JP2507951B2 - バリスタ - Google Patents
バリスタInfo
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- JP2507951B2 JP2507951B2 JP1134767A JP13476789A JP2507951B2 JP 2507951 B2 JP2507951 B2 JP 2507951B2 JP 1134767 A JP1134767 A JP 1134767A JP 13476789 A JP13476789 A JP 13476789A JP 2507951 B2 JP2507951 B2 JP 2507951B2
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- varistor
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- zno
- voltage
- glass
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、比面積取得容量C/Sが大きく、且つ電圧非
直線指数αが大きいバリスタ及びその製造方法に関す
る。
直線指数αが大きいバリスタ及びその製造方法に関す
る。
詳しくは、本発明は、比面積取得容量（PF/cm2）が、
バリスタ電圧V10mAに対して大きく、且つ電圧非直線指
数αが大きい、表面絶縁層型半導体バリスタ及びその製
造方法に関する。
バリスタ電圧V10mAに対して大きく、且つ電圧非直線指
数αが大きい、表面絶縁層型半導体バリスタ及びその製
造方法に関する。
［従来の技術］ 一般にSrTiO3系バリスタ即ち、SrTiO3を主成分とする半
導体磁器を用いたバリスタは、SnO2、Fe2O3、ZnO、TiO2
などを主成分とするバリスタに比べ、比面積取得容量C/
Sが大きく、ノイズ除去に対して比較的良好な特性を有
している。
導体磁器を用いたバリスタは、SnO2、Fe2O3、ZnO、TiO2
などを主成分とするバリスタに比べ、比面積取得容量C/
Sが大きく、ノイズ除去に対して比較的良好な特性を有
している。
これに対して、SrTiO3系半導体磁器の表面にガラスフ
リットと銅粉末の混合物を塗布することにより電極を形
成し、低電圧用に適したバリスタが提案されている（特
公昭63−30767号参照）。また、各々酸化亜鉛、酸化
鉄、酸化チタンを主成分とする焼結体によるバリスタに
おいて、電極層のうちの一部にのみ、ガラス層を形成
し、電極周辺の劣化を防止、寿命特性の安定したものを
提案している（特公昭53−22273〜４、53−24634号参
照）。
リットと銅粉末の混合物を塗布することにより電極を形
成し、低電圧用に適したバリスタが提案されている（特
公昭63−30767号参照）。また、各々酸化亜鉛、酸化
鉄、酸化チタンを主成分とする焼結体によるバリスタに
おいて、電極層のうちの一部にのみ、ガラス層を形成
し、電極周辺の劣化を防止、寿命特性の安定したものを
提案している（特公昭53−22273〜４、53−24634号参
照）。
また、SrTiO3を主成分とする半導体磁器を用いたバリ
スタは高抵抗層が粒界部に形成されており、従って、容
量が直列に配列しているため、比面積取得容量C/Sに制
約があり、粒界部に形成された高抵抗層の厚みをコント
ロールすることにより、比面積取得容量C/Sを大きくし
ようとした場合、粒界部の高抵抗層の厚みを薄くせざる
を得ず、電圧非直線指数αが高抵抗層の強度に依存して
いるため、その値αが小さくなる。逆に電圧非直線指数
αを大きくしようした場合、粒界部の高抵抗層の厚みを
厚くせざるを得ず、その結果比面積取得容量C/Sが小さ
くなり、且つバリスタ電圧1010mAを低くすることが困難
であった。このため、SrTiO3を主成分とする半導体磁器
を用いたバリスタの実力値は、例えば、バリスタ電圧V
10mA＝7Vのとき比面積取得容量C/S＝450,000PF/cm2，電
圧非直線指数α＝4.0、同様に、V10mA＝10Vのとき， C/S＝400,000PF/cm2，α＝5.0程度である。それ故SrTiO
3を主成分とする半導体磁器を用いたバリスタは、電圧
非直線指数αを小さくすることなく、ノイズ除去特性を
向上させる目的で静電容量Ｃを大きくしようとすれば、
電極面積を大きくしなければならず、そして、バリスタ
素地と電極印刷パターンを一致させることが、作業上困
難であり、パターンのズレや電極ダレなどが発生し易
い。また、バリスタ電圧V10mAを低く設定した場合、所
望の電圧非直線指数αが得られない。
スタは高抵抗層が粒界部に形成されており、従って、容
量が直列に配列しているため、比面積取得容量C/Sに制
約があり、粒界部に形成された高抵抗層の厚みをコント
ロールすることにより、比面積取得容量C/Sを大きくし
ようとした場合、粒界部の高抵抗層の厚みを薄くせざる
を得ず、電圧非直線指数αが高抵抗層の強度に依存して
いるため、その値αが小さくなる。逆に電圧非直線指数
αを大きくしようした場合、粒界部の高抵抗層の厚みを
厚くせざるを得ず、その結果比面積取得容量C/Sが小さ
くなり、且つバリスタ電圧1010mAを低くすることが困難
であった。このため、SrTiO3を主成分とする半導体磁器
を用いたバリスタの実力値は、例えば、バリスタ電圧V
10mA＝7Vのとき比面積取得容量C/S＝450,000PF/cm2，電
圧非直線指数α＝4.0、同様に、V10mA＝10Vのとき， C/S＝400,000PF/cm2，α＝5.0程度である。それ故SrTiO
3を主成分とする半導体磁器を用いたバリスタは、電圧
非直線指数αを小さくすることなく、ノイズ除去特性を
向上させる目的で静電容量Ｃを大きくしようとすれば、
電極面積を大きくしなければならず、そして、バリスタ
素地と電極印刷パターンを一致させることが、作業上困
難であり、パターンのズレや電極ダレなどが発生し易
い。また、バリスタ電圧V10mAを低く設定した場合、所
望の電圧非直線指数αが得られない。
近年、産業用及び民生用に使用される電子製品のマイ
クロエレクトロニクス化が顕著である。それに伴い、電
子製品の動作電圧が低くなり、誤作動の原因となる高周
波ノイズの除去に対する要求が年々厳しくなっている
が、バリスタ素子にも低電圧において、バリスタ特性、
即ち電圧非直線指数αを小さくすることなく、ノイズを
効率よく除去するために、より大きな静電容量Ｃを有す
ることが所望されている。
クロエレクトロニクス化が顕著である。それに伴い、電
子製品の動作電圧が低くなり、誤作動の原因となる高周
波ノイズの除去に対する要求が年々厳しくなっている
が、バリスタ素子にも低電圧において、バリスタ特性、
即ち電圧非直線指数αを小さくすることなく、ノイズを
効率よく除去するために、より大きな静電容量Ｃを有す
ることが所望されている。
［発明が解決しようとする問題点］ 従って、本発明は、比面積取得容量C/Sが大きく、且
つ電圧非直線指数αも良好であるバリスタ及びその製造
方法を提供することを目的とする。詳しくは、バリスタ
電圧V10mA＝5Vのとき，比面積取得容量C/S＝550,000PF/
cm2以上、或いはV10mA＝7Vのとき、C/S＝500,000PF/cm2
以上，或いはV10mA＝10Vのとき、 C/S＝430,000PF/cm2以上で，且つ電圧非直線指数αが良
好なバリスタ及びそれを得る製造方法を提供することを
目的とする。
つ電圧非直線指数αも良好であるバリスタ及びその製造
方法を提供することを目的とする。詳しくは、バリスタ
電圧V10mA＝5Vのとき，比面積取得容量C/S＝550,000PF/
cm2以上、或いはV10mA＝7Vのとき、C/S＝500,000PF/cm2
以上，或いはV10mA＝10Vのとき、 C/S＝430,000PF/cm2以上で，且つ電圧非直線指数αが良
好なバリスタ及びそれを得る製造方法を提供することを
目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨とするものは、チタン酸ストロンチウム
（SrTiO3）を主成分とする半導体磁器を用い、その表面
上にNa2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部Z
nO又はSnO2とからなる混合物を塗布し、940℃から1040
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
させることを特徴とするバリスタである。そして、ま
た、Na2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部B
i2O3、＝Sb2O3、ZnOとからなり、そのBi2O3、Sb2O3、Zn
Oの混合比は、Bi2O3：Sb2O3:ZnO＝X:Y:Z（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝
100重量％）とする３成分組成図において、 a;（X:Y:Z）＝（100:0:0） b;（X:Y:Z）＝（50:50:0） c;（X:Y:Z）＝（48:12:40） d;（X:Y:Z）＝（0:0:100） の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内にある
ところの混合物を半導体磁器表面に付着させて、940℃
から1040℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことに
より形成されることを特徴とするバリスタである。
（SrTiO3）を主成分とする半導体磁器を用い、その表面
上にNa2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部Z
nO又はSnO2とからなる混合物を塗布し、940℃から1040
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
させることを特徴とするバリスタである。そして、ま
た、Na2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部B
i2O3、＝Sb2O3、ZnOとからなり、そのBi2O3、Sb2O3、Zn
Oの混合比は、Bi2O3：Sb2O3:ZnO＝X:Y:Z（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝
100重量％）とする３成分組成図において、 a;（X:Y:Z）＝（100:0:0） b;（X:Y:Z）＝（50:50:0） c;（X:Y:Z）＝（48:12:40） d;（X:Y:Z）＝（0:0:100） の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内にある
ところの混合物を半導体磁器表面に付着させて、940℃
から1040℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことに
より形成されることを特徴とするバリスタである。
本発明によると、SrTiO3を主成分とする半導体磁器の
表面に、粒界部が高抵抗層となることを防ぎ、且つ、薄
く緻密になる性質を有するガラス層を形成せしめること
により、半導体磁器の表面のみが高い抵抗層を有するバ
リスタを提供でき、製造できる。即ち、その半導体磁器
の表面近傍で、粒界を通して、熱処理中に酸化され、抵
抗値が不安定になり、制御できなくなることを防止でき
るものである。
表面に、粒界部が高抵抗層となることを防ぎ、且つ、薄
く緻密になる性質を有するガラス層を形成せしめること
により、半導体磁器の表面のみが高い抵抗層を有するバ
リスタを提供でき、製造できる。即ち、その半導体磁器
の表面近傍で、粒界を通して、熱処理中に酸化され、抵
抗値が不安定になり、制御できなくなることを防止でき
るものである。
本発明のバリスタの構造は、第２図の模式断面図に示
すようなものである。即ち、本発明によるガラス層３
は、SrTiO3還元半導体の表面上に形成されてい、電極４
の下だけに限定されないが、電極４の下に形成されてい
る。即ち、電極４と半導体層１との間の導電性を安定せ
しめるものである。第２図は、リング状素体のバリスタ
の構造であり、リング形状の表面全部を覆っているもの
で、これは、ガラスペーストをリング形状素体表面に付
着させる方法により、形成でき、例えば、スクリーン印
刷技法で、第２図の構造が得られ、又は、スプレーで吹
き付けると、バリスタ全体表面を被覆することができ、
全表面ガラス層被覆でも可能である。
すようなものである。即ち、本発明によるガラス層３
は、SrTiO3還元半導体の表面上に形成されてい、電極４
の下だけに限定されないが、電極４の下に形成されてい
る。即ち、電極４と半導体層１との間の導電性を安定せ
しめるものである。第２図は、リング状素体のバリスタ
の構造であり、リング形状の表面全部を覆っているもの
で、これは、ガラスペーストをリング形状素体表面に付
着させる方法により、形成でき、例えば、スクリーン印
刷技法で、第２図の構造が得られ、又は、スプレーで吹
き付けると、バリスタ全体表面を被覆することができ、
全表面ガラス層被覆でも可能である。
また，第２図に示すように、ガラスペースト塗布処理
後の熱処理に際して、半導体表面が再酸化され、図示の
ように、再酸化層２が形成されている。そして、ガラス
層３の上に電極４を銀ペースト等で形成でき、バリスタ
にするために、第２図に示すように電極４に切欠部分５
を有する。
後の熱処理に際して、半導体表面が再酸化され、図示の
ように、再酸化層２が形成されている。そして、ガラス
層３の上に電極４を銀ペースト等で形成でき、バリスタ
にするために、第２図に示すように電極４に切欠部分５
を有する。
ガラス層は以下の２つの場合により形成される。第１
の場合、ガラス層は、Na2B4O7・10H2Oを50重量％、CuO
を５重量％、残部がZnO又はSnO2或いは残部がZnOとSnO2
とからなる混合物を半導体磁器表面に付着させ、940℃
から1040℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことに
より形成される。そして、第２の場合、ガラス層は、Na
2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部がBi
2O3、Sb2O3、ZnOとからなる混合物を半導体磁器表面に
付着させて、940℃から1040℃の温度範囲で大気中で熱
処理を行なうことにより形成される。但し、Bi2O3、Sb2
O3、ZnOの混合比は、Bi2O3：Sb2O3:ZnO＝X:Y:Z（Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝100重量％）とすると、 ３成分組成図において、 a;（X:Y:Z）＝（100:0:0:） b;（X:Y:Z）＝（50:50:0） c;（X:Y:Z）＝（48:12:40） d;（X:Y:Z）＝（0:0:100） の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内にある
ものとする。この４点で囲まれる範囲は、第１図のBi2O
3−Sb2O3−ZnO系の３成分相組成図において、斜線で示
した範囲である。この範囲内のガラス組成でNa2B4O7・1
0H2O50重量％、CuO 5重量％に対して含有しているガラ
ス組成が、本発明によるバリスタ構造に用いるものであ
る。
の場合、ガラス層は、Na2B4O7・10H2Oを50重量％、CuO
を５重量％、残部がZnO又はSnO2或いは残部がZnOとSnO2
とからなる混合物を半導体磁器表面に付着させ、940℃
から1040℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことに
より形成される。そして、第２の場合、ガラス層は、Na
2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部がBi
2O3、Sb2O3、ZnOとからなる混合物を半導体磁器表面に
付着させて、940℃から1040℃の温度範囲で大気中で熱
処理を行なうことにより形成される。但し、Bi2O3、Sb2
O3、ZnOの混合比は、Bi2O3：Sb2O3:ZnO＝X:Y:Z（Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝100重量％）とすると、 ３成分組成図において、 a;（X:Y:Z）＝（100:0:0:） b;（X:Y:Z）＝（50:50:0） c;（X:Y:Z）＝（48:12:40） d;（X:Y:Z）＝（0:0:100） の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内にある
ものとする。この４点で囲まれる範囲は、第１図のBi2O
3−Sb2O3−ZnO系の３成分相組成図において、斜線で示
した範囲である。この範囲内のガラス組成でNa2B4O7・1
0H2O50重量％、CuO 5重量％に対して含有しているガラ
ス組成が、本発明によるバリスタ構造に用いるものであ
る。
［作用］ 本発明のバリスタ中のガラス層は、半導体磁器の表面
を覆うだけで、粒界部には拡散せずに、粒界部が高抵抗
層となるのを防ぐ。その結果、高抵抗層は、半導体磁器
の表面にのみ形成される。従って、粒界部を高抵抗層と
する従来のSrTiO3を主成分とする半導体磁器を用いたバ
リスタに比べ大きな比面積取得容量C/Sが得られ、ま
た、低いバリスタ電圧V10mAを実現できる。その際、本
発明に従う組成によるガラス層は、電圧非直線指数α
を、大きくする働きをする。
を覆うだけで、粒界部には拡散せずに、粒界部が高抵抗
層となるのを防ぐ。その結果、高抵抗層は、半導体磁器
の表面にのみ形成される。従って、粒界部を高抵抗層と
する従来のSrTiO3を主成分とする半導体磁器を用いたバ
リスタに比べ大きな比面積取得容量C/Sが得られ、ま
た、低いバリスタ電圧V10mAを実現できる。その際、本
発明に従う組成によるガラス層は、電圧非直線指数α
を、大きくする働きをする。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、
以下はそれを制限するためのものでない。
以下はそれを制限するためのものでない。
［実施例１］ 次に本発明による表面ガラス層を有するバリスタの製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
主成分SrTiO3を99.0モル％、Nb2O5を0.5モル％、Al2O
3を0.5モル％となるように配合したものと有機バインダ
とを混合したものを約１トン／cm2の圧力で成形し、こ
の成形品をN275容量％＋H225容量％の混合ガスによる還
元雰囲気で、1420℃、２時間熱処理を行ない、外径10.2
mmΦ、内径7.2mmΦ、厚み0.9mmのリング状半導体磁器を
作製した。
3を0.5モル％となるように配合したものと有機バインダ
とを混合したものを約１トン／cm2の圧力で成形し、こ
の成形品をN275容量％＋H225容量％の混合ガスによる還
元雰囲気で、1420℃、２時間熱処理を行ない、外径10.2
mmΦ、内径7.2mmΦ、厚み0.9mmのリング状半導体磁器を
作製した。
このリング状試料に第１表に示した組成よりなるNa2B
4O7・10H2O−CuO−ZnO−SnO2系ペーストを塗布して、第
１表に示した温度で４時間熱処理し、第２図の模式断面
図に示すようなバリスタ磁器の表面のみ絶縁化された状
態の表面層型バリスタ素子を得た。
4O7・10H2O−CuO−ZnO−SnO2系ペーストを塗布して、第
１表に示した温度で４時間熱処理し、第２図の模式断面
図に示すようなバリスタ磁器の表面のみ絶縁化された状
態の表面層型バリスタ素子を得た。
この素子の表面にオーミック性銀ペースト電極層４を
スクリーン印刷し、560℃、10分間焼き付けして、リン
グ状バリスタを作製した。
スクリーン印刷し、560℃、10分間焼き付けして、リン
グ状バリスタを作製した。
このようにして作製したバリスタについて、各種の特
性即ち、バリスタ電圧V10mA、電圧非直線指数α、比面
積取得容量C/Sを求めた。
性即ち、バリスタ電圧V10mA、電圧非直線指数α、比面
積取得容量C/Sを求めた。
そして、この熱処理温度と測定したV10mA値、指数値
α、比面積取得容量C/Sを各々のガラス組成とともに、
第１表に示した。
α、比面積取得容量C/Sを各々のガラス組成とともに、
第１表に示した。
第１表中の試料番号１、２、３、４、５が本発明によ
る実施例である。
る実施例である。
ここで、バリスタ電圧V10mAは、バリスタに10mAの電
流を流したときの電極間電圧であり、電圧非直線指数α
は、V1mAをバリスタに1mAの電流を流したときの電極間
電圧とすると次式により求めることができる。
流を流したときの電極間電圧であり、電圧非直線指数α
は、V1mAをバリスタに1mAの電流を流したときの電極間
電圧とすると次式により求めることができる。
α＝1/log（V10mA／V1mA） また、比面積取得容量C/Sは、1KHz,1Vの条件下で測定
した静電容量Ｃ（PF）を電極面積Ｓ（cm2）で除した値
である。
した静電容量Ｃ（PF）を電極面積Ｓ（cm2）で除した値
である。
第１表の試料番号１が、第１図にａ点で示す組成のガ
ラスを使用した実施例である。
ラスを使用した実施例である。
［実施例２］ リング状半導体磁器に塗布するペースト組成が、第１
表に示したNa2B4O7・10H2O−CuO−Bi2O3−Sb2O3−ZnO系
ペーストに変更した以外は、実施例１と同じ方法によ
り、リング状バリスタを作製した。得られたバリスタに
ついて、実施例１と同様に各種特性を測定した。それに
より、得られた結果を第１表に示す。
表に示したNa2B4O7・10H2O−CuO−Bi2O3−Sb2O3−ZnO系
ペーストに変更した以外は、実施例１と同じ方法によ
り、リング状バリスタを作製した。得られたバリスタに
ついて、実施例１と同様に各種特性を測定した。それに
より、得られた結果を第１表に示す。
第１表において、試料番号６、７、８、９、10、11、
12、13、14、15、16は、本発明により規定された配合範
囲による実施例である。
12、13、14、15、16は、本発明により規定された配合範
囲による実施例である。
これに対して、第１表中の＊印を示した試料番号＊1
7、＊18、＊19は、バリスタ電圧V10mAに対し電圧非直線
指数αが小さく、本発明の規定の範囲外の組成のガラス
層である。
7、＊18、＊19は、バリスタ電圧V10mAに対し電圧非直線
指数αが小さく、本発明の規定の範囲外の組成のガラス
層である。
［比較例］ リング状半導体磁器を、その表面にガラス層を形成さ
せるための成分のガラスペーストを塗布せずに熱処理す
る以外は、実施例１と同様にバリスタを製造して、その
バリスタ電流V10mA、電圧非直線指数α、比面積取得容
量C/Sを測定した。その結果を第１表に試料番号20のも
のとして、示した。
せるための成分のガラスペーストを塗布せずに熱処理す
る以外は、実施例１と同様にバリスタを製造して、その
バリスタ電流V10mA、電圧非直線指数α、比面積取得容
量C/Sを測定した。その結果を第１表に試料番号20のも
のとして、示した。
従って、試料番号１は、第１図に示す点ｄに相当する
ガラス組成を有するものであり、また、試料番号６、1
1、13は各々第１図に示す点ａ、ｂ、ｃに相当するガラ
ス組成を有するものである。
ガラス組成を有するものであり、また、試料番号６、1
1、13は各々第１図に示す点ａ、ｂ、ｃに相当するガラ
ス組成を有するものである。
第１表に示すように、本発明のガラス層を有するバリ
スタは、第１図に示すガラス組成のａ点〜ｃ点を結ぶ線
上及びその内側の範囲になる組成のガラス層を有する試
料番号のバリスタにおいては、良好な特性が得られるこ
とが確認された。即ち、試料番号２、３、４、５は、Sn
O2を含有するために、第１図のａ〜ｄ点の範囲内には入
らないものである。
スタは、第１図に示すガラス組成のａ点〜ｃ点を結ぶ線
上及びその内側の範囲になる組成のガラス層を有する試
料番号のバリスタにおいては、良好な特性が得られるこ
とが確認された。即ち、試料番号２、３、４、５は、Sn
O2を含有するために、第１図のａ〜ｄ点の範囲内には入
らないものである。
［発明の効果］ 本発明の表面ガラス層バリスタは、その特性のガラス
層組成により、 バリスタ電圧V10mAに対し比面積取得容量C/Sが比較的
に大きく、且つ、ノイズ除去に対して、より高い効果を
有し、且つ、低いバリスタ電圧に対しても電圧非直線指
数αが大きい良好な特性を有するバリスタを製造するこ
とができる。
層組成により、 バリスタ電圧V10mAに対し比面積取得容量C/Sが比較的
に大きく、且つ、ノイズ除去に対して、より高い効果を
有し、且つ、低いバリスタ電圧に対しても電圧非直線指
数αが大きい良好な特性を有するバリスタを製造するこ
とができる。
そして、高い信頼性のあるバリスタが要求される最近
の電子回路機器に適するバリスタが得られるなどの技術
的な効果が得られた。
の電子回路機器に適するバリスタが得られるなどの技術
的な効果が得られた。
第１図は、本発明に用いたガラス層組成について、その
組合わせの３成分組成図で、その適正範囲を示したグラ
フである。 第２図は、本発明のバリスタの構造を示す模式断面図で
ある。 ［主要部分の符号の説明］ １……SrTiO3半導体層 ３……ガラス層 ４……電極
組合わせの３成分組成図で、その適正範囲を示したグラ
フである。 第２図は、本発明のバリスタの構造を示す模式断面図で
ある。 ［主要部分の符号の説明］ １……SrTiO3半導体層 ３……ガラス層 ４……電極
Claims (2)
- 【請求項１】チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主成
分とする半導体磁器を用い、その表面上に Na2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量％、残部ZnO又
はSnO2とからなる混合物を塗布し、940℃から1040℃の
温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成させ
ることを特徴とするバリスタ。 - 【請求項２】Na2B4O7・10H2Oを50重量％、CuOを５重量
％、残部Bi2O3、Sb2O3、ZnOとからなり、そのBi2O3、Sb
2O3、ZnOの混合比は、Bi2O3：Sb2O3:ZnO＝X:Y:Z（Ｘ＋
Ｙ＋Ｚ＝100重量％）とする３成分組成図において、 a;（X:Y:Z）＝（100:0:0） b;（X:Y:Z）＝（50:50:0） c;（X:Y:Z）＝（48:12:40） d;（X:Y:Z）＝（0:0:100） の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内にある
ところの混合物を半導体磁器表面に付着させて、940℃
から1040℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことに
より形成されることを特徴とするバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134767A JP2507951B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134767A JP2507951B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033201A JPH033201A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2507951B2 true JP2507951B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=15136088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134767A Expired - Lifetime JP2507951B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507951B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1037067C (zh) * | 1994-05-27 | 1998-01-21 | 华东理工大学 | 从卡拉胶混合物中提纯k－卡拉胶的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128648A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki oyobi sonoseizohoho |
| JPS5131887A (ja) * | 1974-09-12 | 1976-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki oyobi sonoseizohoho |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1134767A patent/JP2507951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH033201A (ja) | 1991-01-09 |
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