KR890004228B1

KR890004228B1 - 자기 테이프

Info

Publication number: KR890004228B1
Application number: KR1019850007410A
Authority: KR
Inventors: 유끼오 이께나가; 가쓰히꼬 다까하시; 쓰네요시 오까다; 겐지 히지가따; 도시오 가노에
Original assignee: 폴리플라스틱스 가부시끼가이샤; 고니시 히꼬이찌
Priority date: 1984-10-09
Filing date: 1985-10-08
Publication date: 1989-10-27
Also published as: GB2166666B; GB8524762D0; JPS6190325A; GB2166666A; KR860003586A

Abstract

내용 없음.

Description

자기 테이프

본 발명은 오디오 테이프, 비데오 테이프, 컴퓨터 메모리 테이프, 및 데이타 기록 테이프에 적합한 자기 테이프에 관한 것이다.

선행기술에 대해 설명하면, 여태까지는 자기테이프의 기판필름으로서는 이축 연신폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 주로 사용되어 왔다.

최근에는 기록밀도가 더욱 높아지고, 기록시간이 점차 길어지고 자기테이프 크기가 작아지므로 얇으면서도 자기 테이프로서의 주행특성일 우수할뿐 아니라 기록왜곡을 일으키지 않는 자기테이프가 요구되고 있다. 그뒤 기판필름의 강성을 증진시키기 위해서 필름의 긴장화를 시도했다. 그러나 열수축 계수가 증가하는 경향이 심각한 문제를 제기하여 PET 재료의 보완 및 필름 성형기법의 향상에 대한 연구를 더욱 추진했다.

그러나, 재료가 PET 인한, 필름이 일정두께 이하로 얇게 제조되므로 그의 기계강도가 부족하여 자기테이프로서의 주행특성이 손상된다거나 기록 왜곡이 발생한다.

본 발명의 목적은, 온도나 습도가 변해도 기계강도와 치수 안정성이 대단히 우수하여 자기 테이프의 베이스필름 두께를 극히 얇게할 수 있어 데이타기록밀도를 크게 증기시킬 수 있는 기판(베이스)수지재료를 제공하는 것이다.

문제해결의 수단을 말하면, 본 발명은 이방성 용융상을 형성할 수 있고 용융가공될 수 있는 중합체 조성물로 된 기판필름의 적어도 일면에 자기층이 형성되어 있어 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 특징으로 하는 자기테이프 재료에 관한 것이다.

자기테이프 기판필름 제조용의 수지는 용융시 광학적 이방성을 나타내고 열가소성이고 용융가공 가능한 중합체 조성물이다. 그런 중합체는 일반적으로 더어모트로픽 액정 중합체로 분류된다.

그런 이방성 용융상을 만들수 있는 중합체는 용융상태에서 중합분자쇄가 규칙적 평행 배열을 보이는 성질을 갖고 있다. 분자가 이런식으로 배열된 상태를 흔히 액정상태 또는 액정성 물질의 네마틱상이라 부른다. 그런 중합체는 일반적으로 가늘고 납작하고 분자의 장축방향의 강성이 상당히 크며 보통 동축이거나 평행한 복수의 선형쇄상 결합을 가진 단량체로부터 만들어진다.

이방성 용융상의 성질은 흔히 사용되는 대각선(직교)편광기방법에 의해 확실히 조사해볼 수 있다. 보다 상세하게는, 이방성 용융상의 확인은, 레이츠(Leitz)편광 현미경을 사용하여 질수 분위기하에서 배율 40배로 레이츠 핫스테이지에 놓여진 시료를 관찰하여 행한다.

상기한 중합체는 광학적 이방성이다. 그래서 대각선 편광기 사이에 검사할때 이들은 빛을 통과시킨다. 시료가 광학적 이방성이면 편의된 빛은 정지상태의 시료인 경우에도 시료를 투과할 것이다.

상기와 같은 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 중합체의 성분으로서는 다음과 같은 것을 들 수 있다.

(1) 하나 또는 2 이상의 방향족 디카르복시산 및 지환족 디카르복시산으로 되어 있는것

(2) 하나 또는 2 이상의 방향족 디올, 지환족 디올 및 지방족 디올로 되어 있는것

(3) 하나 또는 2 이상의 방향족 히드록시카르복시산으로 되어 있는것

(4) 하나 또는 2 이상의 방향족 티올카르복시산으로 되어 있는것

(5) 하나 또는 2 이상의 방향족 티올 및 방향족 티올페놀로 되어 있는것

(6) 하나 또는 2 이상의 방향족 히드록시아민 및 방향족 디아민으로 되어 있는것

또한 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 중합체는 다음의 조합물로서 구성되어 있다.

Ⅰ) (1)과 (2)로 되어 있는 폴리에스테르

Ⅱ) (3)만으로 되어 있는 폴리에스테르

Ⅲ) (1), (2) 및 (3)으로 되어 있는 폴리에스테르

Ⅳ) (4)만으로 되어 있는 폴리티올 에스테르

Ⅴ) (1)과 (5)로 되어 있는 폴리티올 에스테르

Ⅵ) (1), (4) 및 (5)으로 되어 있는 폴리티올 에스테르

Ⅶ) (1), (3) 및 (6)으로 되어 있는 폴리에스테르 아마이드

Ⅷ) (1), (2), (3) 및 (6)르로 되어 있는 폴리에스테르

비록 상술한 성분조합의 범주내에 포함되어 있지는 않지만 방향족 폴리아조메틴도 이방성 용융상 형성 중 합체에 포함된다. 그러나 중합체의 특정예로 들 수 있는 것은, 폴리(니트릴로-2-메틸-1, 4-페닐렌 니트릴로에틸에덴-1, 4-페닐렌에틸이덴), 폴리(니트릴로-2-메틸-1, 4-페닐렌 니트릴로에틸에덴-1, 4-페닐렌메틸이덴) 및 폴리(니트릴로-2-클로로-1, 4-페닐렌 니트릴로메틸에덴-1, 4-페닐렌메틸이덴)이 있다.

또한 상기 성분의 조합의 범주에 포함시키지 않았지만 폴리에스테르 카르보네이트는 이방성 용융상을 형성할 수 있는 중합체에 포함할 수 있다. 그들중의 몇은 대략 4-옥시벤조일 단위, 디옥시페닐단위, 디옥시카르보닐단위 및 테레프탈로일단위로 되어 있다.

다음에는 상기한 I ) 내지 Ⅷ)의 성분으로서 사용할 수 있는 화합물을 아래에 열거한다.

방향족 리카르복시산으로 들수 있는 것은 다음과 같다.

4, 4'-디페닐 디카르복시산, 4, 4'-트리페닐 디카르복시산, 2, 6-나프탈렌 디카르복시산, 디페닐 에테르-4, 4'-디카르복시산, 디페녹시에탄-4, 4'-디카르복시산, 디페녹시부탄-4, 4'-디카르복시산, 디페닐에탄-4, 4'-디카르복시산, 이소프탈산, 디페닐에테르-3, 3'-디카르복시산, 또는 상기 방향족 디카르복시산의 알킬, 알콕시 또는 할로겐치환체, 예컨대, 클로로테레프탈산, 디클로로테레프탈산, 브로모테레프탈산, 메틸테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 에틸테레프탈산, 메톡시테레프탈산 및 에톡시 테레프탈산등이다.

지환족 디카르복시산으로서는 다음것들을 들 수 있다.

트랜시-1, 4-시클로헥산 디카르복시산, 시스-1, 4-시클로헥산 디카르복시산, 1, 3-시클로헥산 디카르복시산등과 같은 지환족 디카르복시산, 또는 트랜스-1, 4-(1-메틸)-시클로헥산 디카르복시산, 트랜스-1, 4-(1-클로로)-시클로헥산 디카르복시산등의 상기 지환족 디카르복시산으리 알킬, 알콕시 또는 할로겐 치환제등.

방향족 디올로 들 수 있는 것은 다음과 같다.

히드로퀴논, 레조르시놀, 4, 4'-디히드록시디페닐, 4, 4'-디히드록시트리페닐, 2, 6-나프탈렌디올, 4, 4'-디히드록시디페닐 에테르, 비스(4-히드록시페녹시)-에탄, 3, 3'-디히드록시디페닐에테르, 1, 6-나프탈렌디올, 2, 2-비스(4-히드록시페녹시)프로판, 2, 2-비스(4-히드록시페녹시)메탄등의 방향족디올, 또는 클로로히드로퀴논, 1-부틸 히드로퀴논, 페닐 히드로퀴논, 메톡시히드로퀴논, 페녹시히드로퀴논, 4-클로로레조르시놀, 4-메틸 레조르시놀등의 상기 방향족 디올의 알킬, 알콕시 또는 할로겐 치환체.

지환족 디올로서는 다음과 같은 것들이 있다.

트랜시스-1, 4-시클로헥산디올, 시스-1, 4-시클로헥산디올, 트랜스-1, 4-시클로헥산 디메탄올, 시스-1, 4-시클로헥산 디메탄올, 트랜스-1, 3-시클로헥산디올, 시스-1, 2-시클로헥산디올 및 트랜스-1, 3-시클로헥산 디메탄올, 또는 트랜스-1,4-(1-메틸)시클로헥산디올, 트랜스-1, 4-(1-클로로)시믈로헥산디올과 같은 상기 지환족 디올의 알킬, 알콕시 할로겐치환제.

지방족 디올로서는 에틸렌글리콜, 1, 3-프로판디올, 1, 4-부탄디올, 네오펜틸글리콜등의 직쇄 또는 분기상 지방족 디올이 있다.

방향족 히드록시 카르복시산으로서는 들 수 있는 것으로는, 4-히드록시벤조산, 3-히드록시벤조산, 6-히드록시-2나프토산, 6-히드록시-1-나프토산등의 방향족 히드록시카르복시산, 또는 3-메틸-4-히드록시벤조산, 3, 5-디메틸-4-히드록시벤조산, 2, 6-디메틸-4=히드록시벤조산, 3-메톡시-4-히드록시벤조산, 3, 5-디메톡시-4-히드록시 벤조산, 6-히드록시-5-메틸-2-나프토산, 6-히드록시-5-메톡시-2-나프토산, 3-클로로-4-히드록시 벤조산, 2-클로로-4-히드록시벤조사, 2, 3-디클로로-4-히드록시벤조산, 3, 5-디클로로-4-히드록시벤조산, 2, 5-디클로로-4-히드록시벤조산, 3-브로모-4-히드록시벤조산, 6-히드록시-5-클로로-2-나프토산, 6-히드록시-7-클로로-2-나프토산, 6-히드록시-5, 7-디클로로-2-나프토산등의 방향족 히드록시 카르복시산의 알킬, 알콕시 또는 할로겐 유도체등이 있다.

방향족 머어캡토카르복시산으로서 들 수 있는 것은, 4-머어캡토벤조산, 3-머어캡토벤조산, 6-머어캡토-2-나프토산, 7-머어캡토-2-나프토산등이다.

방향족 디티올로서 들 수 있는 것으로는, 벤젠-1, 4-디티올, 벤진-1, 3-디티올, 2, 6-나프탈렌 디티올 및 2, 7-나프탈렌 디티올등이 있다.

방향족 머어캡토페놀로서 들수 있는 것으로는 4-머어캡토페놀, 3-머어캡토페놀, 6-머어캡토페놀 및 7-머어캡토페놀이 있다.

방향족 아민과 방향족 디아민으로서는 들 수 있는 것으로서는, 4-아미노페놀, N-메틸-4-아미노페놀, 1-4-페닐렌디아민, N-메틸-1, 4-페닐렌디아민, N, N'-디메틸-1, 4-페닐렌디아민, 3-아미노페놀, 3-메틸-4-아미노페놀, 2-클로로-4-아미노페놀, 4-아미노-4'-히드록시디페닐, 4-아미노-4'-히드록시 디페닐 에테르, 4-아미노-4'-히드록시디페닐케탄, 4-아미노-4-히드록시디페닐 설파이드, 4, 4'-다아미노페닐설파이드(티오디아닐린), 4, 4'-디아미노페닐-설폰, 2, 5-디아미노톨루엔, 4, 4'-에틸렌 디아닐린, 4, 4'-디아미노 디페녹시에탄, 4, 4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌디아닐린), 4, 4'-디아미노디페닐에테르(옥시디아닐린)등이 있다.

상기 성분들로 되어 잇는 중삽체 I ) 내지 Ⅷ)중에는, 풀리머중의 그의 성분, 성분비 및 시퀀스분포에 따리 이방성 용융상을 형성할 수 있는 중합체가 있고 형성 할 수 없는 중합체가 있다.

본 발명에서 사용되는 중합체는 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 중합체에 한한다.

본 발명을 실시하는데 필요한 이방성 용융상을 형성할 수 있는, 상기 I ), II) 및 III)의 폴리에스테르와 Ⅷ)의 폴리에스테르 아마이드는, 축합에 의해 필요한 반복단위를 형성하는 역할을 하는 기능기를 갖고 있는 유기 단량체 화합물의 상호작용을 가능케하는 각종 에스테르 생성방법에 의해서 제조할 수가 있다.

예컨데, 이들 우기 단량체 화합물의 그러한 기능기에는 카르복시, 히드록시, 에스테르 및 아실옥시기, 산할로겐화물 및 아미노기가 있다. 상기 유기 단량체 화합물들은, 어떤 열 교환유체도 존재시키지 않는 상태에서, 용융 산분해(Acidolysis) 공정에 의해 상호간에 반응 시킨다. 이 방법에 의하면 먼저 단량체들을 함께 가열함에 의해 반응물질의 용융액을 만든다. 반응이 계속됨에 따라, 고체 중합체 입자가 액체속에 부유하게 된다. 최종 축합단계에서 부산물로서 생기는 휘발물(예컨대, 아세트산이나 물)의 제거를 용이케하기 위하여 시스템을 진공하에 두어도 좋을 것이다.

본 발명을 실시하는데 사용하기에 적당한 완전한 방향족 폴리에스테르를 만들기 위해서는 슬러리 중합법을 사용함이 좋다. 이 방법에 의하면 고체생성물을 열교환매질중에 현탁된 상태로 얻어진다.

상기 용융 산분해법 또는 슬러리 중합법중의 어느방법을 채용하건, 완전 방향족 폴리에스테르를 유도할 수 있는 유기단량체 반응물은, 상온에서 그런 단량체의 히드록시를 에스테르화한 변성형태(그래서, 저겁 아실 에스테르로서)로 반응에 사용된다. 저급 아실기로서는 탄소원자수 2개 내지 4개의 것이 좋다. 그런 유기 단량체 반응물의 아세트산 에스테르를 반응에 사용함이 바람직하다.

용융 산분해법이나 또는 슬러리 중합에 임의로 사용할 수 있는 촉매의 예로 들수 있는 것은 디알킬산화주석(예, 디부틸산화주석), 디아릴 산화주석, 삼산화안티몬, 알콕시티탄실리케이느, 티탄올콕시도, 카르복시산의 알칼리 및 알칼리토금속염(예, 아세트산 아염), 루이스산(예, BF₃), 할로겐화수소(예, HC1)등의 기상 산촉매가 있다. 촉매 사용량은 대체로 단량체 총중량은 대체로 단량체 총중량의 약 0.001 내지 1중량%, 특허 약 0.01 내지 0.2중량%이다.

본 발명을 실시하는데 사용하기에 적합한 완전 방향족 중합체는 통합적 용제에 거의 불용성이며 따라서 이들은 용액으로부터 형성하기에는 부적당하다. 그러나 상술한 바와같이, 이들 중합체는 통상적 요융법에 의해 형성하기는 용이하다. 특히 바람직한 완전 방향족 중합체는 펜타 플루오로페놀에는 어느정도 가용성이다.

본 발명 실시에 사용하기 적합한 완전 방향족 에스테르는 중량 편균 분자량 약 2,000 내지 200,000, 바람직하기는 약 10,000 내지 50,000, 특히 바람직하기는 약2 0,000 내지 25,000을 가진 것이다. 한편 바람직한 완전 방향족 폴리 에스테르 아마이드는 일반적으로 약 분자량 5,000 내지 50,000, 바람직하기는 약 10,000 내지 30,000, 예컨대 15,000 내지 17,000을 가져야 한다. 분자량 측정은 겔 퍼어미에이션 크로마토그래피법과 중합체의 용액화를 ㄹ필요로 하지 않는 기타 표준 측정법 예컨대 압축성형된 필름에 대한 적외선 분광법에 의한 말단기 측정에 의해 행한다. 또한 분자량의 측정은 중합체의 펜타플루오로페놀 용액에 대한 광산란법에 의해 행한다. 상기한 완전 방향족 폴리에스테르 아마이드는 0.1중량%의 농도에서 60℃에서 펜타플루오로페놀에 녹이면 대체로 적오도 약 20dl/g, 예컨대 약 2.0 내지 10.0dl/g의 대수점도(I. V)를 나타낸다.

본 발명의 실시에 사용하기에 특히 적합한 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 폴리에스테르는, 6-히드록시-2-나프토일, 2, 6-디옥시나프탈렌 및 2, 6-디카르복시나프로탈렌등의 반복단위를 포함하는 약 10% 이상의 나프탈렌부를 함유해야 한다. 바람직한 폴리에스테르 아마이드는 상기 한 나프탈렌부분과 4-아미노-페놀 또는 1, 4-페닐렌디아민으로 된 다른 부분의 반복단위를 함유해야 한다.

특정예를 다음에 든다.

(1) 다음의 반복단위 Ⅰ과 Ⅱ로 대체로 되어 있는 폴리에스테르.

Ⅰ

Ⅱ

이 폴리에스테르는 약 10 내지 90몰%의 단위 Ⅰ과 약 10 내지 90몰%의 단위 Ⅱ를 함유하고 있다. 한 태양에 있어서는, 단위 Ⅰ은 약 65 내지 85%몰까지 바람직하기는 약 70 내지 80몰(예컨대 75몰%)존재한다. 다른 태양에 있어서는, 단위 Ⅱ는 약 15 내지 35몰%, 바랍직하기는 약 20 내지 30몰% 정도의 낮은 농도로 존재하고, 환에 결합된 수소원자들중의 적어도 일부는 경우에 따라 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환된 페닐 및 그들의 조합으로 된 군에서 선택한 치환기로 치환되어 있게 한다.

(2) 다음 반복단위 Ⅰ, Ⅱ, 및 Ⅲ으로 대체로 되어 있는 폴리에스테르 :

Ⅰ

Ⅱ

Ⅲ

이들 폴리에스테르는 약 70몰%의 단위 Ⅰ을 함유하고 있다. 이 폴리에스테르는 약 40 내지 60몰%의 단위 Ⅰ, 냑 20내지 30몰%의 단위 Ⅱ 및 약 20내지 30몰%의 단위 Ⅲ을 함유해야하며, 환에 결합된 수소원자의 적어도 일부는 경우에 따라 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환된 페닐 및 그들의 조합으로 된 군에서 선택된 어떤 치환기에 의해 치환될 수 있다.

(3)다음 반복된 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 및 Ⅳ로 본질적으로 구성되어 있는 폴리에스테르.

상기식에서, R은 메틸 클로로, 브로모 또는 그들의 조합이며, 이들은 벤젠환에 있는 수소원자의 치환기이다. 이 에스테르는 약 20 내지 60몰%의 단위 Ⅰ, 약 5 내지 35몰%의 단위 Ⅲ 및 약 20 내지 40몰%의 단위 Ⅳ를 갖고 있다. 이들 폴리에스테르는 바람직하기는 약 35내지 45몰%의 단위 Ⅰ, 약 10 내지 15몰%의 단위 Ⅱ, 약 15 내지 25몰%의 단위 Ⅲ 및 약 25 내지 35몰%의 단위 Ⅳ를가져야 한다.

단위 Ⅱ와 Ⅲ의 총합몰 농도는 단위 Ⅳ의 몰농도와 대략 동일하게 한다. 경우에 따라 환에 결합된 수소의 적어도 일부분은 탄소원자수 1 낼지 4의 알킬기, 탄소원자수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환된 페닐 및 그들의 조합으로 된 군에서 선택된 어떤 치환기로 치환되게 한다. 이들 완전한 방향족 에스테르는 60℃에서 펜타플루오로 페놀속에 0.3W/V% 농도로 용해하면 대체로 대략 2.0dl/g 이상, 예컨대 2.0 내지 10.0dl/g의 대수점도를 나타낸다.

(4) 다음의 반복단위 Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ 및 Ⅳ로 대략 구성되어 있는 폴리에스테르

Ⅲ 일반식 -[O-Ar-O]-(여기서 Ar는 적어도 한개의 벤젠환을 가진 2가기임)로 표시되는 디옥시알릴단위

Ⅳ 일반식

(여기서 Ar'는 적어도 하나의 벤젠환을 가진 2가기임)로 표시되는 디카르복실 알릴단위

이 폴리에스테르는 약 20 내지 40몰%의 단위, Ⅰ, 10몰% 이상이나 약 50몰% 이하인 단위 Ⅱ, 5몰% 이상 약 30몰% 이하의 단위 Ⅲ 및 5몰% 이상 30몰% 이하의 단위 Ⅳ를 갖고 있다. 이들 폴리에스테르는 약 20 내지 30몰%(예컨대 약 25몰%)의 단위 Ⅰ, 약 25 내지 40몰(예컨대 약 35몰%)의 단위 Ⅱ, 약 15 내지 25몰%(예컨대 약 20몰%)의 단위 Ⅲ, 및 약 15 내지 25몰%(예컨대 약 20몰%)의 단위 Ⅳ를 갖는 것이 바람직하다. 그리고 벤젠환에 결합되어 있는 수소원자의 적어도 이룹는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기, 탄소원자수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환된 페닐 및 그들의 조합으로 된 기에서 선택한 어떤 치환기로 치환될 수 있다.

단위 Ⅲ과 Ⅳ는, 그 단위들의 각각을 중합체 주쇄내에서 그들 양측에 있는 다른 단위에 연결시키고 있는 2가 결합이 하나, 둘 또는 그 이상의 벤젠환상에 대칭으로 배열되어 있다는 의미로서의 대칭이면 좋다(예컨대 그들이 나프탈렌환에 있을때는 상호간에 파라위치 또는 대각선환 위치에 배열됨). 그러나 레조르시놀과 이소프탈산에서 유도되는 비대칭 단위도 역시 사용 가능하다.

바람직한 디옥시아릴단위 Ⅲ은

이고, 바람직한 디카르복시아릴단위는

이다.

(5) 다음 반복단위 Ⅰ, Ⅱ 및 Ⅲ으로 대략 구성되어 있는 폴리에스테르 :

Ⅱ 일반식 -[O-Ar-O]-(여기에서 Ar는 적어도 한개의 벤젠환을 가진 2가기)으로 표시되는 디옥시아릴단위.

Ⅲ 일반식

(여기서 Ar'는 적어도 하나의 벤젠환을 가진 2가 기)으로 표시되는 디카르복실아릴단위.

그들은 약 10 내지 90몰%의 단위 Ⅰ, 5 내지 45몰%의 단위 Ⅱ 및 5 내지 45몰%의 단위 III을 함유하고 있다. 이 폴리에스테르는 약 20 내지 80몰%의 단위 I , 약 10몰% 내지 40몰%의 단위 II 및 약 10 내지 40몰%의 단위 III을 가지면 더욱 좋을 것이다. 그보다 더 좋기는 그들은 약 60 내지 80몰%의 단위, I , 약 10 내지 20몰%의 단위 II 및 약 10 내지 20몰%의 단위 III을 가져야 한다. 그리고 환에 결합되어 있는 수소원자의 적어도 일부는, 경우에 따라, 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기, 탄소원자수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환된 페닐, 및 그들의 조합으로된 군에서 선택한 어떤 치환기로 치환되어 있을 수 있다.

바람직한 디옥시아릴단위 III 는

이고, 바람직한 디카르복시아릴단위는

이다.

(6) 다음 반복단위 I , II 및 IV로 대략 구성되어 있는 폴리에스테르 단위

II 일반식

(여기서 A는 적어도 하나의 벤젠환을 가진 2가 기 또는 2가의 트랜스-시클로헥산기임)

III 일반식 -[Y-Ar-Z]-(여기서 Ar는 적어도 한개의 벤젠환을 가진 2가의 기이고, Y는 O, NH 또는 NR이고, Z는 NH 또는 NR이다(여기서 R은 탄소원자수 1 내지 6의 알킬기 또는 아릴기임).

IV 일반식 -[O-Ar'-O]-(여기서 Ar'는 적어도 한개의 벤젠환을 가진 2가 기임).

그들은 약 10 내지 90몰%의 단위 I , 약 5 내지 35몰%의 단위 II , 약 5 내지 45몰%의 단위 III 및 약 0 내지 40몰%의 단위 IV를 갖는다. 그리고 환에 결합된 수소원자의 적어도 일부는 경우에 따라 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기, 탄소원자수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 페닐, 치환된 페닐 및 그들의 조합으로 되어 있는 군에서

선택한 어떤 치환기로 치환되어 있을 수 있다.

바람직한 디카르복시아릴단위 II 는

이고, 바람직한 단위 III은

바림직한 디옥시아릴단위 IV는

이다.

더우기, 본 발명의 이방성 용융상을 형성할 수 있는 중합체중에는 그들의 고분자쇄의 일부는 상기한 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 중합체의 세그먼트로 되어 있고 잔부는 이방성 용융상 형성에 적합치 않은 열가소성 수지로 되어 있는 중합체가 포함된다.

이방성 용융상을 형성할 수 있는 용융성형 가능한 본발명의 중합체 조성물은, (1) 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 다른 중합체, (2) 이방성 용융상을 형성하기에 적합치 않은 열가소성수지, (3) 열경화성수지, (4) 저분자량 유기 화합물, (5) 무기물질의 1종 또는 수종을 포함할 수도 있다. 이방성 용융상을 형성하기에 적합한 중합체 세그먼트와 잔여 세그먼트는 열 역학적으로 상용성이게 할 수도 있고 않을 수도 있다.

위의 (2)에서 언급한 열가소성 수지에 포함될 수 있는 것에는, 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 폴리아세트산비닐, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 아크릴수지류, ABS수지, AS수지, BS수지, 폴리우레탄, 규소수지, 불소계수지류, 폴리아세탈류, 폴리카르보네이트류, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 방향족 폴레에스테르류, 폴리아미드류, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐이트류, 폴리비닐에테르. 폴리에테라이드, 폴리아마이드 이미드, 폴리에테르, 에테르이미드, 폴리에테르 에테르케톤, 폴리에테르 설폰 폴리에틸렌 설파이드, 폴리페닐렌 옥사이드등이 있다.

상기 (3)에서 언급한 열경화성 수지에는 예컨대 페놀수지, 에폭시수지, 멜라민수지, 요소수지, 불포화 폴리에스테르수지, 알키드 수지등이 있다.

상기 (4)에서 언급한 저분자량 유기화합물에는 예컨대 일반적 열가소성수지와 열경화성수지에 첨가되는 물질로서, 에컨애 가소재, 산화방지 재나 자외선 흡수제와 같은 광 및 기후 안정제, 핵생성제, 대전방지제, 난연제, 염료, 안료와 같은 착색제, 발포제, 그리고 다시 디비닐계 화합물, 과산화물 또는 가황제와 같은 가교제 및 유동서와 이형성)離型性)등을 개선하기 위한 유활제등에 사용되는 저분자량 유기화합물이 있다.

상기 (5)에서 언급한 무기물질로서 들 수 있는 것에는, 일반 열가소성 수지 및 열경화성 수지 및 열경화성수지에 첨가될 수 있는 물질로서, 예컨대 유리섬유, 탄소섬유, 급속섬유, 세라믹 섬유, 붕소섬유, 아스베스토등과 같은 일반 무기섬유, 탄산칼슘, 고분산성규산, 알루미나, 수산화알루미늄, 탈크분, 운모, 유리폴레이크, 유리비이드(입상물), 석영분, 규사, 각종 금속분, 카아본블랙, 황상바륨, 소석고동의 분상물, 탄화규소ㅡ 알루미나, 질화붕소, 질화규소와 같은 무기 화합물 및 휘스커와 급속 휘스커등이 있다.

본 발명의 중합체 조성에서는, 용융되면 고분자쇄가 정적상태에서도 크게 배향되며 이 배향은 용융체의 흐름으로 인해 더욱 항진되므로 그것을 용융성형하면 이물질의 얇은 성형물과 같은 이차원물질은 더욱더 배향을 나타낸다. 따라서 이 발명의 중합체 조성물은, 자기테이프 기판필름의 베이스수지에 필요로 하는 치수안정성, 각종 기계적성질, 열저항등의 성질을 충분히 만족시킬 수 있다.

그런데 본 발명의 자기 테이프 물질의 자기층에 대해서는, 아무 특별한 제한은 없고 어떤 공지의 자기물질로 만들어진 층이나 사용할 수 있다. 그런층으로서는 예컨대 γ-Fe₂O₃·CrO₃, Co도우프의 산화철, Fe, Co, Ni, 등의 금속, 또는 그들이 합금을 특히 들 수 있으나, 박막형 유기고분자 화합물을 거의 함유하지 않은 자기층이 특히 바람직하다.

다음에는, 본 발명의 자기테이프의 제법을 설명하면, 이방성 용융상 형성에 적합한 중합체는, 무연신 또는 연신 필름성형법으로서 예컨대 T-다이법 또는 인플레이션법과 같은 일반적 열가소성 수지에 사용되는 어떤 필름가공법에 의해 필름으로 만들어질 수 있다.

다음에는 필요에 따라 이필름에 기계적강도는 열처리함으로써 더욱 향상시킬 수 있다. 이 열처리의 조건으로서는 200℃의 온도범위가 적당하다.

이 방법으로 얻을 한 기판필름위에 자기층을 형성시킨다. 성층법으로서는 여러 공지의 방법을 채용할 수가 있다. 예컨대 γ-Fe₂O₃·Cr₂O₃, Co도우프의 산화철, Fe, Ni, Co등의 금속 또는 그들의 합금을 적당한 고분자 결합제와 함께 용제속에 용해시켜 만든 용액을 사용하는 방법이나, 또는 스퍼터링법, 증착법, 이온도금법등에 이해 특정금속으로서 층을 직접 형성하는 어떤 방법을 채용할 수 있다. 또는 상기 자기층의 형성전에 기판을 만들려는 필름을 공지의 코로나방전처리(공기, 질소, 탄산가스등의 속에서)를 받게할 수도 있고, 또는 이 필름은 접착성, 윤활성 표면 평활성등을 부여하기 위한 각종의 중합체와 적층시킨 형태로, 또는 다른 종류의 조성물이 피복된 상태로 사용해도 좋을 것이다. 이처럼 피복형 테이프도 또는 증착형 테이프도 사용할수 있다. 그러나 증착형 테이프가 기록밀도의 증가의 효과면에서는 훨씬 우수하다.

상기와 같이 본 발명은 특정 중합체로 만들어져 있고 탁월한 물성을 가진 필름의 적어도 일면상에 자기층이 형성되어 있는 자기테이프를 제공한다. 따라서 다음과 같은 우수한 효과를 얻는다.

(1) 낮은 열수축계수, 얇지만 우수한 주행특성을 갖고 있고 기록 왜(비틀림)가 전연 없는 자기테이프를 얻을 수 있어 자기테이프를 보다 더 얇고, 작고 고밀도화 할수 있다.

(2) 필름물질과 자기층간의 부착력이 강한 자기기록재료가 얻어져 기록왜를 완전 회피할 수 있다.

본 발명의 자기기록물질은 오오디오, 비데오등 모든 자기 기록용으로 사용할 수 있다.

[구체예]

다음에는 본 발명이 요융된 태양을 실시예를 참고로 설명하겠으나 본 발명은 여기에 한정되는 것은 물론 아니다.

[실시예 1]

이방성 용융상 형성에 적합한 중합체 A의 펠릿을(나중에 자세히 설명함)압출온도 310℃ 및 인출속도 5m/min로 슬릿 다이부 필름 압출장치를 사용하여 압출 성형함으로서 19㎛ 두께의 필름을 얻었다. 그런뒤 이 필름을 250℃에서 24시간동안 열처리했다.

이 필름의 특성은 표시에 표시되어 있다.

그의 기계적 성질을 ASTM D-882에 의해 측정했으며 그의 열수축계수는 시료단부에 5g의 하중을 올려놓은 상태에서 150℃에서 30분간 방치한 뒤 측정했다.

[실시예 2 내지 4]

이방성 요융상을 만들기에 적합한 중합체 A를 중합체B(압출온도 320℃), 중합체 C(압출온도 315℃) 또는 중합체 D(압출온도 320℃)를 대치시킨 것을 제외하고는 실시예 1에서와 유사한 방식으로 실험을 행하였다.

[비교 실시예 1]

폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 2980℃에서 용융 압출하고 주조(카스팅)드럼위에 드럼표면온도 70℃에서 권취하고 고화시키며 그리하여 무연신 필름을 얻었다. 그런뒤 필름의 일 표면은 로울러에 의해 785℃까지 가열하고 그의 다른 표면은 적외선 히이터로 85℃까지 가열하면서 그의 길이방향으로 307배 연신하였다. 그런뒤 90℃에서 그의 폭방향으로 3.8배 연신하고 220℃에서 열처리 했다. 그렇게 함으로써 20㎛ 두께의 필름을 얻었다.

필름 형성수지로 사용된 이방성 용융상 형성에 적합한 중합체, A, B, C 및 D는 다음의 구조단위를 갖고 있다.

상기한 수지 A, B, C 및 D의 특정제법을 다음에 설명한다.

<수지 A>

4-아세톡시-벤조산 1081중량부, 6-아세톡시-2-나프토산 460중량부를 이소프탈산 166중량부 및 디아세톡시 벤젠 194중량부를 교반기, 질소도입파이프 및 유출물 배출파이프가 장착된 반으기내에 충전하고 혼합물을 질소류내에서 260℃까지 가열했다 그런뒤 260℃에서 2.5시간 동안 강렬 교반하고 다음에는 280℃에서 3시간 강 교반했으며 그러는 동안에 아세트산이 반응기에서부터 유축(증류제거)되게 하였다. 다시, 그 온도를 320℃까지 상승시키고 질소의 도입을 중지하였다. 그후에 반응기내 압력을 점차 낮추어 15분 뒤에는 0.1mmHg까지 강하했으며 이어서 이 온도와 압력에서 1시간동안 교반하였다.

그래서 얻은 중합체는 60℃, 0.1중량% 농도에서 펜타플루오로페놀중에서 특정한 바 그 고유점도는 5.0이었다.

<수지 B>

4-아세톡시벤조산 1081중량부, 2, 6- 디아게톡시타프탈렌 489중량부 및 테레프날산 332중량부를 교반기, 질소도입파이프 및 유출물 배출파이프가 장착된 반응기에 충전하고 이 혼합물을 질수류하에 250℃까지 가열했다. 그런뒤 250℃에서 2시간동안 강교반, 그런뒤 280℃에서 강교반 하였으며 그러는 사이에 아세트산 반응기에서부터 유출되게 하였다. 다시 그 온도를 320℃까지 가열하고 질소유입을 중지했다. 그런뒤 반응기내 압력을 점차 낮추어 30분 뒤에는 그 압력이 0.2mmHg가 되게 하였고 이어서는 이 온도 및 압력에서 1.5시간 교반하였다.

그렇게 해서 얻어진 중합체는 60℃, 0.1중량% 농도에서 펜타플루오로페놀중에서 측정한 그 고유점도가 2.5를 나타냈다.

<수치 C>

4-아세톡시벤조산 1261중량부, 6-아세톡시-2-나프토산 691중량부를, 질소 도입파이프 및 유출몰 배출파이프가 장착된 반응기내에 충전하고 혼합물을 질소류중에서 250℃까지 가열했다. 그것을 250℃에서 3시간 동안 강교반, 다시 280℃에서 2시간동안 강교반 했는데 그러는 동안에 아세트산이 반응기로부터 유출되었다. 그런뒤 온도를 320℃까지 상승시키고 질소의 도입을 중지했다. 그런 뒤 반응기내 압력을 낮추어 20분후 반응기내 압력이 0.1mmHg가 되게 했고 이어서 이 온도 및 압력에서 1시간동안 교반했다.

그렇게 해서 얻어진 중합체는 펜타플루오로페놀중에서 0.1%중량 농도 및 60℃에서 측정한 그 고유점도가 5.4였다.

<수지 D>

6-아세톡시-2-나프토산 1612중량부, 4-아세톡시 아세트아닐리드 290중량부, 테레프탈산 249중량부 및 아세트산 나트륨 0.4중량부를 교반기, 질소도입파이프 및 유출물 배출파이프가 장착된 반응기내에 충전하고 이 혼합물을 질소류중에서 250℃까지 가열했다. 그것을 250℃에서 1시간동안 강교반, 300℃에서 3시간 강교반하였는데 그러는 사이에 아스트산이 반응하기로부터 유거되었다. 그런 뒤 온도를 340℃까지 상승시키고 질소의 유입을 중단했다. 그런 뒤 반응기내 압력을 점차로 낮추어서 그 압력이 30분 후에는 0.2mmHg가 되게 했고 이어서 이 온도와 압력에서 30분간 교반했다.

얻어진 중합체는 펜타플루오로페놀중에서 0.1%중량 농도 및 60℃에서 측정한 그의 고유점도가 3.9였다.

Claims

이방성상(異方性相)의 중합체 기판과 거기에 피복된 자기층으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 테이프.
제 1 항에 있어서, 중합체가 이방성 용융상을 형성하기에 적합하고 용융 가공 가능한것을 특징으로 하는 자기테이프.
제 1 항에 있어서, 기판이 한 중합체와 다른 중합체로 되어 있는 조성물로부터 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기테이프.