JPS58219563A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ１又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。　一方、アモル
ファスシリコン（ａ−８ｉ）を母材として用いた電子写
真感光体が近年になって提案されている。　ａ−８ｉは
、Ｓｔ　−８ｔの結合手が切れたいわゆるダングリング
ボンドを有しておシ、この欠陥に起因してエネルギーギ
ャップ内に多くの局在準位が存在する。　このために、
熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、
まだ光励起担体が局在準位にトラップされて光導電性が
悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水素原子（Ｈ）
で補償して５ｉｉ４．Ｈを結合させること１・、 によって、ダングリングボンドを埋めることが行なわれ
る。

このようなアモルファス炭化シリコン層層下、ａ−８ｔ
：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０＠〜１０９Ω
−副であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。　従って、ａ−８ｔ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。

そこで、このよりなａ　−８ｉ　：Ｈに電位保持能を付
与すべく高抵抗化するために、その製法としていわゆる
グロー放電分ｊＩＩＩｒ法が採用されることがある。

しかしこの方法では、製膜速度が遅く、また膜厚を厚く
つけるとコスト高となるという欠点がある。

他方、ａ−８ｉを高抵抗化するには、ａ−８ｔ膜を不純
物ドーピングにより真性化することや、基板−アモルフ
ァス炭化シリコン層−アモルファスシリコン層−表面電
荷ブロッキング層の積層体の如、−・８ くサンドイタチ構造に形成することが考えられる。

しかしながらこの場合にも、上記した問題点を充分に解
消できない上に、上記の如き感光体は通常の電子写真プ
ロセスに使用したときに画像中に微細表白班点が生じ易
い仁とが分った。

本発明者は、こうした問題点を生ぜしめる１つの大きに
要因として、ａ−８ｉ層等を設ける基板の表面状態（具
体的には表面粗さ）が関与していることをつき止めた。

　即ち、ａ−８ｉ系感光体を特にグロー放電分解法に従
って作成する場合、従来の基体では表面粗さが大きい（
例えば２８程度と大きい）ために、その粗さによって基
板表面上のａ−８ｉ層のミクｐ構造が悪影響を受け、欠
陥が多く生じ易い。　これは、ａ−８ｉ層がＳｅ系感光
体の場合とは異なって著しく薄く（特に数１０μｍ以下
に）設けられることにも依るものである。　この結果、
ａ　　８３層の電気抵抗祉上昇せず、かつ暗減衰も大き
くなるという欠点がある。

これを防止するために、ａ−８ｉ層下に電荷ブロッキン
グ層を敷くことが一案であるが、このブロッキング層は
更に薄いために上記した欠陥が生じ易く、基板の表面粗
さの影響を受けて実用に供し得なくなる。

本発明は、こうした状況に鑑み、薄いａ−８ｌ系感光層
を有する感光体において本基板の表面状態の影響を大幅
に軽減させ、画質を向上させると同時に、ブロッキング
層を良好に形成し得て各静電特性等を向上させた感光体
を提供することを目的とするものである。

この目的を達成するために、本発明の感光体は、表面粗
さが０．０５〜１．５１１ｍ　Ｓ　（基準長さ２５　ｍ
ｍで測定したときの凹凸の最大高さ）となるように加工
された基体上に、厚さ５〜４０μｍのアモルファスシリ
コン系感光層が設けられていることを特徴としている。

即ち、本発明によれば、基体の表面粗さを上記の特定範
囲に限定することによって上述した問題点を基本的に解
消できることがはじめて見出されたのである。　表面粗
さが１．５／７ホ持越え、　従来品と同様に粗くなった
場合には、画像に白班点が生じると共に、基体からの電
荷の注入が多くなって暗減衰が著しぐ増大してしまう。

　また、表面粗さが０．０５μｍｓ未満であると、逆に
鏡面化し、却りて基体に対する膜付きが悪くなる。　従
って、基体の表面粗さを０．０５μｍＳ〜１，５μｍＳ
（望ましくは０．１Ｚｊｍｓ〜１．２μｍＳ）に特定す
ることは必須不可欠であるが、との籾さ範囲は従来品で
は想定できないものであって、本発明者の重なる検討の
結果、はじめて見出されたものである。　しかも、この
表面粗さ範囲は、膜厚の薄い（％に５μｍ〜４０μｍ）
ａ−３ｉｉ感光層を設ける場合に極めて効果的である。

　つまり、ａ−３ｔ系感光層は厚さが薄い故に基体の表
面粗さの影響を受けるが、上記の如くに粗さ範囲を設定
することによって、充分に高抵抗で膜質の良いａ−８上
層を形成できるのである。

上記した暗減衰の減少及び白斑点の防止等の効果は、特
に基体表面に接して電荷ブロッキング層を設ける場合に
顕著である。　この電荷ブロッキング層は基体からのホ
ールや電子の注入を防止して表面帯電電位を保持する作
用があるが、上記した基体の表面粗さ範囲によって良好
な状態で基体表面に設けることができるため、ブロッキ
ング機−能が充二分に発揮されることになる。　こうし
たブロッキング層は５０Ｘ〜１μｍ１望ましくは４００
　Ｘ〜５０００　Ｘの膜厚を有しているのがよいが、５
ｏＸ未満では効果不充分であシ、１μｍを越えると厚す
ぎて残留電位が残る原因となる。　ブロッキング層は絶
縁性物質、或いは周期表第１ＩｒＡ族又は第ＶＡ族元素
が高濃度にドープされたアモルファスシリコン系半導体
層からなっているのが望ましい。

このようなブロッキング層によって、上記の暗減衰、白
斑点の減少、帯電電位の向上の他に、高感度化、感光体
の薄膜化、基体との接着性向上の効果が得られる。

まだ、この電荷ブロッキング層上に、真性化されたアモ
ルファスシリコン系感光層が設けられるのがよく、壕だ
、アモルファス炭化シリコン又はアモルファス窒化シリ
コンからなる電荷輸送層が設けられ、更にこの電荷輸送
層上にアモルファスシリコン系感光層が設けられるのが
よい。

本発明における基Ｗは金属Ｘ線その合金からなっていて
よいが、その表面粗さけ次の加工方法（ａ）〜（ｅ）の
いずれかによシ得ることができる。

（ａ）、基体の外周円筒面と砥石とを接触せしめた状態
で、基体及び砥石を夫々回転させながら砥石を所定の方
向へ送シ、これによって前記外周円筒面を研麿する方法
（以下、ＳＭ法と称する二本出願人による特開昭５６−
１５０７５５号、特開昭５６〜１５０７５４号、特願昭
５６−２５６３５号）＜ｂ）、基体表面に砥石を比較的
弱い力で押付け、前記砥石に振幅の小さい振動を与える
と同時に所定方向への送シをかけ、これによって前記基
体表面を研麿する方法（以下、ＳＦ法と称する：例えば
特開昭５３−１３４２４号による方法）（Ｃ）、基体表
面に研磨剤を吹付けることによって前記基体表面をとぎ
上げする方法（例えば液体ホーニング法：例えば特開昭
５１−５８９５４号による方法） 尚、上記以外でも、電解研磨法で基体表面を上記粗さ範
囲に粗面化することは可能でおる。

次に、本発明による感光体の例を図１可に基いて詳細に
説明する。

第１図には、アルミニウム等の金属又は金属合金からな
る支持体（基板）１上に厚さ５〜４０μｍと薄いａ−８
ｉ系座感光、特にａ　−Ｓｉ　：Ｈ層２が設けられるが
、この際、予め基板ｌの表面を後述の研磨装置で加工し
て表面粗さを０．０５〜１．５ｐｍ８に調整しておくこ
とが必須不可欠である。

第２図は、ａ−８１系感光層２下に、上記表面粗さの基
板１の表面に接して厚さＢＯＡ〜１／Ａｍの電荷ブロッ
キング層３が設けられた構造を示す。

このプＯ，キング層３は、Ａｌ＊Ｃｈ、５ＩＯｓ又はＳ
ｉＯ等の絶縁性物質か、或いは上述した不純物が高濃度
にドープされたＰ型（更にｔｉｐ＋ｍ）又はＮ型（更に
は！型）ａ−８ｉからなっていてよい。　この不純物ド
ープドａ−８ｉｉブロッキング層の場合には、上層のａ
−８ｉ系座感光と同じプロセス（特にグロー放電分解法
）で形成でき、製造が容易となる。　ドープされる不純
物としてポロン等の周期表第１ＩＩＡ族元素を用い、グ
四−放電時に供給する反応ガス流量比を例えばＢ正・／
　８１Ｈａ　＝　１００〜ｉｏｏ、ｏｏｏ　　−ｐｐｍ
　（望ましくは１，０００〜１ｏ、　ｏｏｏ　ｐｐｍ　
）　とすれば、Ｐ型（更にはＰ＋型）ブロッキング層を
作成できるが、これは感光体表面を正帯電させて用いる
場合に基板からの電子の注入を防止するのに好適である
。　また、ドープされる不純物としてリン等の周期表第
ＶＡ族元素を用い、グロー放電時の流量比を例えばＰＨ
ｓ　／　５ＩＨ４〜１００〜１０ｔ　０００　ｐｐｍと
すレバ、感光体表面を負帯電させる際に基板からのホー
ルの注入を防止するＮ型（更にはＮ＋型）ブロッキング
層を作成できる。

第２図において、上記の不純物ドープドブロッキング層
３上のａ−８ｉ系悪感光をボロン等の周期表第１ＩＩＡ
族元素のドーピング（グロー放電時の流量比はＢ　＊Ｈ
ｓ　／　Ｓ　ｉＨａ　＝　１０〜５００　ｐｐｍ　）に
ょシ真性化すれば、高抵抗の感光層となシ、電位減衰の
防止等を図ることができる。

また、第３図の如くに、ａ−８ｉ系悪感光２と不純物ド
ープドブロッキング層３との間に、ａ−８ｔ系（特にａ
−８ｉＣ又はａ−８ＩＮ）からなる電荷輸送１１１ 層４を厚さ５０００　Ｘ〜３５μｍＫ設けると、表面の
電位保持及び光キヤリア輸送能が増大し、高感度で残留
電位の少ない感光体が得られる。

次に、上記した感光体を作成するに当シ、基板１の表面
を表面粗さ０．０５〜１．ｓｐｍＳに加工する研磨方法
を第４図〜第６図について説明する。

第４図に示す例は特開昭５６−１５０７５５号等による
ものであって、円筒状又は円柱状の基体材料ｌをその中
心軸Ｘを例えば水平としてその周シに回転せしめ、この
基体材料１の外周表面に、前記中心軸Ｘと直交する平面
と０°〜４５°の種々の角度をもつ回転軸Ｙの周シに回
転する砥石１２の端面を接触せしめ、更にこの砥石１２
を中心軸Ｘの方向に走行せしめ、これによシ前記基体材
料１の表面を研麿して電子写真感光体用基体を製造する
。　前記砥石１２の回転軸Ｙは必ずしも前記中心軸Ｘと
交わる必要はなく、第５図に示すように回転軸Ｙが前記
中心軸Ｘと外れる状態であってもよい。

図示の装置において、砥石１２は、略々その中央部にお
ける例えば水平な支点１３において支持体１４１ によシ枢支された揺動自在なパー１５の一端に設けられ
、このバー１５はその他端に例えば固定され九重錘１６
及び必要に応じて当該バー１５の長さ方向に移動可能な
圧接力調整用重錘１７を有し、前記重錘１６の重量の大
きさ及び調整用重錘１７の位置を調整することによシ、
前記砥石１２の基体材料１に対する圧接力を調整するこ
とができる。　又砥石１２の中心軸Ｘの方向の走行は、
例えば前記支点１３を有する支持体１４をレール等の走
行路上に配置することによって達成することができる。

　そして前記砥石１２は、例えば重錘１６を兼ねるモー
ター等にょシ駆動される。

次に、砥石による基体材料の研摩状況を第６図について
説明する。

基体材料１の中心軸Ｘと直交する平面と砥石１２０回転
軸Ｙとのなす角０は４５°となるように砥石１２を設定
するのがよい。　この上うな研磨方法では、軸Ｙを中心
にして、その投影図上での両側において砥石にかかる力
の不均衡がなく、シたがってこのような不均衡によって
生ずる砥石の振動がなく安定した作動が得られる。

このように、第６図に示すように砥石を配置すること即
ち、砥石の回転軸を投影図上で傾けて設定することは、
研磨作業中の砥石の安定性を得るうえで好適であって前
記し九〇は最大４５’に至る種々の値を取シうる。　斯
かる研摩装置としては、例えば特公昭５１−４６３１５
号公報に記載されたものがあり、その代表的な具体例と
しては、三興機械株式会社製の「円筒研削鏡面仕上機」
をあげることができる。　また使用される砥石としては
、新暦用砥石として一般に使用される砥石を使用するこ
とができる。　その具体例としては、日本特殊研砥株式
会社製のｒＰＶＡ砥石」やｒＦＢＢ砥石」等を挙けるこ
とができる。　これらの砥石の種類によって、得られる
表面粗さを種々変えることができる。

このようにして研麿すれば、主として円筒状又は円柱状
の基体材料の表面を高い寸法精度で研麿することができ
、得られる基体として、表面の面粗度が電子写真感光体
用基体の面粗度として好適な０．０５〜１．５μｍｓの
ものを容易かつ確実に製造することができる。　また、
得られる基体の表面粗さのバラツキは＃１とんど全く認
められず、研麿条件を同一とする限シ、常に一定の表面
を得ることができると共に、真円の円柱状表面を有し、
うねシのない基体が得られる。

なお、本実施例における基体（又は基板）の表面粗さは
、表面粗さ計（例えば株式会社　東京精密製）やサーフ
コムＩＣ型連続指示計（通常は、２５　ｍｍ幅をスキャ
ンし、最高の山と谷の間隔μｍ１又は次の高さの山と谷
の間隔μｍを計るもの）で測定したものである。

以下、上記の研磨方法を含む３通シの加工方法を基体表
面に施す場合の例を説明する。

例１　（８Ｍ法） 外径１２０　ｍｍ　、長さ３４０　ｍｍのアルミニウム
管体を基体材料とし、下記の条件で表面加工を行なった
０ 加工装置二円筒研削鏡面仕上機 砥石：　ｒ　ＰＶＡ−１ｓｏｏ　Ｊ　（外径２００ｍ１
ｌｌｓ厚み５０ｎ１取付用中心穴径５０ｍｍ　（錘紡社
製）砥石の回転数：　８００ｒ、　ｐ、　ｍ−砥石の送
り速度：０．７ｍ／分 砥石の圧接カニ　４０１ｃｇ 基体中心軸に直交する平面と砥石回転軸のなす角度θ：
４５゜ 基体材料の回転周速度ニア５ｍ／分 研麿回数：往復１回 研摩液：　ｒＰＶＡ研麿液研摩１（日本グリース社製） 得られた加工済管体は、表面粗度が０．８μｍｓの均一
な面粗度を有し、外径が１２０．００３　ｍｍであり、
波長９３０　ｎｍの光の反射率が２４％のものであった
。

例２　（ＳＦ法） 次の条件で上記アルミニウム管体を加工した。

加工装置：旋盤ｒＬＰＴ−３５０型」（ワシノ機械社製
）超仕上装置ｒＴ−８Ｋｘ４゜ 型」（東洋工業社製） 砥石：　ｒ　ＦＢＢ−ＧＣｌｏｏＯＪ　（日本特殊研砥
社製）砥石の振動数：１５００Ｃ／分 砥石の圧接カニ０．６ｋｇ／α３ 基体材料の回転周速度：　１５０ｍ／分砥石の送り速度
：　５００ｍｍ／分 研磨回数：１回 研摩液：水道水 得られた基体の表面粗さはｏ、ｓ　ｐｍ　Ｓであった。

また、下記の条件で液体ホーニング法に従って、上記ア
ルミニウム管体を加工してもよい。

、　　加工装置：ｒＦ−５型」（不二精機製造所式製）
研磨剤：珪石粉末「÷２０００　Ｊ 加工液：水道水（研磨剤／加工液＝４：１（重量））空
気圧：　３．Ｏｋｇ　／ｌｘ” ノズルと基体材料との距離：８０ｍｍ 吹付角度：６０度 ノズル口径：直径８．３ｎｗｎ 上記の如くに表面研磨され、表面粗さを種々変えた各基
体上に１蒸着法又はグロー放電法によって必要とあれば
ブロッキング層（例えばＳｔｏｗやアモルファス窒化シ
リコン膜）を形成し、更にグロー放電法によって必要と
あればキャリア輸送層を形成し、更にａ−８ｉ系悪感光
を形成した。

グロー放電装置としては、第７図に示すものを使用して
よい。　この装置２１の真空槽２２内では、上記した基
板１が基板保持部Ｕ上に固定され、ヒーター２５で基板
１を所定温度に加熱し得るようになっている。　基板１
に対向して高周波電極がが配され、基板１との間にグロ
ー放電が生せしめられる。　なお、図中の（資）、３１
．３２．３３．３７、羽、器、４４．４６、化は各パル
プ、４１は５ｉＨａ又はガス状シリコン化合物の供給源
、４２はＢＪｓ或いはＰＨｓ、ＣＨａ又はガス状炭素化
合物の供給源、４３はｋ又はＨ霊等のキャリアガス供給
源である。　このグロー放電装置において、まず支持体
である例えばＡＪ基板１０表面を清浄化した後に真空槽
ｎ内に配置し、真空槽ｎ内のガス圧が１０’Ｔｏｒｒと
なるようにパルプ４６を調節して排気し、かつ基板１を
所定温度、例えば３０〜４００°Ｃに加熱保持する。

次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ
ｉＨ４又はガス状シリコン化合物、及びＢ＊Ｈｓ或いは
ＰＨｓ　、　ＣＨａ又はガス状炭素化合物を適当量希釈
した混合ガスを真空槽２２内に導入し、例えば０．０１
〜１０　Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源２６によυ高
周波電圧（例えば１３．５６■ｈ）を印加する。　これ
によって、上記各反応ガスをグ四−放電分解し、水素を
含むボロンビー外”ａ−８ｔ二Ｈ又はａ−８ｉＣ：Ｈを
上記の層２．３又は４として基板１上に堆積させる。　
なお、ブロッキング層はグロー放電法具外の例えば蒸着
法で形成された５ｉｎｓ膜等からなっていてよい０　ま
だ、上記ＣＨ４に代えてＮＨＩ又は烏を供給すれば、ア
モルファス窒化シリコンを形成できる。

こうして得られた各感光体について、静電特性及び基体
に対する膜付き、コピ一時の白斑点の有無、画質を下記
表に示す。　なお、このテストに当っては、川口電気社
製エレクトロメータ、及びＵ−ＢｉｘＶ−２改造機（二
成分現像剤使用）（小西六写真工業（株）製）により性
能テストを行なった。

（以下余白、次頁へ続く） ＊１）酸素雰囲気でＳｉＯを蒸着して得られた５ｉｎｓ
膜。

＊２）真性化のために、Ｂ霊Ｈ・をＢＪ＠／５ｉＬ＝ｔ
ｏｏ　ｐｐｍで導入してグロー放電分解して得られた厚
さ１５μｍのポロンドープドａ−８ｔ：Ｉｌ感光層。

＊３）キャリア輸送層（ａ−８ｉＣ）の炭素含有量は２
０　ａｔｏｍｉｃチ、膜厚は１５２ｍ１キヤリア発生層
（ａ−８ｉ悪感光）の膜厚は１μｍ□＊４）ａ　　Ｓｉ
Ｎ　　（Ｂ！Ｈｓ／５ｔＨ４＝１０，０００ｐｐｍ　　
ドーピング） ＊５）ａ−８ｉＣ（ＰＨｓ／ＳｉＨ４＝１０００ｐｐｍ
　　ドーピング） なお、上記表中、 ◎　白斑点及び膜剥れ共に全くなし ○　白斑点及び膜剥れ共に一部のみに発生△　白斑点及
び膜剥れ共に部分的に発生×　白斑点及び膜剥れ−に全
面に発生 また、膜付きテストでは、１国幅の粘着テープを貼付け
て瞬間的に剥離した場合の結果を示した。

上記表中、画質については、 ◎　濃度が高く（反射濃度１０以上）、画質も良好。

○　濃度が普通（反射濃度１．０〜０７）だが、画質は
良好。

著しい。

上記した結果によれば、本発明に従って表面粗さ０．０
５〜１．５μｍＳの基体上に各層を設けた場合には静電
特性、画像、画質、膜付きがすべて良好となり、更に特
に厚さ５０Ａ〜１μｍのブロッキング層を設けると更に
静電特性が良くな”ることか分る。

即ち、上記表面粗さが０．０５μｍｓ未満では膜付きが
悪くな’）、ｌ−５ｔ’ｍＦｊｆｒ越えると暗減衰が大
きく、白斑点も発生し易くなる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図、第２図
、第３図は感光体の各側の断面図、 第４図及びＭ５図は研磨装置の各概略図、第６図は基体
及び砥石部分の縦断面図、第７図はグロー放電装置の概
略断面図 である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・・・・基板（基体）２・・・・・・・・・・
・・ａ−８ｔ系感光層３・・・・・・・・・・・・ブロ
ッキング層４・・・・・・・・・・・電荷輸送層 １２・・・・・・・・・・・砥石 １６・・・・・・・・・・・・重錘 １７・・・・・・・・・・・・調整用重錘である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第４図 第５図 （自引手続補正書 昭和５８年６り／Ｆ日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 １、事件の表示 昭和５７年　　特許　同第１０２４２１号２、発明の名
称 感　　光　　体 ３、補正をする考 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明細書箱４頁９〜１０行目の［そこで・・・・
・・製法として」を［このようなａ−３ｉ：Ｈの製法と
して」と訂正します。 （２）、同第４頁１４行目のｒａ−３ｔを高抵抗化する
には」をｒａ−３ｉ：Ｈを電位保持能の付与のために高
抵抗化するには」と訂正します。 （３）、同第４頁１４行目の「ａ−３ｔ膜」を「ａ−３
ｊ：Ｈ膜」と訂正します。 （４）、同第４頁下から５〜４行目の［アモルファス炭
化シリコン層・・・・・・表面電荷ブロッキング屓」を
［アモルファス水素化炭化シリコン層−アモルファス水
素化シリコン層−表面改質層」と訂正します。 （５）、同第５頁４行目、１０行目及び１６行目、第７
頁１１行目のｒａ−３ｉ層」をｒａ−３ｉ：Ｈ層」と夫
々訂正します。 （６）、同第５頁１１行目の「ａ−３ｔ層」を「ａ−３
ｉ系感光体」と訂正します。 （７）、同第５頁１２〜１３行目の「著しく薄く　（特
に数１０８ｍ以下に）」を「薄く　（特に４０μｍ以下
に）」と訂正します。 （８）、同第５頁１４行目のｊａ−３ｉ層の電気抵抗」
を［ａ−８ｉ系感光体の帯電電位」と訂正します。 （９）、同第７頁１１行目の「高抵抗で」を「帯電能が
高くて」と訂正します。 （１０）　、同第８真下から８行目及び５〜４行目のす
。 （１１）　、同第８頁下から７〜６行目の［アモルファ
ス炭化シリコン又はアモルファス窒化シリコン」を「ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン又は
アモルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリコン」
と訂正します。 （１２）　、同第１０頁２行目の「と薄い」を「の」と
訂正します。 （１３）　、同第１０頁１２行目のｒａ−３ｉＪをｒａ
　−３ｉ　：Ｈ％　ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ
Ｊと訂正します。 （１４）　、同第１１真下から４行目のｒａ−３ｉＣ又
はａ−３ｉＮＪをｒａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ！Ｈ
Ｊと訂正します。 （１５）　、同第１１頁下から２行目の「及び光キヤリ
ア輸送」）削除します。 （１６）　、同第１７頁下から６〜５行目、第１９頁７
行目の「アモルファス窒化シリコン」を「アモルファス
水素化窒化シリコン」と夫々訂正しまず。 （１７）　、同第１７頁下から３行目のｒａ−３４系感
光層」をｒａ−３ｉ系感光層と表面改質層」と訂正しま
す。 （１Ｂ）　、同第１８頁８〜９行目の「ＰＨ３・・・・
・・である。」をｒ　Ｐ　Ｈ３供給源、４３はＣＨ４又
はガス状炭素化合物の供給源である。なお、図示省略し
たが、Ａｒ又はＨ２等のキャリアガス供給源も同様に設
けられている。」と訂正しまず。 （１９）　、同第１９頁１１行目の「下記表に示す。」
を「下記表に示す。画像評価に当たっては、ドラム用の
グロー放電装置によって作製したドラム状感光体を使用
した。」と訂正します。 （２０）　、同第２１頁７行目及び１２行目のｒａ−３
ｉＣ」をｒａ−３ｉＣ：ＨＪと夫々訂正します。 （２１）　′、同第２１頁９行目のｒａ−３ｉ感光層」
をｒａ−３ｉ：Ｈ感光層」と訂正しまず。 （２２）　、同第２１頁１０行目のｒａ−３ｉＮＪを［
ａ−３ｉＮ：ＨＪと訂正します。 一以　　　」二一

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、表面粗さが００５〜１．５１１ｍ　Ｓとなるように
   加工された基体上に、厚さ５〜４０／Ｊｍのアモルファ
   スシリコン系感光層が設けられていることを特徴とする
   感光体。 ２、基体表面と接した最下層として厚さ５０Ａ〜１μｍ
   の電荷ブロッキング層を有する、特許請求の範囲の第１
   項に記載した感光体。 ３、電荷ブロッキング層が絶縁性物質からなっている、
   特許請求の範囲の第２項に記載した感光体。 ４、周期表第ＨＡ族又は第ＶＡ族元素が高濃度にドープ
   されたアモルファスシリコン系半導体層によって電荷ブ
   ロッキング層が形成されている、特許請求の範囲の第２
   項に記載した感光体。 ５、電荷ブロッキング層上に、真性化されたアモルファ
   スシリコン系感光層が設けられている、特許請求の範囲
   の第４項に記載した感光体。 ６、電荷ブロッキング層上にアモルファス炭化シリコン
   又はアモルファス窒化シリコンからなる電荷輸送層が設
   けられ、更にこの電荷輸送層上にアモルファスシリコン
   系感光層が設けられている、特許請求の範囲の第４項に
   記載した感光体。 ７゜基体表面が次の（ａ）、（ｂ）、（ｅ）のいずれか
   の方法で加工されている、特許請求の範囲の第１項〜第
   ６項のいずれか１項に記載した感光体。 （ａ）、基体の外周１円筒面と砥石とを接触せしめた状
   態で、前記基体及び前記砥石を夫々回転させながら前記
   砥石を所定の方向へ送シ、これによって前記外周円筒面
   を研麿する方法、 （ｂ）、基体表面に砥石を比較的弱い力で押付け、前記
   砥石に振幅の小さい振動を与えると同時に所定方向への
   送シをかけ、これによって前記基体表面を研麿する方法
   、 （Ｃ）、基体表面に研磨剤を吹付けることによって前記
   基体表面をとぎ上げする方法。