JPS5968751A - アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5968751A JPS5968751A JP17934182A JP17934182A JPS5968751A JP S5968751 A JPS5968751 A JP S5968751A JP 17934182 A JP17934182 A JP 17934182A JP 17934182 A JP17934182 A JP 17934182A JP S5968751 A JPS5968751 A JP S5968751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- amorphous silicon
- photoconductive layer
- electrophotographic
- smoothness
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコンからなる感光層を有する
電子写真用感光体の製造方法に関する。
電子写真用感光体の製造方法に関する。
電子写真用感光体は、帯電、露光工程による潜像形成プ
ロセス、現像、転写工程による画像形成プロセス及び繰
返し使用の為のクリーニング工程が行われる。一般に感
光体は支持体上に光導電層を形成することによって構成
されるが、このような各工程に対して十分な適合性を有
し、かつ良好な画像品質を得るために、高感度、低疲労
、高耐刷性、高耐熱性等の光導電層の物理的性質に依存
した性能とともに、クリーニング性を左右しまた画像欠
陥の主たる要因となる平滑性が要求される。
ロセス、現像、転写工程による画像形成プロセス及び繰
返し使用の為のクリーニング工程が行われる。一般に感
光体は支持体上に光導電層を形成することによって構成
されるが、このような各工程に対して十分な適合性を有
し、かつ良好な画像品質を得るために、高感度、低疲労
、高耐刷性、高耐熱性等の光導電層の物理的性質に依存
した性能とともに、クリーニング性を左右しまた画像欠
陥の主たる要因となる平滑性が要求される。
この種の光導電層の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ＰＶＫ等の有４１導体な
らびにアモルファスセレン（ａ−８ｅ）及びａ−８ｅを
主体としたＳ ｅ ／Ｔ ｅあるいはＳｅ／Ａｓ等の合
金層が知られている。しかしながら、これらの材料は感
光体として各々利点を有しているにもかかわらず、前述
の要求性能に対して欠点を有している。こうした中で新
たな材料としてアモルファスシリコン（以下ａ−８＋と
記す）が開発されているがその高感度、高耐熱、高耐刷
性といった優れた性能を有するにもかかわらず１表面の
平滑性を得ることが困難であるという欠点を有している
。すなわち、ａ−８ｉは結晶化温度が５００℃以上であ
り、基体表面での粒子の動きが少ないために膜形状に基
体表面の加工縞（痕）がそのまま現われ、良好な画質が
得られないこと、あるいは、ブレード等によるクリーニ
ング性が劣るという欠点を有している。一般に感光体表
面の平滑性に対して、最も重要な要因となる基体表面の
加工方法としては、ａ−８ｅあるいはａ−８ｅを主体と
した感光体に対して用いられている鏡面仕上加工が広く
知られているが、膜形成時の基体温度を上げることによ
シ蒸着粒子の表面拡散によシ加工痕を消失せしめ、平滑
な表面を得ることができるａ−８ｅあるいはａ−８ｅ’
に主体とした合金材料と異なり、ａ −８ｉ において
は感光体に適用可能な範囲にその加工痕を制御すること
はかなり困難である。
、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ＰＶＫ等の有４１導体な
らびにアモルファスセレン（ａ−８ｅ）及びａ−８ｅを
主体としたＳ ｅ ／Ｔ ｅあるいはＳｅ／Ａｓ等の合
金層が知られている。しかしながら、これらの材料は感
光体として各々利点を有しているにもかかわらず、前述
の要求性能に対して欠点を有している。こうした中で新
たな材料としてアモルファスシリコン（以下ａ−８＋と
記す）が開発されているがその高感度、高耐熱、高耐刷
性といった優れた性能を有するにもかかわらず１表面の
平滑性を得ることが困難であるという欠点を有している
。すなわち、ａ−８ｉは結晶化温度が５００℃以上であ
り、基体表面での粒子の動きが少ないために膜形状に基
体表面の加工縞（痕）がそのまま現われ、良好な画質が
得られないこと、あるいは、ブレード等によるクリーニ
ング性が劣るという欠点を有している。一般に感光体表
面の平滑性に対して、最も重要な要因となる基体表面の
加工方法としては、ａ−８ｅあるいはａ−８ｅを主体と
した感光体に対して用いられている鏡面仕上加工が広く
知られているが、膜形成時の基体温度を上げることによ
シ蒸着粒子の表面拡散によシ加工痕を消失せしめ、平滑
な表面を得ることができるａ−８ｅあるいはａ−８ｅ’
に主体とした合金材料と異なり、ａ −８ｉ において
は感光体に適用可能な範囲にその加工痕を制御すること
はかなり困難である。
本発明の目的は、上述の欠点を除去して、工業的に製造
の容易な、高い表面平滑性を有するａ −８ｉ電子写真
用感光体の製造方法を提供することにある。
の容易な、高い表面平滑性を有するａ −８ｉ電子写真
用感光体の製造方法を提供することにある。
このような目的に最も適合する加工方法として、水中に
酸化クロム粒子を分散させた液体を適当な圧力で噴射さ
せる液体ホーニング方法によって均一に基体表面を平滑
化（粗面化）することが可能であ）ことを見出した。
酸化クロム粒子を分散させた液体を適当な圧力で噴射さ
せる液体ホーニング方法によって均一に基体表面を平滑
化（粗面化）することが可能であ）ことを見出した。
以下本発明の実施例とその比較対照例を示す。
基体の材料としては最も一般的なアルミニウムドラムを
用いた。その直径は１２０箇、長さは３４０ｍｍである
。基体の表面加工方法としては本発明による液体ホーニ
ング法と比較対照例として超仕上加工方法および鏡面加
工方法を行い、これらの基板上にグロー放電分解法によ
り１０μｍの厚さを有するａ−８ｉ感元層を設けた。ａ
−８ｉ感光層の作成条件は、原料ガスとして５ｉ）Ｉ、
を用い、基体温度２５０℃、ガス圧１．０Ｔｏｒｒ、入
カバ’７−１５Ｗで行つ７’Ｃｏこのようにして得られ
た基体および感光層の平滑性の評価として、基体（アル
ミニウムドラム）の表面粗さ、感光層表面の目視検査に
よる加工痕の有無および実際の画像テストによる画像欠
陥の有無によって行った。画像テストの条件は二成分磁
気ブラシ現像で、クリーニングはブレードクリーニング
である。試験結果を第１表に示す。
用いた。その直径は１２０箇、長さは３４０ｍｍである
。基体の表面加工方法としては本発明による液体ホーニ
ング法と比較対照例として超仕上加工方法および鏡面加
工方法を行い、これらの基板上にグロー放電分解法によ
り１０μｍの厚さを有するａ−８ｉ感元層を設けた。ａ
−８ｉ感光層の作成条件は、原料ガスとして５ｉ）Ｉ、
を用い、基体温度２５０℃、ガス圧１．０Ｔｏｒｒ、入
カバ’７−１５Ｗで行つ７’Ｃｏこのようにして得られ
た基体および感光層の平滑性の評価として、基体（アル
ミニウムドラム）の表面粗さ、感光層表面の目視検査に
よる加工痕の有無および実際の画像テストによる画像欠
陥の有無によって行った。画像テストの条件は二成分磁
気ブラシ現像で、クリーニングはブレードクリーニング
である。試験結果を第１表に示す。
第 １ 表
表１に示されるように超仕上加工法の場合には表面粗さ
がｌμ０１以下の場合においても加工痕が消失しない。
がｌμ０１以下の場合においても加工痕が消失しない。
これは振動を利用した研削方法の有 ５−
する表面の不均一性に起因するものと考えられる。
又、鏡面仕上加工方法の場合にはほぼ同一の表面粗さに
もかかわらず一例において加工痕を生じておシ、工業的
な製造における困難さが推定される。
もかかわらず一例において加工痕を生じておシ、工業的
な製造における困難さが推定される。
一方、液体ホーニング方法の場合には、表面粗さが４μ
ｍ以下であれば加工痕は生じることがなく。
ｍ以下であれば加工痕は生じることがなく。
画像テストにおいてもこのことが確認される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基体の表面を液体ホー二／グ加工を行うことによシ
平滑化し、該表面上にアモルファスシリコンを主体とす
る光導電層を形成することを特徴とするアモルファスシ
リコン電子写真用感光体の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において。 基体の表面を表面粗さ４μｍ以下に平滑化することを特
徴とするアモルファスシリコン電子写真用感光体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17934182A JPS5968751A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17934182A JPS5968751A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968751A true JPS5968751A (ja) | 1984-04-18 |
Family
ID=16064143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17934182A Pending JPS5968751A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968751A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219563A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP17934182A patent/JPS5968751A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219563A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
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