JPS62230270A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPS62230270A
JPS62230270A JP61073454A JP7345486A JPS62230270A JP S62230270 A JPS62230270 A JP S62230270A JP 61073454 A JP61073454 A JP 61073454A JP 7345486 A JP7345486 A JP 7345486A JP S62230270 A JPS62230270 A JP S62230270A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
charges
photoelectric conversion
column direction
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61073454A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH055433B2 (ja
Inventor
Tetsuo Yamada
哲生 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61073454A priority Critical patent/JPS62230270A/ja
Priority to US07/030,988 priority patent/US4810901A/en
Priority to EP87104704A priority patent/EP0241800B1/en
Priority to DE3789988T priority patent/DE3789988T2/de
Publication of JPS62230270A publication Critical patent/JPS62230270A/ja
Publication of JPH055433B2 publication Critical patent/JPH055433B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は固体撮像装置、特にラインアドレス型固体撮像
装置に関する。
(従来の技術) 第7図に従来一般に用いられているラインアドレス型の
固体撮像装置を示づ。光電変換素子1は二次元行列状(
この例では1行2列)に配され、ここで発生した電荷は
アドレスグー1〜2を介し゛C列方向転送装置3に読出
される。この読出しはアドレス走査回路4から与えられ
るアドレスパルスによって行なわれ、アドレス指定され
た行についてのみ読出しが行なわれる。列方向転送装置
3に読出された電荷は、φ おJ:びφ2から成る2相
クロックにより図の下方へと転送され、一時蓄積電極5
を経て、ボトム電極6へ転送され1更に行方向転送装置
7まで転送される。行方向転送装置7上の電荷は、図の
左方へ転送され、出力回路8から取出される。
第8図(a)〜(d)は上述の転送を順を追っで説明し
た図であり、第9図(a)〜(d)はこの転送動作のタ
イムチャー1−である。まず第9図(b)に示すにうに
、第1アドレス動作が時刻t1においてなされると、第
8図(a)のように電荷S1が列方向転送装置3に読出
される。続いて第9図(c)、(d)に示すクロックφ
1゜φ2にJ、って、電荷S1は、一時蓄積電極5で所
定期間蓄積された後、ボトム電極6を経て、行方向転送
装v17まで転送される。このようにして、時刻t に
おいて第2アドレス動作が、時刻t3において第3アド
レス動作が、時刻t4において第4アドレス動作がなさ
れ、それぞれ第8図(b)、(c)、(d)に示1−よ
うに電荷82゜S3.S4が読出される。この例では各
アドレス動作周期Ta1〜Ta3は同一である。−・方
、行方向転送装置7におりる転送動作は、第9図(a)
に示す行走査周1u1に従って行なわれる。即ち、電荷
S1は時刻t5から開始する第1行走査期間に、行方向
転送装置7上を転送され、出力回路8から取出される。
同様に電荷S2.S3.S/lは、それぞれ時刻1,1
.18から開始する第2゜第3.第4行走査期間に転送
される。ここで各行走査周期”s1〜Ts4は同一であ
り、この間にブランキング期間が設けられる。なおアド
レス動作周期T は行走査周期T5より小さくしなりれ
ばならない。これは第8図に示すように、電荷S1と電
荷S4とでは、列方向転送装置3上をボトム電極6の位
置まで転送するのに要する時間が異なるためである。例
えば電荷S4は時刻t までには行方向転送装置7まで
到達していな【プればならず、この分の時間の余裕をみ
て、第4アドレス動作時刻t4と時刻t8との間に電荷
S4の転送が行なねれるようにしなくてはならないため
である。
(発明が解決しようとする問題点) 上述の装置には、出力回路8から取出される信号に、ノ
イズ成分がのるという問題点がある。このノイズ成分は
、列方向転送装置3に電荷を読出すアドレス動作おJ:
び列方向転送装置3上での電荷の転送動作において、各
電極に印加されるパルスミ圧が容量結合等により出力信
シ8に混入しlcものである。このJ:うなアドレス動
性d3よび転送動作は、第9図のタイムチャートから−
しわかるとおり、行走査期間内にも継続して行なわれる
ため、従来装置ではノイズの混入は避()られず、結局
S/N比の低い映像しか得られないことになる。
このような問題を解決するために、上述のアドレス動作
および転送動作をプラン−1:ング明間内に終了させて
しまおうという試みがなされている。
しかしながら、このブランキング期間は第9図(a)に
示り−ように行走査期間に比べて非常に短い時間Cあり
、例えば第8図(d)に示すにうに行方向転送装置7に
最も遠い位;Uにある電荷S4をこのブランキング期間
内に行1ノ向転送装置7まで転送するには、かなり速い
転送速度が要求される。特に列方向転送装置3の転送段
数が多い大規模な装置では、電極端子の負仙容用も数百
あるいは数千p「のオーダとなり、高速転送を行なうた
めには、膨大な電力エネルギが必要になり、実用的では
なくなる。
一方、特願昭56−206679号公報には、アドレス
動作周期と行走査周期とを一致さじて上述の問題点を解
決する技術が、本願発明化によって開示されている。こ
の技術の詳細については、該公報を参照することどし、
ここでは説明を省略(る。しかしながら、この技術には
、アドレス動作を重ねるごとに、全転送段が信号電荷で
))1だされてしまい、列転送動作中に発生した不要電
荷の排出が困難となり、S/N比が低下するという欠点
がある。
そこで本発明は、消費電力が少なく、かつS/N比のよ
い画像を得ることができる固体撮像装置を提供すること
を目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は、二次元行列上に配された複数の光電変換素子
と、この各光電変換素子で発生した電荷を列方向に転送
する複数の列方向転送装置と、各列方向転送装置から転
送されてぎた電荷を行方向に転送する行方同転、送装置
と、を備える固体撮像装置において、 列方向転送装置が、連続した「)個で一転送段を構成す
るJ:うな複数の電極と、これらの電極をn相の転送ク
ロックで駆動さける駆動装置ど、を有し、 一転送段に相当する領域にある1群の光電変換素子行を
0組のグループに分け、この0組のグループのうらの所
定のグループに属する少なくとも1行の光電変換素子の
電荷を列方向転送装置の1転送段に読出し、m段(m≧
1)の転送動作を行なった後に、後続するグループに属
する少なくとも1行の光電変換素子の電荷を列方向転送
装置の1転送段に読出ず動作を行ない、 かつ、(m×p71)回目の読出し時には、後続する2
つのグループに属するそれぞれ少なくとも1行ずつの光
電変換素子の電荷を朝方、向転送装置の1転送段に読出
す動作を行なうようにし、d′j費電力が少なく、かつ
S/N比のよい画像を得るにうにしたものである。
(作 用) 上述の構成をとることにより、列方向転送装置の各転送
段に、信号電荷を有しない空の転送段を設けることがで
きるので、不要電荷の排出が容易となり、S/N比を向
上させることができる。しかもmxp段の転送動作ごと
に2つのグループを同時にアドレスして電荷読出しを行
なうようにしたため、ブランキング期間内にのみアドレ
ス動作および列方向転送動作を行なっても転送速度を極
端に高速にする必要がないため消費電力を低く抑えるこ
とができる。
(実施例) 以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
実施例1 第1図は本発明の第1の実施例に係る固体撮像装置の列
方向転送装置の転送動作図、第2図はこの装置に用いる
各クロックパルスのタイミングチャートである。この例
では22個の光電変換素子1内で発生した各電荷81〜
822を転送する場合を説明する。ここで−転送段は4
個の電極から構成され、4相の転送クロックφ1〜φ4
で駆動される(n=4)。また、一時蓄積電極5および
ボトム電極6には、それぞれりL’Iツクφ8およびφ
8が加えられている。光電変換素子1から列方向転送装
置3内の電極下への電荷読出しは、読出しクロックφ7
によって行なわれる。即ち、アドレスゲートパルスAD
1〜AD6は、この読出しクロックφAに同期し、アド
レスグー1−パルスが加わったゲートのみが開き、この
ゲートを介して電荷読出しが行なわれる。
一転送段に相当する領域、即ち電極4個分の領域にある
1群の光電変換素子が1グループを形成する(p=1)
。例えば電荷S1.S2が1グループ内の電荷であり、
電荷83.84は後続する次の1グループ内の電荷であ
る。本実施例は、インクレース方式の電荷読出しを行な
う例であり、奇数行目の電荷と偶数行目の電荷とは、そ
れぞれ別個に読出される。即ち、まず第1フイールドの
読出動作として奇数行目の電荷S1.S3.S5゜・・
・、S21が読出され、これらがすべて出力回路8から
取出された後に、第2フイールドの読出動作として偶数
行目の電荷S2.84.86.・・・。
S22が読出され、出力回路8から取出される。
以下、この第2フイールドの読出動作について説明する
。まず、第1ブランキング期間内の時刻t において、
パルスAD1によってアドレスグ−トがONL、、2行
目の光電変換素子の電荷S2が第1図のポテンシャル図
t1のJ:うに列方向転送装置3内の電極下のポテンシ
ャル開戸に読出される。続いてこの第1ブランキング期
間内に4相のクロックφ1〜φ4が3パルス分印加され
3転送段だけ転送される。このとぎ時刻t1Hおにびt
 において、それぞれクロックφHおにびφBB がそれぞれ一時蓄積電極5およびボ1−ム電極6に加え
られ、第1ブランキング期間終了時には、この電荷S2
は行方向転送装置7で転送される準備が完了することに
なる。従って次の第1行走査期間内に、この電荷S2は
行方向転送装置7によって転送され、出ノ〕回路8から
取出される。
次に、第2ブランキング期間内の時刻し、において、パ
ルスAD2.AD3にJ:つて電荷S/4とこれに後続
づるグループの電荷S6が同時に読出される(第1図ポ
テンシャル図12)。なおこのパルスAD  、AD3
による読出しタイミングは、本実施例の場合全く同時と
なっているが、多少の時間差をもって読出しを行っても
よい。要するに同一読出期間内に電荷S4.、S’6を
読出せればよいのである。続いてこの第2ブランキング
期間内に4相のクロックφ 〜φ4が3パルス分印加さ
れ、3転送段だけ転送される。このとぎも、クロックφ
8およびφ、が印加されるため、結局第21ランキング
期間終了時には、電荷S4は行方向転送装置7において
転送準備完了となり、続く第2行走査期間に転送される
ことになり、電荷S6は最終段電極に滞ることになる。
この様子は第1図のポテンシャル図t3を見ればはっき
りする。
第31ランキング期間内の時刻t3においては、パルス
ΔD4によって電荷S8が第1図のポテンシャル図1−
3のように読出される3、そしてこの第一  12 − 3ブランキング期間内に3転送段だけ転送される。
このとき、クロックφHによって、最終段電極に滞って
いた電荷S8は、一時蓄積電極5へ転送され一時保持さ
れ、更にクロックφ8が加わると行方向転送装置7へ転
送され、続く第3行走査期間内に出力回路8へと転送さ
れて取出される。一方、電荷S8は3転送段だけ転送さ
れた位置で滞ることになる。この様子は第1図のポテン
シャル図t4を見ればはっきりする。
第4ブランキング期間内の時刻t4においては、パルス
AD  、AD6によって電荷S10とこれに後続する
グループの電荷S12が同時に読出される(第1図ポテ
ンシャル図14)。続いて3転送段だけ転送が行なわれ
、第1図のポテンシャル図15のように、電荷S8が行
方向転送準備完了となり、電荷310,812は途中の
電極に滞る。
この時刻t5には電荷51=1が読出される。以下同様
に読出しおよび転送が行なわれる。この様子は第1図の
ポテンシャル図t 〜に12を順を追つて見てゆりば容
易に理解できにう。
以上の動作の特徴は、3段の転送動作を行なった後に、
次の読出し動作を行ない、しかも2回に1回は2つのグ
ループから同時に電荷読出しを行なうという点である。
一般原理としては、−転送段に相当する領域にある1群
の光電変換素子行を0組のグループに分け(本実施例で
はp−1)、m段(本実施例ではm−3)の転送を行な
うごとに電荷読出しを行なう場合は、(mxp−1)回
目の読出しごとに、2つのグループから同時読出しを行
なえばよいことになる。この動作原理に基づけば、第2
図のタイムチャートで明らかなにうに、ブランキング期
間内において読出し動作(アドレス動作)および列方向
の転送動作を行なえばよく、出力回路8においてこれら
各動作のクロックに基づくノイズの混入を防ぐことがで
きる。しかも2つのグループからの同時読出し行なって
いるため、余裕をもった転送を行なうことができ、転送
速度を速める必要もなく、低消費電力で駆動することが
できる。また、本実施例では第1図のポテンシャル図か
られかるとおり、信号電荷を転送中のポテンシャル井戸
間には、空の井戸が3つずつ設けられることになり、不
要電荷の排出が容易になる。
この不要電荷排出のためには、例えば第6図に示すよう
に、列方向転送装置3の最終転送段付近に、不要電荷排
出ドレイン9と排出電極10を設け、この排出電極10
に所定の信号φ。1.φ、2を加えて空の井戸内に蓄積
した不要電荷を不要電荷排出ドレインへ排出すればよい
。一般に固体撮像装置では、光電変換素子に入射した光
の一部が直接列方向転送装置3(通常はCCDが用いら
れる)に侵入したり、光電変換素子で発生した電荷が漏
れたりし、スミアとよばれる不要電荷を生じる。
この不要電荷が出力回路8から信号電荷に混入して取出
されると画像のにじみ等が生じる原因となる。この不要
電荷は転送動作にJ:って全転送段にわたって平均して
分布することが知られている。
従って空の井戸を設けておりば、信号電荷転送中の井戸
に混入する不要電荷はそれだけ減少することになる。し
かもこの空のIrに蓄積した不要型荷は、φ、1.φ、
2を制御することによって容易に排出でき、信号電荷へ
の混入量はほぼ1/3に減少する。
友凰■ユ 第3図は本発明の第2の実施例に係る固体′@像装置の
列方向転送装置の転送動作図、第4図はこの装置に用い
る各クロックパルスのタイミングチャートである。ここ
で−転送段は8個の電極から構成され、8相の転送クロ
ックφ 〜φ8で駆動される(n=8)。−転送段に相
当する領域、即ち電極8個分の領域にある1群の光電変
換素子が2グループを形成する(p=2)。例えば電荷
S1、S2が第1グループ、電荷S3.S4が第2グル
ープの電荷である。以下、実施例1と同様にインクレー
ス方式における第2フイールドの読出動作について説明
する。形成されるポテンシャル井戸は、第3図のポテン
シャル図に示すとおり、6電極にハイレベル、2電極に
ローレベルのクロックが加えられ、電荷は6電極分の領
域にねたつて蓄積転送される。従って実施例1に比べ転
送電荷1は3倍になる。
まず時刻t1において電荷S1が読出され、第11ラン
キング期間内に3転送段だ1ノ転送され、行方向転送の
準備完了となる。続いて時刻12゜13.14.15に
おいて、それぞれ電荷S4゜86.88.SIOが3転
送段ごとに読出される。
次に時刻t においては、パルスAD6゜AD7によっ
て電荷S12とこれに後続するグルプの電荷814が同
時に読出される(第3図ポテンシャル図16)。これら
は第6プランキング期間内に3転送段だけ転送され、時
刻t7において次の電荷816が読出される。以下同様
に読出しおよび転送が行なわれる。この様子は第3図の
ポテンシャル図t 〜t12に示されている。
以上の動作の特徴は、3段(m=3)の転送動作を行な
った後に次の読出動作を行ない、しかも−転送段に相当
する領域にある18¥の光電変換素子行は2組(p=2
)のグループに分けられている。よって前述の動作原理
に基づいて5回目(m×p−1)の読出しごとに、2つ
のグループからの同時読出しを行なえばよいことになる
。また、実施例1と同様に空の井戸が存在するため、ス
ミア電荷等の不要電荷の排出も容易であり、信号電荷へ
の混入mはほぼ1/3に減少り゛る。
実施例3 第5図は本発明の第3の実施例に係る固体撮像装置の列
方向転送装置の転送動作図である。ここで−転送段は実
施例2と同様8個の電極から構成され、・8相の転送ク
ロックφ 〜φ8で駆動されす る(n−8)。−転送段に相当する領域、即ち電極8個
分の領域にある1群の光電変換素子が2グループ・を形
成する( p = 2’ )。例えば電荷S2゜S3が
第1グループ、電荷S4.、S5が第2グループの電荷
である。本実施例は、一般にフィールド蓄積動作どよば
れる読出動作を行なう実施例であり、第1フイールドに
おいては、S1+S2゜S 3 +S /l、・・・S
21+S2’lをぞれぞれ−かたまりの電荷どして読出
し、第2フイールドにおいては、S 2+S 3 、 
S−/1.+ S 5 、・・・、820−1−821
’、822をそれぞれ−かたまりの電荷として読出す。
以下この第2フイールドの読出動作について説明する。
形成されるポテンシャル1戸は、第゛5図のボテフシ1
フル図に示すとおり7電極にハイレベル、1電極にロー
レベルのり1」ツクが加えられ、電荷は7電極分の領域
にわたって蓄積転送される。
まず時刻t1において電荷S 2 +’S 3が読出さ
れ、第1ブランキング期間内に3転送段だ【ノ転送され
、行方向転送の準備完了となる。続いて時刻t  ’、
t’、’t  、t  において、それぞれ電荷S4+
S5.S6’+S7.S8+S9.S10十S11が3
転送段ごとに読出される。
次に時刻t6においては、電荷S12+313とこれに
後続するグループの電荷S ’1’ 4’−4−815
が同時に読出される(第5図ポテンシャル図16)。こ
れらは第6プランキング期間内に3転送段だけ転送され
、時刻t7において次の電荷S16+817が読出され
る。以下第5図のポテンシャル図t 〜t12に示すよ
うに順次転送が行なわれる。
以上の動作の特徴は、実施例2と同様に3段(’m =
3)の転送動作を行なつIC後に次の読出動作を行ない
、しかも−転送段に相当する領域にある1群の光電変換
素子行は2組(p−2)のグループに分けられている。
従って(m×p−1)−5回目の読出しごとに2つのグ
ループからの同時読出しを行なえばよいことになる。 
 。
以上3つの実施例について本発明を説明したが、本発明
はこれらの実施例のみに限られるわけではなく、前述し
た動作原理に従った転送動作を実現できるものであれば
どのJ:うな構成をとってもかまわない。例えば上述の
実施例では転送段数mをすべてm=3としたが、一般に
m=jlとすれば、スミア電荷等の不要電荷を1/fJ
に減少させることができる。あるいは、−転送段を構成
する電極数を更に増やせば、転送電荷m+更に増加さ仕
ることができる。         ′ また、アドレスゲートと転送電極とを電気的に共通接続
し、転送電圧にアドレス量圧を重畳してもよい。
〔発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば、固体撮像装置に゛おいて
、列方向転送装置の所定の転送時に、2つのグループを
同時にアドレスして電荷読出しを行なうようにしたため
、ブランキング期間内にのみアドレス動作および列方向
転送動作を行なえるようになり、また信号電荷を有しな
い空の転送段を設けることができるようになり、消費電
力の低減とSZN比の向上を図ることができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の第1の実施例に係る装置
の転送動作図および転送クロックタイムチャー十、第3
図および第4図は本発明の第2の実施例に係る装置の転
送動作図および転送クロックタイムチャート、第5図は
本発明の第3の実施例に係る装置の転送動作図、第6図
は本発明に係。 る装置の概略構成図、第7図は従来装置の概略構成図、
第8図および第9図は従来装置の転送動作図および転送
クロックタイムチャートである。 1・・・光電変換素子、2・・・アドレスグー!−13
・・・列方向転送装置、4・・・アドレス走査回路、5
・・・一時蓄積電極、6・・・ボトム電極、7・・・行
方向転送装置、8・・・出力回路、9・・・不要電荷利
用ドレイン、10・・・排出電極、81〜S22・・・
電荷、t1〜”12”・時刻、φ1〜φ8・・・転送り
[1ツク、φ。・・・アドレスクロック、φ8・・・一
時蓄積電極用クロック、φ8・・・ボl〜ム電極用クロ
ック、AD1〜△D8・・・グー1〜パルス。 出願人代理人  佐  藤  −雄 第8図 第9図 手続補正書 昭和62年2月N日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、二次元行列上に配された複数の光電変換素子と、前
    記各光電変換素子で発生した電荷を列方向に転送する複
    数の列方向転送装置と、前記各列方向転送装置から転送
    されてきた電荷を行方向に転送する行方向転送装置と、
    を備える固体撮像装置において、 前記列方向転送装置が、連続したn個で一転送段を構成
    するような複数の電極と、これらの電極をn相の転送ク
    ロックで駆動させる駆動装置と、を有し、 一転送段に相当する領域にある1群の光電変換素子行を
    p組のグループに分け、前記p組のグループのうちの所
    定のグループに属する少なくとも1行の光電変換素子の
    電荷を前記列方向転送装置の1転送段に読出し、m段(
    m≧1)の転送動作を行なった後に、前記所定のグルー
    プに後続するグループに属する少なくとも1行の光電変
    換素子の電荷を前記列方向転送装置の1転送段に読出す
    動作を行ない、 かつ、(m×p−1)回目の読出し時には、前記所定の
    グループに後続する2つのグループに属するそれぞれ少
    なくとも1行ずつの光電変換素子の電荷を前記列方向転
    送装置の1転送段に読出す動作を行なう機能を有するこ
    とを特徴とする固体撮像装置。 2、2つのグループに属する電荷の読出し動作を、同一
    のクロックパルスを用いて同時に行なうことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の固体撮像装置。 3、mを2以上とし、電荷の読出しを行なわなかった転
    送段内の不要電荷を排出するための手段を、列方向転送
    装置の最終段近傍に設けたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項または第2項記載の固体撮像装置。 4、一行単位の電荷を外部に出力する期間以外の期間に
    、電荷の読出しおよび列方向への転送動作を行なうこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれ
    かに記載の固体撮像装置。 5、1つのグループに属する光電変換素子行を、複数の
    フィールドに分け、1つのフィールドに属するすべての
    光電変換素子についての読出し転送動作を終了した後に
    、次のフィールドに属する光電変換素子についての読出
    し転送動作を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項乃至第4項のいずれかに記載の固体撮像装置。 6、電荷の読出し動作時に、n相の転送クロックのうち
    1相または連続する2相が、各転送段間に境界となる電
    位障壁を形成させるような電位をとり、かつ、1つのフ
    ィールドについての読出し転送動作中は前記電位障壁パ
    ターンを一定に保つことを特徴とする特許請求の範囲第
    5項記載の固体撮像装置。
JP61073454A 1986-03-31 1986-03-31 固体撮像装置 Granted JPS62230270A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61073454A JPS62230270A (ja) 1986-03-31 1986-03-31 固体撮像装置
US07/030,988 US4810901A (en) 1986-03-31 1987-03-27 Solid-state line-addressed charge transfer device image sensor readout
EP87104704A EP0241800B1 (en) 1986-03-31 1987-03-31 Solid state image sensor
DE3789988T DE3789988T2 (de) 1986-03-31 1987-03-31 Festkörpersbildsensor.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61073454A JPS62230270A (ja) 1986-03-31 1986-03-31 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62230270A true JPS62230270A (ja) 1987-10-08
JPH055433B2 JPH055433B2 (ja) 1993-01-22

Family

ID=13518698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61073454A Granted JPS62230270A (ja) 1986-03-31 1986-03-31 固体撮像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4810901A (ja)
EP (1) EP0241800B1 (ja)
JP (1) JPS62230270A (ja)
DE (1) DE3789988T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715672A (ja) * 1993-06-17 1995-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置および駆動方法
JP2009141579A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Fujifilm Corp 固体撮像素子の駆動方法および信号処理方法、ならびに撮像装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2629229B1 (fr) * 1988-03-23 1992-09-11 Thomson Csf Dispositif de lecture des quantites de charges electriques fournies par des photodiodes a substrat semi-conducteur
US5264939A (en) * 1992-05-29 1993-11-23 Eastman Kodak Company Apparatus and method for generating an interlaced viewing signal from the output signal of a non-interlaced camera system
DE69322594T2 (de) * 1992-10-21 1999-06-17 Sharp Kk Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Steuerverfahren dafür
EP0599200B1 (en) * 1992-11-20 2000-02-09 Matsushita Electronics Corporation Solid state image sensor and its driving method
US5569938A (en) * 1993-03-15 1996-10-29 Nikon Corporation Imaging Apparatus with light pulses
KR0165338B1 (ko) * 1995-12-30 1998-12-15 김광호 Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법
JP2003009002A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
JP4139641B2 (ja) * 2002-07-19 2008-08-27 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US7015520B1 (en) * 2004-10-13 2006-03-21 Eastman Kodak Company Charge-coupled devices having efficient charge transfer rates

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58107670A (ja) * 1981-12-21 1983-06-27 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS60247382A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Hitachi Ltd 固体撮像装置およびその駆動方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4242700A (en) * 1979-01-22 1980-12-30 Rca Corporation Line transfer CCD imagers
JPS5778167A (en) * 1980-11-04 1982-05-15 Toshiba Corp Charge transfer area image sensor
US4607286A (en) * 1985-01-04 1986-08-19 Rca Corporation Removal of line selection artifacts from trace portions of line transfer CCD imager video output signals

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58107670A (ja) * 1981-12-21 1983-06-27 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS60247382A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Hitachi Ltd 固体撮像装置およびその駆動方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715672A (ja) * 1993-06-17 1995-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置および駆動方法
JP2009141579A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Fujifilm Corp 固体撮像素子の駆動方法および信号処理方法、ならびに撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH055433B2 (ja) 1993-01-22
DE3789988D1 (de) 1994-07-14
DE3789988T2 (de) 1994-11-03
EP0241800A3 (en) 1989-04-05
EP0241800B1 (en) 1994-06-08
EP0241800A2 (en) 1987-10-21
US4810901A (en) 1989-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60157800A (ja) 電荷結合装置
JPS62230270A (ja) 固体撮像装置
US7375750B2 (en) Solid-state image capturing device, smear charge removing method and digital still camera using the same
AU603159B2 (en) Ccd image sensor arrangement
US7148524B2 (en) Solid-state imaging device and method for driving the same
JP2736121B2 (ja) 電荷転送装置及び固体撮像装置
KR970002122B1 (ko) 전하전송장치 및 그 구동방법
US5796432A (en) Method of and apparatus for solid state imaging device
EP0876053B1 (en) Method for driving a solid state image sensor
US20080174686A1 (en) Solid-state imaging device
JPH05308575A (ja) 固体撮像素子
US5396121A (en) Solid-state imaging device and a method for driving the same
JP4269431B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法並びに画像入力装置
US6355949B1 (en) Solid state imaging apparatus with horizontal charge transfer register which can transfer signal charge faster
EP1102467A1 (en) Solid-state imaging device, method for driving the same, and image input device
JP2000209599A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム
JP2652255B2 (ja) 固体撮像デバイス
JP3008629B2 (ja) 固体撮像素子
JP2001157119A (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP3124474B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JPH01191469A (ja) 電荷結合装置
JPH02192371A (ja) 電荷結合型固体撮像装置
JPH06165039A (ja) 固体撮像装置
JPH06343143A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPS61127163A (ja) 固体撮像素子