JPS5910949A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡ８、
Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ｚｎＯ＋ＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母材として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−８ｔは、５ｉ−８ｔの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しておシ、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｔにＩＩを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０〜１０’Ω
−鋸であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。従って、ａ−８ｔ：Ｈの単層から女る感光
体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が低
いという問題点を有して（・る。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有して（・る。

他方、ａ−８ｉを高抵抗化するには、ａ−８ｔ膜を不純
物ドーピングにより真性化することや、基板−アモルフ
ァス炭化シリコン層−アモルファスシリコン層−表面電
荷ブロッキング層の積層体のｈくサンドイタチ構造に形
成することが考えられる。

しかしながらこの場合にも、上記した問題点を充分に解
消できない上に、上記の如き感光体は通常の電子写真プ
ロセスに使用したときに画像中に微細な白斑点が生じ易
いことが分った。

本発明者は、こうした問題点を生ぜしめる１つの大きな
要因として、ａ−８ｉ層等を設ける基板の表面状態（具
体的には表面粗さ）が関与していることをつき止めた。

即ち、１ｌ−８ｉ系感光体を特にグロー放電分解法に従
って作成する場合、従来σ）基体では表面粗さが大きい
（例えば２μｍｓ程度と大きい）ために、その粗さによ
って基板表面上のａ−８ｉ層のミクロ構造が悪影響を受
け、欠陥が多く生じ易い。これは、ａ−８ｉ層がＳｅ系
感光体の場合とは異なって著しく薄く（特に数１０μｍ
以下に）設けられることにも依るものである。この結果
、ａ−８ｉ層の電気抵抗は上昇せず、かつ暗減衰も大き
くなるという欠点がある。

これを防止するために、ａ−８ｉ層下に電荷ブロッキン
グ層を敷くことが一案であるが、このフ゛ロッキング層
は更に薄いために上記した欠陥が生じ易く、基板の表面
粗さの影響を受けて実用に供し得々くなる。

更にまた、Ｓｅ感光層を用いた感光体として例えば、特
公昭５１−４６４１１号によれば、グロー放電法により
金属基体の表面に酸化物被膜を形成し、この上に真空蒸
着法でＳｅ感光層を形成りこれによって暗減衰特性等を
改良できるとしている。

本発明者は、このグロー放電法による酸化物被膜の形成
に際１−１上述した基体の表面粗さについて検討を加え
、かつ上層の感光層等の形成についても検討した結果、
薄いａ−８ｉ系感光層を有する感光体においても基体の
表面状態の影響を大幅に軽減させ、暗減衰、帯電電位、
光感度、基体への接着性及び画質を大幅に改善できる構
造を見出し、本発明に到達したものである。

即ち、本発明による感光体は、表面粗さが０．０５〜１
．５μｍｓ　（基準長さ２５ｍ＋で測定したときの凹凸
の最大高さ）となるように加工された基体の表面にグロ
ー放電処理によって酸化物被膜が形成され、この酸化物
被膜上にグロー放電法によって（特に厚さ５〜４０μｍ
の）アモルファスシリコン系感光層が形成されているこ
とを特徴とするものである。

即ち、本発明によれば、まず第１ｅζ、基体の表面粗さ
を上記の特定範囲忙限定することによって上述した問題
点を基本的に解消できることがはじめて見出されたので
ある。表面粗さが１．５μｍｓを越え、従来品と同様に
粗くなった場合には、画像に白斑点が生じると共に、基
体からの電荷の注入が多くなって暗減衰が著しく増大し
てしまう。′また、表面粗さが０，０５μｍＳ未満であ
ると、逆に鏡面化し、却って基体に対する膜付きが悪く
なる。

従って、基体の表面粗さを０．０５μｍＳ〜１．５μｍ
ｓ（望ましくは０．１μｍ８〜１．２μｍｓ）に特定す
ることは必須不可欠であるが、この粗さ範囲は従来品で
は想定できないものであって、本発明者の重なる検討の
結果、はじめて見出されたものである。しかも、この表
面粗さ範囲は、膜厚の薄い（特ＶＣ５μｍ〜４０μｍ）
ａ−８ｉ系感光層を設ける場合に極めて効果的である。

つまり、ａ−８ｉ系感光層は厚さが薄い故に基体の表面
粗さの影響を受けるが、上記の如くに粗さ範囲を設定す
ることによって、充分に高抵抗で膜質の良いａ−８ｆ層
を形成できるのである。

更に第２に、基体の表面粗さが上記範囲に特定されてい
ることに加えて、基体の表面にグロー放電処理により特
に厚さ１５久〜１０００＾（望ましくは５０Ｘ〜５００
Ｘ）の酸化物被膜が形成され、これが一定の電荷ブロッ
キング作用をなすと同時に、上層の基体に対する接着性
向上の役割も果している。しかも、グロー放電処理によ
るものであるから、次のａ−８ｉ系感光層を引続いて同
′じグロー放電装置によって形成でき、従って感光体の
製造に際して連続処理が可能であって他の工程を追加す
る必要がなく、また他の工程を追加する場合に生じがち
な基体の汚染が防止され、かつ形成される膜自体が均一
なものとなる。

上記した暗減衰の減少及び白斑点の防止等の効果は、特
に上記酸化物被膜に接して電荷ブロッキング層を設ける
場合に顕著である。この電荷ブロッキング層は上記酸化
物被膜と二重プロツキ７７作用をなし、基体からのホー
ルや電子の注入を防止して表面帯電電位を保持する作用
があるが、上記した基体の表面粗さ範囲及び二重ブロッ
キング作用によって良好な状態で基体上に設けることが
できるため、ブロッキング機能が充二分に発揮されるこ
とになる。こうしたブロッキングＮＵ　５ｆ）″Ａ〜１
μｒｎ、望ｔしくｕ４ｏｏＸ〜５ｏｏｏｉの膜厚を有し
ているのがよいが、５０Ｘ未満では効果不充分であシ、
１μｍを越えると厚すぎて残留電位が残る原因となる。

ブロッキング層は周期表第ｍＡ族又は第ＶＡ族元累が高
ｓ度にドープされたアモルファスシリコン、アモルファ
ス炭化又は窒化シリコンからなっているのが望ましい。

このようなブロッキング層によって、上記の暗減衰、白
斑点の減少、帯管電位の向上の他に、高感度化、感光体
の薄膜化、基体との接着性向上の効果が得られる。

また、この電荷プロツキ／グ層上に、真性化されたアモ
ルファスシリコン系感光層が設けられるのがよく、唸た
、アモルファス炭化シリコン又はアモルファス窒化シリ
コンからなる電荷輸送層が設けられ、更にこの電荷輸送
層上にアモルファスシリコン又はアモルファスシリコン
ゲルマニウムの感光層が設けられるのがよい。

本発明における基体はアルミニウム又はその合金からな
っていてよいが、その表面粗さは次の加工方法（ａ）〜
（ｃ）のいずれかにより得ることができる。

（ａ）、基体の外周円筒面と砥石とを接触せしめた状態
で、基体及び砥石を夫々回転させながら砥石を所定の方
向へ送シ、これによって前記外周円筒面を研磨する方法
（以下、ＳＭ法と称する二本出願人による特開昭５６−
１５０７５５号、特開昭５６−１５０７５４号、特願昭
５６−２５６３５号）（ｂ）、基体表面に砥石を比較的
弱い力で押付け、前記砥石に振幅の小さい振動を与える
と同時に所定方向への送りをかけ、これによって前記基
体表面を研磨する方法（以下、ＳＦ法と称する：例えば
特開昭５３−１３４２４号による方法）（ｃ）、基体表
面に研磨剤を吹付けることによって前記基体表面をとき
上げする方法（例えば液体ホーニング法：例えば特開昭
５１−５８９５４号による方法） 尚、上記以外でも、電解研磨法で基体表面を上記粗さ範
囲に粗面化することは可能である。

次に、本発明による感光体の例を図面に基いて詳細に説
明する。

第１図には、予め０．０５〜１．５μｍＳの表面粗さに
加工されたアルミニウム、アルミニウム合金等の金属又
は金属合金からなる支持体（基板）１上に、公知のグロ
ー放電処理によって酸化物被膜（アルミｆ　ＡＬ２０ｓ
　）　２　ｄ！厚さ１５Ｘ−１０００Ｘ、　％に（５０
〜５００Ｘ　）に形成され、この被膜２上に厚さ５〜４
０μｍと薄いａ−８ｉ系感光層、特にａ−ｊ３ｉ：）ｉ
層３が設けられた感光体が示されている。

また、第２図のように、ａ−８ｉ系感光層３下に、基板
１の表面に接して厚さ５ｏＸ〜１μｍの電荷ブロッキン
グ層４が付加的に設けられるとよい。このブロッキング
層４は、上述した不純物が高濃度にドープされたＰ型（
更にｈｐ＋型）又ｔｉＮ型（更にはＮ＋型）　ａ−８ｉ
、　ａ−８ｉＣ又ｔｉａ−８ｉＮからなっていてよい。

このドープドａ−８ｉ系ブロッキング層の場合には、上
層のａ−８ｉ系感光層と同じプロセス（グロー放電分解
法）で形成でき、製造が容易となる。ドープされる不純
物としてボロン等の周期表第１１１Ａ族元素を用い、グ
ロー放電時に供給する反応ガス流量比を例えばＢ２Ｈ６
／　５ｉＨ４＝　１００〜１００，０００　ｐｐｍ　（
望ましくは１，０００〜１０，０００ｐｐｍ　）とすれ
ば、Ｐ型（更にはＰ＋型）ブロッキング層を作成できる
が、これは感光体表面を正帯電させて用いる場合に基板
からの電子の注入を防止するのに好適である。また、ド
ープされる不純物としてリン等の周期表第ＶＡ族元素を
用い、グロー放電時の流量比を例えばＰＨｓ／　５ｉＨ
ｉ　＝　１００〜１０．０００ｐｐｍとすれば、感光体
表面を負帯電させる際に基板からのホールの注入を防止
するＮ型（更には１型）ブロッキング層を作成できる。

また、第３図の如くに、ａ−８ｉ系（例えばａ−８ｉ、
ａ−８ｉＧｅ）感光層３と上記酸化物被膜２との間に、
ａ−８ｉ系（特にａ−８ｉ（：’又はａ−８ｉＮ）から
なる電荷輸送層５を厚さ５０００　Ｘ〜８０μｍに設け
ると、表面の電位保持及び光キヤリア輸送能が増大し、
高感度で残留電位の少ない感光体が得られる。

上記の不純物ドープドブロッキング層４上のａ−８ｉ系
感光層をボロン等の周期表第ｍＡ族元素のドーピング（
グロー放電時の流量比はＢ２Ｈ６／５ｉＨ４＝　１０〜
５００　ｐｐｍ　）によシ真性化すれば、高抵抗の感光
層となり、電位減衰の防止等を図ることができる。

次に、上記した感光体を作成するにｌ、基板１０表面を
表面粗さ０．０５〜１．５μｍｓＫ加工する研磨方法を
第４図〜第６図について説明する。

′第４図に示す例は特開昭５６−１５０７５５号等によ
るものであって、円筒状又は円柱状の基体材料ｌをその
中心軸Ｘを例えば水平としてその周シに回転せしめ、こ
の基体材料１の外周表面に、前記中心軸Ｘと直交する平
面と０°〜４５°の種々の角度をもつ回転軸Ｙの周ＤＫ
回転する砥石１２の端面な接触せしめ、更にこの砥石１
２を中心軸Ｘの方向に走行せしめ、これによシ前記基体
材料１０表面を研磨して電子写真感光体用基体を製造す
る。前記砥石１２の回転軸Ｙは必ずしも前記中心軸Ｘと
交わる必要はなく、第５図に示すように回転軸Ｙが前記
中心軸Ｘと外れる状態であってもよい。

図示の装置において、砥石１２は、略々その中央部にお
ける例えば水平な支点１３において支持体１４によシ枢
支された揺動自在なパー１５の一端に設けられ、このパ
ー１５ＩＩ′ｉ、その他端Ｋ例えば固定された重錘１６
及び必要に応じて当該パー１５の長さ方向に移−可能な
圧接力調整用重錘１７を有し、前記重錘】６の重量の大
きさ及び調整用重錘１７の位置を調整することによシ、
前記砥石１２０基体材料１に対する圧接力を調整するこ
とができる。又砥石１２の中心軸Ｘの方向の走行は、例
えば前記支点１３を有する支持体１４をレール等の走行
路上に配置することによって達成することができる。そ
して前記砥石１２Ｆｉ、例えば重錘１６を兼ねるモータ
ー等によ）駆動される。

次に、砥石による基体材料の研磨状況を第６図について
説明する。基体材料１の中心軸Ｘと直交する平面と砥石
】２の回転軸Ｙとのなす角０４５°となるように砥石１
２を設定するのがよい。このような研磨方法では、軸Ｙ
を中心にして、その投影図上での両側において砥石にか
かる力の不均衡がなく、したがってこのような不均衡に
よって生ずる砥石の振動がなく安定した作動が得られる
。

このように、第６図に示すように砥石を配置すること即
ち、砥石の回転軸を投影図上で傾けて設定することは、
研磨作業中の砥石の安定性を得るうえで好適であって前
記したθは最大４５°に至る種々の値を取シうる。斯か
る研磨装置としては、例えば特公昭５１−４６３１５号
公報に記載されたものがあり、その代表的な具体例とし
ては、三興機械株式会社製の「円筒研削鏡面仕上機」を
あげることができる。また使用される砥石としては、研
磨用砥石として一般に使用される砥石を使用することが
できる。その具体例としては、日本特珠研砥株式会社製
のｒＰＶＡ砥石」やｒＦＢＢ砥石」等を挙げることがで
きる。これらの砥石の種類によって、得られる表面粗さ
を種々変えることができる。

このようにして研磨すれば、主として円筒状又は円柱状
の基体材料の表面を高い寸法精度で研磨することができ
、得られる基体として、表面の面粗度が電子写真感光体
用基体の面粗度として好適な０．０５〜１．５μｍＳの
ものを容易かつ確実に製造することができる。また、得
られる基体の表面粗さのバラツキはほとんど全く認めら
れず、研磨条件を同一とする限り、常に一定の表面を得
ることができると共に、真円の円柱状表面を有し、うね
りのない基体が得られる。

なお、本実施例における基体（又は基板）の表面粗さは
、表面粗さ計（例えば株式会社　東京精密製）やサーフ
コムＩＣ型連続指示計（通常は、２５Ｗ幅をスキャンし
、最高の山と谷の間隔μｍ１又は次の高さの山と谷の間
隔μｍを計るもの）で測定したものである。

以下、上記の研磨方法を含む３通りの加工方法を基体表
面に施す場合の例を説明する。

例１（８Ｍ法） 外径１２０ｍ、長さ３４０ｍのアルミニウム管体を基体
材料とし、下記の条件で表面加工を行なった。

加工装置：円筒研削鏡面仕上機 砥石：　ｒＰＶＡ−１５００Ｊ　（外径２００■、厚み
５０ｍ＋、取付用中心穴径５０ｍ（錘紡社製） 砥石の回転数：　８００　ｒ、ｐ、ｍ。

砥石の送り速度：０．７ｍ／分 砥石の圧接カニ４０Ｖ４ 基体中心軸に直交する平面と砥石回転軸のなす角度θ：
４５゜ 基体材料の回転周速度ニア５ｍ／分 研磨回数：往復１回 研磨液：ｒＰＶＡ研磨液研磨液（日本グリース社製） 得られた加工済管体は、表面粗度が０．８μｍｓの均一
な面粗度を有し、外径が１２０，００３ｍであシ、波長
９３０ｎｍの光の反射率が２４％のものであった。

例２（ＳＦ法） 次の条件で上記アルミニウム管体を加工した。

加工装置：旋盤ｒＬＰＴ−３５０型」（ワシノ機械社製
）超仕上装置ｒＴ−８Ｅ１４０ 型」（東洋工業社製） 砥　石：　ｒ　ＦＢ　Ｂ−ＧＣ１０００Ｊ　（日本特殊
研砥社製） 砥石の振動数：　１５００　Ｃ／分 砥石の圧接カニ０．６匂／ｄ 基体材料の回転周速度：１５０ｍ／分 砥石の送り速度：　５００　ｗｍ１分 研磨回数：１回 研磨液：水道水 得られた基体の表面粗さは０．８μｍｓであった。

また、下記の条件で液体ホーニング法に従って、上記ア
ルミニウム管体を加工してもよい。

加工装置：ｒＦ−ｓ型」（不二精機製造所社製）研磨剤
：珪石粉末ｒ　＋２０００　Ｊ 加工液：水道水（研磨剤／加工液＝４：１（重、Ｍ′）
） 空気圧：　３．ＯＫｆ／ｃｔ／ｉ ノズルと基体材料との距離：８０ｍ 吹付角度：６０度 ノズル口径：直径８．３　ｗｍ 上記の如くに表面研磨され、表面粗さを種々変えた各基
体上に、グロー放電法によってアルミナからなるブロッ
キング層２を形成し、更にグロー放電法によって必要と
あればブロッキング層４、キャリア輸送層５を形成し、
更にａ−８ｉ系悪感光３を形成した。

なお、酸化物被膜２の膜厚は次の方法で測定可能である
。

（１）、干渉顕微鏡を使用。

単色光を照射し、ニュートンリングの数を数え、公知の
計算式から算定する。

（２）、テーラーホブソン社製のタリスチップ測定器を
使用。

（３）、エリプソメーターを使用。

偏光されたベリラム−ネオンレーザ−光ヲ照射し、偏光
が回転するのを計る。

上記の各層の形成に用いるグロー放電装置としては、第
７図に示すものを使用してよい。

この装置２１の真空槽ｎ内では、上記した基板１が基板
保持部ス上に固定され、ヒーター５で基板１を所定温度
に加熱し得るようになっている。基板１に対向して高周
波電極ｎが配され、基板１との間にグロー放電が生ぜし
められる。なお、図中の１１３１．３２．３３．３７、
あ、３９．４４．４６．４８は各パルプ、４１はＳ　ｉ
Ｈ＜又はガス状シリコン化合物の供給源、４２はＢ２Ｈ
６或いはＰＨｓ、０２、ＣＨ４又はガス状炭素化合物の
供給源、４３はＡｒ又はＨ２等のキャリアガス供給源で
ある。このグロー放電装置において、まず支持体である
例えば）１基板１０表面を清浄化した後に真空槽ｎ内に
配置し、真空槽ｎ内のガス圧が１０’Ｔｏｒｒとなるよ
うにバルブ４６を調節して排気し、かつ基板１を所定温
度、例えば３０〜４００℃に加熱保持する。次いで、高
純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又は
ガス状シリコン化合物、及びＢ２Ｈ６或いはＰＨｓ、０
２、ＣＨ４又はガス状炭素化合物を適当量希釈した混合
ガスを真空槽２２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔ
ｏｒｒの反応圧下で高周波電源渓によシ高周波電圧（例
えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。これによって
、上記各反応ガスをグロー放電分解し、水素を含むボｏ
７ドープドａ−８ｉ：Ｈ又はａ−８ｉＣ：Ｈを上記の層
４．５．３として基板１上に堆積させる。なお、酸化物
被膜２の形成時には、０２ガスの導入下でグロー放電処
理すればよい。また、上記ＣＨ４に代えてＮＨ３又はＮ
２を供給すれば、アモルファス窒化シリコンを形成でき
る。

こうして得られた各感光体について、静電特性及び基体
に対する膜付き、コピー画質を下記表に示す。なお、こ
のテストに当っては、川口電気社製エレクトロメータ、
及びＵ−ＢｉｘＶ−２改造機（小西六写真工業■製）に
ょシ性能テストを行なった。

（以下余白、次頁へ続く） なお、上記表中、 ◎　膜剥れ全くなし ○　膜剥れ一部のみに発生 △　膜剥れ部分的に発生 ×　膜剥れ全面に発生 また、膜付きテストでは、１ｃｒｎ幅の粘着テープを結
句けて瞬間的に剥離した場合の結果を示した。

又、前記表中の酸化被膜の膜厚は上述したエリプソメー
ターによシ測定した。

また、−上記表中、画質については、 ◎　濃度が高く（反射濃度１．０以上）、画質も良好。

○　濃度が普通（反射濃度１．０〜０．６）だが、良。

上記した結果によれば、本発明に従って表面粗さ０．０
５〜１．５μｍＳの基体上に各層を設け、かつ基体上に
酸化物被膜を形成した場合には静電特性、光感度、画質
、膜付きがすべて良好となシ、更に二重ブロッキング層
を設けると更に静電特性が良くなることが分る。即ち、
上記表面粗さが０．０５μｍＳ未満では膜付きが悪くな
り、１．５μｍＳを越えると暗減衰が大きくなる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図、第２図
、第３図は感光体の各側の断面図、 第４図及び第５図は研磨装置の各概略図、第６図は基体
及び砥石部分の縦断面図、第７図はグロー放電装置の概
略断面図 である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・基板（基体） ２・・・・・・・・酸化物被膜 ３・・・・・・・・・ａ−８ｉ系感光層４・・・・・・
・・・ブロッキング層 ５・・・・・・・・・電荷輸送層 １２・・・・・・・・・砥石 １６・・・・・・・・・重錘 ｌ７・・・・・・・・・調整用重錘 ２１・・・・・・・・・グロ、−放電装置ｎ・・・・・
・・・・高周波電極 ４１・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源４
２・・・・・・・・・Ｂ２Ｈ６、ＰＨｓ、０２又株゛ガ
ス状炭素化合物供給源４３・・・・・・・・・キャリア
ガス供給源である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　　宏 第１図 第２図 第３図 第４図 第６図 第７図 （自発）手続？市正書 昭和５８年６月ｔ′ｇ日 １、事件の表示 昭和５７年　　特許　願第１０２４２３号２、発明の名
称 感　　　光　　　体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、細正により増加する発明の数 （１）、明細書第４頁ＩＯ行目のｒａ−３ｉを高抵抗化
するには」をｒａ−３ｔ：Ｈを電位保持能の付与のため
に高抵抗化するには」と訂正します。 （２）、同第４頁１２〜１３行目の「アモルファス炭化
シリコン層・・・・・・・・・表面電荷ブロッキング層
」を「アモルファス水素化炭化シリコン層−アモルファ
ス水素化シリコン層−表面改質層」と訂正します。 （３）、同第４頁末行、第５頁６行目及び１２２行目第
１２頁１０行目の「ａ−３ｉＪをｒａ−５ｉ：ＨＪと夫
々訂正します。 （４）、同第５頁７行目のｒａ−３ｉ層」を「ａ−３ｉ
系感光体」と訂正します。 （５）、同第５頁８〜９行目の［著しく薄く　（特に数
１０８ｍ以下に）」を「薄く　（特に４０μ−以下に）
」と訂正します。 （−６）、同第５頁１０行目のｒａ−３ｉ層の電気抵抗
」を「ａ−３ｉ系感光体の帯電電位」と訂正します− （７）、同第７頁下から５行目の「高抵抗で膜質の良い
ａ−５ｉ層」を［帯電能が高くて膜質の良いａ−３ｉ系
悪感光」と訂正しま、す。 （８）、同第９頁６〜７行目の「窒化シリコン」を「窒
化シリコン、或いはＡｊ！２０ａ、Ｓ　ｉ　Ｏ２又はＳ
ｉＯ等の絶縁性物質」と訂正しまず。 （９）、同第９頁下から４行目と３行目との間に下記の
記載を加入します。 記 「なお、上記の電荷ブロッキング層、電荷輸送層、感光
層を構成するアモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンゲルマニウム、アモルファス炭化シリコン又はアモ
ルファス窒化シリコン等には、水素原子を結合させるが
、水素原子に代えて或いは併用してフン素原子を結合さ
せ、これによってａ−３ｉ　：Ｆ、ａ−３ｉ　：Ｈ：Ｆ
、ａ−３ｉＧｅ：Ｆ、ａ−５ｉＧｅ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉ
Ｃ：Ｆ。 ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ、ａ−５ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ
：Ｆとしてもよい。」 （１０）　、同第９　頁１２行目の「アモルファスシリ
コン系感光層」を［アモルファスシリコン系感光シ及び
表面改質層」と訂正します。 （１１）　、同第９頁１７行目の１感光層」を［感光層
及び表面改質層」と訂正します。 （１２）　、同第１１頁９行目の「基板１」を「酸化物
被膜２」と訂正します。 （１３）　、同第１１頁１３行目の「ａ−３ｉ、　ａ−
３ｔＣ又はａ−５ｉＮＪをｒａ−３ｉ　：　Ｈ，ａ−３
ｉＣ：　Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ，或いはＡＮ２０３、Ｓ
　ｉ　０２又はＳｉＯ等の絶縁性物質」と訂正します。 （１４）　、同第１２頁１１行目のｒａ−３ｉＧｅＪを
ｒａ−３ｉＧｅ　：　ＨＪと訂正します。 （１５）　、同第１２頁１２行目のｒａ−３ｉＣ又はａ
−３ｉＮＪをｒａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：ＨＪと
訂正します。 （１６）　、同第１２頁１３行目のｒ８（ｌｕｍＪをｒ
３５μｍ　ｊと訂正します。 （１７）　、同第１２頁１４行目の「及び光キヤリア輸
送」を削除します。 （１８）　、同第１８真下から２〜１行目の１ａ−３ｔ
系感光層３」をｒａ−３ｉｉ感光層３と表面改質層」と
訂正します。 （１９）′、同第１９頁末行〜第２０頁２行目のｒＢ２
Ｈ６・・・・・・・・・である。」を「０２供給源、４
３はＣＨ４又はガス状炭素化合物の供給源である。なお
、図示省略したが、Ｂ　２　Ｈ６又はＰＨ３供給源や、
Ａｒ又はＨ２等のキャリアガス供給源も同様に設けられ
ている。」と訂正します。 （２０）　、同第２０頁７行目の［加熱保持する。Ｊを
「加熱保持する。酸化物波１＊２の形成時には、０２ガ
スの導入下でグロー放電処理すればよい。」と訂正しま
す。 （２１）　、同第２０頁下から５〜３行目の「なお、・
・・・・・・・・ずればよい。」を削除します。 （２２）　、同第２０頁末行と第２１頁１行目との間に
下記の記載を加入します。 記 「なお、電荷ブロッキング層や表面改質層はグロー放電
法以外の例えば蒸着法で形成されたＳ　ｉ０２膜等から
なっていてよい。」 （２３）、同第２１頁３行目の「示す。」を「示す。 画像評価に当たっては、ドラム用のグロー放電装置によ
って作製されたドラム状感光体を使用した。」と訂正し
ます。 （２４）、同第２５頁２行目〜６行目の「２１・・・・
・・・・・キャリアガス供給源」を削除します。 −以　上− （命令）　手続ネ甫正書（方式）゛ 昭和５８年８月２０日 １、事件の表示 昭和５７年　　特許　願第１０２４２３号２、発明の名
称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿ｊ丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ８、補正の内容 に従出しよ】。 印引手続補正書 昭和５８年６月１８日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 ■、事件の表示 昭和５７年　　特許　願第１０２４２３号２、発明の名
称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 住　所　東京都立川市柴崎町３−９−１７鈴木ビル２階
氏名（７６０５）弁理士逢坂　宏 ５、補正命令の日付 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な説明の
欄 ８、補正の内容

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、表面粗さが０，０５〜１．５μｍｓとなるように加
   工された基体の表面にグロー放電処理によって酸化物被
   膜が形成され、この酸化物被膜上にグロー放電法によっ
   てアモルファスシリコン系感光層が形成されていること
   を特徴とする感光体。 ２、周期表第ｍＡ族又は第ＶＡ族元素が高濃度にトーフ
   サれたアモルファスシリコン、アモルファス炭化シリコ
   ン又はアモルファス窒化シリコンからなる電荷ブロッキ
   ング層が酸化物被膜と感光層との間に設けられている、
   特許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、感光層が真性化されたアモルファスシリコン系感光
   層からなる、特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載
   した感光体。 ４、アモルファス炭化シリコン又はアモルファス窒化シ
   リコンからなる電荷輸送層と、アモルファスシリコン又
   はアモルファスシリコンゲルマニウムからなる感光層と
   が酸化物被膜上に積層せしめられている、特許請求の範
   囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。 ５、基体がアルミニウム又はアルミニウム合金からなっ
   ている、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１
   項に記載した感光体。 ６、基体表面が次の（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）のいずれか
   の方法で加工されている、特許請求の範囲の第１項〜第
   ５項のいずれか１項に記載した感光体。 （ａ）、基体の外周円筒面と砥石とを接触せしめた状態
   で、前記基体及び前記砥石を夫々回転させながら前記砥
   石を所定の方向へ送り、これによって前記外周円筒面を
   研磨する方法、 （ｂ）、基体表面に砥石を比較的弱い力で押付け、前記
   砥石に振幅の小さい振動を与えると同時に所定方向への
   送りをかけ、これによって前記基体表面を研磨する方法
   、 （Ｃ）、基体表面に研磨剤を吹付けることによって前記
   基体表面をとぎ上げする方法。