KR890007411A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명을 1실시예인 MSP형의 수지로 봉하여 막은 반도체 장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도

제2도는 제1도의 수지로 봉하여 막은 반도체 장치의 반도체 칩의 배치도

제3도는 제2도의 반도체 칩의 주요부 단면도

Claims (25)

1. 주면에 여러개의 본딩 패드(4C)가 형성된 반도체 칩(4), 상기 여러개의 본딩 패드의 각각에 전기적으로 접속된 여러개의 금속 와이어(5), 각각이 상기 금속 와이어와 접속되어야 할 영역을 포함하는 제1표면(2B)와 제2표면(2C)를 포함하는 표면을 갖고, 각각의 금속 리이드의 상기 영역이 1개의 금속 와이어에 전기적으로 접속되도록 상기 여러개의 금속 와이어에 접속된 리이드 프레임(2), 상기 제2표면상에 형성된 금속막(7), 상기 반도체 칩, 상기 여러개의 금속 와이어 및 상기 여러개의 리이드 프레임의 상기 제1표면 및 리이드 프레임의 상기 제2표면상에 형성된 상기 금속막의 일부를 그내부에 포함하는 봉하여 막는 수단(6)을 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 봉하여 막는 수단의 외부에 연장하는 상기 여러개의 금속 리이드의 각각의 리이드 표면은 상기 제2표면에 의해서 구성되고, 그 제2표면에는 금속막이 형성되어 있는 반도체 장치.
2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속와이어는 Cu 또는 Cu를 주체로 하는 합금 재료 또는 상기 본딩 패드와 동등한 경도를 갖는 것인 반도체 장치.
3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 리이드 프레임은 그 기판이 석출경화형 구리재료인 반도체 장치.
4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 석출경화형 구리재료는 0.05∼0.15％의 지르코늄을 함유하는 구리재료인 반도체 장치.
5. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 석출경화형 구리재료는 0.05∼0.60％의 지르코늄 및 0.20∼0.30％의 크롬을 함유하는 구리재료인 반도체 장치.
6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속막은 고융점 땜납인 반도체 장치.
7. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속막은 75∼95％의 납과 25∼5％의 주석인 반도체 장치.
8. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 봉하여 막는 수단은 저온 경화용 수지인 반도체 장치.
9. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 본딩패드는 마이그레이션을 저감하는 원소가 첨가된 알루미늄 합금재료인 반도체 장치.
10. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 마이그레이션을 저감하는 원소는 Cu인 반도체 장치.
11. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 마이그레이션을 저감하는 원소는 Cu와 Si인 반도체 장치.
12. 주면에 본딩 패드가 형성된 반도체 칩을 마련하는 공정, 각각이 금속 와이어와 접속되어야 할 영역을 포함하는 제1표면과 제2표면을 포함하는 표면을 갖고, 각각의 금속 리이드의 상기 영역이 1개의 금속 와이어에 전기적으로 접속되는 리이드 프레임을 마련하는 공정. 상기 리이드 프레임의 상기 제2표면에 금속막을 형성하는 공정. 상기 리이드 프레임의 칩 탑재부에 상기 반도체 칩을 절연물을 거쳐서 탑재하는 공정. 상기 본딩패드와 상기 제1표면을 상기 여러개의 금속와이어로 전기적으로 접속하는 공정. 상기 반도체 칩, 상기 여러개의 금속 와이어, 상기 여러개의 리이드 프레임의 제1표면을 봉하여 막는 수단으로 봉하여 막는 공정으로 되는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 봉하여 막는 수단의 외부에 연장하는 상기 여러개의 금속 리이드의 각각의 리이드 표면은 상기 제2표면에 의해서 구성되고, 그 제2표면에는 상기 금속막 형성되어 있는 반도체 장치의 제조방법.
13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 금속막은 사전 땜납 도금에 의해 형성되어 있는 반도체 장치의 제조방법.
14. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 금속막은 고융점 땜납인 반도체 장치의 제조방법.
15. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 금속막은 75∼95％의 납과 25∼5％의 주석인 반도체 장치의 제조방법.
16. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 리이드 프레임은 그 기판이 석출경화형 구리재료인 반도체 장치의 제조방법.
17. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 석출경화형 구리재료는 0.05∼0.15％의 지르코늄을 함유하는 구리재료인 반도체 장치의 제조방법.
18. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 석출경화형 구리재료는 0.05∼0.60％의 지르코늄 및 0.20∼0.30％의 크롬을 함유하는 구리재료인 반도체 장치의 제조방법.
19. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 절연물은 속경화형의 에폭시 수지인 반도체 장치의 제조방법.
20. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 본딩패드와 상기 제1표면의 접속은 환원성 분위기 중에서 쐐기형 볼본딩으로 행하는 반도체 장치의 제조방법.
21. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 금속와이어는 Cu 또는 Cu를 주체로 하는 합금 재료 또는 상기 본딩 패드와 동등한 경도를 갖는 것인 반도체 장치의 제조방법.
22. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 봉하여 막는 수단은 저온 경화용 수지인 반도체 장치의 제조방법.
23. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 본딩패드는 마이그레이션을 저감하는 원소가 첨가된 알루미늄 합금재료인 반도체 장치의 제조방법.
24. 특허청구의 범위 제23항에 있어서, 상기 마이그레이션을 저감하는 원소는 Cu인 반도체 장치의 제조방법.
25. 특허청구의 범위 제24항에 있어서, 상기 마이그레이션을 저감하는 원소는 Cu와 Si인 반도체 장치의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.