KR880003432A - 쇼트키 트랜지스터 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 쇼트키 트랜지스터 장치를 도시하고 있다.
제2도는 MOS 공정을 이용하여서 제조된 본 발명에 의한 쇼트키 트랜지스터 장치를 도시하고 있다.
제3도는 종래의 쇼트키 트랜지스터 장치를 도시하고 있다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : P형 실리콘 기판 2 : P형 베리드층(buried layer)
3 : N형 베리드층 4 : N형 에피택시 영역
5 : P형 분술물 주입부 6 : 격리용 산화막
7 : N형 불순물 주입부 8 : 베이스 영역
9 : 에미터 영역 9' : 콜랙터 영역
10 : 산화막 11 : 질화막
12 : 베이스 접합영역 13 : 다결정 실리콘
14,14 :E트키 접합부 K : 연결금속
B : 베이스 단자 E : 에미터 단자
C : 콜랙터 단자
Claims (2)
- P형 실리콘기판(1)상에 P형 및 N형 베리드층(2)(3), N형 에피택시영역(4), P형 불순물 주입부(5), 격리용 산화막(6) 및 N형 분술물 주입부(7), 그리고 P형 및 N형 불순물이 각각 확산되어서 형성된 베이스영역(8)과 에미터영엽(9), 콜렉터영역(9') 및 산화막(10)과 질화막(11)이 형성되어 있고 베이스 영역(8)의 상단 일부를 식각한후 금속층을 증착시켜서 형성한 쇼트키 접합부(14')를 가지고 있는 쇼트키 트랜지스터 장치에 있어서, 격리용 산화막(6)의 일부가 N형 에피택시 영역(4)에 이르기까지 식각되어서 형성된 베이스 접합영역(12)의 일부에 금속층이 증착된 쇼트키 접합부(14)가 형성되어 있으며, 상기산 베이스 접합영역(12)에 붕소로 도핑되어 있으며, 외부 연결선으로도 사용할 수 있는 다결정 실리콘(13)이 채워져서 베이스 접합부를 형성하도록 구성한 것을 특징으로 하는 쇼트키 트랜지스터 장치.
- 제1항에 있어서, P형 실리콘기판(1)위에 N형 불순물이 주입되어서 N-well층이형성되어 있고, 격리용 산화막(6)의 일부가 상기한 N-well층에 이르기까지 식각되어서 형성된 베이스 접합영역(12)의 일부에 금속층이 증착된 쇼트키 접합부(14)가 형성되어서 구성된 것을 특징으로 하는 쇼트키 트랜지스터 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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