KR890013728A - 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법 - Google Patents

취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 방법에 사용되는 플라즈마 식각장치의 개략도.
제4A~4E도는 본 발명의 방법에 의해 식각된 패턴들의 단면도.
제 5도는 식각하는 동안 웨이퍼의 온도와 건식식각에 의해 얻을 수 있는 경사각의 상관도.

Claims (16)

  1. 물질을 선택적으로 식각하기 위한 방법에서, 식각된 물질의 영역은 노출시키도록 그 물질위에 식각마스크를 제공하는 단계와, 상기 물질과 접촉상태로 식각가스의 프라즈마를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 식각가스는 상기 물질과 반웅하는 주반응 성분으로서 취화 수소, 취소 또는 그의 조합을 함유하며, 그에의해 상기 물질의 상기 노출영역이 선택적으로 식각되어 식각된 부분과 상기 식각마스크의 주변올 따라 측벽을 갖는 상기 물질이 형성되는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  2. 제1항에서, 상기 물질은 실리콘 또는 실리콘 함유 물질로 제조되는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  3. 제1항에서, 상기 식각은 상기 물질의 측벽이 90이하의 경사각을 갖도록 -40℃~+50℃의 온도에서 행해지는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  4. 제1항에서, 상기 식각은 상기 물질의 측벽이 90 또는 90부근의 경사각을 갖도록 50℃~150℃의 온도에서 행해지는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  5. 제1항에서, 상기 식각은 상기 물질의 측벽이 90 이상의 경사각을 갖도록 150℃ 이상의 온도에서 행해지는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  6. 제1항에서, 상기 식각가스는 반응 성분으로서 취화수소 또는 취소만을 함유하며 또한 불활성 가스를 더 함유하는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  7. 제3항에서, 상기 식각물질의 측벽의 상기 경사각은 다음식에 의해 조절되는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법 .
    식중 θ는 식각물질의 측벽의 경사각을 나타내는 것으로 ±5° 분산을 가짐 t는 식각하는 동안 물질의 온도.
  8. 물질을 선택적으로 식각하기 위한 벙법에서, 식각될 물질의 영역을 노출시키도록 그 물질위에 식각마스크를 제공하는 단계와 식각실내에서 상기 물질과 접촉상태로 식각가스의 프라즈마를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 식각가스는 상기 물질과 반응하는 주반응성분으로서 취하 수소, 취소 또는 그의 조합을 함유하며 탄소함유 성분은 함유하지 않으며 그에의해 상기 물질의 상기 노출영역이 선택적으로 노출되며, 상기 식각실은 식각가스의 상기 프라즈마와 접촉상태의 탄소함유 물질을 갖고 있지 않는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  9. 제8항에서, 상기 식각가스는 상기 식각가스의 총중량을 기준으로 120rpm 이하의 탄소함량을 함유하는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  10. 제9항에서, 상기 식각가스는 상기 식각가스의 총중량을 기준으로 40rpm 이하의 탄소함량을 함유하는것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  11. 제9항에서, 상기 식각마스크는 무탄소 함유 물질로 구성되는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식식각하는 방법.
  12. 제8항에서, 상기 물질은 다결정실리콘으로 제조되며 또한 상기 식각마스크는 산화 또는 질화 실리콘으로 제조되는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  13. 물질을 선택적으로 식각하기 위한 방법에서, 식각될 물질의 영역을 노출시키도록 물질위에 유기물질의 식각마스크룰 제공하는 단계와, 상기 물질과 접촉상태로 식각가스의 프라즈마를 제공하는 단계와, 상기 식각가스는 상기 물질과 반응하는 주반응성분으로서 취화 수소 함유하며 그에 의해 상기 물질의 상기 노출된 영역은 선택적으로 식각되며, 그리고 유기물질로 된 상기 식각마스크를 갖는 상기 물질 주위에 그의 플라즈마로 부터 분리된 여기 산소원자들을 함유하는 분위기를 제공하는 단계를 포함하는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  14. 제13항에서, 상기 프라즈마 식각단계후와, 상기 여기 산소원자 처리 전 또는 후에 산소의 프라즈마 내에 상기 식각마스크룰 재화하는 단계롤 더 포함하는 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  15. 제13항에서, 상기 유기물질의 식각마스크는 유기 포토레지스트인 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법.
  16. 제13항에서, 상기 식각될 물질은 다결정 실리콘인 것이 특징인 취화수소 또는 취소로 건식 식각하는 방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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