JPS6385640A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6385640A JPS6385640A JP23188786A JP23188786A JPS6385640A JP S6385640 A JPS6385640 A JP S6385640A JP 23188786 A JP23188786 A JP 23188786A JP 23188786 A JP23188786 A JP 23188786A JP S6385640 A JPS6385640 A JP S6385640A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明はシリコンを光導電層に用いた電子写真感光体に
関し、特に帯電特性、暗減衰特性および光感度特性等を
改善した電子写真感光体に係る。
関し、特に帯電特性、暗減衰特性および光感度特性等を
改善した電子写真感光体に係る。
(従来の技術)
水素を含有するアモルファスシリコン(以下、a−St
:Hと略す)は、近年光電変換材料として注目されて
′1?シ、太陽電池、薄膜トランジスタ、およびイメー
ジセンサ等の外、電子写真プロセスの感光体にも応用さ
れている。
:Hと略す)は、近年光電変換材料として注目されて
′1?シ、太陽電池、薄膜トランジスタ、およびイメー
ジセンサ等の外、電子写真プロセスの感光体にも応用さ
れている。
電子写真感光体としてのa−8i :Hは下記のような
特長を有しているため、従来広く使用されて来た電子写
真感光体の光導電層構成材料、即ちCdS 。
特長を有しているため、従来広く使用されて来た電子写
真感光体の光導電層構成材料、即ちCdS 。
ZnO,Ss、若しくは5e−Te等の無機材料や、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール(PVCz )若しくはト
リニトロフルオレ≠ン(TNF )等の有機材料に代る
電子写真グロセスの感光体として注目されている。
リ−N−ビニルカルバゾール(PVCz )若しくはト
リニトロフルオレ≠ン(TNF )等の有機材料に代る
電子写真グロセスの感光体として注目されている。
第一の特長は、 a−81:Hが無公害物質であるため
、前記の無機材料および有機材料のように回収処理の必
要がないことである。
、前記の無機材料および有機材料のように回収処理の必
要がないことである。
第二の特長は、可視光領域で高い分光感度を有し、また
表面硬度が高く耐摩耗性および耐衝撃性が優れている等
の利点を有していることである。
表面硬度が高く耐摩耗性および耐衝撃性が優れている等
の利点を有していることである。
上記特長を有するa−8i :Hは、カールソン方式(
ゼログラフィ一方式)による感光体として検討が進めら
れている。
ゼログラフィ一方式)による感光体として検討が進めら
れている。
(発明が解決しようとする問題点)
カールノン方式による感光体には光感度が高いことのみ
ならず、表面電荷を充分に保持できる高い抵抗が要求さ
れるが、この両特性をa−8t :H単一膜構造で満足
させることは困難である。このため、a−8t:H光導
電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、且つ光導電
層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とすること
Kよって電荷保持能力を高め、上記の要求を満足させる
手段が採用されている。この場合、障壁層および表面電
荷保持層としてはa−8iが用いられているが、このよ
うに全体がa−8lからなる感光体では、帯電特性、暗
減衰特性および光感度特性において、望ましい特性が得
られないという問題がある。
ならず、表面電荷を充分に保持できる高い抵抗が要求さ
れるが、この両特性をa−8t :H単一膜構造で満足
させることは困難である。このため、a−8t:H光導
電層と導電性支持体との間に障壁層を設け、且つ光導電
層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構造とすること
Kよって電荷保持能力を高め、上記の要求を満足させる
手段が採用されている。この場合、障壁層および表面電
荷保持層としてはa−8iが用いられているが、このよ
うに全体がa−8lからなる感光体では、帯電特性、暗
減衰特性および光感度特性において、望ましい特性が得
られないという問題がある。
そこで、これらの問題を解決するため、感光体全体をa
−81だけで形成するのではなく、障壁層や表面電荷保
持層としてマイクロクリスタリンシリコン(以下、μc
−8lと略す)や窒化ホウ素を用いることが考えられる
。しかし、a−8iとは特性および成膜性の異なる異積
の膜を積層する場合、以下のような問題がある。
−81だけで形成するのではなく、障壁層や表面電荷保
持層としてマイクロクリスタリンシリコン(以下、μc
−8lと略す)や窒化ホウ素を用いることが考えられる
。しかし、a−8iとは特性および成膜性の異なる異積
の膜を積層する場合、以下のような問題がある。
(1) 成膜から感光体を複写機に組込んでの画像形
成に至るまでの間に1層剥離や亀裂の発生が生ずる。
成に至るまでの間に1層剥離や亀裂の発生が生ずる。
(2) 層界面に生じたトラップレベルに由来する特
性の劣化、特に感度の低下が生ずる。
性の劣化、特に感度の低下が生ずる。
以上のような問題は、いずれも層界面の接合性に帰因す
るものである。
るものである。
本発明は上記事情の下になされたもので、帯電能に優れ
、近赤外領域までの広い波長領域にわたって高い光感度
であシ、かつ各層間の密着性が良好な電子写真感光体を
提供することを目的とする。
、近赤外領域までの広い波長領域にわたって高い光感度
であシ、かつ各層間の密着性が良好な電子写真感光体を
提供することを目的とする。
[発明の構成コ
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、営為研究を重ねた結果、障壁層として窒
化ホウ素からなる層とμc−81からなる表面電荷保持
層からなる積層体の層の厚み方向におけるホウ素原子お
よび窒素原子の濃度分布を連続分布とすることにより、
上記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成する
に至りたものである。
化ホウ素からなる層とμc−81からなる表面電荷保持
層からなる積層体の層の厚み方向におけるホウ素原子お
よび窒素原子の濃度分布を連続分布とすることにより、
上記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成する
に至りたものである。
即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と、該
支持体上に形成された窒化ホウ素からなる第1の障壁層
と、該第1の障壁上に形成された窒素原子を含むマイク
ロクリスタリンシリコン(μc−3l )からなる第2
の障壁層と、該第2の障壁層上に形成された5原子チ以
下の水素原子を含むアモルファスシリコン(a−8i
)からなる光導電性層と、該光導電性層上に形成された
窒化ホウ素からなる表面電荷保持とを具備し、前記導電
性支持体上に形成された各層からなる積層体の層の厚み
方向におけるホウ素原子および窒素原子の濃度分布が連
続であることを特徴とする。
支持体上に形成された窒化ホウ素からなる第1の障壁層
と、該第1の障壁上に形成された窒素原子を含むマイク
ロクリスタリンシリコン(μc−3l )からなる第2
の障壁層と、該第2の障壁層上に形成された5原子チ以
下の水素原子を含むアモルファスシリコン(a−8i
)からなる光導電性層と、該光導電性層上に形成された
窒化ホウ素からなる表面電荷保持とを具備し、前記導電
性支持体上に形成された各層からなる積層体の層の厚み
方向におけるホウ素原子および窒素原子の濃度分布が連
続であることを特徴とする。
本発明の感光体において、第1の障壁層の厚みは200
〜5,0OOX、第2の障壁層の厚みは200〜5,0
OOX、表面電荷保持層の厚みは500〜10.000
Xであるので好ましい。
〜5,0OOX、第2の障壁層の厚みは200〜5,0
OOX、表面電荷保持層の厚みは500〜10.000
Xであるので好ましい。
第2の障壁層および表面電荷保持層を構成するμe−8
tは、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶シリコンと
非晶質シリコンとの混合層によシ形成されているものと
考えられ、以下のような物性上の特徴を有している。第
一に、X線回折測定では2θが28〜28.5°付近に
ある結晶回折/fターンを示し、ハローのみが現れる無
定形のa−81から明確に区別される。第二に、μc−
3iの暗抵抗は1010Ω・1以上に調整することがで
き、暗抵抗が105Ω・画のポリクリスタリンシリコン
からも明確に区別される。
tは、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶シリコンと
非晶質シリコンとの混合層によシ形成されているものと
考えられ、以下のような物性上の特徴を有している。第
一に、X線回折測定では2θが28〜28.5°付近に
ある結晶回折/fターンを示し、ハローのみが現れる無
定形のa−81から明確に区別される。第二に、μc−
3iの暗抵抗は1010Ω・1以上に調整することがで
き、暗抵抗が105Ω・画のポリクリスタリンシリコン
からも明確に区別される。
μc−8iに窒素原子を添加するのは、μe−8iの暗
抵抗を大きくし、感光体の光導′IL%性を高めるため
である。窒素原子の含有量は2〜50原子係が好ましい
、窒素原子はμc−8tの粒界に析出し、Siのダング
リングボンドのターミネータ−として作用してバンド間
の禁制帯中に存在する状態密度を減少させるものと考え
られる。
抵抗を大きくし、感光体の光導′IL%性を高めるため
である。窒素原子の含有量は2〜50原子係が好ましい
、窒素原子はμc−8tの粒界に析出し、Siのダング
リングボンドのターミネータ−として作用してバンド間
の禁制帯中に存在する状態密度を減少させるものと考え
られる。
μe−8lの導電型は、p型であっても、n型であって
も、またl型であってもよい。μc−8tをp型とする
ためにドーピングする不純物元素としては、周期律表第
■族の元素例えばB、At、Ga、In、Tt等が好ま
しい。μe−8iをn型とするためにドーピングする不
純物元素としては、周期律表第V族の元素例えばN、P
、As%sb%B1等が好ましい。
も、またl型であってもよい。μc−8tをp型とする
ためにドーピングする不純物元素としては、周期律表第
■族の元素例えばB、At、Ga、In、Tt等が好ま
しい。μe−8iをn型とするためにドーピングする不
純物元素としては、周期律表第V族の元素例えばN、P
、As%sb%B1等が好ましい。
これら不純物元素のドーピングは、支持体から電荷が光
導電層に注入されるのを防止するため、光導電特性を高
めるため、又はi型としてμc−8tを高抵抗化するた
めに行なわれる。
導電層に注入されるのを防止するため、光導電特性を高
めるため、又はi型としてμc−8tを高抵抗化するた
めに行なわれる。
μc−8i層およびBN層の形成は、a−Si層の形成
と同様にして、シランガス等を原料ガスとして用いた高
周波グロー放電によシ行なうことができる。
と同様にして、シランガス等を原料ガスとして用いた高
周波グロー放電によシ行なうことができる。
ただし、a−81層の形成の場合よりも支持体の温度を
高めに設定し、高周波電力も大きくすることにより容易
に形成することができる。このように支持体温度を高め
、高周波電力を大きくすることにより、原料ガスの流量
を増大させることも可能となシ、その結果成膜速度を増
大させることができる。また、原料ガスを水素で希釈し
た場合には特にμc−8lが効果的に形成できる。
高めに設定し、高周波電力も大きくすることにより容易
に形成することができる。このように支持体温度を高め
、高周波電力を大きくすることにより、原料ガスの流量
を増大させることも可能となシ、その結果成膜速度を増
大させることができる。また、原料ガスを水素で希釈し
た場合には特にμc−8lが効果的に形成できる。
μc−8i層中には水素が0.1〜30原子俤含まれて
いることが望ましい。水素を含有することにより暗抵抗
と明抵抗との比が調和のとれたものとなり、光導電特性
が改善される。μe−8t層中への水素の添加は、例え
ばグロー放電分解法によりμc−31層の形成を行なう
場合には、原料ガスとしてのSiHやS i 2H6等
のシランガスとキャリアガスとしての水素等を反応室に
導入してグロー放電を行なうことによシ実施できる。別
の方法として、sip +5tcz4等のハロゲン化ケ
イ素と水素の混合ガスを原料としてもよく、また、シラ
ン類とハロゲン化ケイ素の混合ガス系において反応を行
なわせてもよい。
いることが望ましい。水素を含有することにより暗抵抗
と明抵抗との比が調和のとれたものとなり、光導電特性
が改善される。μe−8t層中への水素の添加は、例え
ばグロー放電分解法によりμc−31層の形成を行なう
場合には、原料ガスとしてのSiHやS i 2H6等
のシランガスとキャリアガスとしての水素等を反応室に
導入してグロー放電を行なうことによシ実施できる。別
の方法として、sip +5tcz4等のハロゲン化ケ
イ素と水素の混合ガスを原料としてもよく、また、シラ
ン類とハロゲン化ケイ素の混合ガス系において反応を行
なわせてもよい。
なお、成膜は、グロー放電分解法に限らず、スパッタリ
ング法によシ形成することも可能である。
ング法によシ形成することも可能である。
(実施例)
以下、グロー放電法を用いて本発明の電子写真感光体を
呉造した例について具体的に説明する。
呉造した例について具体的に説明する。
第1図は本発明の電子写真感光体の製造に用いた装置を
示す。同図において、ガスボンベ1,2゜3.4には、
例えば夫々SiH4,B2H6,H2,CH4等の原料
ガスが収容されている。これらガスゴンペ内のガスは、
流量調整用のパルプ6及び配管7を介して混合器8に供
給されるようになりている。
示す。同図において、ガスボンベ1,2゜3.4には、
例えば夫々SiH4,B2H6,H2,CH4等の原料
ガスが収容されている。これらガスゴンペ内のガスは、
流量調整用のパルプ6及び配管7を介して混合器8に供
給されるようになりている。
各ボンベには圧力計5が設置されており、該圧力計5を
監視しつつパルプ6を調整することにより混合器8に供
給する各原料ガスの流量及び混合比を調節できる。混合
器8にて混合されたガスは反応容器9に供給される6反
応容器9の底部11には、回転軸10が鉛直方向の回シ
に回転可能に取付けられている。該回転軸10の上端に
、円板状の支持台12がその面を回転軸IQに垂直にし
て固定されている0反応容器9内には、円筒状の電極3
がその軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて底部1
1上に設置されている。感光体のドラム基体14が支持
台12上にその軸中心を回転軸10の軸中心と一致させ
て載置されており、このドラム基体14の内側にはドラ
ム基体加熱用のヒータ15が配設されている。電極13
とドラム基体14との間には高周波電源16が接続され
ており、電極13およびドラム基体14間に高周波電流
が供給されるようになっている0回転軸10はモータ1
8により回転駆動される0反応容器9内の圧力は圧力計
17によシ監視され、反応容器9はデートパルプ18を
介して真空ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている
。
監視しつつパルプ6を調整することにより混合器8に供
給する各原料ガスの流量及び混合比を調節できる。混合
器8にて混合されたガスは反応容器9に供給される6反
応容器9の底部11には、回転軸10が鉛直方向の回シ
に回転可能に取付けられている。該回転軸10の上端に
、円板状の支持台12がその面を回転軸IQに垂直にし
て固定されている0反応容器9内には、円筒状の電極3
がその軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて底部1
1上に設置されている。感光体のドラム基体14が支持
台12上にその軸中心を回転軸10の軸中心と一致させ
て載置されており、このドラム基体14の内側にはドラ
ム基体加熱用のヒータ15が配設されている。電極13
とドラム基体14との間には高周波電源16が接続され
ており、電極13およびドラム基体14間に高周波電流
が供給されるようになっている0回転軸10はモータ1
8により回転駆動される0反応容器9内の圧力は圧力計
17によシ監視され、反応容器9はデートパルプ18を
介して真空ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている
。
第2図は、本発明の電子写′:fc感光体の断面図であ
る。ドラム基体14上には、それぞれの1間に緩衝層2
0を間にはさんで、第1の障壁層21、第2の障壁層2
2、光導電層23および表面電荷保持層24が順次積層
されている。
る。ドラム基体14上には、それぞれの1間に緩衝層2
0を間にはさんで、第1の障壁層21、第2の障壁層2
2、光導電層23および表面電荷保持層24が順次積層
されている。
上記型造装置により感光体を判造する場合には。
反応容器9内にドラム基体14を設置した後、ダートパ
ルプ19を開にして反応容器9内を約0.1Torrの
圧力以下に排気する。次いで、ポンベ1゜2.3.4か
ら所要の反応がスを所定の混合比で混合して反応容器9
内に導入する。この場合に、反応容器9内に導入するガ
ス流量は反応容器9内の圧力が0.1乃至1. OTo
rrになるように設定する。
ルプ19を開にして反応容器9内を約0.1Torrの
圧力以下に排気する。次いで、ポンベ1゜2.3.4か
ら所要の反応がスを所定の混合比で混合して反応容器9
内に導入する。この場合に、反応容器9内に導入するガ
ス流量は反応容器9内の圧力が0.1乃至1. OTo
rrになるように設定する。
次いで、モータ18を作動させてドラム基体14を回転
させ、ヒータ15によりドラム基体14を一定温度に加
熱すると共に、高周波電源16によシミ極13とドラム
基体14との間に高周波電流を供給して、両者間にグロ
ー放電を形成する。これによシ、ドラム基体14上に各
層が堆積する。
させ、ヒータ15によりドラム基体14を一定温度に加
熱すると共に、高周波電源16によシミ極13とドラム
基体14との間に高周波電流を供給して、両者間にグロ
ー放電を形成する。これによシ、ドラム基体14上に各
層が堆積する。
なお、原料ガス中にN20、NH3、No2、N2、C
H4、C2H4,02ガス等を使用することによυ、こ
れらの元素を各層中に含有させることができる。
H4、C2H4,02ガス等を使用することによυ、こ
れらの元素を各層中に含有させることができる。
次に、第1図に示す装置を用いて成膜し、本発明に係る
電子写真感光体(実施例)と実施例と比較するための電
子写真感光体(比較例)をそれぞれ製造し、それらの特
性を試験した結果について説明する。
電子写真感光体(実施例)と実施例と比較するための電
子写真感光体(比較例)をそれぞれ製造し、それらの特
性を試験した結果について説明する。
実施例
第1図に示す装置を用い、次の各工程によシAtドラム
基体14上に成膜を行なった。
基体14上に成膜を行なった。
(1)昇温
反応容器9内にAtドラム基体14を設置した後。
排気系を作動させ、反応容器内を10−3torr以下
とするとともに、Atドラム基体14をヒーター15に
より300℃に昇温する。
とするとともに、Atドラム基体14をヒーター15に
より300℃に昇温する。
(2) 第1の障壁層CBN層)の形成反応容器9内
にH・で希釈された1 % B2H6ガスを流量60
SCCMで、N2ガスを流−1i800secMでそれ
ぞれ導入し、反応容器9内の圧力を0.5torrとす
る。次に、高周波電源16から電極13に13.56M
Hz、1 kWのRF定電力印加し、グロー放電を生ぜ
しめ、ドラム基体14上にBN層を形成する。
にH・で希釈された1 % B2H6ガスを流量60
SCCMで、N2ガスを流−1i800secMでそれ
ぞれ導入し、反応容器9内の圧力を0.5torrとす
る。次に、高周波電源16から電極13に13.56M
Hz、1 kWのRF定電力印加し、グロー放電を生ぜ
しめ、ドラム基体14上にBN層を形成する。
この条件で6分30秒間成膜を続け、第1の障壁層を形
成する。
成する。
(3)第2の障壁層(μc−8t層)の形放第1の[壁
層の成膜に引続き、ガスおよびRF定電力供、袷を停止
することなく、次のように成膜条件を変化させる。即ち
、ガス流量について、B2H6,fxを60 SCCM
から15SCcMへ、N2ガスを800 SCCMから
260 SCCMへと変化させる。
層の成膜に引続き、ガスおよびRF定電力供、袷を停止
することなく、次のように成膜条件を変化させる。即ち
、ガス流量について、B2H6,fxを60 SCCM
から15SCcMへ、N2ガスを800 SCCMから
260 SCCMへと変化させる。
また、BN層形成には用いられなかったSiH4ガスを
OSCCMから80 SCCMまで導入する。更に、印
加電力を1 kWから1.2 kWへと変化させる。
OSCCMから80 SCCMまで導入する。更に、印
加電力を1 kWから1.2 kWへと変化させる。
このような底膜条件の変化に要する時間は10分間であ
る。ガス流量およびRF定電力変化量は、仕過時間に比
例させてもよく、あるいは適宜変化させてもよい。成膜
条件が変化している間に形成された膜が緩衝層である。
る。ガス流量およびRF定電力変化量は、仕過時間に比
例させてもよく、あるいは適宜変化させてもよい。成膜
条件が変化している間に形成された膜が緩衝層である。
成膜条件の変化の完了後の条件を40分間維持して、p
型のμe−81:Nからなる第2の障壁層の成膜を終了
する。
型のμe−81:Nからなる第2の障壁層の成膜を終了
する。
(4)光導電性層(a−8l:H層)の形成第2の障壁
層の形成後、原料ガスの供給およびRF定電力印加を停
止することなく、そのまま成膜条件を変化させるだけで
a−3t :Hからなる光導電性層を形成する。即ち、
S iH4がスの流量を80SCCMから120 SC
CMへと、N2ガスの流量を260 SCCMから30
SCCMへと、B2H6がス(1壬)を15 SCC
Mから5 SCCMへと変化させる。また、新たにAr
ガスをOから300 SCCMまで流す。同時に、印加
電力を1.2 kWから0.2 kWへと変化させる。
層の形成後、原料ガスの供給およびRF定電力印加を停
止することなく、そのまま成膜条件を変化させるだけで
a−3t :Hからなる光導電性層を形成する。即ち、
S iH4がスの流量を80SCCMから120 SC
CMへと、N2ガスの流量を260 SCCMから30
SCCMへと、B2H6がス(1壬)を15 SCC
Mから5 SCCMへと変化させる。また、新たにAr
ガスをOから300 SCCMまで流す。同時に、印加
電力を1.2 kWから0.2 kWへと変化させる。
このような成膜条件の変化に要する時間は10分間であ
る。ガス流量およびRF定電力変化量は。
る。ガス流量およびRF定電力変化量は。
経過時間に比例させてもよく、あるいは適宜変化させて
もよい、成膜条件が変化している間に形成された膜が緩
衝層である。
もよい、成膜条件が変化している間に形成された膜が緩
衝層である。
成膜条件の変化の完了後の条件を7時間維持して、窒素
原子を含むp型のa−8i :Hからなる光導電性層の
成膜を終了する。この光導電性層の膜厚は28μmであ
り、まだ水素原子濃度は3憾であった・ (5) 表面電荷保持層(BN層)の形成光導電性層
の形成後、原料ガスの供給およびRF主電力印加を停止
することなく、そのまま成膜条件を変化させるだけでB
Nからなる表面電荷保持層を形成する。即ち、SiH4
ガス流量を120SCCMからOSCCMへ、N2ガス
流量を30 SCCMから800 SCCMへ、B2H
6ガス(1俤)流量を30SCCMから5SCCMへ、
Arがスを300 SCCMから20 SCCMへと変
化させる。同時に、印加電力を0、2 kWから1 k
Wへと変化させる。
原子を含むp型のa−8i :Hからなる光導電性層の
成膜を終了する。この光導電性層の膜厚は28μmであ
り、まだ水素原子濃度は3憾であった・ (5) 表面電荷保持層(BN層)の形成光導電性層
の形成後、原料ガスの供給およびRF主電力印加を停止
することなく、そのまま成膜条件を変化させるだけでB
Nからなる表面電荷保持層を形成する。即ち、SiH4
ガス流量を120SCCMからOSCCMへ、N2ガス
流量を30 SCCMから800 SCCMへ、B2H
6ガス(1俤)流量を30SCCMから5SCCMへ、
Arがスを300 SCCMから20 SCCMへと変
化させる。同時に、印加電力を0、2 kWから1 k
Wへと変化させる。
このような成膜条件の変化に要する時間は10分間であ
る。ガス流量およびRF主電力変化量は、経過時間に比
例させてもよく、あるいは適宜変化させてもよい。成膜
条件が変化している間に形成された膜が緩衝層である。
る。ガス流量およびRF主電力変化量は、経過時間に比
例させてもよく、あるいは適宜変化させてもよい。成膜
条件が変化している間に形成された膜が緩衝層である。
成膜条件の変化の完了後の条件を4分間維持してBNか
らなる表面電荷保持層の成膜を終了する。
らなる表面電荷保持層の成膜を終了する。
以上のようKして本発明の実施例に係る電子写真感光体
を完成した。
を完成した。
比較例
各層の成膜終了ごとにガスおよびRF主電力供給を停止
し、1旦反応容器を10 torr程度の真空にひい
た後に次の層の成膜を行なうことを除き、上述と同様の
条件で、電子写真感光体を作製した。
し、1旦反応容器を10 torr程度の真空にひい
た後に次の層の成膜を行なうことを除き、上述と同様の
条件で、電子写真感光体を作製した。
この比較例に係る電子写真感光体が実施例に係る電子写
真感光体と異なる点は、各層の成膜操作の間に反応容器
内のガスが充分に排気されるため、BおよびN原子の濃
度分布が層間において不連続であることである。従って
、各層間には緩衝層は存在しない。
真感光体と異なる点は、各層の成膜操作の間に反応容器
内のガスが充分に排気されるため、BおよびN原子の濃
度分布が層間において不連続であることである。従って
、各層間には緩衝層は存在しない。
特性評価
本発明の実施例に係る電子写真感光体と比較例に係る感
光体の種々の特性を比較評価した。その結果は次の通り
である。
光体の種々の特性を比較評価した。その結果は次の通り
である。
(1) 帯電能、光感度
+6kVを印加した際の表面電位は、実施例の場合62
0V、比較例の場合450vであり、実施例の感光体の
方が優れた帯電能を有している。
0V、比較例の場合450vであり、実施例の感光体の
方が優れた帯電能を有している。
また、比較例の感光体の光感度が0.6 tux*as
cであるのに対し、実施例の感光体の光感度は0.5L
ux]@cと優れている。
cであるのに対し、実施例の感光体の光感度は0.5L
ux]@cと優れている。
このように比較例の感光体の特性が劣っているのは、各
層界面の接合状態が不良であるためドラッグレベルが生
じ、これが特性の劣化を招いているものと考えられる。
層界面の接合状態が不良であるためドラッグレベルが生
じ、これが特性の劣化を招いているものと考えられる。
これに対し、実施例の感光体では、各層界面においてB
およびN原子のaf分布が連続であるため、接合性が良
好であシ、トラップレベルが非常に少ない。従って優れ
た帯電能および光感度を示す。
およびN原子のaf分布が連続であるため、接合性が良
好であシ、トラップレベルが非常に少ない。従って優れ
た帯電能および光感度を示す。
(2) 製造時の良品率
製造中における膜の剥離と亀裂の発生による不良品の数
から良品率を求めたところ、下記表1に示す結果を得た
。
から良品率を求めたところ、下記表1に示す結果を得た
。
表 1
表1から、実施例の感光体が優れた良品率を示すことが
わかる。これは、実施例の感光体が製造時における膜の
剥離および亀裂が生じに<<、各層間における良好な接
合性を示すためと考えられる。
わかる。これは、実施例の感光体が製造時における膜の
剥離および亀裂が生じに<<、各層間における良好な接
合性を示すためと考えられる。
(3)画像評価
実施例と比較例の感光体を複写機に装填し、所定枚数の
複写を行ない、それらの画像の状況を評価した。その結
果を下記表2に示す。
複写を行ない、それらの画像の状況を評価した。その結
果を下記表2に示す。
表 2
◎:極めて良好 ○:良好
Δ二やや不良 ×:不良
表2から、実施例に係る感光体は複写枚数が増すにつれ
てその長所が発揮され、かつ長寿命であることがわかる
。これは1画像形成時においては、感光体はクリーニン
グブレード等によりこスラれるのであるが、各層間の接
合性が良好なため、剥離および亀裂が生じにくいことに
よるものである。
てその長所が発揮され、かつ長寿命であることがわかる
。これは1画像形成時においては、感光体はクリーニン
グブレード等によりこスラれるのであるが、各層間の接
合性が良好なため、剥離および亀裂が生じにくいことに
よるものである。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によると、奎電特性および
感度に優れ、多数枚の画像出しに対しても良好な画像を
得ることができ、かつ製造時の歩留まりの高い電子写真
感光体が提供される。
感度に優れ、多数枚の画像出しに対しても良好な画像を
得ることができ、かつ製造時の歩留まりの高い電子写真
感光体が提供される。
第1図は、本発明の電子写真感光体を製造するために用
いられる装置の概略図、および第2図は、本発明の電子
写真感光体を示す断面図である。 1.2,3.4・・・ガスボンペ、5・・・圧力計、6
・・・パルプ、7・・・配管、8・・・混合器、9・・
・反応容器、10・・・回転軸、12・・・支持台、1
3・・・電極、14・・・ドラム基体、20・・・緩衝
層、21・・・第1の障壁層、22・・・第2の障壁層
、23・・・光導電性層、24・・・表面電荷保持層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第2図
いられる装置の概略図、および第2図は、本発明の電子
写真感光体を示す断面図である。 1.2,3.4・・・ガスボンペ、5・・・圧力計、6
・・・パルプ、7・・・配管、8・・・混合器、9・・
・反応容器、10・・・回転軸、12・・・支持台、1
3・・・電極、14・・・ドラム基体、20・・・緩衝
層、21・・・第1の障壁層、22・・・第2の障壁層
、23・・・光導電性層、24・・・表面電荷保持層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第2図
Claims (4)
- (1)導電性支持体と、該支持体上に形成された窒化ホ
ウ素からなる第1の障壁層と、該第1の障壁層上に形成
された窒素原子を含むマイクロクリスタリンシリコンか
らなる第2の障壁層と、該第2の障壁層上に形成された
5原子%以下の水素原子を含むアモルファスシリコンか
らなる光導電性層と、該光電性層上に形成された窒化ホ
ウ素からなる表面電荷保持層とを具備する電子写真感光
体において、前記導電性支持体上に形成された各層から
なる積層体の層の厚み方向におけるホウ素原子および窒
素原子の濃度分布が連続であることを特徴とする電子写
真感光体。 - (2)前記第2の障壁層を構成するマイクロクリスタリ
ンシリコンは、p−型であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の電子写真感光体。 - (3)前記第2の障壁層を構成するマイクロクリスタリ
ンシリコンは、n−型であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の電子写真感光体。 - (4)前記連続の濃度分布は、各層の形成に用いられる
原料ガスおよび/またはRF電力の供給を、前記積層体
の形成プロセス中を通して停止することなく継続するこ
とにより得られることを特徴とする特許請求の範囲第1
〜3項のうちのいずれか1項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23188786A JPS6385640A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23188786A JPS6385640A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6385640A true JPS6385640A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16930586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23188786A Pending JPS6385640A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6385640A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008216546A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23188786A patent/JPS6385640A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008216546A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
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