KR880001549A - 반도전성 세라믹 조성물, 반도전성 세라믹 축전기 및 그 제조공정 - Google Patents
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 16
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 210000000349 chromosome Anatomy 0.000 claims 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
- H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 첫번째 전도성층이 세라믹 소지의 상, 하표면의 각각에 형성된 본 발명에 따르는 반도전성 세라믹 축전기의 세라믹 소지의 정면도.
제2도는 두번째 전도성층이 첫번째 전도성층이 각각에 또한 형성된 제1도에 예시된 세라믹 소지의 정면도,
제3도는 본 발명에 따라 양상된 반도전성 세라믹 축전기의 구현예를 보인 수직 단면도.
Claims (25)
- SrTiO3을 구성하는 바탕물질, 및 Y2O3와 Nb2O5을 구성하는 반도전성을 위한 첨가제를 구성하고, 상기 Y2O3와 Nb2O5조성물에 대해 각각 0.1∼0.4몰%인 반도전성 세라킥 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물에 대하여 0.02∼0.2몰 %인 MnO를 더 구성하는 반도전성 세라믹 조성물.
- 제1항에 있어서, 0.01∼0.1몰 %인 sio2를 더구성하는 반도전성 세라믹 조성물.
- 제2항에 있어서, 0.01∼01.몰 %인 sio2를 더 구성하는 반도전성 세라믹 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물이 소결되어 상기 조성 물의 입게에 Bi가 존재케 되는 반도전성 세라믹 조성물.
- SrTiO3계 반도전성 세라믹 조성물로 형성된 반도전성 세라믹 소지, 상기 반도전성 세라믹 소지의 표면에 피복되며 아연 분말 및 알루미늄 분말로 구성된 군으로부터 선택한 금속 분말로 주로 구성되는 물질로 형성된 첫번째 전도성층, 그리고 상기 첫번째 전도성층에 피복되며 구리분말로 주로 구성되는 물질로 형성된 두번째 전도성층을 구성하는 반도전성 세라믹 축전기.
- 제6항에 있어서, 상기 첫번째 및 두번째 전도성 층 이 소성에 의해 형성된 반도전성 세라믹 축전기.
- 제6항에 있어서, 상기 반도전성 세라믹 조성물이 SrTiO3으로 이루어진 바탕물질, 및 상기 조성물에 대해 각각 0.1~0.4몰%인 Y2O3와 Nb2O5을 구성하는 반도전성을 위한 첨가제를 구성하는 반도전성 세라믹 축전기.
- 제6항에 있어서,상기 조성물에 대하여 0.02∼0.2 몰 % MnO를 더 구성하는 반도전성 세라믹 축전기
- 제6항에 있어서, 0.01∼0.1 몰 % SiO2를 더 구성하는 반도전성 세라믹 축전기
- 제9항에 있어서, 0.01∼0.1 몰 % SiO2를 더 구성하는 반도전성 세라믹 조성물.
- 제6항에 있어서,상기 조성물이 소결되어 상기 조성물의 입계에 Bi가 존재케 되는 반도전성 세라믹 축전기.
- 제6항에 있어서, 상기 첫번째 전도성층을 위한 상기 물질이 주로 아연으로 구성되고 또한 은, 알루미늄 그리고 구리중에서 최소한 하나의 금속을 포함하는 반도전성 세라믹 축전기.
- 제13항에 있어서, 상기 첫번째 전도성 층에 포함되는 상기 최소한 하나의 금속이 홀 원소물질의 형태로 첨가되는 반도전성 세라믹 축전기.
- 제13항에 있어서, 상기 두번째 전도성 층에 포함되는 상기 최소한 하나의 금속이 산화물의 형태로 첨가되는 반도전성 세라믹 축전기.
- 제6항에 있어서, 상기 두번째 전도성 층에 금속 산화물이 더 포함되는 반도전성 세라믹 축전기
- 아연분말과 알루미늄 분말로 구성되는 군으로 부터 선택한 금속분말을 주로 구성하는 첫번째 전도성 페이스트를 반도전성 세라믹 소지의 표면에 적용시키고 상기 첫번째 전도성 페이스트를 소성하여 상기 세라믹소지에 첫번째 전도성층을 형성하고, 그리고 구리분말을 주로 구성하는 두번째 전도성을 상기 첫번째 전도성층의 표면에 적용시키고 상기 두번째 전도성 페이스트를 소성하여 상기 첫번째 전도성 층에 두번째 전도성층을 형성시키는 단계를 구성하는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제17항에 있어서, 상기 두번째 전도성 페이스트를 중성 또는 환원성 분위기에서 소성시키는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제17항에 있어서, 상기 첫번째 전도성 페이스트에 아연분말, 유리분말, 그리고 은, 알루미늄, 구리 및 그들 산화물을 구성하는 군으로 부터 선택한 최소한 하나의 물질의 분말이 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제19항에 있어서, 상기 첫번째 전도성 페이스트에 유기 전색제가 더 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제17항에 있어서, 상기 첫번째 전도성 페이스트에 알루미늄 분말, 유리분말, 그리고 은, 아연, 구리 및 그들 산화물로 구성되는 군으로부터 선택한 최소한 하나의 물질의 분말이 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제21항에 있어서, 상기 첫번째 전도성 페이스트에 유기 전색제가 더 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제17항에 있어서, 상기 두번째 전도성 페이스트에 구리분말, 유리분말, 및 유기 전색체가 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제17항에 있어서, 상기 두번째 전도성 페이스트에 구리분말, 유리분말 및 금속 산화물 분말이 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.
- 제24항에 있어서, 상기 두번째 전도성 페이스트에 유기 전색체가 더 포함되는 반도전성 세라믹 축전기 제조공정.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920000021A KR920009172B1 (ko) | 1986-07-29 | 1992-01-04 | 반도체 세라믹 축전기 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-176633 | 1986-07-29 | ||
JP17663286A JPH0734412B2 (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JP176632 | 1986-07-29 | ||
JP17663386A JPH0734413B2 (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JP61-176632 | 1986-07-29 | ||
JP176633 | 1986-11-19 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920000021A Division KR920009172B1 (ko) | 1986-07-29 | 1992-01-04 | 반도체 세라믹 축전기 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880001549A true KR880001549A (ko) | 1988-04-25 |
KR920003225B1 KR920003225B1 (ko) | 1992-04-24 |
Family
ID=26497478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019870008286A KR920003225B1 (ko) | 1986-07-29 | 1987-07-29 | 반도체 세라믹 조성물 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4799127A (ko) |
EP (1) | EP0255072B1 (ko) |
KR (1) | KR920003225B1 (ko) |
CN (1) | CN1011838B (ko) |
DE (1) | DE3785506T2 (ko) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1987
- 1987-07-25 EP EP87110807A patent/EP0255072B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-25 DE DE8787110807T patent/DE3785506T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-28 CN CN87105776A patent/CN1011838B/zh not_active Expired
- 1987-07-29 KR KR1019870008286A patent/KR920003225B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-07-29 US US07/079,018 patent/US4799127A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-15 US US07/272,139 patent/US4854936A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4854936A (en) | 1989-08-08 |
EP0255072A2 (en) | 1988-02-03 |
DE3785506T2 (de) | 1993-08-12 |
US4799127A (en) | 1989-01-17 |
EP0255072B1 (en) | 1993-04-21 |
KR920003225B1 (ko) | 1992-04-24 |
DE3785506D1 (de) | 1993-05-27 |
EP0255072A3 (en) | 1989-05-10 |
CN87105776A (zh) | 1988-02-24 |
CN1011838B (zh) | 1991-02-27 |
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