KR880008433A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)-(c)도는 종래의 반도체장치의 제조공정도.
제2(a)-(g)도는 본 발명의 제조공정도.
Claims (4)
- 반도체장치의 다층금속배선 제조방법에 있어서, 반도체기판상의 제1절연층(10)상에 상기 반도체기판에 형성된 소자의 소정부분과 접속을 하기 위한 제1금속 도체층(12)을 증착하는 제1공정과, 상기 제1금속도체층(12) 상부에 상기 금속의 알로이 온도보다 낮은 온도에서 저온산화막(11)을 도포하는 제2공정과, 상기 저온산화막(11) 상부에 금속배선 패턴닝을 위한 포토레지스트(13)을 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트막(13) 하부의 상기 산화막(11)을 동방성 에칭을 하여 중간산화막(14)을 형성하는 제4공정과, 상기 포토레지스트막(13) 하부에 노출된 제1금속도체층(12)을 동방성 에칭을 한후 상기 포토레지스트막(13)을 마스크로하여 하부 제1절연층(10)이 노출될때까지 방향성 에칭을 하므로써 상부모서리가 경사지게 형성된 제1금속배선 도체층(16)(18)을 형성하는 제5공정과, 전면에 절연산화막(17)을 도포하고 상기 제 1금속배선 도체층(16)(18) 또는 소자 접속부분과 접속을 위한 개구를 상기 절연산화막(17)에 형성하는 제6공정과, 제2금속도체층(20)을 증착하는 제7공정을 구비하여 상기 공정들의 연속을 다층 금속배선을 함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 제4공정중 산화막(11)을 제1금속도체층(12) 두께의 1/3 만큼 횡방향으로 에칭함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 제2공정중 산화막(11)의 형성을 200-300℃의 온도로 함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 제5공정중 동방성 에칭은 고압, 고농도반응 개스 프라즈마 에칭으로 하는 방향성 에칭은 저압, 저농도반응 개스 프라즈마 에칭으로 연속적으로 함을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR860010847A KR880008433A (ko) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR860010847A KR880008433A (ko) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR880008433A true KR880008433A (ko) | 1988-08-31 |
Family
ID=68531268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR860010847A KR880008433A (ko) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880008433A (ko) |
-
1986
- 1986-12-17 KR KR860010847A patent/KR880008433A/ko not_active Application Discontinuation
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