JPS6333808A

JPS6333808A - 半導体磁器コンデンサ及びその製造方法

Info

Publication number: JPS6333808A
Application number: JP61176633A
Authority: JP
Inventors: 秀一小野; 板垣　秋一; 正博矢作; 古川　喜代志; 忍藤原; 泰伸及川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1986-07-29
Filing date: 1986-07-29
Publication date: 1988-02-13
Anticipated expiration: 2010-04-12
Also published as: JPH0734413B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体磁器コンデンサ、特に粒界絶縁形半導
体磁器コンデンサに適した５ｒＴｉ（ｈ　　ＶｚＯ３−
ＮｂＪｓ系半導体磁器コンデンサおよびその製造方法に
関する。

〔従来の技術〕

受動電子部品としての半導体磁器コンデンサは表面層形
として還元再酸化型、皿面容量型があり、また粒界層形
として粒界絶縁形に大別される。

還元再酸化型半導体コンデンサは半導体化剤を添加した
ＢａＴｉ０＝系または５ｒＴｉ（Ｌ＋系成形体を大気中
で焼成して誘電体セラミックを作り、これを還元性雰囲
気中で熱処理し半導体磁器を作る。こうして得られた半
導体磁器を酸素雰囲気中または大気中で熱処理するとそ
の表面部から酸素が拡散し酸素欠陥を満して表面層のみ
が誘電体層（再酸化層）として、内部が半導体のままの
複合セラミ７りが形成され、その両面に電極を焼付は形
成すると、表面層の厚みによって静電容量が設定される
し、また厚みを大きくすることによって定格電圧を高く
することも可能な小型、大容量の半導体コンデンサが得
られる。

基層容量形半導体コンデンサは半導体化剤を含有する主
としてＢａＴｉＯ２系の成形体を大気中で焼成しこれに
銅等の金属を薄着させ、その上に銀等の電極（酸化物が
ｐ形の半導体となり易い金属）を塗布し、これを大気中
の雰囲気で熱処理し、その表面に０．３〜３μ程度の皿
面を形成する。即ち表面は皿面鞄縁体に該部電極を設け
、内部は半導体のままのコンデンサ素子ができる。この
形のコンデンサは皿面が極めて薄いため耐電圧は低いが
静電容量が大きく低電圧大容量コンデンサとして適して
いる。

粒界絶縁型磁器コンデンサは、半導体化剤を添加したＢ
ａＴｉＯｓまたは５ｒＴｉ（ｈ系成形体を還元性雰囲気
中で焼成し得られた磁器の表面に金属酸化物、例えばＢ
１□０を塗布し大気中で熱処理を行なう。この熱処理に
よって金属イオンが磁器の内部に浸透して粒界にこれら
の金属イオンを間冷した絶縁層を形成する。結晶粒子内
部はすでに半導体化剤元素をドープした原子価制御形の
半導体として残る。

このようにして粒界層内部だけが絶縁層に変わり、これ
が半導体磁器内部でこれ等の半導体を内包した絶縁性粒
界層が上下縦横左右にマトリックス状に連結され一種の
海綿状の誘電体が形成され、電極を焼付してコンデンサ
となる。

これらの各種半導体磁器コンデンサは小型大容量が得ら
れることのほかに電圧特性、誘電体損失、周波数特性に
おいてバイパス用にしか使用出来なかったが、最近の製
造技術の進歩、特性改善に伴って５ｒＴｔＯｓ系を主成
分とする半４体磁器コンデンサはカップリングを始め種
々の信号回路、パルス回路から半導体の雑音防止にいた
るいろいろな用途に使用面が拡大されている。

しかし、これら各種半導体磁器コンデンサは表１に示し
であるように、表面層形の中で還元再酸化型は絶縁抵抗
が粒界絶縁形に比べて小さく、誘電体損失が大きいとい
う欠点がある。また皿面容量形は、絶縁破壊電圧が６０
〜８０Ｖ程度と低く、絶縁抵抗が小さく、誘電体損失が
大きいという還元再酸化形と同様の欠点を持っている。

また、原子価補償形も前記のものと同様である。

これらの表面層形はＢａＴｉ０．３系を主成分としてお
り、コンデンサのメカニズム上素地の厚み分だけＣｓ≧
５ｎＦ／龍２の大容量はいずれも得られない。

また、粒界絶縁形では、表面扇形のＢａＴｉＯ３系より
も５ｒＴｉＯｉ系は絶縁抵抗が大きく、誘電体損失が小
さく良好であるが、Ｃｓは３．０　ｎＦ　／　ｍ＊　”
程度で、Ｃｓ≧５ｎＦ／ｍ”の大容量品は得られていな
い。

表面層形半導体磁器コンデンサはＣが厚みの大きさｔに
逆比例しないためε、を求められないが以下の関係式に
よって求めることができる。

Ｃｓ　（ｎＦ／ａｍ’　）　＝　８．８５　Ｘｌ０−”
　　　　　　−（１１Ｖ　ｂ　（Ｖｏｌｔ）　＝　Ｅ　
ｂ−ｔ　　　　　　　　　−ｆ２１＋１１　（２１より ε、・Ｅｂ〔νｏｌｔ／ｗ）＝１．１３Ｘ１０’Ｃ５−
Ｖｂ表１のε、・Ｅｂ積は上式により計算したものであ
る。

また、従来、この種の半導体磁器コンデンサの電極形成
方法としては、一般に、銀粉末とガラス粉末と有機ビヒ
クルとからなる銀ペーストを磁器表面に塗布焼付けする
か、またはニッケル無電解メツキを行なう方法が取られ
てきた。

上記する従来の電極形成方法の内、銀ペーストの焼付は
方法は、例えば磁器コンデンサの場合には、所望の静電
容量、誘電正接（ｔａｎ　δ）、電極の引張り強度及び
半田付は性に優れた電極を有する磁器コンデンサを提供
することができる。しかしながら、銀は貴金属であって
高価であり、必然的に磁器コンデンサのコストも高くな
る。しかも、銀は金属マイグレーションを起し易いとい
う欠点も有している。

一方、ニッケル無電解メツキ方法では、まず磁器素体表
面をフッ化アンモニウムと硝酸との混合溶液で粗面化処
理を行ない、次に塩化スズ溶液及び塩化パラジウム溶液
処理を行なった後、ニッケル無電解メツキ液に浸漬する
ことにより、ニッケル無電解メツキ層を形成し、更に所
望の電極部分にレジストを塗布し、硝酸等のエソチンダ
液に浸漬して不要なニッケル層を除去する工程を経なけ
ればならない。このため、電極形成工程において、各種
の酸等に磁器が浸触され、磁器表面の変質が生じ易く、
更に洗浄不良等によるメツキ液その他の残留物により信
頬性が悪化すると言う欠点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、半導体磁器コンデンサでも特に粒界絶縁形半
導体磁器コンデンサにおいて、大きな誘電率を持ち、絶
縁抵抗が大きく、しかも、従来の銀電捲に比べ低コスト
で、半田付性及び電極引張り強度に優れ、しかも金属マ
イグレーション等を発生することのない扁信頼度の電極
を有する半導体磁器コンデンサおよびこの半導体磁器コ
ンデンサを製造するのに好適な製造方法を提供すること
を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

このような問題点を改善し、その目的を達成するための
手段としてまず半導体磁器組成物として、（１００ｘ　
　ｙ）　　・５ｒＴｉＯｔを主成分とし、副成分として
ｘ−ＹｚＯ＋およびｙ−Ｎｂ２Ｏ．をそれぞれ０．１〜
０．４１１１ｏ　ｊ！％含有することを特徴とする（１
００−ｘ−ｙ）　　・５ｒＴｉＯａ＋ｘ　　Ｙｚ（ｈ＋
ｙ　−Ｎｂ２Ｏ５系半導体磁器組成物を用いる。

また、上記主成分に対してマンガンをＭｎＯに換算して
０．０２〜０．２ｎｏβ％含有すること、さらにまた、
上記主成分に対して５ｉ０２を０．０１〜０．１ｍｏｌ
１％含有することを特徴とした半導体磁器組成物を用い
る。

次にこの半導体磁器表面にアルミニウムを主成分とする
第１導電層を焼付は形成し、該第１導電層の上に銅を主
成分とする第２導電層を焼付は形成して半導体磁器コン
デンサとするものである。

次に、この半導体磁器コンデンサを製造するための本発
明に係る製造方法は、この半導体磁器表面にアルミニウ
ム粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して焼成する
ことにより第１導電層を形成した後、咳第１Ｒ電層の上
に銅粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して中性ま
たは還元性雰囲気中で焼成することにより第２導電層を
形成することを特徴とする。

第１図に例示する如く、半導体磁器１の表面に、アルミ
ニウムを主成分とする第１導電層２を焼付は形成し、更
にこの第１導電層２の表面に銅を主成分とする第２導’
ｆｉｔｌｉ３を焼付は形成するのである。

上述の如く、半導体磁器１の表面にアルミニウムを主成
分とする第１導電層２を設ける電極構造であると、次の
ような効果が得られることが解った。

（イ）静電容量、誘電正接（ｔａｎ　δ）、絶縁抵抗、
電極の引張り強度に優れている。

（ロ）アルミニウムは、銀と異なって、金属マイグレー
ションを発生しない。このため、信頼性の高い磁器コン
デンサを提供することができる。

（ハ）アルミニウムは銀に比べて材料コストが１／１０
０と安価であるから、コストの安価な磁器コンデンサを
提供することができる。

更にこの第１導電層２の上に銅を主成分とする第２導電
層３を焼付は形成したことにより、次のような効果をも
併せ得ることができる。

（ニ）第１導電層２はアルミニウムを主成分とするもの
で成り、半田付は性は良く無いが、この第１導電層２の
上に半田付は性の良好な銅を主成分とする第２導電層３
を焼付は形成することにより、半田付は性を向上させる
ことができる。

（ホ）この第２導電層３はコストが銀の約１７５０の安
価な銅を主成分とするから、コストダウンが達成できる
。

（へ）第２導電層３は銅を主成分とするから、銀の場合
と異なって、金属マイグレーションを発生せず、信頬性
が向上する。

更に、前記第１導電Ｎ２は、アルミニウムを主成分とし
、これにＡｇ　、　Ｚｎ　、　ＣｕＯ中から選ばれた少
なくとも一種以上の金属及び／または金属酸化物を含有
させると、上記作用効果を向上させるのに効果があるこ
とが解った。また第２導電層３の場合にも、銅を主成分
とし、これに金属酸化物を含有させると、同様の効果が
得られることが解った。

〔実施例〕

出発原料として５ｒＣＯ＋　１Ｔｉｌｔ　＋　ＭｎＣ０
ｚ　＋　Ｓｔｏｗおよび半導体化剤としてＹＪｚ　、　
Ｎｂ２Ｏ５を用い、第２表または第３表に示した配合組
成比となるように秤量し、これらの原料配合物を合成樹
脂ボールミルで、水、玉石を入れて湿式混合攪拌を２０
時間行う、その後脱水乾燥し、１２００℃、昇降温度２
００℃／ｈｒ安定化２時間で仮焼成し、化学反応を行わ
せた。これを再びボールミルで水、玉石を入れて１６時
間粉砕混合する。これを脱水乾燥して２重量％の有機結
合剤としてＰＶＡを添加し、造粒整粒を行い顆粒粉末と
しこの粉末を約３ｔｏｎ／ｄ”の成型圧力で１０φＸ０
．５ｔｍｍの円板状に成形する。この成形物を８００℃
で１時間脱バインダし、これを還元気流中（Ｈ２＋Ｎｚ
雰囲気）において１４５０℃で約２時間本焼成して半導
体化するやこうして得られた半導体磁器素子は８．５φ
×０．４Ｌｆｌとなっており、これの両面に拡散物質と
してＢｉｚ０３　　ＣｕＯ系フリットペーストを３■ス
クリーン印刷で塗布し、これを空気中で１１５０℃で２
時間焼成して結晶粒界に絶縁層の形成された半導体磁器
とする。

このようにして得られた各試料の電気的特性を測定した
結果を第２表および第３表に示す。ここで誘電率ε、お
よび誘電体損失ｔａｎ　δは周波数１ｋＨｚで測定した
。ｍ縁抵抗は５０Ｖを印加して室温２０℃で測定した。

（アルミニウムペーストの調製）平均粒径１０ＩＪＩＩのアルミニウム粉末を１００重量
部とし、これに対して表４に示す混合割合で３２５メツ
シユを通過する粒径の、８１０３　５ＩＯｔ−７ｎＯ（
２５，１０，６５ｗｔＸ　）のガラス粉末、銀微粉末も
しくは金属酸化物粉末、及び有機バインダとして、エチ
ルセルロースとブチルカルピトールから成る有機ビヒク
ルを加え、混合攪拌してアルミニウムペーストを調製し
た。

（第１導電層の形成）次に前記のようにして製造された半導体磁器にアルミニ
ウムペーストによる第１導電層を形成するため、２００
メツシユのテトロン製スクリーンを使用して、第２図に
示すように、半導体磁器ｌの主面１ａにアルミニウムペ
ースト２−ｔ−印刷塗布した。次にこれを乾燥炉に入れ
て１２５℃の温度条件で約１０分間乾燥処理を行なった
。

次に、半導体磁器１の他方の主面１ｂにも同様の手段に
よってアルミニウムペースト２を印刷塗布し乾燥させた
後、ステンレス製網に載せてバソチ炉内に送り込み、約
９００℃の温度で１０分間焼成した。この際、昇温及び
降温を含めて、合計６０分の処理時間となった。これに
より、第２図に示した如く半導体磁器１の主面１ａ、ｌ
ｂに直径約７．５　ｍｍの、アルミニウムを主成分とす
る第１ａｌ？ｌｔ層２が形成される。

（ｗ４ペーストの調製）平均粒径０．５μｍの銅粉末１００重量部と、３２５メ
ツシユを通過する粒径の３，０ｆｆ−ＰｂＯ（５０゜５
０−ｔχ）系ガラス粉末を表４の割合で混合し、更に金
属酸化物粉末、及び、有機バインダとして、エチルセル
ロースとブチルカルピトールから成る有機ビヒクルを加
え、混合攪拌して銅ペーストを調製した。

（第２導電層の形成）次に上記の銅ペーストを前記第１導電層２の表面にアル
ミニウムペーストと同様の手段によって印刷塗布して乾
燥させた。この後、Ｎ□　（９０％）＋Ｈ，（１０％）
の還元性気流中で、３６０℃の温度で２０分間焼成して
、焼付は処理を行ない、第３図に示すように、第１導電
層２の表面に銅を主成分とする直径約５■の第２導電層
３を形成した。これにより、半導体磁器１の両面にアル
ミニウムを主成分とする第１導電Ｎ２を形成し、この第
１導電層２の上に銅を主成分とする第２導電層３を形成
した本発明に係る半導体磁器コンデンサが得られる。

上記のようにして得られた半導体磁器コンデンサの特性
を以下に示す。

（１）半導体磁器組成まずはじめにこのようにして得られた半導体磁器コンデ
ンサの半導体磁器組成側の電気特性を表−２及び表−３
に示す。

第２表より明らかなように、本発明の範囲内のものは、
誘電率ε、が約１１００００以上の高い値を示し誘電体
損失ｔａｎδは０．３８〜０．９２％の極めて小さな値
を示している０次に組成比の限定理由を述べる。

副成分Ｙ２Ｏ．およびＮｂｘＯｓの単独添加では誘電率
ε８、直流破壊電圧Ｅｂが共に高い値を得ることができ
ない（試料−１，２，３，１，１１，２３）。

またＹ２Ｏ，とＮｂ２Ｏ５の複合添加においても各０．
１１Ｉｌｏ１％未満ではε、　、　Ｅｂのアップ効果が
顕著でない（試料魚４，５，６，１２．２７）、ＹｔＯ
ｓが０．４■ｏｉ１％を越えるとε、が低くなる（試料
磁２７．２８．２９）−ＮｂＪｓが０．４　ｍｏ　１％
を越えるとＥｂｆｔ＜低くなる（試料Ｎａ６．　２２．
　２９）　、　ＭｎＯが０．０２ｍｏＪ％未満では絶縁
抵抗■・Ｒのアップ効果が顕著でない（試料ｍｌ　４．
　１５）　、　ＭｎＯが０、２　ｓｈｏ　１％を越える
と誘電体損失ｔａｎδが高くなり、ε、が低くなる（試
料患２０）。

第３表より明らかなように、５ｉＯ１が０．０１ａ＋ｏ
ｊ！％未満ではＳｒＯ／ＴｉＯ□比の適正範囲（０，０
０２＞が狭い（試料−３０，３１，３２，３３，３４，
３５゜３６、　３７）　−Ｓｉｎｇが０．１０ｍｏｊ！
％を越えると８３が低くなる（試料Ｎａ５０．　５１）
　、　ＳｉＯ□が０．０１〜０．１＋ｏｊ！％の範囲内
のときはＳｒＯ／ＴｉＯ，比の適正範囲（０，００４２
Ｏ，００６）が広くなる。

（２）電極の検討次に（１）で得られた半導体磁器コンデンサの電極の評
価を行うため誘電率ε１、誘電正接ｔａｎδ、半田付は
性及び引張り強度Ｔの測定を行った。その測定結果を表
−４に示す。

本発明に係る半導体磁器コンデンサの電極の良否の判断
基準を決めるため、本実施例と同一の組成及び形状に成
る５ｒＴｉＯｚ系半導体磁器を作成し、この半導体磁器
の主面に公知の方法によって銀ペーストを焼付けして、
銀電極を形成することにより、銀電極構造５ｒＴｉＯ＋
系半導体磁器コンデンサ（以下従来コンデンサと称する
）を作成し、実施例と同様の方法により、誘電率ε１、
誘電正接ｔａｎ　δ（％）、半田付は性及び引張り強度
Ｔ（ｋｇ）を測定したところ、誘電率ε５−７５，００
０、誘電正接ｔａｎ　δ−〇、４（％）、半田付は性は
良、引張り強度Ｔ−１，３（ｋｇ）であワた。そこで、
この従来コンデンサの特性を考慮し、誘電率ε、が１０
０，０００以上で、誘電正接ｔａｎδが１．０（％）以
下であり、半田付は性が従来コンデンサと同程度以上で
、引張り強度Ｔが０．５（ｋｇ）以上の特性を有するも
のを、良否の判断基準とした。

更に本発明に係る上記実施例との比較のため、アルミニ
ウムを主成分とする第１導電層２は有するが、第２導電
層３を設けない状態（第２図の構造）で特性を測定した
ところ、誘電率ε５、誘電正接ｔａｎδ（％）は本発明
の上記実施例と同様であったが、半田付けは不可であり
、引張り強度Ｔ（ｋｇ）を測定することができなかった
。

表−４から明らかなように試料番号４〜２６の試料が良
品基準以上にあり、従来コンデンサと比較し、誘電率Ｃ
８及び引張り強度Ｔ（ｋｇ）が大きくなっている。従っ
て、本発明によれば、磁器コンデンサの小型化が可能で
ある。

しかも、アルミニウム粉末のコストは従来コンデンサに
使用する銀粉末のコストの約１／１００であり、銅粉末
も同じく約１７５０であるから、大幅なコストダウンが
可能である。更に、第１及び第２導ｉｉ層２．３の形成
において、何れの場合もスクリーン印刷方法等を採用す
ることができ、磁器がメツキ液等に侵されることがない
ので、メツキ液の残留による信鯨性の低下もなく、高信
顛性の磁器コンデンサを量産することが可能である。

以上、実施例により本発明の内容を具体的に説明したが
、これ以外の種々の実験結果により、次のことがｌＩＩ
認された。

（ａ）平均粒径が５μｍ、１０μｍ、３０μｍのアルミ
ニウム粉末を用いた場合にも上記実施例と同様の結果が
得られた。

（ｂ）平均粒径が０．１μｍ２Ｏ．３μｍ、１μｍ、５
μｍ、１０μ翔の銅粉末を使用した場合にも実施例と同
様の結果が得られた。

（Ｃ）アルミニウムペースト及び銅ペーストに使用する
ガラス粉末として、軟化点３３０℃〜８００℃の種々の
ガラス粉末を使用しても、上記実施例と同様の結果が得
られた。即ち、ＰｂＯＢｚＯｉ系、ＰｂＯＢｗＯｓ　　
　５ｉＯ１系、ＺｎＯＢ２Ｏ５　　　５ｉｙｘ系等のよ
うに、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２、ＢａＯ、＋１２０
３゜Ｓｉｎｇ、　ＺｒＯｘ　！　Ｔｉ１ｔ　、　Ａｌｔ
（ｈ　、　ＣａＯ＋　ＳｒＯの群から選ばれた二種以上
の金属酸化物から成る軟化点３３０℃〜８００℃の範囲
の公知のガラスフリフトで、同様の結果が得られた。

（ｄ）アルミニウムペーストを用いて第１導電層を焼付
は形成する際の温度は、アルミニウムの融点（６６０，
２℃）からその沸点（約２０６０℃）の範囲、特に８０
０℃〜１２００℃の範囲が好ましい、焼付は温度がアル
ミニウムの融点（６６０，２℃）以下では実用的な導電
層が形成できず、引張り強度が極端に低下する。また沸
点（約２０６０℃）以上ではアルミニウムの酸化が進み
電気抵抗が高くなり、実用に向かない。

（ｅ）銅ペーストを用いて第２導１ｔＮを形成する際の
焼付は温度は２００℃〜８００℃の範囲、特に２５０℃
〜５００℃の範囲が好ましい、２００℃以下では第１導
電層と第２導電層との間の接合が不充分になり、電極引
張り強度が低下する。

８００℃以上では半導体磁器表面が還元され特性の劣化
を招く。

〔発明の効果〕

以上のように本発明の半導体磁器コンデンサは（ｌ　Ｏ
０−ｘ−ｙ）　　１ｒＴｉＯ，＋ｘ　−Ｙ２Ｏ，＋ｙ　
−Ｎｂ、Ｏ□系半導体磁器組成物に、副成分としてＹ２
Ｏ５およびＮｂｔＯｓを複合添加（０，１≦Ｘ≦０．４
．０．１≦ｙ≦０．４）することにより誘電率ε３．直
流破壊電圧Ｅｂおよびεｓ　　−Ｅｂ積の高い半導体磁
器コンデンサが得られる。

また周波数特性、温度特性および誘電体損失も良好であ
る。さらにＭｎＯを０．０２〜０．２ｍｏＩ１％添加す
ることにより絶縁抵抗の高い半導体磁器が得られた。さ
らにまたＳｉＯ２を０．０１〜Ｏ，１ｍｏ１％添加する
ことによりＳｒＯ／Ｔｉ０ｚ比の適正範囲を拡大するこ
とができるので製造作業が容易となり量産が可能で製造
コストの低下を図ることができる。

よって従来のバイパス用以外のカンプリング、種々の信
号回路、パルス回路から雑音防止用にいたるまでの用途
に広がった。

また、本発明の半導体磁器コンデンサは、アルミニウム
を主成分とする第１導電層を焼付は形成し、該第１導電
層の上に銅を主成分とする第２導電層を焼付は形成した
ことを特徴とするから、従来の銀電極に比べて高誘電率
のため小形が可能となり即ち従来８φ素地で１０５ｐＦ
のものが７φ素地で製作できるようになった。また低コ
ストで、電気的緒特性、半田付は性及び電極引張り強度
に優れ、しかも金属マイグレーション等を発生すること
ない高信頼度の電極を有する半導体磁器コンデンサを提
供することができる。

また、本発明に係る製造方法は、磁器表面にアルミニウ
ム粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して焼成する
ことにより第１４１！層を形成した後、該第１導電層の
上に銅粉末を主成分とする導電ペーストを塗布して中性
雰囲気または還元性雰囲気中で焼成することにより第２
導電層を形成することを特徴とするから、第１導＠層及
び第２導電層とも、導電ペーストの塗布、焼付けという
方法により形成でき、無電解メツキや電解メツキの場合
と異なって、薬品またはメツキ液等による磁器素体の変
質及び信頼性の低下を招（ことがない。

このため、本発明によれば、製造工程での（ｉ　ＩＩＩ
性の低下を招くことなく、低コストで、前述の半厚体磁
器コンデンサを量産することができ工業上の利益は多大
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例に係わる半導体磁器コンデン
サの断面図、第２図は第１導電層を形成した半導体磁器
コンデンサの正面図、第３図は第２図の半導体磁器コン
デンサに第２導電層を形成した状態を示す正面図である
。 ■・・・半導体ｔｎ器、２・・・第１導電層、３・・・
第２導電層、ｌａ、ｌｂ・・・主面。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＳｒＴｉＯ＿３系半導体磁器の表面にアルミニウ
ム粉末を主成分とする第１導電層を焼付け形成し、該第
１導電層の上に銅を主成分とする第２導電層を焼付け形
成したことを特徴とする半導体磁器コンデンサ。
（２）上記ＳｒＴｉＯ＿３系半導体磁器の組成を（１０
０−ｘ−ｙ）・ＳｒＴｉＯ＿３を主成分とし、副成分と
してｘ・Ｙ＿２Ｏ＿３およびｙ・Ｎｂ＿２Ｏ＿５をそれ
ぞれ０．１〜０．４ｍｏｌ％含有する（１００−ｘ−ｙ
）・ＳｒＴｉＯ＿３＋ｘ・Ｙ＿２Ｏ＿３＋ｙ・Ｎｂ＿２
Ｏ＿５としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体磁器コンデンサ。
（３）上記主成分に対しマンガンをＭｎＯに換算して０
．０２〜０．２ｍｏｌ％含有することを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の半導体磁器コンデンサ。
（４）上記主成分に対しＳｉＯ＿２を０．０１〜０．１
ｍｏｌ％含有することを特徴とする特許請求の範囲第２
項又は第３項記載の半導体磁器コンデンサ。
（５）上記主成分および副成分からなる組成を成形焼結
してなる半導体磁器の粉界にＢｉが偏在していることを
特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に
記載の半導体磁器コンデンサ。
（６）上記第１導電層はＡｇ、Ｚｎ、Ｃｕの中から選ば
れた少なくとも一種以上の金属及び／または金属酸化物
を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体磁器コンデンサ。
（７）上記第２導電層は金属酸化物を含有することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体磁器コンデ
ンサ。
（８）半導体磁器表面にアルミニウム粉末を主成分とす
る導電ペーストを塗布して焼成することにより第１導電
層を形成した後、該第１導電層の上に銅粉末を主成分と
する導電ペーストを塗布して中性または還元性雰囲気中
で焼成することにより第２導電層を形成することを特徴
とする半導体磁器コンデンサの製造方法。
（９）上記第１導電層を形成するための上記導電ペース
トは、アルミニウム粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクル
を含有することを特徴とする特許請求の範囲第８項記載
の半導体磁器コンデンサの製造方法。
（１０）上記第１導電層を形成するための前記導電ペー
ストはアルミニウム粉末とガラス粉末とを含有し、更に
、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕの中から選ばれた少なくとも一種以
上の金属粉末及び／または金属酸化物を含有することを
特徴とする特許請求の範囲第８項記載の半導体磁器コン
デンサの製造方法。
（１１）上記第２導電層を形成するための導電ペースト
は銅粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第８項、第９項または第１
０項記載の半導体磁器コンデンサの製造方法。
（１２）上記第２導電層を形成するための上記導電ペー
ストは銅粉末、ガラス粉末及び金属酸化物粉末を含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第８項、第９項また
は第１０項記載の半導体磁器コンデンサの製造方法。