KR890007081A - 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법 - Google Patents
능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 배열에 대한 일실시예를 도시한 배선도.
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 시험방법에 따른 배선도.
제3도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 배열에 대한 다른 실시예를 도시한 배선도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
C11, C12등 : 박막트랜지스터 a1-a8: 횡배선
b1-b9: 종배선 d11, d12: 화소전극
e11, e12등 : 콘덴서전극 Igs: 누설전류
I1: 누설전류 I2: 트랜지스터 구동전류
N : 화소의 갯수
n : 하나의 능동매트릭스 기판중에 결함있는 화소의 허용가능한 최대갯수
I3: 누설전류
m : 하나의 능동매트릭스 기판중 결함있는 화소의 허용가능한 최대갯수.
Claims (4)
- 다수의 반도체 스위칭소자와, 다수의 병렬도선의 제1그룹과, 제1그룹의 도선들에 직각으로 배선되어 매트릭스를 형성하는 다수의 병렬도선의 제2그룹과, 제1그룹의 상기 도선들중 하나에 접속되는 반도체스위칭소자의 제어전극과, 제2그룹의 상기 도선들중 하나에 접속되는 반도체 스위칭소자의 제어전극을 구비하는 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법은 상기 제1그룹의 도선들 양단을 단락시키는 단계와 : 제2그룹의 도선들 양단을 단락시키는 단계와 : 제1그룹의 도선들과 제2그룹의 도선들간에 일정전압을 인가하는 단계와 : 상기 제1그룹의 도선들로부터 제2그룹의 도선들로 흐르는 전류 또는 그의 역방향으로 흐르는 전류를 측정하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법.
- 제1항에 있어서, 일정전압을 인가하는 상기 단계는 제2그룹의 도선들에 인가하는 전위보다 높은 전위를 제1그룹의 도선들에게 인가하는 단계이고, I1은 상기 전류측정단계에서 측정된 전류이고, I2는 상기 반도체 스위칭소자의 각각에 대한 구동전이며, n은 상수일 때 다음식 I1 n×I2을 만족하는지의 여부를 판별하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법.
- 다수의 콘덴서와, 다수의 병렬도선으로 된 제1그룹과, 제1그룹의 도선들에 직각으로 배선되어 매트릭스를 형성하는 다수의 병렬도선들로 된 제2그룹과, 제1그룹과 제2그룹중 어느 하나에 직각으로 배선되는 다수의 병렬도선으로 된 제3그룹과, 제1그룹의 상기 도선들중 하나에 각각 접속되는 제1전극과 제2그룹의 상기 도선들중 하나에 각각 접속되는 제2전극과 상기 다수의 콘덴서를 경유하여 제3그룹의 도선들중 하나에 접속되는 제3전극을 구비하는 다수의 반도체 스위칭소자 등을 포함하는 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법은 상기 제1그룹의 도선들 양단을 단락시키는 단계와 : 상기 제2그룹의 도선들 양단을 단락시키는 단계와 : 상기 제3그룹의 도선들과 상기 제1그룹의 도선들을 단락시키는 단계와 : 상기 제1그룹과 제2그룹의 도선들간에 일정전압을 인가하는 단계와 : 상기 제1그룹의 도선들로부터 상기 제2그룹의 도선들로 흐르는 전류 또는 그 역방향으로 흐르는 전류를 측정하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법.
- 제3항에 있어서, 일정전압을 인가하는 상기 단계는 제2그룹의 도선들에 인가하는 것보다 높은 전위를 제1그룹의 도선들에게 인가하는 단계이고, I3은 상기 측정단계에서 측정된 전류이고, I2는 상기 각각의 반도체 스위칭소자에 대한 구동전류이며, m은 상수일 때 다음식 I3≤m×I2를 만족하는지 여부를 판별하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 능동매트릭스 기판에 대한 전기적 시험방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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