KR840000081A - 반도체 메모리 - Google Patents

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미다 가쓰시게루
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예의 단면도. 제2A도, 제2B도는 상기 실시예인 메모리셀 부분의 등가회로도 및 평면도. 제3도는 본 발명의 다른 실시예의 단면도.

Claims (8)

  1. 제1도전형의 반도체 기체와 이 반도체 기체의 표면 영역에 설치된 제2도전형의 제1의 불순물 영역과 이 제1의 불순물 영역에 설치된 제2의 도전형으로, 상기 제1의 불순물 영역보다도 고불순물 농도로써, 깊이가 얕은 제2의 불순물 영역을 가지며, 이 제2의 불순물 영역내에 설치된 제1도전형의 제3의 불순물 영역에 의하여 소스, 드레인이 형성되어 이루어진 제1의 절연게이트의 건계효과 트랜지스터를 가지고 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기체의 표면영역에 설치된 제2도전형의 제4의 불순물 영역내에 설치된 제1도전형의 제5의 불순물 영역에 의하여 소스, 드레인이 형성되어 이루어지는 제2의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터와, 상기 반도체 기체의 표면영역에 형성된 제2도전형의 제6의 불순물 영역에 의하여 소스, 드레인에 형성되어 이루어지는 제3의 절연게이트형 전게효과 트랜지스터에 의해 CMOS 회로가 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 절연게이트형 전계효과 트랜지스터에 의해 메모리 회로가 구성되어 상기 CMOS 회로에 의해 주면회로가 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메모리 회로는 플립플롭을 단위 회로로 하는 스태틱 메모리 회로인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  5. 제3항에 있어서, 상기 기체는 소정의 전원전위로 되고, 또 상기 제1의 불순물 영역은 공통전위로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 불순물 영역의 소정의 영역은 개구부가 설치되어, 제1도전형의 영역이 상기 반도체 기체의 표면에 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제2의 불순물 영역과 같은 정도의 불순물 농도와 깊이를 갖는 제7의 불순물 영역을 베이스로 하는 쌍극성 트랜지스터를 가지며, 이 쌍극성 트랜지스터를 구동회로에 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  8. 제1도전형의 반도체 기체와, 이 반도체 기체의 표면영역에 설치된 제2도전형의 제1의 불순물 영역을 가지며, 이 제1의 불순물 영역내에 설치된 제1도전형의 제2의 불순물 영역에 의하여 소스·드레인이 형성된 제1의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터에 의해 구성되는 메모리 회로를 가지며, 상기 제2의 불순물 영역 가운데 상기 메모리 회로의 축적점에 상당하는 부분의 하측은 제1의 불순물 영역보다도 얕고, 또 불순물 농도가 높은 제2도전형의 제3의 불순물 영역으로 덮혀 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8202234A 1981-05-22 1982-05-21 반도체 메모리 KR860000159B1 (ko)

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JP56076503A JPS57192064A (en) 1981-05-22 1981-05-22 Semiconductor integrated circuit
JP56-76503 1981-05-22

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KR860000159B1 KR860000159B1 (ko) 1986-02-27

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JPS57192064A (en) 1982-11-26
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