JPH033201A - バリスタ - Google Patents
バリスタInfo
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- JPH033201A JPH033201A JP1134767A JP13476789A JPH033201A JP H033201 A JPH033201 A JP H033201A JP 1134767 A JP1134767 A JP 1134767A JP 13476789 A JP13476789 A JP 13476789A JP H033201 A JPH033201 A JP H033201A
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- semiconductor
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 2
- 229910004844 Na2B4O7.10H2O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000861914 Plecoglossus altivelis Species 0.000 description 1
- 229910006724 SnOa Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、比面積取得容量Ｃ／Ｓが大きく、且つ電圧非
直線指数αが大きいバリスタ及びその製造方法に関する
。
直線指数αが大きいバリスタ及びその製造方法に関する
。
詳しくは、本発明は、比面積取得容量（ＰＦ／ ａｍ”
）が、バリスタ電圧Ｖ ＩＩｗ＋Ａに対して大きく、且
つ電圧非直線指数αが大きい、表面艶ＲＭ型半導体バリ
スタ及びその製造方法に関する。
）が、バリスタ電圧Ｖ ＩＩｗ＋Ａに対して大きく、且
つ電圧非直線指数αが大きい、表面艶ＲＭ型半導体バリ
スタ及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
一般にＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系バリスタ即ち、５ｒＴｉ
Ｏ１を主成分とする半導体磁器を用いたバリスタは、Ｓ
ｎ Ｏ＊、ＦｅＢＯｎ、ＺｎＯｌＴｉ０ｍなどを主成
分とするバリスタに比べ、比面積取得室１ｋＣ／Ｓが大
きく、ノイズ除去に対して比較的良好な特性を有してい
る。
Ｏ１を主成分とする半導体磁器を用いたバリスタは、Ｓ
ｎ Ｏ＊、ＦｅＢＯｎ、ＺｎＯｌＴｉ０ｍなどを主成
分とするバリスタに比べ、比面積取得室１ｋＣ／Ｓが大
きく、ノイズ除去に対して比較的良好な特性を有してい
る。
これに対して、５ｒＴｉＯ，系半導体磁器の表面にガラ
スフリットと銅粉末の混合物を塗布することにより電極
を形成し、低電圧用に適したバリスタが提案されている
（特公昭６３−３０７６７号参照）、また、各々酸化亜
鉛、酸化鉄、酸化チタンを主成分とする′焼結体による
バリスタにおいて、電極層のうちの一部にのみ、ガラス
層を形成し、電極周辺の劣化を防止、寿命特性の安定し
たものを提案している（特公昭５３−２２２７３〜４．
５３−２４６３４号参照）。
スフリットと銅粉末の混合物を塗布することにより電極
を形成し、低電圧用に適したバリスタが提案されている
（特公昭６３−３０７６７号参照）、また、各々酸化亜
鉛、酸化鉄、酸化チタンを主成分とする′焼結体による
バリスタにおいて、電極層のうちの一部にのみ、ガラス
層を形成し、電極周辺の劣化を防止、寿命特性の安定し
たものを提案している（特公昭５３−２２２７３〜４．
５３−２４６３４号参照）。
また、Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓを主成分とする半導体磁器
を用いたバリスタは高抵抗層が粒界部に形成されており
、従って、容量が直列に配列しているため、比面積取得
容量Ｃ／Ｓに制約があり、粒界部に形成された高抵抗層
の厚みをフントロールすることにより、比面積取得容量
Ｃ／Ｓを大きくしようとした場合、粒界部の高抵抗層の
厚みを薄くせざるを得す、電圧非直線指数αが高抵抗層
の強度に依存しているため、その値αが小さくなる。逆
に電圧非直線指数αを大きくしようした場合、粒界部の
高抵抗層の厚みを厚くせざるを得す、その結果比面積取
得界！＆Ｃ／Ｓが小さくなり、且つバリスタ素子Ｖ Ｉ
ＩｍＡを低くすることが困難であった。このため、Ｓ
ｒ Ｔ ｉ Ｏｓを主成分とする半導体磁器を用いたバ
リスタの実力値は、例えば、バリスタ電圧Ｖ＋−Ａ−７
Ｖのとき比面積取得容量Ｃ／ Ｓ ＝ ４５０．０ＯＯ
ＰＦ／ｃ鋤１．電圧非直線指数α−４，０，同様に、Ｖ
ｔ＊−Ａ−１０Ｖ（７）とき。
を用いたバリスタは高抵抗層が粒界部に形成されており
、従って、容量が直列に配列しているため、比面積取得
容量Ｃ／Ｓに制約があり、粒界部に形成された高抵抗層
の厚みをフントロールすることにより、比面積取得容量
Ｃ／Ｓを大きくしようとした場合、粒界部の高抵抗層の
厚みを薄くせざるを得す、電圧非直線指数αが高抵抗層
の強度に依存しているため、その値αが小さくなる。逆
に電圧非直線指数αを大きくしようした場合、粒界部の
高抵抗層の厚みを厚くせざるを得す、その結果比面積取
得界！＆Ｃ／Ｓが小さくなり、且つバリスタ素子Ｖ Ｉ
ＩｍＡを低くすることが困難であった。このため、Ｓ
ｒ Ｔ ｉ Ｏｓを主成分とする半導体磁器を用いたバ
リスタの実力値は、例えば、バリスタ電圧Ｖ＋−Ａ−７
Ｖのとき比面積取得容量Ｃ／ Ｓ ＝ ４５０．０ＯＯ
ＰＦ／ｃ鋤１．電圧非直線指数α−４，０，同様に、Ｖ
ｔ＊−Ａ−１０Ｖ（７）とき。
Ｃ／ Ｓ ＝ ４００．０ＯＯＰＦ／ｃが、α膳５．０
程度である。それ故５ｒＴ（Ｏｓを主成分とする半導体
磁器を用いたバリスタでは、電圧非直線指数αを小きく
することなく、ノイズ除去特性を向上させる目的で静電
容量Ｃを大きくしようとすれば、電極面積を大きくしな
ければならず、そして、バリスタ素地と電極印刷パター
ンを一致させることが、作業上困難であり、パターンの
ズレや電極ダレなどが発生し易い、また、バリスタ電圧
Ｖ ＩＩｍＡを低く設定した場合、所望の電圧非直線指
数αが得られない。
程度である。それ故５ｒＴ（Ｏｓを主成分とする半導体
磁器を用いたバリスタでは、電圧非直線指数αを小きく
することなく、ノイズ除去特性を向上させる目的で静電
容量Ｃを大きくしようとすれば、電極面積を大きくしな
ければならず、そして、バリスタ素地と電極印刷パター
ンを一致させることが、作業上困難であり、パターンの
ズレや電極ダレなどが発生し易い、また、バリスタ電圧
Ｖ ＩＩｍＡを低く設定した場合、所望の電圧非直線指
数αが得られない。
近年、産業用及び民生用に使用される電子製品のマイク
ロエレクトロニクス化が顕著である。それに伴い、電子
製品の動作電圧が低くなり、誤作動の原因となる高周波
ノイズの除去に対する要求が年々厳しくなっているが、
バリスタ素子にも低電圧において、バリスタ特性、即ち
電圧非直線指数αを小さくすることなく、ノイズを効率
よく除去するために、より大きな静電容量Ｃを有するこ
とが所望されている。
ロエレクトロニクス化が顕著である。それに伴い、電子
製品の動作電圧が低くなり、誤作動の原因となる高周波
ノイズの除去に対する要求が年々厳しくなっているが、
バリスタ素子にも低電圧において、バリスタ特性、即ち
電圧非直線指数αを小さくすることなく、ノイズを効率
よく除去するために、より大きな静電容量Ｃを有するこ
とが所望されている。
［発明が解決しようとする問題点］
従って、本発明は、比面積取得容量Ｃ／Ｓが大きく、且
つ電圧非直線指数αも良好であるバリスタ及びその製造
方法を提供することを目的とする。詳しくは、バリスタ
電圧Ｖｌｓ−Ａ−５Ｖのとき。
つ電圧非直線指数αも良好であるバリスタ及びその製造
方法を提供することを目的とする。詳しくは、バリスタ
電圧Ｖｌｓ−Ａ−５Ｖのとき。
比面積取得容量Ｃ／ Ｓ ＝ ５５０．０ＯＯＦＦ／ｃ
ｓ＋”以上、或いはＶ ＋ ＊−ｈ−７Ｖ（７） トキ
、Ｃ／ Ｓ −５００，０ＯＯＰＦ／ｃｍ”以上、或い
はＶ １ｍ−Ａ−１０Ｖ（’） ト８、Ｃ／ Ｓ ＝
４３０．０ＯＯＰＦ／ｃｍ”以上で、且つ電圧非直線指
数αが良好なバリスタ及びそれを得る製造方法を提供す
ることを目的とする。
ｓ＋”以上、或いはＶ ＋ ＊−ｈ−７Ｖ（７） トキ
、Ｃ／ Ｓ −５００，０ＯＯＰＦ／ｃｍ”以上、或い
はＶ １ｍ−Ａ−１０Ｖ（’） ト８、Ｃ／ Ｓ ＝
４３０．０ＯＯＰＦ／ｃｍ”以上で、且つ電圧非直線指
数αが良好なバリスタ及びそれを得る製造方法を提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ，）を
主成分とする半導体磁器を用い、その表面上に設けたオ
ーミック電極の下の磁器表面にガラス層を有することを
特徴とする表面高抵抗層を有するバノスタであり、その
製造方法である。即ち、チタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯｓ）を特徴とする特許体磁器の表面にガラス化す
る物質を塗布し、これを熱処理することにより、そのオ
ーミック電極の下の磁器表面にガラス層を形成せしめる
ことを特徴とする表面高抵抗層を有するバリスタの製造
方法である。また、そのガラス層が、Ｎ ａ ＊ Ｂ
ａ Ｏ１・１０Ｈ１０を５０重量％、ＣｕＯを５重量％
、残部がＺｎＯ又はＳ ｎ Ｏａ或いは残部がＺｎＯと
ＳｎＯ，とからなる混合物を半導体磁器表面に塗布し、
９４０℃から１０４０℃の温度範囲で大気中で熱処理を
行なうことにより形成させるものが好適である。そして
、或いは、そのガラス層が、ＮａｍＢ、Ｏｙ・１０Ｈ，
Ｏを５０重量％、ＣｕＯを５重量％、ｆｊ＆ＳがＲｉｍ
’ｓ、５ｂｘＯｓ、ＺｎＯとからなり、そのＢ ｉ＊Ｏ
ｓ、Ｓ ｂ ＊ Ｏｓ、ｚｎ、０の混合比は、Ｂ ｉ
＊Ｏｓ： Ｓ ｔ）ｇｏｓ： Ｚｎ０−Ｘ ： Ｙ ：
Ｚ（ｘ＋ｙ＋Ｚ−１００重量％）とする３成分組成図
において、 ａ ： （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） ＝（１００：０：
０）ｂ ； （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ’） ”（５０：
５０：０）ｃ ： （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） −（４
８：１２：４０）ｄ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）−（０：０：１０
０）の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内に
あるところの混合物を半導体磁器表面に付着させて、９
４０℃から１０４０℃の温度範囲で大気中で熱処理を行
なうことにより形成されるものが好適である。
主成分とする半導体磁器を用い、その表面上に設けたオ
ーミック電極の下の磁器表面にガラス層を有することを
特徴とする表面高抵抗層を有するバノスタであり、その
製造方法である。即ち、チタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯｓ）を特徴とする特許体磁器の表面にガラス化す
る物質を塗布し、これを熱処理することにより、そのオ
ーミック電極の下の磁器表面にガラス層を形成せしめる
ことを特徴とする表面高抵抗層を有するバリスタの製造
方法である。また、そのガラス層が、Ｎ ａ ＊ Ｂ
ａ Ｏ１・１０Ｈ１０を５０重量％、ＣｕＯを５重量％
、残部がＺｎＯ又はＳ ｎ Ｏａ或いは残部がＺｎＯと
ＳｎＯ，とからなる混合物を半導体磁器表面に塗布し、
９４０℃から１０４０℃の温度範囲で大気中で熱処理を
行なうことにより形成させるものが好適である。そして
、或いは、そのガラス層が、ＮａｍＢ、Ｏｙ・１０Ｈ，
Ｏを５０重量％、ＣｕＯを５重量％、ｆｊ＆ＳがＲｉｍ
’ｓ、５ｂｘＯｓ、ＺｎＯとからなり、そのＢ ｉ＊Ｏ
ｓ、Ｓ ｂ ＊ Ｏｓ、ｚｎ、０の混合比は、Ｂ ｉ
＊Ｏｓ： Ｓ ｔ）ｇｏｓ： Ｚｎ０−Ｘ ： Ｙ ：
Ｚ（ｘ＋ｙ＋Ｚ−１００重量％）とする３成分組成図
において、 ａ ： （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） ＝（１００：０：
０）ｂ ； （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ’） ”（５０：
５０：０）ｃ ： （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） −（４
８：１２：４０）ｄ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）−（０：０：１０
０）の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内に
あるところの混合物を半導体磁器表面に付着させて、９
４０℃から１０４０℃の温度範囲で大気中で熱処理を行
なうことにより形成されるものが好適である。
本発明によると、５ｒＴｉＯｓを主成分とする半導体磁
器の表面に、粒界部が高抵抗層となることを肪ぎ、且つ
、薄く緻密になる性質を有するガラス層を形成せしめる
ことにより、半導体磁器の表面のみが高い抵抗層を有す
るバリスタを提供でき、製造できる。即ち、その半導体
磁器の表面近傍で、粒界を通して、熱処理中に酸化され
、抵抗値が不安定になり、制御できなくなることを防止
できるものである。
器の表面に、粒界部が高抵抗層となることを肪ぎ、且つ
、薄く緻密になる性質を有するガラス層を形成せしめる
ことにより、半導体磁器の表面のみが高い抵抗層を有す
るバリスタを提供でき、製造できる。即ち、その半導体
磁器の表面近傍で、粒界を通して、熱処理中に酸化され
、抵抗値が不安定になり、制御できなくなることを防止
できるものである。
本発明のバリスタの構造は、第２図の模式断面図に示す
ようなものである。即ち、本発明によるガラス層３は、
５ｒＴｆＯ，還元半導体の表面上に形成されてい、電極
４の下だけに限定されないが、電極４の下に形成されて
いる。即ち、電極４と半導体層１との間の導電性を安定
せしめるものである。第２図は、リング状素体のバリス
タの構造であり、リング形状の表面全部を覆っているも
ので、これは、ガラスペーストをリング形状素体表面に
付着させる方法により、形成でき、例えば、スクリーン
印刷技法で、第２ＵｇＪの構造が得られ、又は、スプレ
ーで吹き付けると、バリスタ全体表面を被覆することが
でき、全表面ガラス層被覆でも可能である。
ようなものである。即ち、本発明によるガラス層３は、
５ｒＴｆＯ，還元半導体の表面上に形成されてい、電極
４の下だけに限定されないが、電極４の下に形成されて
いる。即ち、電極４と半導体層１との間の導電性を安定
せしめるものである。第２図は、リング状素体のバリス
タの構造であり、リング形状の表面全部を覆っているも
ので、これは、ガラスペーストをリング形状素体表面に
付着させる方法により、形成でき、例えば、スクリーン
印刷技法で、第２ＵｇＪの構造が得られ、又は、スプレ
ーで吹き付けると、バリスタ全体表面を被覆することが
でき、全表面ガラス層被覆でも可能である。
また、第２図に示すように、ガラスペースト塗布処理後
の熱処理に際して、半導体表面が再酸化され、図示のよ
うに、再酸化層２が形成きれている。そして、ガラス層
３の上に電極４を銀ペースト等で形成でき、バリスタに
するために、第２ＩｙＪに示すように７Ｅ極４に切欠部
分５を有する。
の熱処理に際して、半導体表面が再酸化され、図示のよ
うに、再酸化層２が形成きれている。そして、ガラス層
３の上に電極４を銀ペースト等で形成でき、バリスタに
するために、第２ＩｙＪに示すように７Ｅ極４に切欠部
分５を有する。
ガラス層は以下の２つの場合により形成される。第１の
場合、ガラス層は、Ｎａ＊Ｂ４０ｙ４０Ｈ１０を５０重
猜％、ＣｕＯを５ｆｆｉｆ１％、残部が２ｎｏ又はＳ
ｎ Ｏを或いは残部がＺｎＯとＳｎＯ，とからなる混合
物を半導体磁器表面に付着させ、９４０℃から１０４０
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
される。そして、第２の場合、ガラス層は、Ｎａ１Ｂ４
０ｔ・１０Ｈ１０を５０重量％、ＣｕＯを５重量％、残
部がＢｉｔ’ｓ、Ｓｂ＊Ｏｓ、ＺｎＯとからなる混合物
を半導体磁器表面に付着させて、９４０℃から１０４０
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
される。但し、Ｂｉ＊Ｏｓ、Ｓｂ２Ｏ３、Ｚｎ０（７）
混合比は、Ｂ ｉ ＊Ｏｓ： Ｓ ｂｔｕｓ： Ｚｎ０
−Ｘ ： Ｙ ：Ｚ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ−１００ｆｔ’！％）
とすると、３成分組成図において、 ａ ； （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） −（１００：Ｏ’
０）ｂ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）霧（５０：５０：０）ｃ ；
（Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） −（４８：１２：４０）ｄ
；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）−（０：Ｏ：１００）の４点で結ばれ
た線上及び４点で囲まれる範囲内にあるものとする。こ
の４点で囲まれる範囲は、第１図のＢ １１０ｓ−３ｂ
＊０ｓ−ＺｎＯ系の３成分相組成図において、斜線で示
した範囲である。この範囲内のガラス組成でＮ ａ ＊
Ｂ ａ Ｏｔ・１０Ｈ，０５０重量％、ＣｕＯ５重量
％に対して含有しているガラス組成が、本発明によるバ
リスタ構造に用いるものである。
場合、ガラス層は、Ｎａ＊Ｂ４０ｙ４０Ｈ１０を５０重
猜％、ＣｕＯを５ｆｆｉｆ１％、残部が２ｎｏ又はＳ
ｎ Ｏを或いは残部がＺｎＯとＳｎＯ，とからなる混合
物を半導体磁器表面に付着させ、９４０℃から１０４０
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
される。そして、第２の場合、ガラス層は、Ｎａ１Ｂ４
０ｔ・１０Ｈ１０を５０重量％、ＣｕＯを５重量％、残
部がＢｉｔ’ｓ、Ｓｂ＊Ｏｓ、ＺｎＯとからなる混合物
を半導体磁器表面に付着させて、９４０℃から１０４０
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
される。但し、Ｂｉ＊Ｏｓ、Ｓｂ２Ｏ３、Ｚｎ０（７）
混合比は、Ｂ ｉ ＊Ｏｓ： Ｓ ｂｔｕｓ： Ｚｎ０
−Ｘ ： Ｙ ：Ｚ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ−１００ｆｔ’！％）
とすると、３成分組成図において、 ａ ； （Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） −（１００：Ｏ’
０）ｂ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）霧（５０：５０：０）ｃ ；
（Ｘ ： Ｙ ： Ｚ ） −（４８：１２：４０）ｄ
；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）−（０：Ｏ：１００）の４点で結ばれ
た線上及び４点で囲まれる範囲内にあるものとする。こ
の４点で囲まれる範囲は、第１図のＢ １１０ｓ−３ｂ
＊０ｓ−ＺｎＯ系の３成分相組成図において、斜線で示
した範囲である。この範囲内のガラス組成でＮ ａ ＊
Ｂ ａ Ｏｔ・１０Ｈ，０５０重量％、ＣｕＯ５重量
％に対して含有しているガラス組成が、本発明によるバ
リスタ構造に用いるものである。
［作用］
本発明のバリスタ中のガラス層は、半導体磁器の表面を
覆うだけで、粒界部には拡散せずに、粒界部が高抵抗層
となるのを防ぐ、その結果、高抵抗層は、半導体磁器の
表面にのみ形成きれる。
覆うだけで、粒界部には拡散せずに、粒界部が高抵抗層
となるのを防ぐ、その結果、高抵抗層は、半導体磁器の
表面にのみ形成きれる。
従って、粒界部を高抵抗層とする従来の５ｒＴ（Ｏｌを
主成分とする半導体磁器を用いたバリスタに比べ大きな
比面積取得容ＪｉＣ／Ｓが得られ、また、低いバリスタ
電圧”ＩＩ’ Ｉ＠ｍＡを実現できる。その際、本発明
に従う組成によるガラス層は、電圧非直線指数αを、大
きくする働きをする。
主成分とする半導体磁器を用いたバリスタに比べ大きな
比面積取得容ＪｉＣ／Ｓが得られ、また、低いバリスタ
電圧”ＩＩ’ Ｉ＠ｍＡを実現できる。その際、本発明
に従う組成によるガラス層は、電圧非直線指数αを、大
きくする働きをする。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、以
下はそれを制限するためのものでない。
下はそれを制限するためのものでない。
［実施例１］
次に本発明による表面ガラス層を有するバリスタの製造
方法について説明する。
方法について説明する。
主成分ＳｒＴｉ０ｍを９９．０モル％、Ｎ ｂ ＊ ０
、を０．５モル％、Ａｊ！１０ｓを０．５Ｔニル％とな
るように配合したものと有機バインダとを混合したもの
を約１トン／Ｃがの圧力で成形し、この成形品をＮ、７
５容量％＋Ｈ，２５“容量％の混合ガスによる還元雰囲
気で、１４２０℃、２時間熱処理を行ない、外径１０．
２■Φ、内径７．２ＩΦ、厚み０．９１のリング状半導
体磁器を作製した。
、を０．５モル％、Ａｊ！１０ｓを０．５Ｔニル％とな
るように配合したものと有機バインダとを混合したもの
を約１トン／Ｃがの圧力で成形し、この成形品をＮ、７
５容量％＋Ｈ，２５“容量％の混合ガスによる還元雰囲
気で、１４２０℃、２時間熱処理を行ない、外径１０．
２■Φ、内径７．２ＩΦ、厚み０．９１のリング状半導
体磁器を作製した。
このリング状試料に第１表に示した組成よりなるＮ ａ
２Ｂ４Ｏ７’ｌＯＨ＊０− Ｃｕ Ｏ−Ｚ ｎ Ｏ−５
ｎ Ｏを系ペーストを塗布して、第１表に示した温度で
４時間熱処理し、第２図の模式断面図に示すようなバリ
スタ磁器の表面のみ絶縁化された状態の表面層型バリス
タ素子を得た。
２Ｂ４Ｏ７’ｌＯＨ＊０− Ｃｕ Ｏ−Ｚ ｎ Ｏ−５
ｎ Ｏを系ペーストを塗布して、第１表に示した温度で
４時間熱処理し、第２図の模式断面図に示すようなバリ
スタ磁器の表面のみ絶縁化された状態の表面層型バリス
タ素子を得た。
この素子の表面にオーミック性銀ペースト電極層４をス
クリーン印刷し、５６０″０５１０分間焼き付けして、
リング状バリスタを作製した。
クリーン印刷し、５６０″０５１０分間焼き付けして、
リング状バリスタを作製した。
このようにして作製したバリスタについて、各種の特性
即ち、バリスタ電圧Ｖ ｔ１ｍＡｘ電圧非直線指数α、
比面積取得容量Ｃ／Ｓを求めた。
即ち、バリスタ電圧Ｖ ｔ１ｍＡｘ電圧非直線指数α、
比面積取得容量Ｃ／Ｓを求めた。
そして、この熱処理温度と測定したＶ １１ｓＡ値、指
数値α、比面積取得容ｉｃ／Ｓを各々のガラス組成とと
もに、第１表に示した。
数値α、比面積取得容ｉｃ／Ｓを各々のガラス組成とと
もに、第１表に示した。
第１表中の試料番号１．２．３．４．５が本発明による
実施例である。
実施例である。
ここで、バリスタ電圧Ｖ １６ｍＡは、バリスタに１０
ｍＡの電流を流したときの電極間電圧であり、電圧非直
線指数αは、ＶＩｍＡをバリスタに１鮎の電流を流した
ときの電極間電圧とすると次式により求めることができ
る。
ｍＡの電流を流したときの電極間電圧であり、電圧非直
線指数αは、ＶＩｍＡをバリスタに１鮎の電流を流した
ときの電極間電圧とすると次式により求めることができ
る。
（２−１／ ｌｏｇ（Ｖ Ｉ ＠ＩＩＡ／ Ｖ ＩＩＩ
Ａ）また、比面積取得容量Ｃ／Ｓは、Ｉ ＫＨｚ、 Ｉ
Ｖの条件下で測定した静電容量Ｃ（ＰＦ）を電極面積Ｓ
（ｅｌｍりで除した値である。
Ａ）また、比面積取得容量Ｃ／Ｓは、Ｉ ＫＨｚ、 Ｉ
Ｖの条件下で測定した静電容量Ｃ（ＰＦ）を電極面積Ｓ
（ｅｌｍりで除した値である。
第１表の試料番号１が、第１図にａ点で示す組成のガラ
スを使用した実施例である。
スを使用した実施例である。
［実施例２］
ノング状半導体磁器に塗布するペースト組成が、第１表
に示したＮ ａ 、ＢａＯｔ’１ＯＨ１０ −ＣｕＯ−
Ｂ ｉ＊０ｓ−８ｂａＯｓ−ＺｎＯ系ペーストに変更し
た以外は、実施例１と同じ方法によ吟、リング状バリス
タを作製した。得られたバリスタについて、実施例１と
同様に各種特性を測定した。それにより、得られた結果
を第１表に示す。
に示したＮ ａ 、ＢａＯｔ’１ＯＨ１０ −ＣｕＯ−
Ｂ ｉ＊０ｓ−８ｂａＯｓ−ＺｎＯ系ペーストに変更し
た以外は、実施例１と同じ方法によ吟、リング状バリス
タを作製した。得られたバリスタについて、実施例１と
同様に各種特性を測定した。それにより、得られた結果
を第１表に示す。
第１表において、試料番号６．７．８．９１０．１１．
１２．１３．１４．１５．１６は、本発明により規定さ
れた配合範囲による実施例である。
１２．１３．１４．１５．１６は、本発明により規定さ
れた配合範囲による実施例である。
これに対して、第１表中の＊印を示した試料番号＊１７
、＊１８、＊１９は、バリスタ電圧Ｖ ＩＩｍＡに対し
電圧非直線指数αが小さく、本発明の規定の範囲外の組
成のガラス層である。
、＊１８、＊１９は、バリスタ電圧Ｖ ＩＩｍＡに対し
電圧非直線指数αが小さく、本発明の規定の範囲外の組
成のガラス層である。
［比較例］
」ング状半導体磁器を、その表面にガラス層を形成させ
るための成分のガラスペーストを塗布せずに熱処理する
以外は、実施例１と同様にバリスタを製造して、そのバ
リスタ電流Ｖ １ａｌＩＡ％電圧非直線指数α、比面積
取得容量Ｃ／Ｓを測定した。
るための成分のガラスペーストを塗布せずに熱処理する
以外は、実施例１と同様にバリスタを製造して、そのバ
リスタ電流Ｖ １ａｌＩＡ％電圧非直線指数α、比面積
取得容量Ｃ／Ｓを測定した。
その結果を第１表に試料番号２０のものとして、示した
。
。
従って、試料番号１は、第１図に示す点ｄに相当するガ
ラス組成を有するものであり、また、試料番号６．１１
．１３は各々第１図に示す点ａ１ｂ、ｃに相当するガラ
ス組成を有するものである。
ラス組成を有するものであり、また、試料番号６．１１
．１３は各々第１図に示す点ａ１ｂ、ｃに相当するガラ
ス組成を有するものである。
第１表に示すように、本発明のガラス層を有するバリス
タは、第１図に示すガラス組成のａ点〜Ｃ点を結ぶ線上
及びその内側の範囲になる組成のガラス層を有する試料
番号のバリスタにおいては、良好な特性が得られること
が確認された。即ち、試料番号２．３．４．５は、Ｓ
ｎ Ｏ＊を含有するために、第１図の為〜ｄ点の範囲内
には入らないものである。
タは、第１図に示すガラス組成のａ点〜Ｃ点を結ぶ線上
及びその内側の範囲になる組成のガラス層を有する試料
番号のバリスタにおいては、良好な特性が得られること
が確認された。即ち、試料番号２．３．４．５は、Ｓ
ｎ Ｏ＊を含有するために、第１図の為〜ｄ点の範囲内
には入らないものである。
［発明の効果］
本発明の表面ガラス層バリスタは、その特定のガラス層
組成により、 バリスタ電圧Ｖ ｌ＊＋＋＋Ａに対し比面積取得容量Ｃ
／Ｓが比較的に大きく、且つ、ノイズ除去に対して、よ
り高い効果を有し、且つ、低いバリスタ電圧に対しても
電圧非直線指数αが大きい良好な特性を有するバリスタ
を製造することができる。
組成により、 バリスタ電圧Ｖ ｌ＊＋＋＋Ａに対し比面積取得容量Ｃ
／Ｓが比較的に大きく、且つ、ノイズ除去に対して、よ
り高い効果を有し、且つ、低いバリスタ電圧に対しても
電圧非直線指数αが大きい良好な特性を有するバリスタ
を製造することができる。
そして、高い信頼性のあるバリスタが要求される最近の
電子回路機器に適するバリスタが得られるなどの技術的
な効果が得られた。
電子回路機器に適するバリスタが得られるなどの技術的
な効果が得られた。
第１図は、本発明に用いたガラス層組成について、その
組合わせの３成分組成図で、その適正範囲を示したグラ
フである。 第２図は、本発明のバリスタの構造を示す模式断面図で
ある。 ［主要部分の符号の説明］ １ 、、、、、、、、、、 Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ半導
体層３ 、、、、、、、、、、ガラス層 ４ 、、、、、、、、、、電極 第２図
組合わせの３成分組成図で、その適正範囲を示したグラ
フである。 第２図は、本発明のバリスタの構造を示す模式断面図で
ある。 ［主要部分の符号の説明］ １ 、、、、、、、、、、 Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ半導
体層３ 、、、、、、、、、、ガラス層 ４ 、、、、、、、、、、電極 第２図
Claims (4)
- １．チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３）を主成
分とする半導体磁器を用い、その表面上に設けたオーミ
ック電極の下の磁器表面にガラス層を有することを特徴
とする表面高抵抗層を有するバリスタ。 - ２．チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３）を主成
分とする半導体磁器の表面にガラス化する物質を塗布し
、これを熱処理することにより、そのオーミック電極の
下の磁器表面にガラス層を形成せしめることを特徴とす
る表面高抵抗層を有するバリスタの製造方法。 - ３．ガラス層が、Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７・１０Ｈ＿２Ｏ
を５０重量％、ＣｕＯを５重量％、残部がＺｎＯ又はＳ
ｎＯ＿２或いは残部がＺｎＯとＳｎＯ＿２とからなる混
合物を半導体磁器表面に塗布し、９４０℃から１０４０
℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なうことにより形成
させる請求項２に記載のバリスタの製造方法。 - ４．ガラス層が、Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７・１０Ｈ＿２Ｏ
を５０重量％、ＣｕＯを５重量％、残部がＢｉ＿２Ｏ＿
３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、ＺｎＯとからなり、そのＢｉ＿２
Ｏ＿３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、ＺｎＯの混合比は、Ｂｉ＿２
Ｏ＿３：Ｓｂ＿２Ｏ＿３：ＺｎＯ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１００重量％）とする３成分組成図において、 ａ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）＝（１００：０：０） ｂ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）＝（５０：５０：０） ｃ；（Ｘ：Ｙ：Ｚ）＝（４８：１２：４０）ｄ；（Ｘ：
Ｙ：Ｚ）＝（０：０：１００） の４点で結ばれた線上及び４点で囲まれる範囲内にある
ところの混合物を半導体磁器表面に付着させて、９４０
℃から１０４０℃の温度範囲で大気中で熱処理を行なう
ことにより形成される請求項２に記載のバリスタの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134767A JP2507951B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134767A JP2507951B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033201A true JPH033201A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2507951B2 JP2507951B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=15136088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134767A Expired - Lifetime JP2507951B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507951B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1037067C (zh) * | 1994-05-27 | 1998-01-21 | 华东理工大学 | 从卡拉胶混合物中提纯k－卡拉胶的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128648A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki oyobi sonoseizohoho |
| JPS5131887A (ja) * | 1974-09-12 | 1976-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki oyobi sonoseizohoho |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1134767A patent/JP2507951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128648A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki oyobi sonoseizohoho |
| JPS5131887A (ja) * | 1974-09-12 | 1976-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki oyobi sonoseizohoho |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1037067C (zh) * | 1994-05-27 | 1998-01-21 | 华东理工大学 | 从卡拉胶混合物中提纯k－卡拉胶的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2507951B2 (ja) | 1996-06-19 |
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