KR890017574A - 내식막 조성물, 페놀 화합물 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르 - Google Patents

내식막 조성물, 페놀 화합물 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르 Download PDF

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마꼬또 하나바따
히로또시 나까니시
고지 구와나
유끼오 하나모또
후미오 오이
준 도미오까
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모리 히데오
스미또모 가가꾸고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

내식막 조성물, 페놀 화합물 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예1에서 수득된 2-(3-히드록시페닐)-2-(2,5-디히드록시-4-메틸페닐)프로펜의 1H-NMR스펙트럼이다. 제2도는 실시예1에서 수득된 2-(3-히드록시페닐)-2-(2,5-디히드록시-4-메틸페닐)프로펜의 적외선 스펙트럼이다. 제3도는 실시예2에서 수득된 2-(4-히드록시페닐)-2-(2,5-디히드록시-4-메틸페닐)프로펜의H-NMR스펙트럼이다.

Claims (17)

  1. 알칼리-가용성 수지 및 하기 일반식(Ⅰ)의 페놀화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르를 함유함을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
    [식중, Y1, Y2, Y3및 Y4는 같거나 다르고, 각각 수소원자, 알킬기, 할로겐원자 또는 히드록실기이며,단 Y1, Y2, Y3및 Y4중 적어도 하나는 히드록실기이고; Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및Z6는 같거나 다르고, 각각 수소원자, 알킬기, 아릴기, 할로겐원자 또는 히드록실기이며, 단 Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및Z6중 적어도 하나는 히드록실기이고; X는
    (식중, R1및 R2는 같거나 다르고, 각각 수소원자, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 아릴기이며, 단 R1및 R2중 적어도 하나는 수소원자이고, 알킬 또는 아릴기는 X에 대해 오르토 위치에 존재하는 히드록실기에 대해 오르토 위치에 존재한다)이다.]
  2. 제1항에 있어서, R1과 R2가 모두 C1~C4알킬기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  3. 제1항에 있어서, R1과 R2가 모두 메틸기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  4. 제1항에 있어서, R1이 수소원자이고; R2가 알킬기이며; Y2및 Y3중 적어도 하나가 히드록실기이고, 단 히드록실기에 대해 오르토 위치에 있는 Z3및 Z4중 적어도 하나가 C1~C4알킬기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  5. 제1항에 있어서, Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및Z6은 같거나 다르며, 각각 수소원자, C1~C4알킬기 또는 히드록실기이고 단, Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및Z6중 적어도 하나가 히드록실기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  6. 제1항에 있어서, Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및 Z6는 같거나 다르며, 각각 수소원자 또는 히드록실기이고 단, Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및Z6중 적어도 하나가 히드록실기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  7. 제1항에 있어서, Z1,Z2,Z3,Z4,Z5및Z6중 둘이 히드록실기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  8. 제1항에 있어서, Z4,Z5및Z6중 적어도 하나가 히드록실기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  9. 제1항에 있어서, Y1,Y2,Y3및 Y4중 하나 또는 둘이 히드록실기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  10. 제1항에 있어서, Z1,Z2A 및 Z3중 하나가 히드록실기이고, Z4,Z5및Z6중 하나가 히드록실기이고, R1및R2가 모두 메틸기임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 페놀 화합물이 하기 일반식(Ⅱ)의 화합물임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 페놀 화합물이 하기 일반식(Ⅲ)의 화합물임을 특징으로 하는 포지티브 내식막 조성물.
  13. 하기 일반식(Ⅰ)의 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르로 이루어짐을 특징으로 하는 감광제.
    [식중,Y₁,Y₂,Y₃및 Y₄는 같거나 다르고, 각각 수소원자,알킬기, 할로겐원자 또는 히드록실기이며, 단 Y₁,Y₂,Y₃및 Y₄중 적어도 하나는 히드록실기이고;Z₁,Z₂,Z₃,Z₄,Z5및 Z6는같거나 다르고, 각각 수소원자, 알킬기, 아릴기, 할로겐원자 또는 히드록실기이며, 단 Z₁,Z₂,Z₃,Z₄,Z5및 Z6중 적어도 하나는 히드록실기이고; X는
    (식중, R₁및 R₂는 같거나 다르고, 각각 수소원자, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 아릴기이며, 단 R₁및 R₂중 적어도 하나는 수소원자이고, 알킬 또는 아릴기는 X에 대해 오르토 위치에 존재하는 히드록실기에 대해 오르토 위치에 존재한다)이다.]
  14. 하기 일반식(Ⅱ)의 페놀 화합물.
  15. 하기 일반식(Ⅲ)의 페놀 화합물.
  16. 하기 일반식(Ⅱ)의 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르.
  17. 하기 일반식(Ⅲ)의 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006064A 1988-05-07 1989-05-06 내식막 조성물, 페놀 화합물 및 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술폰산 에스테르 KR0147069B1 (ko)

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