JPH0734413B2

JPH0734413B2 - 半導体磁器コンデンサ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0734413B2
Application number: JP17663386A
Authority: JP
Inventors: 秀一小野; 秋一板垣; 正博矢作; 喜代志古川; 忍藤原; 泰伸及川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1986-07-29
Filing date: 1986-07-29
Publication date: 1995-04-12
Anticipated expiration: 2010-04-12
Also published as: JPS6333808A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体磁器コンデンサ、特に粒界絶縁形半導
体磁器コンデンサに適したSrTiO₃−Y₂O₃−Nb₂O₅系半導
体磁器コンデンサおよびその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

受動電子部品としての半導体磁器コンデンサは表面層形
として還元再酸化型、堰層容量型があり、また粒界層形
として粒界絶縁形に大別される。

還元再酸化型半導体コンデンサは半導体化剤を添加した
BaTiO₃系またはSrTiO₃系成形体を大気中で焼成して誘電
体セラミックを作り、これを還元性雰囲気中で熱処理し
半導体磁器を作る。こうして得られた半導体磁器を酸素
雰囲気中または大気中で熱処理するとその表面部から酸
素が拡散し酸素欠陥を満して表面層のみが誘電体層（再
酸化層）として、内部が半導体のままの複合セラミック
が形成され、その両面に電極を焼付け形成すると、表面
層の厚みによって静電容量が設定されるし、また厚みを
大きくすることによって定格電圧を高くすることも可能
な小型、大容量の半導体コンデンサが得られる。

堰層容量形半導体コンデンサは半導体化剤を含有する主
としてBaTiO₃系の成形体を大気中で焼成しこれに銅等の
金属を蒸着させ、その上に銀等の電極（酸化物がｐ形の
半導体となり易い金属）を塗布し、これを大気中に雰囲
気で熱処理し、その表面に0.3〜３μ程度の堰層を形成
する。即ち表面は堰層絶縁体に該部電極を設け、内部は
半導体のままのコンデンサ素子ができる。この形のコン
デンサは堰層が極めて薄いため耐電圧は低いが静電容量
が大きく低電圧大容量コンデンサとして適している。

粒界絶縁型磁器コンデンサは、半導体化剤を添加したBa
TiO₃またはSrTiO₃系成形体を還元性雰囲気中で焼成し得
られた磁器の表面に金属酸化物、例えばBi₂Oを塗布し大
気中で熱処理を行なう。この熱処理によって金属イオン
が磁器の内部に浸透して粒界にこれらの金属イオンを間
溶した絶縁層を形成する。結晶粒子内部はすでら半導体
化剤元素をドープした原子価制御形の半導体として残
る。このようにして粒界層内部だけが絶縁層に変わり、
これが半導体磁器内部でこれ等の半導体を内包した絶縁
性粒界層が上下縦横左右にマトリックス状に連結され一
種の海綿状の誘電体が形成され、電極を焼付してコンデ
ンサとなる。

これらの各種半導体磁器コンデンサは小型大容量が得ら
れることのほかに電圧特性、誘電体損失、周波数特性に
おいてバイパス用にしか使用出来なかったが、最近の製
造技術の進歩、特性改善に伴ってSrTiO₃系を主成分とす
る半導体磁器コンデンサはカップリングを始め種々の信
号回路、パルス回路から半導体の雑音防止にいたるいろ
いろな用途に使用面が拡大されている。

しかし、これら各種半導体磁器コンデンサは表１に示し
てあるように、表面層形の中で還元再酸化型は絶縁抵抗
が粒界絶縁形に比べて小さく、誘電体損失が大きいとい
う欠点がある。また堰層容量形は、絶縁破壊電圧が60〜
80V程度と低く、絶縁抵抗が小さくま、誘電体損失が大
きいという還元再酸化形と同様の欠点を持っている。

また、原子価補償形も前記のものと同様である。これら
の表面層形はBaTiO₃系を主成分としており、コンデンサ
のメカニズム上素地の厚み分だけCs≧5nF/mm²の大容量
はいずれも得られない。

また、粒界絶縁形では、表面層形のBaTiO₃系よりもSrTi
O₃系は絶縁抵抗が大きく、誘電体損失が小さく良好であ
るが、Csは3.0nF/mm²程度で、Cs≧5nF/mm²の大容量品は
得られていない。

表面層形半導体磁器コンデンサはＣが厚みの大きさｔに
逆比例しないためε_Ｓを求められないが以下の関係式に
よって求めることができる。

Vb〔Volt〕＝Eb・ｔ …（２）（１）（２）より ε_Ｓ・Eb〔Volt/mm〕＝1.13×10⁵Cs・Vb 表１のε_Ｓ・Eb積は上式により計算したものである。

また、従来、この種の半導体磁器コンデンサの電極形成
方法としては、一般に、銀粉末とガラス粉末と有機ビヒ
クルとからなる銀ペーストを磁器表面に塗布焼付けする
か、またはニッケル無電解メッキを行なう方法が取られ
てきた。

上記する従来の電極形成方法の内、銀ペースの焼付け方
法は、例えば磁器コンデンサの場合には、所望の静電容
量、誘電正接（tan δ）、電極の引張り強度及び半田付
け性に優れた電極を有する磁器コンデンサを提供するこ
とができる。しかしながら、銀は貴金属であって高価で
あり、必然的に磁器コンデンサのコストも高くなる。し
かも、銀は金属マイグレーションを起し易いという欠点
も有している。

一方、ニッケル無電解メッキ方法では、まず磁器素体表
面をフッ化アンモニウムと硝酸との混合溶液で粗面化処
理を行ない、次に塩化スズ溶液及び塩化パラジウム溶液
処理を行なった後、ニッケル無電解メッキ液に浸漬する
ことにより、ニッケル無電解メッキ層を形成し、更に所
望の電極部分にレジストを塗布し、硝酸等のエッチング
液に浸漬して不要なニッケル層を除去する工程を経なけ
ればならない。このため、電極形成工程において、各種
の酸等に磁器が浸触され、磁器表面の変質が生じ易く、
さらに洗浄不良等によるメッキ液その他の残留物により
信頼性が悪化すると言う欠点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、半導体磁器コンデンサでも特に粒界絶縁形半
導体磁器コンデンサにおいて、大きな誘導電率を持ち、
絶縁抵抗が大きく、しかも、従来の銀電極に比べ低コス
トで、半田付性及び電極引張り強度に優れ、しかも金属
マイグレーション等を発生することのない高信頼度の電
極を有する半導体磁器コンデンサおよびこの半導体磁器
コンデンサを製造するのに好適な製造方法を提供するこ
とを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

このような問題点を改善し、その目的を達成するための
手段としてまず半導体磁器組成物として、（100−ｘ−
ｙ）・SrTiO₃を主成分とし、副成分としてｘ・Y₂O₃およ
びｙ・Nb₂O₅をそれぞれ0.1〜0.4mol％含有することを特
徴とする（100−ｘ−ｙ）・SrTiO₃＋ｘ・Y₂O₃＋ｙ・Nb₂
O₅系半導体磁器組成物を用いる。

また、上記主成分に対しマンガンMnOに換算して0.02〜
0.2mol％含有すること、さらにまた、上記主成分に対し
SiO₂を0.01〜0.1mol％含有することを特徴とした半導体
磁器組成物を用いる。

次にこの半導体磁器表面にアルミニウムを主成分とする
第１導電層を焼付け形成し、該第１導電層の上に銅を主
成分とする第２導電層を焼付け形成して半導体磁器コン
デンサとするものである。

次に、この半導体磁器コンデンサを製造するための本発
明に係る製造方法は、この半導体磁器表面にアルミニウ
ム粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して焼成する
ことにより第１導電層を形成した後、該第１導電層の上
に銅粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して中性ま
たは還元性雰囲気中で焼成することにより第２導電層を
形成することを特徴とする。

第１図に例示する如く、半導体磁器１の表面に、アルミ
ニウムを主成分とする第１導電層２を焼付け形成し、更
にこの第１導電層２の表面に銅を主成分とする第２導電
層３を焼付け形成するのである。

上述の如く、半導体磁器１の表面にアルミニウムを主成
分とする第１導電層２を設ける電極構造であると、次の
ような効果が得られることが解った。

（イ）静電容量、誘電正接（tan δ）、絶縁抵抗、電極
の引張り強度に優れている。

（ロ）アルミニウムは、銀と異なって、金属マイグレー
ションを発生しない。このため、信頼性の高い磁器コン
デンサを提供することができる。

（ハ）アルミニウムは銀に比べて材料コストが1/100と
安価であるから、コストの安価な磁器コンデンサを提供
することができる。

更にこの第１導電層２の上に銅を主成分とする第２導電
層３を焼付け形成したことにより、次のような効果をも
併せ得ることができる。

（ニ）第１導電層２はアルミニウムを主成分とするもの
で成り、半田付け性は良く無いが、この第１導電層２の
上に半田付け性の良好な銅を主成分とする第２導電層３
を焼付け形成することにより、半田付け性を向上させる
ことができる。

（ホ）この第２導電層３はコストが銀の約1/50の安価な
銅を主成分とするから、コストダウンが達成できる。

（ヘ）第２導電層３は銅を主成分とするから、銀の場合
と異なって、金属マイグレーションを発生せず、信頼性
が向上する。

更に、前記第１導電層２は、アルミニウムを主成分と
し、これにAg,Zn,Cuの中から選ばれた少なくとも一種以
上の金属及び／または金属酸化物を含有させると、上記
作用効果を向上させるのに効果があることが解った。ま
た第２導電層３の場合にも、銅を主成分とし、これに金
属酸化物を含有させると、同様の効果が得られることが
解った。

〔実施例〕

出発原料としてSrCO₃，TiO₂，MnCO₃，SiO₂および半導体
化剤としてY₂O₃，Nb₂O₅を用い、第２表または第３表に
示した配合組成比となるように秤量し、これらの原料配
合物を合成樹脂ボールミルで、水，玉石を入れて湿式混
合攪拌を20時間行う。その後脱水乾燥し、1200℃，昇降
温度200℃/hr安定化２時間で仮焼成し、化学反応を行わ
せた。これを再びボールミルで水，玉石を入れて16時間
粉砕混合する。これを脱水乾燥して２重量％の有機結合
剤としてPVAを添加し、造粒整粒を行い顆粒粉末としこ
の粉末を約3ton/cm²の成型圧力で10φ×0.5t mmの円板
状に成形する。この成形物を800℃で１時間脱バインダ
し、これを還元気流中（H₂＋N₂雰囲気）において1450℃
で約２時間本焼成して半導体化する。こうして得られた
半導体磁器素子は8.5φ×0.4t mmとなっており、これの
両面に拡散物質としてBi₂O₃−CuO系フリットペーストを
3mgスクリーン印刷で塗布し、これを空気中で1150℃で
２時間焼成して結晶粒界に絶縁層の形成された半導体磁
器とする。

このようにして得られた各試料の電気的特性を測定した
結果を第２表および第３表に示す。ここで誘電率ε_Ｓお
よび誘電体損失tan δは周波数1kHzで測定した。絶縁抵
抗は50Vを印加して室温20℃で測定した。

（アルミニウムペーストの調製）平均粒径10μｍのアルミニウム粉末を100重量部とし、
これに対して表４に示す混合割合で325メッシユを通過
する粒径の、B₂O₃−SiO₂−ZnO（25,10,65wt％）のガラ
ス粉末、銀微粉末もしくは金属酸化物粉末、及び有機バ
インダとして、エチルセルロースとブチルカルビトール
から成る有機ビヒクルを加え、混合攪拌してアルミニウ
ムペーストを調製した。

（第１導電層の形成）次に前記のようにして製造された半導体磁器にアルミニ
ウムペーストによる第１導電層を形成するため、200メ
ッシュのテトロン製スクリーンを使用して、第２図に示
すように、半導体磁器１の主面1aにアルミニウムペース
ト２を印刷塗布した。次にこれを乾燥炉に入れて125℃
の温度条件で約10分間処理を行なった。

次に、半導体磁器１の他方の主面1bにも同様の手段によ
ってアルミニウムペースト２を印刷塗布し乾燥させた
後、ステンレス製網に載せてバッチ炉内に送り込み、約
900℃の温度で10分間焼成した。この際、昇温及び降温
を含めて、合計60分の処理時間となった。これにより、
第２図に示した如く半導体磁器１の主面1a,1bに直径約
7.5mmの、アルミニウムを主成分とする第１導電層２が
形成される。

（銅ペーストの調製）平均粒径0.5μｍの銅粉末100重量部と、325メッシュを
通過する粒径のB₂O₃−PbO（50,50wt％）系ガラス粉末を
表４の割合で混合し、更に金属酸化物粉末、及び、有機
バインダとして、エチルセルロースとブチルカルビトー
ルから成る有機ビヒクルを加え、混合攪拌して銅ペース
トを調製した。

（第２導電層の形成）次に上記の銅ペーストを前記第１導電層２の表面にアル
ミニウムペーストと同様の手段によって印刷塗布して乾
燥させた。この後、N₂（90％）＋H₂（10％）の還元性気
流中で、360℃の温度で20分間焼成して、焼付け処理を
行ない、第３図に示すように、第１導電層２の表面に銅
を主成分とする直径約5mmの第２導電層３を形成した。
これにより、半導体磁器１の両面にアルミニウムを主成
分とする第１導電層２を形成し、この第１導電層２の上
に銅を主成分とする第２導電層３を形成した本発明に係
る半導体磁器コンデンサが得られる。

上記のようにして得られた半導体磁器コンデンサの特性
を以下に示す。

（１）半導体磁器組成まずはじめにこのようにして得られた半導体磁器コンデ
ンサの半導体磁器組成別の電気特性を表−２及び表−３
に示す。

第２表より明らかなように、本発明の範囲内のものは、
誘導率ε_Ｓが約110000以上の高い値を示し誘電体損失ta
nδは0.38〜0.92％の極めて小さな値を示している。次
に組成比の限定理由を述べる。

副成分Y₂O₃およびNb₂O₅の単独添加では誘電率ε_Ｓ、直
流破壊電圧Ebが共に高い値を得ることができない（試料
No.1,2,3,7,11,23）。また、Y₂O₃とNb₂O₅の複合添加に
おいても各0.1mol％未満ではε_Ｓ,Ebのアップ効果が顕
著でない（試料No.4,5,6,12,27）。Y₂O₃が0.4mol％を越
えるとε_Ｓが低くなる（試料No.27,28,29）。Nb₂O₅が0.
4mol％を越えるとEbが低くなる（試料No.6,22,29）。Mn
Oが0.02mol％未満では絶縁抵抗Ｉ・Ｒのアップ効果が顕
著でない（試料No.14,15）。MnOが0.2mol％を越えると
誘電体損失tanδが高くなり、ε_Ｓが低くなる（試料No.
20）。

第３表より明らかなように、SiO₂が0.01mol％未満ではS
rO/TiO₂比の適正範囲（0.002）が狭い（試料No.30,31,3
2,33,34,35,36,37）。SiO₂が0.10mol％を越えるとε_Ｓ
が低くなる（試料No.50,51）。SiO₂が0.01〜0.1mol％の
範囲内のときはSrO/TiO₂比の適正範囲（0.004,0.006）
が広くなる。

（２）電極の検討次に（１）で得られた半導体磁器コンデンサの電極の評
価を行うため誘電率ε_Ｓ、誘電正接tanδ、半田付け性
及び引張り強度Ｔの測定を行った。その測定結果を表−
４に示す。

本発明に係る半導体磁器コンデンサの電極の良否の判断
基準を決めるため、本実施例と同一の組成及び形状に成
るSrTiO₃系半導体磁器を作成し、この半導体磁器の主面
に公知の方法によって銀ペーストを焼付けして、銀電極
を形成することにより、銀電極構造SrTiO₃系半導体磁器
コンデンサ（以下従来コンデンサと称する）を作成し、
実施例と同様の方法により、誘電率ε_Ｓ、誘電正接tan
δ（％）、半田付け性及び引張り強度Ｔ（kg）を測定し
たところ、誘電率ε_Ｓ＝75,000、誘電正接tan δ＝0.4
（％）、半田付け性は良、引張り強度Ｔ＝1.3（kg）で
あった。そこで、この従来コンデンサの特性を考慮し、
誘電率ε_Ｓが100,000以上で、誘電正接tanδが1.0
（％）以下であり、半田付け性が従来コンデンサと同程
度以上で、引張り強度Ｔが0.5（kg）以上の特性を有す
るものを、良否の判断基準とした。

更に本発明に係る上記実施例との比較のため、アルミニ
ウムを主成分とする第１導電層２は有するが、第２導電
層３を設けない状態（第２図の構造）で特性を測定した
ところ、誘電率ε_Ｓ、誘電正接tanδ（％）は本発明の
上記実施例と同様であったが、半田付けは不可であり、
引張り強度Ｔ（kg）を測定することができなかった。

表−４から明らかなように試料番号４〜26の試料が良品
基準以上にあり、従来コンデンサと比較し、誘電率ε_Ｓ
及び引張り強度Ｔ（kg）が大きくなっている。従って、
本発明によれば、磁器コンデンサの小型化が可能であ
る。

しかも、アルミニウム粉末のコストは従来コンデンサに
使用する銀粉末のコストの約1/100であり、銅粉末も同
じく約1/50であるから、大幅なコストダウンが可能であ
る。更に、第１及び第２導電層2,3の形成において、何
れの場合もスクリーン印刷方法等を採用することがで
き、磁器がメッキ液等に侵されることがないので、メッ
キ液の残留による信頼性の低下もなく、高信頼性の磁器
コンデンサを量産することが可能である。

以上、実施例により本発明の内容を具体的に説明した
が、これ以外の種々の実験結果により、次のことが確認
された。

（ａ）平均粒径が５μｍ、10μｍ、30μｍのアルミニウ
ム粉末を用いた場合にも上記実施例と同様の結果が得ら
れた。

（ｂ）平均粒径が0.1μｍ、0.3μｍ、１μｍ、５μｍ、
10μｍの銅粉末を使用し場合にも実施例と同様の結果が
得られた。

（ｃ）アルミニウムペースト及び銅ペーストに使用する
ガラス粉末として、軟化点330℃〜800℃の種々のガラス
粉末を使用しても、上記実施例と同様の結果が得られ
た。即ち、PbO−B₂O₃系、PbO−B₂O₃−SiO₂系、ZnO−B₂O
₃−SiO₂系等のように、PbO,ZnO,Bi₂O₃,BaO,B₂O₃，Si
O₂，ZrO₂，TiO₂，Al₂O₃,CaO,SrOの群から選ばれた二種
以上の金属酸化物から成る軟化点330℃〜800℃の範囲の
公知のガラスフリットで、同様の結果が得られた。

（ｄ）アルミニウムペーストを用いて第１導電層を焼付
け形成する際の温度は、アルミニウムの融点（660.2
℃）からその沸点（約2060℃）の範囲、特に800℃〜120
0℃の範囲が好ましい。焼付け温度がアルミニウムの融
点（660.2℃）以下では実用的な導電層が形成できず、
引張り強度が極端に低下する。また沸点（約2060℃）以
上ではアルミニウムの酸化が進み電気抵抗が高くなり、
実用に向かない。

（ｅ）銅ペーストを用いて第２導電層を形成する際の焼
付け温度は200℃〜800℃の範囲、特に250℃〜500℃の範
囲が好ましい。200℃以下では第１導電層と第２導電層
との間の接合が不充分になり、電極引張り強度が低下す
る。

800℃以上では半導体磁器表面が還元され特性の劣化を
招く。

〔発明の効果〕

以上のように本発明の半導体磁器コンデンサは（100−
ｘ−ｙ）・SrTiO₃＋ｘ・Y₂O₃＋ｙ・Nb₂O₂系半導体磁器
組成物に、副成分としてY₂O₃およびNb₂O₅を複合添加
（0.1≦ｘ≦0.4,0.1≦ｙ≦0.4）することにより誘電率
ε_Ｓ，直流破壊電圧Ebおよびε_Ｓ・Eb積の高い半導体磁
器コンデンサが得られる。

また周波数特性、温度特性および誘電体損失も良好であ
る。さらにMnOを0.02〜0.2mol％添加することにより絶
縁抵抗の高い半導体磁器が得られた。さらにまたSiO₂を
0.01〜0.1mol％添加することによりSrO/TiO₂比の適正範
囲を拡大することができるので製造作業が容易となり量
産が可能で製造コストの低下を図ることができる。

よって従来のバイパス用以外のカップリング、種々の信
号回路、パルス回路から雑音防止用にいたるまでの用途
に広がった。

また、本発明の半導体磁器コンデンサは、アルミニウム
を主成分とする第１導電層を焼付け形成し、該第１導電
層の上に銅を主成分とする第２導電層を焼付け形成した
ことを特徴とするから、従来の銀電極に比べて高誘電率
のため小形が可能となり即ち従来８φ素地で10⁵pFのも
のが７φ素地で製作できるようになった。また低コスト
で、電気的諸特性、半田付け性及び電極引張り強度に優
れ、しかも金属マイグレーション等を発生することない
高信頼度の電極を有する半導体磁器コンデンサを提供す
ることができる。

また、本発明に係る製造方法は、磁器表面にアルミニウ
ム粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して焼成する
ことにより第１導電層を形成した後、該第１導電層の上
に銅粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して中性雰
囲気または還元性雰囲気中で焼成することにより第２導
電層を形成することを特徴とするから、第１導電層及び
第２導電層とも、導電ペーストの塗布、焼付けという方
法により形成でき、無電解メッキや電解メッキの場合と
異なって、薬品またはメッキ液等による磁器素体の変質
及び信頼性の低下を招くことがない。このため、本発明
によれば、製造工程での信頼性の低下を招くことなく、
低コストで、前述の半導体磁器コンデンサを量産するこ
とができ工業上の利益は多大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例に係わる半導体磁器コンデン
サの断面図、第２図は第１導電層を形成した半導体磁器
コンデンサの正面図、第３図は第２図の半導体磁器コン
デンサに第２導電層を形成した状態を示す正面図であ
る。１……半導体磁器、２……第１導電層、３……第２導電
層、1a,1b……主面。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者古川喜代志東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者藤原忍東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者及川泰伸東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】SrTiO₃系半導体磁器の表面にアルミニウム
粉末を主成分とする第１導電層を焼付け形成し、該第１
導電層の上に銅を主成分とする第２導電層を焼付け形成
したことを特徴とする半導体磁器コンデンサ。
【請求項２】上記SrTiO₃系半導体磁器の組成を（100−
ｘ−ｙ）・SrTiO₃を主成分とし、副成分としてｘ・Y₂O₃
およびｙ・Nb₂O₅をそれぞれ0.1〜0.4mol％含有する（10
0−ｘ−ｙ）・SrTiO₃＋ｘ・Y₂O₃＋ｙ・Nb₂O₅としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体磁器コ
ンデンサ。
【請求項３】上記主成分に対しマンガンMnOに換算して
0.02〜0.2mol％含有することを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の半導体磁器コンデンサ。
【請求項４】上記主成分に対しSiO₂を0.01〜0.1mol％含
有することを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３
項記載の半導体磁器コンデンサ。
【請求項５】上記主成分および副成分からなる組成を成
形焼結してなる半導体磁器の粉界にBiが偏在しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１
項に記載の半導体磁器コンデンサ。
【請求項６】上記第１導電層はAg,Zn,Cuの中から選ばれ
た少なくとも一種以上の金属及び／または金属酸化物を
含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体磁器コンデンサ。
【請求項７】上記第２導電層は金属酸化物を含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体磁器
コンデンサ。
【請求項８】半導体磁器表面にアルミニウム粉末を主成
分とする導電ペーストを塗布して焼成することにより第
１導電層を形成した後、該第１導電層の上に銅粉末を主
成分とする導電ペーストを塗布して中性または還元性雰
囲気中で焼成することにより第２導電層を形成すること
を特徴とする半導体磁器コンデンサの製造方法。
【請求項９】上記第１導電層を形成するための上記導電
ペーストは、アルミニウム粉末，ガラス粉末及び有機ビ
ヒクルを含有することを特徴とする特許請求の範囲第８
項記載の半導体磁器コンデンサの製造方法。
【請求項１０】上記第１導電層を形成するための前記導
電ペートはアルミニウム粉末とガラス粉末とを含有し、
更に、Ag,Zn,Cuの中から選ばれた少なくとも一種以上の
金属粉末及び／または金属酸化物を含有することを特徴
とする特許請求の範囲第８項記載の半導体磁器コンデン
サの製造方法。
【請求項１１】上記第２導電層を形成するための導電ペ
ーストは銅粉末、ガラス粉末および有機ビヒクルを含有
することを特徴とする特許請求の範囲第８項、第９項ま
たは第10項記載の半導体磁器コンデンサの製造方法。
【請求項１２】上記第２導電層を形成するための上記導
電ペーストは銅粉末、ガラス粉末及び金属酸化物粉末を
含有することを特徴とする特許請求の範囲第８項、第９
項または第10項記載の半導体磁器コンデンサの製造方
法。