KR900002309A - 반도체 메모리 - Google Patents

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KR900002309A
KR900002309A KR1019890009840A KR890009840A KR900002309A KR 900002309 A KR900002309 A KR 900002309A KR 1019890009840 A KR1019890009840 A KR 1019890009840A KR 890009840 A KR890009840 A KR 890009840A KR 900002309 A KR900002309 A KR 900002309A
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semiconductor memory
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KR1019890009840A
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KR930003250B1 (ko
Inventor
요시오 오카다
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065—Differential amplifiers of latching type

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 DRAM의 일부를 도시해 놓은 회로도.
제2도는 제1도의 DRAM의 변형예를 도시해 놓은 회로도.
제3도는 종래 DRAM의 일부를 도시해 놓은 회로도.

Claims (1)

  1. 복수개의 열에 각각 설치되어 있는 복수개의 감지증폭기(SAa,SAb...)가 공통소오스배선(1)을 매개로 반도체칩의 기준전위(Vss)단에 접속되어 있는 반도체메모리에 있어서, 상기 각 감지증폭기(SAa,SAb,..)와, 상기 기준전위(Vss)단간에 각각 접속되는 스우칭소자(Sa,Sb,..)와, 상기 복수개의 열중에서 선택된 열에 설치되어 있는 감지증폭기와 접속되어 있는 스위칭소자를 ON상태로 해주는 제어회로를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890009840A 1988-07-11 1989-07-11 반도체 메모리 KR930003250B1 (ko)

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JP17231588 1988-07-11
JP63-172315 1988-07-11
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KR930003250B1 KR930003250B1 (ko) 1993-04-24

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