
マー組成物であり、一般にサーモトロピック液晶ポリマ
ーに分類される。
時に光学的異方性を示す、熱可塑性溶融加工可能なポリ
マー組成物であり、一般にサーモトロピック液晶ポリマ
ーに分類される。
かかる異方性溶融相を形成するポリマーは溶融状態でポ
リマー分子鎖が規則的な平行配列をとる性質を有してい
る。分子がこのように配列した状態をしばしば液晶状態
または液晶性物質のネマチック相という。このようなポ
リマーは、一般に細長く、偏平で、分子の長軸に沿って
かなり剛性が高く、普通は同軸または平行のいずれかの
関係にある複数の連鎖伸長結合を有しているようなモノ
マーから製造される。
リマー分子鎖が規則的な平行配列をとる性質を有してい
る。分子がこのように配列した状態をしばしば液晶状態
または液晶性物質のネマチック相という。このようなポ
リマーは、一般に細長く、偏平で、分子の長軸に沿って
かなり剛性が高く、普通は同軸または平行のいずれかの
関係にある複数の連鎖伸長結合を有しているようなモノ
マーから製造される。
異方性溶融相の性質は、直交偏光子を利用した慣用の偏
光検査法により確認することができる。より具体的に
は、異方性溶融相の確認は、Leitz偏光顕微鏡を使用
し、Leitzホットステージにのせた試料を窒素雰囲気下
で40倍の倍率で観察することにより実施できる。上記ポ
リマーは光学的に異方性である。すなわち、直交偏光子
の間で検査したときに光を通過させる。試料が光学的に
異方性であると、たとえ静止状態であっても偏光は透過
する。
光検査法により確認することができる。より具体的に
は、異方性溶融相の確認は、Leitz偏光顕微鏡を使用
し、Leitzホットステージにのせた試料を窒素雰囲気下
で40倍の倍率で観察することにより実施できる。上記ポ
リマーは光学的に異方性である。すなわち、直交偏光子
の間で検査したときに光を通過させる。試料が光学的に
異方性であると、たとえ静止状態であっても偏光は透過
する。
上記の如き異方性溶融相を形成するポリマーの構成成分
としては 芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸の１つま
たはそれ以上からなるもの 芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
の１つまたはそれ以上からなるもの 芳香族ヒドロキシカルボン酸の１つまたはそれ以上
からなるもの 芳香族チオールカルボン酸の１つまたはそれ以上か
らなるもの 芳香族ジチオール、芳香族チオールフェノールの１
つまたはそれ以上からなるもの 芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミンの１つま
たはそれ以上からなるもの 等があげられ、異方性溶融相を形成するポリマーは Ｉ）とからなるポリエステル II）だけからなるポリエステル III）ととからなるポリエステル IV）だけからなるポリチオールエステル Ｖ）とからなるポリチオールエステル VI）ととからなるポリチオールエステル VII）ととからなるポリエステルアミド VIII）とととからなるポリエステルアミド 等の組み合わせから構成される。
としては 芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸の１つま
たはそれ以上からなるもの 芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
の１つまたはそれ以上からなるもの 芳香族ヒドロキシカルボン酸の１つまたはそれ以上
からなるもの 芳香族チオールカルボン酸の１つまたはそれ以上か
らなるもの 芳香族ジチオール、芳香族チオールフェノールの１
つまたはそれ以上からなるもの 芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミンの１つま
たはそれ以上からなるもの 等があげられ、異方性溶融相を形成するポリマーは Ｉ）とからなるポリエステル II）だけからなるポリエステル III）ととからなるポリエステル IV）だけからなるポリチオールエステル Ｖ）とからなるポリチオールエステル VI）ととからなるポリチオールエステル VII）ととからなるポリエステルアミド VIII）とととからなるポリエステルアミド 等の組み合わせから構成される。
更に上記の成分の組み合わせの範疇には含まれないが、
異方性溶融相を形成するポリマーには芳香族ポリアゾメ
チンが含まれ、かかるポリマーの具体例としては、ポリ
（ニトリロ−２−メチル−1,4−フェニレンニトリロエ
チリジン−1,4−フェニレンエチリジン）；ポリ（ニト
リロ−２−メチル−1,4−フェニレンニトリロメチリジ
ン−1,4−フェニレンメチリジン）；およびポリ（ニト
リロ−２−クロロ−1,4−フェニレンニトリロメチリジ
ン−1,4−フェニレンメチリジン）が挙げられる。
異方性溶融相を形成するポリマーには芳香族ポリアゾメ
チンが含まれ、かかるポリマーの具体例としては、ポリ
（ニトリロ−２−メチル−1,4−フェニレンニトリロエ
チリジン−1,4−フェニレンエチリジン）；ポリ（ニト
リロ−２−メチル−1,4−フェニレンニトリロメチリジ
ン−1,4−フェニレンメチリジン）；およびポリ（ニト
リロ−２−クロロ−1,4−フェニレンニトリロメチリジ
ン−1,4−フェニレンメチリジン）が挙げられる。
更に上記の成分の組み合わせの範疇には含まれないが、
異方性溶融相を形成するポリマーとしてポリエステルカ
ーボネートが含まれる。これは本質的に４−オキシベン
ゾイル単位、ジオキシフェニル単位、ジオキシカルボニ
ル単位及びテレフタロイル単位からなるものである。
異方性溶融相を形成するポリマーとしてポリエステルカ
ーボネートが含まれる。これは本質的に４−オキシベン
ゾイル単位、ジオキシフェニル単位、ジオキシカルボニ
ル単位及びテレフタロイル単位からなるものである。
以下に上記Ｉ）〜VIII）の構成成分となる化合物を列記
する。
する。
芳香族ジカルボン酸としては、テレフタル酸、4,4′−
ジフェニルジカルボン酸、4,4′−トリフェニルジカル
ボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエ
ーテル−4,4′−ジカルボン酸、ジフェノキシエタン−
4,4′−ジカルボン酸、ジフェノキシシブタン−4,4′−
ジカルボン酸、ジフェニルエタン−4,4′−ジカルボン
酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテル−3,3′−ジカ
ルボン酸、ジフェノキシエタン−3,3′−ジカルボン
酸、ジフェニルエタン−3,3′−ジカルボン酸、ナフタ
レン−1,6−ジカルボン酸の如き芳香族ジカルボン酸、
または、クロロテレフタル酸、ジクロロテレフタル酸、
プロモテレフタル酸、メチルテレフタル酸、ジメチルテ
レフタル酸、エチルテレフタル酸、メトキシテレフタル
酸、エトキシテレフタル酸の如き前記芳香族ジカルボン
酸のアルキル、アルコキシまたはハロゲン置換体等があ
げられる。
ジフェニルジカルボン酸、4,4′−トリフェニルジカル
ボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエ
ーテル−4,4′−ジカルボン酸、ジフェノキシエタン−
4,4′−ジカルボン酸、ジフェノキシシブタン−4,4′−
ジカルボン酸、ジフェニルエタン−4,4′−ジカルボン
酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテル−3,3′−ジカ
ルボン酸、ジフェノキシエタン−3,3′−ジカルボン
酸、ジフェニルエタン−3,3′−ジカルボン酸、ナフタ
レン−1,6−ジカルボン酸の如き芳香族ジカルボン酸、
または、クロロテレフタル酸、ジクロロテレフタル酸、
プロモテレフタル酸、メチルテレフタル酸、ジメチルテ
レフタル酸、エチルテレフタル酸、メトキシテレフタル
酸、エトキシテレフタル酸の如き前記芳香族ジカルボン
酸のアルキル、アルコキシまたはハロゲン置換体等があ
げられる。
脂環族ジカルボン酸としては、トランス−1,4−シクロ
ヘキサンジカルボン酸、シス−1,4−シクロヘキサンジ
カルボン酸、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂
環族ジカルボン酸またはトランス−1,4−（１−メチ
ル）シクロヘキサンジカルボン酸、トランス−1,4−
（１−クロル）シクロヘキサンジカルボン酸等、上記脂
環族ジカルボン酸のアルキル、アルコキシ、またはハロ
ゲン置換体等があげられる。
ヘキサンジカルボン酸、シス−1,4−シクロヘキサンジ
カルボン酸、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂
環族ジカルボン酸またはトランス−1,4−（１−メチ
ル）シクロヘキサンジカルボン酸、トランス−1,4−
（１−クロル）シクロヘキサンジカルボン酸等、上記脂
環族ジカルボン酸のアルキル、アルコキシ、またはハロ
ゲン置換体等があげられる。
芳香族ジオールとしては、ハイドロキオン、レゾルシ
ン、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、4,4′−ジヒドロ
キシトリフェニル、2,6−ナフタレンジオール、4,4′−
ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビス（４−ヒドロキ
シフェノキシ）エタン、3,3′−ジヒドロキシジフェニ
ル、3,3′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,6−ナ
フタレンジオール、2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
メタン等の芳香族ジオールまたは、クロロハイドロキノ
ン、メチルハイドロキノン、１−ブチルハイドロキノ
ン、フェニルハイドロキノン、メトキシハイドロキノ
ン、フェノキシハイドロキノン:4−クロルレゾルシン、
４−メチルレゾルシン等上記芳香族ジオールのアルキ
ル、アルコキシまたはハロゲン置換体があげられる。
ン、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、4,4′−ジヒドロ
キシトリフェニル、2,6−ナフタレンジオール、4,4′−
ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビス（４−ヒドロキ
シフェノキシ）エタン、3,3′−ジヒドロキシジフェニ
ル、3,3′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,6−ナ
フタレンジオール、2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
メタン等の芳香族ジオールまたは、クロロハイドロキノ
ン、メチルハイドロキノン、１−ブチルハイドロキノ
ン、フェニルハイドロキノン、メトキシハイドロキノ
ン、フェノキシハイドロキノン:4−クロルレゾルシン、
４−メチルレゾルシン等上記芳香族ジオールのアルキ
ル、アルコキシまたはハロゲン置換体があげられる。
脂環族ジオールとしては、トランス−1,4−シクロヘキ
サンジオール、シス−1,4−シクロヘキサンジオール、
トランス−1,4−シクロヘキサンジメタノール、シス−
1,4−シクロヘキサンジメタノール、トランス−1,3−シ
クロヘキサンジオール、シス−1,2−シクロヘキサンジ
オール、トランス−1,3−シクロヘキサンジメタノール
の如き脂環族ジオールまたは、トランス−1,4−（１−
メチル）シクロヘキサンジオール、トランス−1,4−
（１−クロロ）シクロヘキサンジオールの如き上記脂環
族ジオールのアルキル、アルコキシまたはハロゲン置換
体があげられる。
サンジオール、シス−1,4−シクロヘキサンジオール、
トランス−1,4−シクロヘキサンジメタノール、シス−
1,4−シクロヘキサンジメタノール、トランス−1,3−シ
クロヘキサンジオール、シス−1,2−シクロヘキサンジ
オール、トランス−1,3−シクロヘキサンジメタノール
の如き脂環族ジオールまたは、トランス−1,4−（１−
メチル）シクロヘキサンジオール、トランス−1,4−
（１−クロロ）シクロヘキサンジオールの如き上記脂環
族ジオールのアルキル、アルコキシまたはハロゲン置換
体があげられる。
脂肪族ジオールとしては、エチレングリコール、1,3−
プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、ネオペンチ
ルグリコール等の直鎖状または分枝状脂肪族ジオールが
あげられる。
プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、ネオペンチ
ルグリコール等の直鎖状または分枝状脂肪族ジオールが
あげられる。
芳香族ヒドロキシカルボン酸としては、４−ヒドロキシ
安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−
２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸等の
芳香族ヒドロキシカルボン酸または、３−メチル−４−
ヒドロキシ安息香酸、3,5−ジメチル−４−ヒドロキシ
安息香酸、2,6−ジメチル−４−ヒドロキシ安息香酸、
３−メトキシ−４−ヒドロキシ安息香酸、3,5−ジメト
キシ−４−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−５−
メチル−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−５−メトキ
シ−２−ナフトエ酸、３−クロロ−４−ヒドロキシ安息
香酸、２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、2,3−ジ
クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、3,5−ジクロロ−４
−ヒドロキシ安息香酸、2,5−ジクロロ−４−ヒドロキ
シ安息香酸、３−ブロモ−４−ヒドロキシ安息香酸、６
−ヒドロキシ−５−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒド
ロキシ−７−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ
−5,7−ジクロロ−２−ナフトエ酸等の芳香族ヒドロキ
シカルボン酸のアルキル、アルコキシまたはハロゲン置
換体があげられる。
安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−
２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸等の
芳香族ヒドロキシカルボン酸または、３−メチル−４−
ヒドロキシ安息香酸、3,5−ジメチル−４−ヒドロキシ
安息香酸、2,6−ジメチル−４−ヒドロキシ安息香酸、
３−メトキシ−４−ヒドロキシ安息香酸、3,5−ジメト
キシ−４−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−５−
メチル−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−５−メトキ
シ−２−ナフトエ酸、３−クロロ−４−ヒドロキシ安息
香酸、２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、2,3−ジ
クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、3,5−ジクロロ−４
−ヒドロキシ安息香酸、2,5−ジクロロ−４−ヒドロキ
シ安息香酸、３−ブロモ−４−ヒドロキシ安息香酸、６
−ヒドロキシ−５−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒド
ロキシ−７−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ
−5,7−ジクロロ−２−ナフトエ酸等の芳香族ヒドロキ
シカルボン酸のアルキル、アルコキシまたはハロゲン置
換体があげられる。
芳香族メルカプトカルボン酸としては、４−メルカプト
安息香酸、３−メルカプト安息香酸、６−メルカプト−
２−ナフトエ酸、７−メルカプト−２−ナフトエ酸等が
あげられる。
安息香酸、３−メルカプト安息香酸、６−メルカプト−
２−ナフトエ酸、７−メルカプト−２−ナフトエ酸等が
あげられる。
芳香族ジチオールとしては、ベンゼン−1,4−ジチオー
ル、ベンゼン−1,3−ジチオール、2,6−ナフタレン−ジ
チオール、2,7−ナフタレン−ジチオール等があげられ
る。
ル、ベンゼン−1,3−ジチオール、2,6−ナフタレン−ジ
チオール、2,7−ナフタレン−ジチオール等があげられ
る。
芳香族メルカプトフェノールとしては、４−メルカプト
フェノール、３−メルカプトフェノール、６−メルカプ
トフェノール、７−メルカプトフェノール等があげられ
る。
フェノール、３−メルカプトフェノール、６−メルカプ
トフェノール、７−メルカプトフェノール等があげられ
る。
芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミンとしては４−
アミノフェノール、Ｎ−メチル−４−アミノフェノー
ル、1,4−フェニレンジアミン、Ｎ−メチル−1,4−フェ
ニレンジアミン、N,N′−ジメチル−1,4−フェニレンジ
アミン、３−アミノフェノール、３−メチル−４−アミ
ノフェノール、２−クロロ−４−アミノフェノール、４
−アミノ−１−ナフトール、４−アミノ−４′−ヒドロ
キシジフェニル、４−アミノ−４′−ヒドロキシジフェ
ニルエーテル、４−アミノ−４′−ヒドロキシジフェニ
ルメタン、４−アミノ−４′−ヒドロキシジフェニルス
ルフィド、4,4′−ジアミノフェニルスルフィド（チオ
ジアニリン）、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、
2,5−ジアミノトルエン、4,4′−エチレンジアニリン、
4,4′−ジアミノジフェノキシエタン、4,4′−ジアミノ
ジフェニルメタン（メチレンジアニリン）、4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル（オキシジアニリン）などが
挙げられる。
アミノフェノール、Ｎ−メチル−４−アミノフェノー
ル、1,4−フェニレンジアミン、Ｎ−メチル−1,4−フェ
ニレンジアミン、N,N′−ジメチル−1,4−フェニレンジ
アミン、３−アミノフェノール、３−メチル−４−アミ
ノフェノール、２−クロロ−４−アミノフェノール、４
−アミノ−１−ナフトール、４−アミノ−４′−ヒドロ
キシジフェニル、４−アミノ−４′−ヒドロキシジフェ
ニルエーテル、４−アミノ−４′−ヒドロキシジフェニ
ルメタン、４−アミノ−４′−ヒドロキシジフェニルス
ルフィド、4,4′−ジアミノフェニルスルフィド（チオ
ジアニリン）、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、
2,5−ジアミノトルエン、4,4′−エチレンジアニリン、
4,4′−ジアミノジフェノキシエタン、4,4′−ジアミノ
ジフェニルメタン（メチレンジアニリン）、4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル（オキシジアニリン）などが
挙げられる。
上記各成分からなる上記ポリマーＩ）〜VIII）は、構成
成分及びポリマー中の組成比、シークエンス分布によっ
ては、異方性溶融相を形成するものとしないものが存在
するが、本発明で用いられるポリマーは上記のポリマー
の中で異方性溶融相を形成するものに限られる。
成分及びポリマー中の組成比、シークエンス分布によっ
ては、異方性溶融相を形成するものとしないものが存在
するが、本発明で用いられるポリマーは上記のポリマー
の中で異方性溶融相を形成するものに限られる。
本発明で用いるのに好適な異方性溶融相を形成するポリ
マーである上記Ｉ）、II）、III）のポリエステル及びV
III）のポリエステルアミドは、縮合により所要の反復
単位を形成する官能基を有している有機モノマー化合物
同士を反応させることのできる多様なエステル形成法に
より生成させることができる。たとえば、これらの有機
モノマー化合物の官能基はカルボン酸基、ヒドロキシル
基、エステル基、アシルオキシ基、酸ハロゲン化物、ア
ミン基などでよい。上記有機モノマー化合物は、溶融ア
シドリシス法により熱交換流体を存在させずに反応させ
ることができる。この方法ではモノマーをまず一緒に加
熱して反応物質の溶融溶液を形成する。反応を続けてい
くと固体のポリマー粒子が液中に懸濁するようになる。
縮合の最終段階で副生した揮発物（例、酢酸または水）
の除去を容易にするために真空を適用してもよい。
マーである上記Ｉ）、II）、III）のポリエステル及びV
III）のポリエステルアミドは、縮合により所要の反復
単位を形成する官能基を有している有機モノマー化合物
同士を反応させることのできる多様なエステル形成法に
より生成させることができる。たとえば、これらの有機
モノマー化合物の官能基はカルボン酸基、ヒドロキシル
基、エステル基、アシルオキシ基、酸ハロゲン化物、ア
ミン基などでよい。上記有機モノマー化合物は、溶融ア
シドリシス法により熱交換流体を存在させずに反応させ
ることができる。この方法ではモノマーをまず一緒に加
熱して反応物質の溶融溶液を形成する。反応を続けてい
くと固体のポリマー粒子が液中に懸濁するようになる。
縮合の最終段階で副生した揮発物（例、酢酸または水）
の除去を容易にするために真空を適用してもよい。
また、スラリー重合法も本発明に用いるのに好適な完全
芳香族ポリエステルの形成に採用できる。この方法で
は、固体生成物は熱交換媒質中に懸濁した状態で得られ
る。
芳香族ポリエステルの形成に採用できる。この方法で
は、固体生成物は熱交換媒質中に懸濁した状態で得られ
る。
上記の溶融アシドリシス法およびスラリー重合法のいず
れを採用するにしても、完全芳香族ポリエステルを誘導
する有機モノマー反応物質は、かかるモノマーの常温で
のヒドロキシル基をエステル化した変性形態で（すなわ
ち、低級アシルエステルとして）反応に供することがで
きる。低級アシル基は炭素数約２〜４のものが好まし
い。好ましくは、かかる有機モノマー反応物質の酢酸エ
ステルを反応に供する。
れを採用するにしても、完全芳香族ポリエステルを誘導
する有機モノマー反応物質は、かかるモノマーの常温で
のヒドロキシル基をエステル化した変性形態で（すなわ
ち、低級アシルエステルとして）反応に供することがで
きる。低級アシル基は炭素数約２〜４のものが好まし
い。好ましくは、かかる有機モノマー反応物質の酢酸エ
ステルを反応に供する。
更に溶融アシドリシス法又はスラリー法のいずれにも注
意に使用しうる触媒の代表例としては、ジアルキルスズ
オキシド（例、ジブチルスズオキシド）、ジアリールス
ズオキシド、二酸化チタン、三酸化アンチモン、アルコ
キシチタンシリケート、チタンアルコキシド、カルボン
酸のアルカリおよびアルカリ土類金属塩（例、酢酸亜
鉛）、ルイス（例、BF3）、ハロゲン化水素（例、HCl）
などの気体状酸触媒などが挙げられる。触媒の使用量は
一般にはモノマーの全重量に基づいて約0.001〜１重量
％、特に約0.01〜0.2重量％である。
意に使用しうる触媒の代表例としては、ジアルキルスズ
オキシド（例、ジブチルスズオキシド）、ジアリールス
ズオキシド、二酸化チタン、三酸化アンチモン、アルコ
キシチタンシリケート、チタンアルコキシド、カルボン
酸のアルカリおよびアルカリ土類金属塩（例、酢酸亜
鉛）、ルイス（例、BF3）、ハロゲン化水素（例、HCl）
などの気体状酸触媒などが挙げられる。触媒の使用量は
一般にはモノマーの全重量に基づいて約0.001〜１重量
％、特に約0.01〜0.2重量％である。
本発明に使用するのに適した完全芳香族ポリマーは、一
般溶剤には実質的に不溶である傾向を示し、したがって
溶融加工には不向きである。しかし、既に述べたよう
に、これらのポリマーは普通の溶融加工法により容易に
加工することができる。特に好ましい完全芳香族ポリマ
ーはペンタフルオロフェノールにはいくらか可溶であ
る。
般溶剤には実質的に不溶である傾向を示し、したがって
溶融加工には不向きである。しかし、既に述べたよう
に、これらのポリマーは普通の溶融加工法により容易に
加工することができる。特に好ましい完全芳香族ポリマ
ーはペンタフルオロフェノールにはいくらか可溶であ
る。
本発明で用いるのに好適な完全芳香族ポリエステルは一
般に重量平均分子量が約2,000〜200,000、好ましくは約
10,000〜50,000、特に好ましくは約20,000〜25,000であ
る。一方、好適な完全芳香族ポリエステルアミドは一般
に分子量が約5,000〜50,000、好ましくは約10,000〜30,
000、例えば15,000〜17,000である。かかる分子量の測
定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーならび
にその他のポリマーの溶液形成を伴わない標準的測定
法、たとえば圧縮成形フィルムについて赤外分光法によ
り末端基を定量することにより実施できる。また、ペン
タフルオロフェノール溶液にして光散乱法を用いて分子
量を測定することもできる。
般に重量平均分子量が約2,000〜200,000、好ましくは約
10,000〜50,000、特に好ましくは約20,000〜25,000であ
る。一方、好適な完全芳香族ポリエステルアミドは一般
に分子量が約5,000〜50,000、好ましくは約10,000〜30,
000、例えば15,000〜17,000である。かかる分子量の測
定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーならび
にその他のポリマーの溶液形成を伴わない標準的測定
法、たとえば圧縮成形フィルムについて赤外分光法によ
り末端基を定量することにより実施できる。また、ペン
タフルオロフェノール溶液にして光散乱法を用いて分子
量を測定することもできる。
上記の完全芳香族ポリエステルおよびポリエステルアミ
ドはまた、60℃でペンタフルオロフェノールに0.1重量
％濃度で溶解したときに、少なくとも約2.0dl/g、たと
えば約2.0〜10.0dl/gの対数粘度（I.V.）を一般に示
す。
ドはまた、60℃でペンタフルオロフェノールに0.1重量
％濃度で溶解したときに、少なくとも約2.0dl/g、たと
えば約2.0〜10.0dl/gの対数粘度（I.V.）を一般に示
す。
本発明で用いられる異方性溶融相を示すポリマーは、芳
香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミドが好ま
しく、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミ
ドを同一分子鎖中に部分的に含むポリエステルも好まし
い例である。
香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミドが好ま
しく、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミ
ドを同一分子鎖中に部分的に含むポリエステルも好まし
い例である。
それらを構成する化合物の好ましい例は、2,6−ナフタ
レンジカルボン酸、2,6−ジヒドロキシナフタレン、1,4
−ジヒドロキシナフタレン及び６−ヒドロキシ−２−ナ
フトエ酸等のナフタレン化合物、4,4′−ジフェニルジ
カルボン酸、4,4′−ジヒドロキシビフェニル等のビフ
ェニル化合物、下記一般式（Ｉ）、（II）又は（III）
で表わされる化合物： （但し、X:アルキレン（C1〜C4）、アルキリデン、‐O
-、‐SO-、‐SO2-、‐S-、‐CO-より選ばれる基 Y:-（CH2）n-（ｎ＝１〜４）、‐Ｏ（CH2）nO-（ｎ＝１
〜４）より選ばれる基） ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、ハイドロキノ
ン、ｐ−アミノフェノール及びｐ−フェニレンジアミン
等のパラ位置換のベンゼン化合物及びそれらの核置換ベ
ンゼン化合物（置換基は塩素、臭素、メチル、フェニ
ル、１−フェニルエチルより選ばれる）、イソフタル
酸、レゾルシン等のメタ位置換のベンゼン化合物であ
る。
レンジカルボン酸、2,6−ジヒドロキシナフタレン、1,4
−ジヒドロキシナフタレン及び６−ヒドロキシ−２−ナ
フトエ酸等のナフタレン化合物、4,4′−ジフェニルジ
カルボン酸、4,4′−ジヒドロキシビフェニル等のビフ
ェニル化合物、下記一般式（Ｉ）、（II）又は（III）
で表わされる化合物： （但し、X:アルキレン（C1〜C4）、アルキリデン、‐O
-、‐SO-、‐SO2-、‐S-、‐CO-より選ばれる基 Y:-（CH2）n-（ｎ＝１〜４）、‐Ｏ（CH2）nO-（ｎ＝１
〜４）より選ばれる基） ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、ハイドロキノ
ン、ｐ−アミノフェノール及びｐ−フェニレンジアミン
等のパラ位置換のベンゼン化合物及びそれらの核置換ベ
ンゼン化合物（置換基は塩素、臭素、メチル、フェニ
ル、１−フェニルエチルより選ばれる）、イソフタル
酸、レゾルシン等のメタ位置換のベンゼン化合物であ
る。
又、上述の構成成分を同一分子鎖中に部分的に含むポリ
エステルの好ましい例は、ポリアルキレンテレフタレー
トであり、アルキル基の炭素数は２乃至４である。
エステルの好ましい例は、ポリアルキレンテレフタレー
トであり、アルキル基の炭素数は２乃至４である。
上述の構成成分の内、ナフタレン化合物、ビフェニル化
合物、パラ位置換ベンゼン化合物より選ばれる１種若し
くは２種以上の化合物を必須の構成成分として含むもの
が更に好ましい例である。又、ｐ−位置換ベンゼン化合
物の内、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、メチルハイドロキノ
ン及び１−フェニルエチルハイドロキノンは特に好まし
い例である。
合物、パラ位置換ベンゼン化合物より選ばれる１種若し
くは２種以上の化合物を必須の構成成分として含むもの
が更に好ましい例である。又、ｐ−位置換ベンゼン化合
物の内、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、メチルハイドロキノ
ン及び１−フェニルエチルハイドロキノンは特に好まし
い例である。
構成成分の具体的な組み合わせとしては以下のものが例
示される。
示される。
式中Ｚは‐Cl,-Br,-CH3より選ばれる置換基であり、Ｘ
はアルキレン（C1〜C4）、アルキリデン、‐O-、‐SO
-、‐SO2-、‐S-、‐CO-より選ばれる置換基である。
はアルキレン（C1〜C4）、アルキリデン、‐O-、‐SO
-、‐SO2-、‐S-、‐CO-より選ばれる置換基である。
本発明で用いられるのに特に好ましい異方性溶融相を形
成するポリエスレルは、６−ヒドロキシ−２−ナフトイ
ル、2,6−ジヒドロキシナフタレン及び2,6−ジカルボキ
シナフタレン等のナフタレン部分含有反復単位を約10モ
ル％以上の量で含有するものである。好ましいポリエス
テルアミドは上述ナフタレン部分と４−アミノフェノー
ル又は1,4−フェニレンジアミンよりなる部分との反復
単位を含有するものである。具体的には以下の通りであ
る。
成するポリエスレルは、６−ヒドロキシ−２−ナフトイ
ル、2,6−ジヒドロキシナフタレン及び2,6−ジカルボキ
シナフタレン等のナフタレン部分含有反復単位を約10モ
ル％以上の量で含有するものである。好ましいポリエス
テルアミドは上述ナフタレン部分と４−アミノフェノー
ル又は1,4−フェニレンジアミンよりなる部分との反復
単位を含有するものである。具体的には以下の通りであ
る。
（１） 本質的に下記反復単位ＩおよびIIからなるポリ
エステル。
エステル。
このポリエステルは約10〜90モル％の単位Ｉと約10〜90
モル％の単位IIを含有する。１態様において単位Ｉは約
65〜85モル％、好ましくは約70〜80モル％（例、約75モ
ル％）の量まで存在する。別の態様において、単位IIは
約15〜35モル％、好ましくは約20〜30モル％というずっ
と低濃度の量で存在する。また環に結合している水素原
子の少なくとも一部は、場合により、炭素数１〜４のア
ルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロゲン、フ
ェニル、置換フェニルおよびこれらの組み合わせよりな
る群から選ばれた置換基により置換されていてもよい。
モル％の単位IIを含有する。１態様において単位Ｉは約
65〜85モル％、好ましくは約70〜80モル％（例、約75モ
ル％）の量まで存在する。別の態様において、単位IIは
約15〜35モル％、好ましくは約20〜30モル％というずっ
と低濃度の量で存在する。また環に結合している水素原
子の少なくとも一部は、場合により、炭素数１〜４のア
ルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロゲン、フ
ェニル、置換フェニルおよびこれらの組み合わせよりな
る群から選ばれた置換基により置換されていてもよい。
（２） 本質的に下記反復単位Ｉ、IIおよびIIIからな
るポリエステル。
るポリエステル。
このポリエステルは約30〜70モル％の単位Ｉを含有す
る。このポリエステルは、好ましくは、約40〜60モル％
の単位Ｉ、約20〜30モル％の単位II、そして約20〜30モ
ル％の単位IIIを含有する。また、また環に結合してい
る水素原子の少なくとも一部は、場合により、炭素数１
〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロ
ゲン、フェニル、置換フェニルおよびこれらの組み合わ
せよりなる群から選ばれた置換基により置換されていて
もよい。
る。このポリエステルは、好ましくは、約40〜60モル％
の単位Ｉ、約20〜30モル％の単位II、そして約20〜30モ
ル％の単位IIIを含有する。また、また環に結合してい
る水素原子の少なくとも一部は、場合により、炭素数１
〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロ
ゲン、フェニル、置換フェニルおよびこれらの組み合わ
せよりなる群から選ばれた置換基により置換されていて
もよい。
（３） 本質的に下記反復単位Ｉ、II、IIIおよびIVか
らなるポリエステル： （式中、Ｒはメチル、クロロ、ブロモまたはこれらの組
み合せを意味し、芳香環上の水素原子に対する置換基で
ある）、からなり、かつ単位Ｉを約20〜60モル％、単位
IIを約５〜18モル％、単位IIIを約５〜35モル％、そし
て単位IVを約20〜40モル％の量で含有する。このポリエ
ステルは、好ましくは、約35〜45モル％の単位Ｉ、約10
〜15モル％の単位II、約15〜25モル％の単位III、そし
て約25〜35モル％の単位IVを含有する。ただし、単位II
とIIIの合計モル濃度は単位IVのモル濃度に本質的に等
しい。また、環に結合している水素原子の少なくとも一
部は、場合により、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４のアルコキシ基、ハロゲン、フェニル、置換フェ
ニルおよびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた
置換基により置換されていてもよい。この完全芳香族ポ
リエステルは、60℃でペンタフルオロフェノールに0.3w
/v％濃度で溶解したときに少なくとも2.0dl/gたとえば
2.0〜10.0dl/gの対数粘度を一般に示す。
らなるポリエステル： （式中、Ｒはメチル、クロロ、ブロモまたはこれらの組
み合せを意味し、芳香環上の水素原子に対する置換基で
ある）、からなり、かつ単位Ｉを約20〜60モル％、単位
IIを約５〜18モル％、単位IIIを約５〜35モル％、そし
て単位IVを約20〜40モル％の量で含有する。このポリエ
ステルは、好ましくは、約35〜45モル％の単位Ｉ、約10
〜15モル％の単位II、約15〜25モル％の単位III、そし
て約25〜35モル％の単位IVを含有する。ただし、単位II
とIIIの合計モル濃度は単位IVのモル濃度に本質的に等
しい。また、環に結合している水素原子の少なくとも一
部は、場合により、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４のアルコキシ基、ハロゲン、フェニル、置換フェ
ニルおよびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた
置換基により置換されていてもよい。この完全芳香族ポ
リエステルは、60℃でペンタフルオロフェノールに0.3w
/v％濃度で溶解したときに少なくとも2.0dl/gたとえば
2.0〜10.0dl/gの対数粘度を一般に示す。
（４） 本質的に下記反復単位Ｉ、II、IIIおよびIVか
らなるポリエステル： III 一般式Ｏ−Ar−Ｏ（式中、Arは少なくとも１
個の芳香環を含む２価基を意味する）で示されるジオキ
シアリール単位、 IV 一般式 （式中、Ar′は少なくとも１個の芳香環を含む２価基を
意味する）で示されるジカルボキシアリール単位、 からなり、かつ単位Ｉを約20〜40モル％、単位IIを10モ
ル％を越え、約50モル％以下、単位IIIを５モル％を越
え、約30モル％以下、そして単位IVを５モル％を越え、
約30モル％以下の量で含有する。このポリエステルは、
好ましくは、約20〜30モル％（例約25モル％）の単位
Ｉ、約25〜40モル％（例、約35モル％）の単位II、約15
〜25モル％（例、約20モル％）の単位III、そして約15
〜25モル％（例、約20モル％）の単位IVを有する。ま
た、環に結合している水素原子の少なくとも一部は、場
合により、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルコキシ基、ハロゲン、フェニル、置換フェニルおよ
びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた置換基に
より置換されていてもよい。
らなるポリエステル： III 一般式Ｏ−Ar−Ｏ（式中、Arは少なくとも１
個の芳香環を含む２価基を意味する）で示されるジオキ
シアリール単位、 IV 一般式 （式中、Ar′は少なくとも１個の芳香環を含む２価基を
意味する）で示されるジカルボキシアリール単位、 からなり、かつ単位Ｉを約20〜40モル％、単位IIを10モ
ル％を越え、約50モル％以下、単位IIIを５モル％を越
え、約30モル％以下、そして単位IVを５モル％を越え、
約30モル％以下の量で含有する。このポリエステルは、
好ましくは、約20〜30モル％（例約25モル％）の単位
Ｉ、約25〜40モル％（例、約35モル％）の単位II、約15
〜25モル％（例、約20モル％）の単位III、そして約15
〜25モル％（例、約20モル％）の単位IVを有する。ま
た、環に結合している水素原子の少なくとも一部は、場
合により、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルコキシ基、ハロゲン、フェニル、置換フェニルおよ
びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれた置換基に
より置換されていてもよい。
単位IIIとIVは、ポリマー主鎖内でこれらの単位を両側
の他の単位につなげている２価の結合が１または２以上
の芳香環上で対称的配置にある（たとえば、ナフタレン
環上に存在するときは互いにパラの位置か、または対角
環上に配置されている）という意味で対称的であるのが
好ましい。ただし、レゾルシノールおよびイソフタル酸
から誘導されるような非対称単位も使用できる。
の他の単位につなげている２価の結合が１または２以上
の芳香環上で対称的配置にある（たとえば、ナフタレン
環上に存在するときは互いにパラの位置か、または対角
環上に配置されている）という意味で対称的であるのが
好ましい。ただし、レゾルシノールおよびイソフタル酸
から誘導されるような非対称単位も使用できる。
好ましいジオキシアリール単位IIIは であり、好ましいジカルボキシアリール単位IVは である。
（５） 本質的に下記反復単位Ｉ、IIおよびIIIからな
るポリエステル： II 一般式Ｏ−Ar−Ｏ（式中、Arは少なくとも１個
の芳香環を含む２価基を意味する）で示されるジオキシ
アリール単位、 III 一般式 （式中、Ar′は少なくとも１個の芳香環を含む２価基を
意味する）で示されるジカルボキシアリール単位、 からなり、かつ単位Ｉを約10〜90モル％、単位IIを５〜
45％、単位IIIを５〜45モル％の量で含有する。このポ
リエステルは、好ましくは、約20〜80モル％の単位Ｉ、
約10〜40モル％の単位II、そして約10〜40モル％の単位
IIIを含有する。さらに好ましくは、このポリエステル
は約60〜80モル％の単位Ｉ、約10〜20モル％の単位II、
そして約10〜20モル％の単位IIIを含有する。また、環
に結合している水素原子の少なくとも一部は、場合によ
り、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコ
キシ基、ハロゲン、フェニル、置換フェニルおよびこれ
らの組み合わせよりなる群から選ばれた置換基により置
換されていてもよい。
るポリエステル： II 一般式Ｏ−Ar−Ｏ（式中、Arは少なくとも１個
の芳香環を含む２価基を意味する）で示されるジオキシ
アリール単位、 III 一般式 （式中、Ar′は少なくとも１個の芳香環を含む２価基を
意味する）で示されるジカルボキシアリール単位、 からなり、かつ単位Ｉを約10〜90モル％、単位IIを５〜
45％、単位IIIを５〜45モル％の量で含有する。このポ
リエステルは、好ましくは、約20〜80モル％の単位Ｉ、
約10〜40モル％の単位II、そして約10〜40モル％の単位
IIIを含有する。さらに好ましくは、このポリエステル
は約60〜80モル％の単位Ｉ、約10〜20モル％の単位II、
そして約10〜20モル％の単位IIIを含有する。また、環
に結合している水素原子の少なくとも一部は、場合によ
り、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコ
キシ基、ハロゲン、フェニル、置換フェニルおよびこれ
らの組み合わせよりなる群から選ばれた置換基により置
換されていてもよい。
好ましいジオキシアリール単位IIは であり、好ましいジカルボキシアリール単位IIIは である。
（６） 本質的に下記反復単位Ｉ、II、IIIおよびIVか
らなるポリエステルアミド： II 一般式 （式中、Ａは少なくとも１個の芳香環を含む２価基また
は２価トランス−シクロヘキサン基を意味する）、 III 一般式Ｙ−Ar−Ｚ澄（式中、Arは少なくとも１
個の芳香環を含む２価基、ＹはO,NHまたはNR、ＺはNHま
たはNRをそれぞれ意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル
基か、またはアリール基を意味する）、 IV 一般式Ｏ−Ar′−Ｏ（式中、Ar′は少なくとも
１個の芳香環を含む２価基を意味する）、 からなり、かつ単位Ｉを約10〜90モル％、単位IIを約５
〜45モル％、単位IIIを約５〜45モル％、そして単位IV
を約０〜40モル％の量で含有する。また、環に結合して
いる水素原子の少なくとも一部は、場合により、炭素数
１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハ
ロゲン、フェニル、置換フェニルおよびこれらの組み合
わせよりなる群から選ばれた置換基により置換されてい
てもよい。
らなるポリエステルアミド： II 一般式 （式中、Ａは少なくとも１個の芳香環を含む２価基また
は２価トランス−シクロヘキサン基を意味する）、 III 一般式Ｙ−Ar−Ｚ澄（式中、Arは少なくとも１
個の芳香環を含む２価基、ＹはO,NHまたはNR、ＺはNHま
たはNRをそれぞれ意味し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル
基か、またはアリール基を意味する）、 IV 一般式Ｏ−Ar′−Ｏ（式中、Ar′は少なくとも
１個の芳香環を含む２価基を意味する）、 からなり、かつ単位Ｉを約10〜90モル％、単位IIを約５
〜45モル％、単位IIIを約５〜45モル％、そして単位IV
を約０〜40モル％の量で含有する。また、環に結合して
いる水素原子の少なくとも一部は、場合により、炭素数
１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハ
ロゲン、フェニル、置換フェニルおよびこれらの組み合
わせよりなる群から選ばれた置換基により置換されてい
てもよい。
好ましいジカルボキシアリール単位IIは であり、好ましい単位IIIは であり、好ましいジオキシアリール単位IVは である。
更に、本発明の異方性溶融相を形成するポリマーには、
一つの高分子鎖の一部が上記までに説明した異方性溶融
相を形成するポリマーのセグメントから構成され、残り
の部分が異方性溶融相を形成しない熱可塑性樹脂のセグ
メントから構成されるポリマーも含まれる。
一つの高分子鎖の一部が上記までに説明した異方性溶融
相を形成するポリマーのセグメントから構成され、残り
の部分が異方性溶融相を形成しない熱可塑性樹脂のセグ
メントから構成されるポリマーも含まれる。
本発明に使用される異方性溶融相を形成する溶融加工可
能なポリマー組成物にはその他の異方性溶融相を形成
するポリマー、異方性溶融相を形成しない熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、低分子有機化合物、無機物の
内の１つあるいはそれ以上を含有していてもよい。ここ
で組成物中の異方性溶融相を形成するポリマーと残りの
部分とは熱力学的に相溶していてもしていなくてもよ
い。
能なポリマー組成物にはその他の異方性溶融相を形成
するポリマー、異方性溶融相を形成しない熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、低分子有機化合物、無機物の
内の１つあるいはそれ以上を含有していてもよい。ここ
で組成物中の異方性溶融相を形成するポリマーと残りの
部分とは熱力学的に相溶していてもしていなくてもよ
い。
上記の熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリブタジエン、ポリ
イソプレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリスチレン、アクリル系樹脂、ABS樹
脂、AS樹脂、BS樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、
フッ素系樹脂、ポリアセタール、ポリカーボーネート、
ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレ
ート、芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリロ
ニトリル、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテ
ル、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
テルエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンオキシド等が含まれる。
ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリブタジエン、ポリ
イソプレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリスチレン、アクリル系樹脂、ABS樹
脂、AS樹脂、BS樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、
フッ素系樹脂、ポリアセタール、ポリカーボーネート、
ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレ
ート、芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリロ
ニトリル、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテ
ル、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
テルエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンオキシド等が含まれる。
又上記の熱可塑性樹脂としては、例えばフェノール樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、アルキド樹脂等が含まれる。
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、アルキド樹脂等が含まれる。
又上記の低分子有機化合物としては、例えば一般の熱
可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加される物質で、すな
わち、可塑剤、酸化防止剤や紫外線吸収剤等の如き耐
光，耐候安定剤、核生成剤、帯電防止剤、難燃剤、染料
や顔料等の着色剤、発泡剤、更に、ジビニル系化合物、
過酸化物や加硫剤等の架橋剤及び流動性や離型性の改善
のための滑剤等に使われる低分子有機化合物が含まれ
る。
可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加される物質で、すな
わち、可塑剤、酸化防止剤や紫外線吸収剤等の如き耐
光，耐候安定剤、核生成剤、帯電防止剤、難燃剤、染料
や顔料等の着色剤、発泡剤、更に、ジビニル系化合物、
過酸化物や加硫剤等の架橋剤及び流動性や離型性の改善
のための滑剤等に使われる低分子有機化合物が含まれ
る。
更に上記の無機物としては、例えば一般の熱可塑性樹
脂及び熱硬化性樹脂に添加される物質で、すなわち、ガ
ラス繊維、炭素繊維、金属繊維、セラミック繊維、ボロ
ン繊維、アスベスト等の一般無機繊維、炭酸カルシウ
ム、高分散性けい酸、アルミナ、水酸化アルミニウム、
タルク粉、マイカ、ガラスフレーク、ガラスビーズ、石
英粉、けい砂、各種金属粉末、カーボンブラック、硫酸
バリウム、焼石こう等の粉末物質及び炭化けい素、アル
ミナ、ボロンナイトライトや窒化けい素等の無機化合
物、ウィスカーや金属ウィスカー等が含まれる。
脂及び熱硬化性樹脂に添加される物質で、すなわち、ガ
ラス繊維、炭素繊維、金属繊維、セラミック繊維、ボロ
ン繊維、アスベスト等の一般無機繊維、炭酸カルシウ
ム、高分散性けい酸、アルミナ、水酸化アルミニウム、
タルク粉、マイカ、ガラスフレーク、ガラスビーズ、石
英粉、けい砂、各種金属粉末、カーボンブラック、硫酸
バリウム、焼石こう等の粉末物質及び炭化けい素、アル
ミナ、ボロンナイトライトや窒化けい素等の無機化合
物、ウィスカーや金属ウィスカー等が含まれる。
本発明のポリマー組成物は、溶融時、静的状態でさえも
高分子鎖が高度に配向しており、溶融成形加工時の溶融
体の流動によってさらに高配向性を示すために、薄肉成
形物品のような２次元性物品においては、より高い配向
性を示す。従って、本発明のポリマー組成物は磁気ディ
スクの基板のベース樹脂として要求される寸法安定性、
各種の機械物性、耐熱性等の性質を充分に満足し得るも
のであるが、円板状で使われるフロッピーディスク等の
磁気ディスクでは円内の各方向での寸法安定性が良好で
あること、即ち各方向での温度或いは温度に対する線膨
張係数の値が低いことのみならず、これらの値の等方化
が望まれる。
高分子鎖が高度に配向しており、溶融成形加工時の溶融
体の流動によってさらに高配向性を示すために、薄肉成
形物品のような２次元性物品においては、より高い配向
性を示す。従って、本発明のポリマー組成物は磁気ディ
スクの基板のベース樹脂として要求される寸法安定性、
各種の機械物性、耐熱性等の性質を充分に満足し得るも
のであるが、円板状で使われるフロッピーディスク等の
磁気ディスクでは円内の各方向での寸法安定性が良好で
あること、即ち各方向での温度或いは温度に対する線膨
張係数の値が低いことのみならず、これらの値の等方化
が望まれる。
特開昭58−31718号公報にはサーモトロピック液晶ポリ
マーの一軸配向シートをラミネートしてなる多軸配向高
性能ラミネートが提案されているが、本発明の基板層と
しては、上記公報に記載される多軸配向ラミネートを使
用するのが望ましい。
マーの一軸配向シートをラミネートしてなる多軸配向高
性能ラミネートが提案されているが、本発明の基板層と
しては、上記公報に記載される多軸配向ラミネートを使
用するのが望ましい。
即ち特開昭58−31718号公報には、（ａ）異方性溶融相
を形成することができる実質的に一方向配向したポリマ
ーからなる少なくとも２枚のシートを用意し、（ｂ）各
シート内に実質的な一軸配向を保持しながらこの少なく
とも２枚のシートからなる多軸配向を有するラミネート
を形成するように、この少なくとも２枚のシートをその
軸線が互いに或る角度をなす向きにして熱接合条件にさ
らすことからなる、多軸配向を示し、望ましい機械的性
質とすぐれた耐熱および耐薬品性とを有するラミネート
の製造方法が記載されているが、本発明の実施に当って
は、前記の如き２枚のシートを互いに約90゜の角度をな
す向きに配置して熱プレスすることにより得られるラミ
ネートフィルムが好適に使用される。
を形成することができる実質的に一方向配向したポリマ
ーからなる少なくとも２枚のシートを用意し、（ｂ）各
シート内に実質的な一軸配向を保持しながらこの少なく
とも２枚のシートからなる多軸配向を有するラミネート
を形成するように、この少なくとも２枚のシートをその
軸線が互いに或る角度をなす向きにして熱接合条件にさ
らすことからなる、多軸配向を示し、望ましい機械的性
質とすぐれた耐熱および耐薬品性とを有するラミネート
の製造方法が記載されているが、本発明の実施に当って
は、前記の如き２枚のシートを互いに約90゜の角度をな
す向きに配置して熱プレスすることにより得られるラミ
ネートフィルムが好適に使用される。
即ちこの様な異方性溶融相を形成するポリマー組成物の
二軸ラミネートフィルムとすることによって、ディスク
基板として望ましい等方性な線膨張係数を有するものを
得ることができる。
二軸ラミネートフィルムとすることによって、ディスク
基板として望ましい等方性な線膨張係数を有するものを
得ることができる。
次に、本発明の磁気ディスクの磁性層としては、特に限
定されるものではなく、公知の磁性材料を用いた層であ
ればいずれであってもよい。具体的には、たとえばγ−
Fe2O3・CrO3,Coドープの酸化鉄、Fe,Co,Niなどの金属、
あるいはそれらの合金などを用いた層であるが、特に薄
膜型の有機高分子を実質的に含まない磁性層が好まし
い。
定されるものではなく、公知の磁性材料を用いた層であ
ればいずれであってもよい。具体的には、たとえばγ−
Fe2O3・CrO3,Coドープの酸化鉄、Fe,Co,Niなどの金属、
あるいはそれらの合金などを用いた層であるが、特に薄
膜型の有機高分子を実質的に含まない磁性層が好まし
い。
次に本発明の磁気ディスクの製造法を説明すると、本発
明の異方性溶融相を形成するポリマーは、一般の熱可塑
性樹脂に用いられるフィルム加工技術、例えば無延伸及
び延伸フィルム加工法としてのＴ−ダイ方式やインフレ
ーション方式等によってフィルム化できる。
明の異方性溶融相を形成するポリマーは、一般の熱可塑
性樹脂に用いられるフィルム加工技術、例えば無延伸及
び延伸フィルム加工法としてのＴ−ダイ方式やインフレ
ーション方式等によってフィルム化できる。
次に必要に応じて、このフィルムを熱処理することによ
ってさらに機械的強度を向上させることができる。この
場合の熱処理条件としては温度200℃〜270℃が適当であ
る。
ってさらに機械的強度を向上させることができる。この
場合の熱処理条件としては温度200℃〜270℃が適当であ
る。
この様にして得られた一軸配向フィルムを好ましくは上
記特開昭58−31718号公報記載の方法によりラミネート
して多軸配向ラミネートフィルムとする。
記特開昭58−31718号公報記載の方法によりラミネート
して多軸配向ラミネートフィルムとする。
二軸及び多軸配向シートをラミネートにより得る場合、
所望により接着剤を使用しても良い。接着剤は通常のラ
ミネートフィルムを製造する際に使用するホットメルト
系接着剤、反応性接着剤、有機溶剤型接着剤、エマルジ
ョン型接着剤等が使用可能であり、加工の容易さからホ
ットメルト系接着剤が好ましく、ポリエステル系、ポリ
アミド系、アクリル系、酢ビ系及びそれらの共重合系が
使用可能である。
所望により接着剤を使用しても良い。接着剤は通常のラ
ミネートフィルムを製造する際に使用するホットメルト
系接着剤、反応性接着剤、有機溶剤型接着剤、エマルジ
ョン型接着剤等が使用可能であり、加工の容易さからホ
ットメルト系接着剤が好ましく、ポリエステル系、ポリ
アミド系、アクリル系、酢ビ系及びそれらの共重合系が
使用可能である。
かくして得られたディスク基板上へ磁性層を形成させ
る。その形成方法は公知の各種方法が採用できる。たと
えば、γ−Fe2O3・Cr2O3,Coドープの酸化鉄、Fe,Ni,Co
などの金属ならびにこれらの合金の粉末を塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン系、ブタジエン系、
エポキシ系、アクリル系、フェノール系等の樹脂バイン
ダー、各種安定剤、分散剤、帯電防止剤、潤滑剤等の添
加剤とともに溶媒に溶かした溶液を塗布する方法、ある
いは、所定の金属をスパッタリング法、蒸着法、イオン
プレーティング法などによって、直接形成せしめる方法
でもよい。また上記の磁性層形成を施す前に、基板とな
るフィルムに、公知のコロナ放電処理（空気中、窒素
中、炭酸ガス中など）を施してもよいし、また接着性、
滑性、表面滑性などを付与する目的で他種のポリマーを
積層したり、他種組成物で被覆した形で用いてもよい。
この様に塗布型ディスク及び蒸着型ディスクの何れも可
能である。
る。その形成方法は公知の各種方法が採用できる。たと
えば、γ−Fe2O3・Cr2O3,Coドープの酸化鉄、Fe,Ni,Co
などの金属ならびにこれらの合金の粉末を塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン系、ブタジエン系、
エポキシ系、アクリル系、フェノール系等の樹脂バイン
ダー、各種安定剤、分散剤、帯電防止剤、潤滑剤等の添
加剤とともに溶媒に溶かした溶液を塗布する方法、ある
いは、所定の金属をスパッタリング法、蒸着法、イオン
プレーティング法などによって、直接形成せしめる方法
でもよい。また上記の磁性層形成を施す前に、基板とな
るフィルムに、公知のコロナ放電処理（空気中、窒素
中、炭酸ガス中など）を施してもよいし、また接着性、
滑性、表面滑性などを付与する目的で他種のポリマーを
積層したり、他種組成物で被覆した形で用いてもよい。
この様に塗布型ディスク及び蒸着型ディスクの何れも可
能である。
また、本発明の基板となるフィルム中に、本発明の目的
を阻害しない範囲内で、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線
吸収剤、核生成剤、表面突起形成剤などの無機または有
機添加剤が通常の量程度添加されていてもよい。
を阻害しない範囲内で、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線
吸収剤、核生成剤、表面突起形成剤などの無機または有
機添加剤が通常の量程度添加されていてもよい。
本発明は上述したように、特定のポリマーからなる優れ
た物性を有するフィルムの少なくとも片面に磁性層を設
けた磁気ディスクとしたので、次の如き優れた効果を得
ることができる。
た物性を有するフィルムの少なくとも片面に磁性層を設
けた磁気ディスクとしたので、次の如き優れた効果を得
ることができる。
（１） 熱収縮率が低く、薄くても、走行特性が良好
で、かつ、記録に全く歪の生じない磁気ディスクが得ら
れ、その結果、磁気ディスクの薄膜化、小型化、高密度
化が可能となる。
で、かつ、記録に全く歪の生じない磁気ディスクが得ら
れ、その結果、磁気ディスクの薄膜化、小型化、高密度
化が可能となる。
（２） ディスク基板と磁性層との接着性に優れた磁気
記録材料となり、その結果記録の歪が全く生じない磁気
記録材料となる。
記録材料となり、その結果記録の歪が全く生じない磁気
記録材料となる。
（３） 機械強度及び寸法安定性に優れ、又二軸ラミネ
ートフィルムを用いることにより等方性な低い線膨張係
数を有するため磁気ディスクとして優れた性能を発揮す
る。
ートフィルムを用いることにより等方性な低い線膨張係
数を有するため磁気ディスクとして優れた性能を発揮す
る。
本発明の磁気ディスクは、フロッピーディスク等として
あらゆる磁気記録用に用いることができる。
あらゆる磁気記録用に用いることができる。
次に実施例により本発明の実施態様を説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
参考例１〜４ 後記する異方性溶融相を形成するポリマーA,B,C,及びＤ
のペレットをスリットダイス付きのフィルム押出装置を
用い、押出温度を夫々310℃,320℃,315℃及び320℃、取
り出し速度5m/minで押出成形し、幅82mm×厚さ0.15mmの
フィルムを得た。この様にして得られた夫々の同一のフ
ィルム２枚を一方のフィルムの縦軸が他方のフィルムの
縦軸と垂直になるように直交積層し、300℃でホットプ
レスしてラミネートフィルムを作成した。このラミネー
トフィルムの特性を表１に示した。
のペレットをスリットダイス付きのフィルム押出装置を
用い、押出温度を夫々310℃,320℃,315℃及び320℃、取
り出し速度5m/minで押出成形し、幅82mm×厚さ0.15mmの
フィルムを得た。この様にして得られた夫々の同一のフ
ィルム２枚を一方のフィルムの縦軸が他方のフィルムの
縦軸と垂直になるように直交積層し、300℃でホットプ
レスしてラミネートフィルムを作成した。このラミネー
トフィルムの特性を表１に示した。
機械的性質はASTM D-882により測定、線膨張係数はcons
tant load elongation tester（日本自動制御社製）で
測定した。
tant load elongation tester（日本自動制御社製）で
測定した。
参考比較例１ ポリエチレンテレフタレートのチップをＴダイの押出成
形機で290℃で溶融押出し、これを急冷ドラムに巻きつ
け固化させ無延伸フィルムとした後、フィルムを予熱ロ
ールで80℃に加熱し、更に1000℃に加熱した炭化珪素発
熱体によって両面から急加熱しながら長手方向に3.7倍
に延伸した後、110℃で幅方向に3.8倍に延伸し、厚さ0.
20mmのフィルムを得た。このフィルムの特性も表１に併
せて示す。
形機で290℃で溶融押出し、これを急冷ドラムに巻きつ
け固化させ無延伸フィルムとした後、フィルムを予熱ロ
ールで80℃に加熱し、更に1000℃に加熱した炭化珪素発
熱体によって両面から急加熱しながら長手方向に3.7倍
に延伸した後、110℃で幅方向に3.8倍に延伸し、厚さ0.
20mmのフィルムを得た。このフィルムの特性も表１に併
せて示す。
尚フィルム成形用樹脂として使用した異方性溶融相を形
成するポリマーA,B,C,Dは下記の構成単位を有するもの
である。
成するポリマーA,B,C,Dは下記の構成単位を有するもの
である。
上記樹脂A,B,C,Dの具体的製法を次に記す。
＜樹脂Ａ＞ ４−アセトキシ安息香酸1081重量部、６−アセトキシ−
２−ナフトエ酸460重量部、イソフタル酸166重量部、1,
4−ジアセトキシベンゼン194重量部を撹拌機、窒素導入
管及び留出管を備えた反応器中に仕込み、窒素気流下で
この混合物を260℃に加熱した。反応器から酢酸を留出
させながら、260℃で2.5時間、次に280℃で３時間激し
く撹拌した。更に、温度を320℃に上昇させ、窒素の導
入を停止した後、徐々に反応器中を減圧させ15分後に圧
力を0.1mmHgに下げ、この温度，圧力で１時間撹拌し
た。
２−ナフトエ酸460重量部、イソフタル酸166重量部、1,
4−ジアセトキシベンゼン194重量部を撹拌機、窒素導入
管及び留出管を備えた反応器中に仕込み、窒素気流下で
この混合物を260℃に加熱した。反応器から酢酸を留出
させながら、260℃で2.5時間、次に280℃で３時間激し
く撹拌した。更に、温度を320℃に上昇させ、窒素の導
入を停止した後、徐々に反応器中を減圧させ15分後に圧
力を0.1mmHgに下げ、この温度，圧力で１時間撹拌し
た。
得られた重合体は0.1重量％濃度,60℃でペンタフルオロ
フェノール中で測定して5.0の固有粘度を有していた。
フェノール中で測定して5.0の固有粘度を有していた。
＜樹脂Ｂ＞ ４−アセトキシ安息香酸1081重量部、2,6−ジアセトキ
シナフタレン489重量部、テレタル酸332重量部を撹拌
機、窒素導入管及び留出管を備えた反応器中に仕込み、
窒素気流下でこの混合物を250℃に加熱した。反応器か
ら酢酸を留出させながら、250℃で２時間、次に280℃で
2.5時間激しく撹拌した。更に、温度を320℃に上昇さ
せ、窒素の導入を停止した後、徐々に反応器中を減圧さ
せ30分後に圧力を0.2mmHgを下げ、この温度，圧力で1.5
時間撹拌した。
シナフタレン489重量部、テレタル酸332重量部を撹拌
機、窒素導入管及び留出管を備えた反応器中に仕込み、
窒素気流下でこの混合物を250℃に加熱した。反応器か
ら酢酸を留出させながら、250℃で２時間、次に280℃で
2.5時間激しく撹拌した。更に、温度を320℃に上昇さ
せ、窒素の導入を停止した後、徐々に反応器中を減圧さ
せ30分後に圧力を0.2mmHgを下げ、この温度，圧力で1.5
時間撹拌した。
得られた重合体は0.1重量％濃度,60℃でペンタフルオロ
フェノール中で測定して2.5の固有粘度を有していた。
フェノール中で測定して2.5の固有粘度を有していた。
＜樹脂Ｃ＞ ４−アセトキシ安息香酸1261重量部、６−アセトキシ−
２−ナフトエ酸691重量部、を撹拌機、窒素導入管及び
留出管を備えた反応器中に仕込み、窒素気流下でこの混
合物を250℃に加熱した。反応器から酢を留出させなが
ら、250℃で３時間、次に280℃で２時間激しく撹拌し
た。更に、温度を320℃に上昇させ、窒素の導入を停止
した後、徐々に反応器中を減圧させ20分後に圧力を0.1m
mHgに下げ、この温度，圧力で１時間撹拌した。
２−ナフトエ酸691重量部、を撹拌機、窒素導入管及び
留出管を備えた反応器中に仕込み、窒素気流下でこの混
合物を250℃に加熱した。反応器から酢を留出させなが
ら、250℃で３時間、次に280℃で２時間激しく撹拌し
た。更に、温度を320℃に上昇させ、窒素の導入を停止
した後、徐々に反応器中を減圧させ20分後に圧力を0.1m
mHgに下げ、この温度，圧力で１時間撹拌した。
得られた重合体は0.1重量％濃度,60℃でペンタフルオロ
フェノール中で測定して5.4の固有粘度を有していた。
フェノール中で測定して5.4の固有粘度を有していた。
＜樹脂Ｄ＞ ６−アセトキシ−２−ナフトエ酸1612重量部、４−アセ
トキシアセトアニリド290重量部、テレフタル酸249重量
部、酢酸ナトリウム0.4重量部を撹拌機、窒素導入管及
び留出管を備えた反応器中に仕込み、窒素気流下でこの
混合物を250℃に加熱した。反応器から酢酸を留出させ
ながら、250℃で１時間、次に300℃で３時間激しく撹拌
した。更に、温度を340℃に上昇させ、窒素の導入を停
止した後、徐々に反応器中を減圧させ30分後に圧力を0.
2mmHgに下げ、この温度，圧力で30分間撹拌した。
トキシアセトアニリド290重量部、テレフタル酸249重量
部、酢酸ナトリウム0.4重量部を撹拌機、窒素導入管及
び留出管を備えた反応器中に仕込み、窒素気流下でこの
混合物を250℃に加熱した。反応器から酢酸を留出させ
ながら、250℃で１時間、次に300℃で３時間激しく撹拌
した。更に、温度を340℃に上昇させ、窒素の導入を停
止した後、徐々に反応器中を減圧させ30分後に圧力を0.
2mmHgに下げ、この温度，圧力で30分間撹拌した。
得られた重合体は0.1重量％濃度,60℃でペンタフルオロ
フェノール中で測定して3.9の固有粘度を有していた。
フェノール中で測定して3.9の固有粘度を有していた。
実施例１〜４及び比較例１ 前記参考例１〜４及び参考比較例１で調製した夫々のフ
ィルム上にγ−Fe2O3粉末含有塗布剤（塩化ビニル−酢
酸ビニル−ビニルアルコール共重合体とアクリロニトリ
ル−ブタジエン共重合体系）を塗布した。
ィルム上にγ−Fe2O3粉末含有塗布剤（塩化ビニル−酢
酸ビニル−ビニルアルコール共重合体とアクリロニトリ
ル−ブタジエン共重合体系）を塗布した。
このフィルムの線膨張係数を夫々表２に示す。
実施例５〜８及び比較例２ 前記参考例１〜４及び参考比較例１で調製した夫々のフ
ィルムにCo−γ−Fe2O3粉末含有塗布剤を塗布し、夫々
の磁性ディスク材料を得た（実施例５〜８及び比較例
２）。これらのフィルムの線膨張係数を夫々表３に示
す。
ィルムにCo−γ−Fe2O3粉末含有塗布剤を塗布し、夫々
の磁性ディスク材料を得た（実施例５〜８及び比較例
２）。これらのフィルムの線膨張係数を夫々表３に示
す。
以上、表２、表３の結果からも明らかなように、本願に
よる異方性溶融相を形成するポリマーフィルムから調製
したラミネートフィルムは磁性層の良好な接着性を有
し、これらをベースフィルムとすることにより等方性
で、低い線膨張係数を有する優れた磁気ディスクが得ら
れた。
よる異方性溶融相を形成するポリマーフィルムから調製
したラミネートフィルムは磁性層の良好な接着性を有
し、これらをベースフィルムとすることにより等方性
で、低い線膨張係数を有する優れた磁気ディスクが得ら
れた。
Claims (2)
- 【請求項１】異方性溶融相を形成するポリマー組成物の
一軸配向シートをラミネートさせた多軸配向シートから
成る基板層の少なくとも片面に磁性層を設けたことを特
徴とする磁気ディスク。 - 【請求項２】多軸配向シートが少なくとも２枚の一軸配
向シートが互いに約90゜の角度をなす向きに配置された
二軸配向シートである特許請求の範囲第１項記載の磁気
ディスク。
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| JP12961685A JPH0673179B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 磁気デイスク |
| US06/870,812 US4726998A (en) | 1985-06-14 | 1986-06-05 | Magnetic disk |
| DE8686304332T DE3675437D1 (de) | 1985-06-14 | 1986-06-06 | Magnetplatte. |
| EP19860304332 EP0206599B1 (en) | 1985-06-14 | 1986-06-06 | Magnetic disk |
| KR1019860004629A KR920002086B1 (ko) | 1985-06-14 | 1986-06-11 | 자기 디스크(磁氣 Disk) |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12961685A JPH0673179B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 磁気デイスク |
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| JPS61289523A JPS61289523A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0673179B2 true JPH0673179B2 (ja) | 1994-09-14 |
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|---|---|---|---|
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