KR880004572A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 α입자의 초기에너지와 관통깊이의 관계도.
제 2 도는 종래의 1트랜지스터 디램셀의 단면도.
제 3 도는 제 2 도의 1트랜지스터셀에 α입자가 침투되었을시의 전자호울의 이동상태도.
제 4 도는 본 발명에 따른 1트랜지스터 디램셀의 단면도.
제 5 도는 제 4 도의 디램셀에 α입자가 침투하였을시의 전자호울의 이동상태도.
제 6 도는 제 4 도의 절선 A-A1에서의 에너지밴드에 따른 전자의 이동상태도.
Claims (1)
- 제 1 도전형의 반도체기판과 반대의 도형을 갖고 반도체표면에 형성된 고농도의 제 2 도전형의 제 1 전극반도체영역(80)과, 상기 반도체영역(80)의 상부에 유전체층(72)을 가지며 상기 유전체층(68)의 상부에는 제 2 전극이되는 제1 폴리실리콘층(70)을 가지며 상기 제 1 전극 반도체영역(80)의 하부에 고농도의 제 1 도전형의 반도체영역(82)으로 이루어지는 캐패시터 영역과, 상기 반도체영역(80)과 동일도전형으로 접속되어 있는 소오스영역(74)과 드레인영역(74) 및 이격된 상기 소오스 영역(74)과 드레인영역(74) 사이의 반도체표면상에 게이트절연층(90) 및 워드라인이되는 게이트전극층(62)을 구비하는 트랜지스터 영역 및 상기 캐패시터영역과 트랜지스터 영역을 둘러쌓는 필드산화막층(60)과 상기 필드산화막층(60)의 외측에 형성된 웰(52)을 구비하는 반도체 메모리셀에 있어서, 제 1 도전형의 고농도 반도체기판(50)과, 이 반도체기판(50)상에 형성되는 제 1 도전형의 상기 반도체기판(50)의 농도 보다 낮은 농도를 갖는 에피층(58)과, 상기 반도체기판(50)과 에피층(58)계면에 형성되고 상기 캐패시터영역과 드레인영역(78)하부에 있는 고농도의 제 2 도전형의 매몰층(54)(56)을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860008230A KR890002589B1 (ko) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 반도체 메모리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860008230A KR890002589B1 (ko) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 반도체 메모리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880004572A true KR880004572A (ko) | 1988-06-07 |
| KR890002589B1 KR890002589B1 (ko) | 1989-07-19 |
Family
ID=19252582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860008230A KR890002589B1 (ko) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 반도체 메모리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890002589B1 (ko) |
-
1986
- 1986-09-30 KR KR1019860008230A patent/KR890002589B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890002589B1 (ko) | 1989-07-19 |
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