KR890017773A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부도면은 본 발명의 반도체 장치의 제조공정도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘기판
Claims (4)
- 산화막위에 생성된 핵을 제거하는 방법에 있어서, 불순물(2)이 도우핑된 실리콘기판(1)상에 제 1 산화막(3)을 도포시킨 다음 시각하여 접촉구(4)를 형성하고, 접촉구(4)내에 텅스텐을 선택매몰 성장시켜 선택적 텅스텐막(5)을 형성하며, 상기 기판(1)상에 텅스텐 실리사이드(7)를 도포시켜 산화막(3)위에 생성된 텅스텐 핵(6)을 실리사이드화시킨 다음 상기 실리사이드층(7)을 식각시켜 텅스텐 핵(6)을 제거시키므로서 원하는 선택 매몰형상을 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판(1)상에 텅스텐 실리사이드(7)를 감압화학 증착방법을 사용하여 2kÅ 두께로 도포시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 텅스텐 실리사이드층(7)을 플라즈마 방식으로 전면 건식식각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 텅스텐 실리사이드층(7)의 전면 건식식각시 SF6/CCl4가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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- 1988-05-31 KR KR1019880006444A patent/KR910006091B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR910006091B1 (ko) | 1991-08-12 |
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