KR890013653A - 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더 - Google Patents
집적반도체 기억장치의 용장성 디코더 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 가장 최근에 개발된 용장성 디코더의 일부의 회로도.
제2도는 본 발명에 따르는 구성을 내부에 통합하고 있는 제1도의 부분도.
Claims (8)
- 하나의 스위칭 트랜지스터와 절단된 그리고 원래대로인 각각의 상태를 갖는 하나의 가분접속과, 최소한 하나의 충전 트랜지스터를 포함하고 있는 복수의 디코더 단을 갖는 집적 반도체 기억장치의 용장성 디코더로서, 각각의 디코더 단에, 각각의 디코더 단들의 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 가분접속과의 사이에 접속된 하나의 번지지정회로로 구성되어 있으며, 상기 가분접속의 상기 절단된 상태는 각각의 상기 가분접속이 원상태대로 있을 때 상기 번지 지정회로에 의해 전기적으로 시뮬레이션 되는 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제1항에 있어서, 상기 번지 지정회로는 각각의 디코더 단에 할당된 번지 신호에 의해서 뿐만아니라 제어신호에 의해서 도입 가능한 메모리 기능을 갖는 하나의 메모리회로를 포함하며, 상기 메로리회로는 절단된 가분접속의 상태의 시뮬레이션을 제어하는 출력신호에 대한 출력을 갖는 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제2항에 있어서, 하나의 제어 트랜지스터는 상기 번지 신호를 상기 메모리회로에 공급하기 위하여 상기 메모리회로에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제2항에 있어서, 상기 메모리회로는 쌍안정 플립플롭 회로인 것을 특징으로하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제4항에 있어서, 상기 쌍안전 플립플롭회로는 RS타입인 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기억장치는 자체에 인가되는 공급전위를 갖고 있으며, 상기 번지 지정회로는 상기 번지 지정회로를 제어하기 위하여 상기 공급전위에 의해 도입 가능한 메모리기능을 갖는 메모리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기억장치는 자체에 인가된 기준전위를 가지며, 상기 번지 지정회로는 상기 번지 지정회로를 제어하기 위하여 상기 기준전위에 의해 도입 가능한 하나의 메모리기능을 갖는 하나의 메모리회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.
- 제1항에 있어서, 상기 번지 지정회로는 하나의 메모리 회로를 포함하며, 상기 메모리회로를 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 가분접속에 접속시키는 용장성 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적반도체 기억장치의 용장성 디코더.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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