JPS6381437A - 電子写真法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真法に関し、より詳細には、常に感光体
を再生し、長期的に感光体の特性を維持して安定した良
好な画像を供給するための電子写真法に関する。

〔従来技術および問題点〕

電子写真法は、先ず、感光体に帯電を施した後に像露光
を行い、感光体表面に静電潜像を形成する。静電潜像は
現像剤によって顕像化された後、転写紙に転写され、定
着されて複写物を得るものである。一方、感光体は転写
後、クリーニング、除電等を行った後、前述したプロセ
スが繰り返される。

このような電子写真法によれば、帯電手段、特に負帯電
の場合、オゾンの発生により感光体表面が酸化されたり
、繰り返し使用することにより高分子材料等から成る現
像剤成分が感光体に移行し、いわゆるフィルミングとい
う現象が生じ、感光体の初期における特性が表面劣化に
よって、維持されず、安定した画像が長期に亘り得られ
ないという問題があった。

そこで、従来から、感光体表面の劣化層をメンテナンス
時に有機溶剤で拭き取り、再生を行うか研磨剤で研摩再
生したり、あるいは現像剤中に研摩剤を配合するか、あ
るいは他の研摩手段によって常に感光体表面を研摩再生
して、安定した画像を長期に亘り得ようとする試みがな
されている。

一方、電子写真感光体は有機系、無機系に類別されるが
、有機系の感光体に対し拭き取り再生、あるいは研摩再
生等を行うにしても有機系の感光体表面は軟質であり溶
剤等に対しては逆に変質する可能性があることからこの
ような再生は一般に無機系の感光体にのみ適用されてい
る。

無機系感光体としては従来からＳｅあるいはＳｅ合金が
一般的であるが、最近に至ってはアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉと略す）が表面硬度が高く、耐久性に
優れることから注目されている。しかしながら、Ｓｅ系
の感光体では表面劣化が特に激しいために再生を頻繁に
行う必要があり、しかも表面硬度が低いために、感光体
の膜厚の減少が大きく、結果として長寿命化を図ること
はできない。

一方、ａ−Ｓｔでは、この感光体特有の性質として帯電
能が低いうえに、耐環境性が低いことによる像流れ等の
現象が生じることから、表面に保護層を設ける必要があ
る。この孝うな保護層の必要性から研摩の際の研摩量が
制限されてしまうため、研摩の制御が難しいうえに、研
摩による再生効果を十分に発揮することができない。

〔発明の目的〕

従って、本発明の目的は、単一の感光体を半永久的に用
いて、常に安定した良質の画像を得ることのできる電子
写真法を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

即ち、本発明によれば、感光体として光導電性アモルフ
ァスシリコンカーバイドを用いて、劣化した表面を研摩
してその表面を再生することにより上記目的が達成され
る。

以下、本発明を詳述する。

本発明の電子写真法によれば、電子写真感光体として光
導電性アモルファスシリコンカーバイド（以下、単にａ
−３ｉＣと略す）を用いることが大きな特徴である。こ
のａ−ＳｉＣはａ−３ｉと同程度の表面硬度を有しなが
らも、ａ−Ｓｔよりも帯電能が優れており、しかも耐環
境性に優れることから保護層を設けるという制限を受け
ないものである。

よって、本発明において用いられるａ−ＳｉＣ感光体は
詳細には下記式（１） ％式％（１） で表わされ、式中０．０１≦×≦０．９、好ましくは０
゜０５≦×≦０．５である。なお、このａ−ＳｉＣはＳ
ｉとＣのダングリングボンドを終端させるために、例え
ばＨやＦ、ＣＩ、Ｂｒ１１等のハロゲン元素がドーピン
グされている。これらの元素の含有量は全組成中５乃至
４０原子２、好適には１０乃至３０原子χの範囲内にな
るようにすればよい。

さらに、このａ−５ｉＣには正帯電能を付与するために
、周期律表第ＴＶａ族元素を、負帯電能を付与するため
に周期律表第ｍａ族元素を１０，０００ｐｐｍ以下、特
に１，０００ｐｐｍ以下の範囲でドープすることもでき
る。周期律表第ｍａ族元素としてはＢ、ＡＩ、Ｇａ。

Ｉｎが挙げられ特にＢが好ましい。周期律表第ｒｔ／ａ
族元素としてはＰ＋Ｎ＋ＡＳ＋Ｓｂが挙げられ特にＰが
好ましい。　このａ−５ｉＣの光導電層は導電性基板上
に５乃至１００　μｍ、特に１０乃至５０μｍの範囲で
設けることが望ましく、５μｍ未満では研摩再生による
表面電位の低下が著しくなり、１００μｍを越えると電
子写真特性上、残留電位が高くなるとともに解像度が低
下し、像流れが発生し易くなる傾向がある。

さらに、本発明において用いられるａ−ＳｉＣ感光体は
光導電層が全く同一条件にて製造された単一層であるこ
とが研摩の許容範囲が大きくなるため好ましいが、研摩
によって最外層の組成がほとんど変わらず、特性上相違
しないうえにおいて、光導電層の炭素量あるいは周期律
表第ｍａ族、第Ｖａ族元素の含有量を変えた複数Ｎ　領
域を形成することも可能である。

なお、ａ−ＳｉＣ感光体の電気的特性としては、抵抗率
が１０目〜１０″Ω・ｃｍと高く、誘電率εは約７であ
る。

本発明によれば、前述したａ−ＳｉＣｉ光体の表面を研
摩することによって再生を行う。ａ−５ｉＣの前述した
特性によって研摩手段により光導電層を研摩しても、表
面電位の低下、および光減衰、暗減衰等の電子写真特性
においても初期特性を維持することができ、長期に亘り
、良質の画像を得ることができる。

ａ−ＳｉＣを研摩するに当たり、用いる研摩手段として
は、定期的メンテナンス時に周知の研ａ７ｒ：、例えば
シリカ、アルミナ、マグネシア、セリア、クロミア等の
酸化物、硫酸カルシウム、硫酸バリラム、硫酸アルミニ
ウム等の硫酸化物、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム
等の珪酸化物の他ＳｉＣ。

Ｓ！３Ｎ４．ＢＮ等で複写機から感光体を取り出して研
摩する他、メンテナンスフリーとするために、所望の研
摩手段を装置内部に設けてお（こともできる。

具体的には、特開昭４８−４７３４５号公報あるいは特
開昭６１−１５１５４号公報に開示されているように前
述した研磨剤を所望により潤滑剤とともに現像剤中に添
加し、現像時あるいはクリーニング時の摺擦力によって
感光体表面を研摩する方法がある。他の具体例としては
特開昭５６−２２４６６号公報に開示されているように
研磨剤を混合分散して例えばウェブ状にしたものを研摩
装置としてドラム周りに設置し、感光体表面にウェブを
圧接して強制的に研摩を行う方法がある。

このように、電子写真法において不可欠のユニット以外
に研摩手段を設ける場合には、感光体表面に現像剤が存
在しない領域、すなわち、クリーニング工程後に設置す
るのが望ましい。

さらにクリーニング工程にて感光体表面に圧接されるク
リーニングブレード中に研磨剤を内添し、クリーニング
と研摩を同時に行う方法等がある。

以下、本発明を次の例で説明する。

〔実施例〕

・ａ−５ｉＣ怒光体の作製 ■　ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面
に仕上げた８０φの基板用アルミニウム製ドラムを、有
機溶剤を用いた超音波洗浄及び蒸′　　気洗浄、次いで
乾燥を行って洗浄して導電性基板を得、これをグロー放
電分解装置の反応器内に設置した。

次に、第１表に示す条件にてａ−５ｉＣ感光体（試料■
）を得た。

■　■と同様にして得た導電性基板を反応器内に設置し
て、第２表に示す条件下にて成膜し、ａ−ＳｔＣ感光体
（試料■）を得た。

■　比較例として第３表に示す条件にて成膜し、ａ−５
ｉ怒光体（試料■）を得た。

得られた感光体に対し次の模擬実験を行った。

各試料１〜３の感光体の表面をダイヤモンドパウダーで
強制的に研摩し、それぞれ表面からおよそ０．３μ涌、
０．７μｒａ　、１．２μｍ、２μｍ研摩後の感光体の
−５，６ＫＶのコロナ放電による飽和表面電位、感度を
測定し、その感光体を用いて一成分系現像剤にて現像を
行い画像濃度、がぶり濃度を調べた。

結果は第４表に示す。

第４表 第４表からも明らかなように、本発明の試料１゜２は表
面から約２．０μ請研摩後も表面電位、感度は初期特性
と変らず、画像特性においても初期の良好な画像を維持
することができた。

これに対し、ａ−５ｉ悪感光からなる試料３では、表面
保護層が存在するまでは（０，３μｍ研摩）、初期特性
を維持することができたが、０．７μｍを越えた時点か
ら極端に画像が低下し、２．０μｍ研摩後は表面電位も
低いものであった。

これらの実験から、本発明の電子写真法によれば、前述
した所望の研摩手段を用いて研摩再生を行った場合、少
なくとも研摩ｆｆ１２．０μｍまでは初期特性を維持す
ることが確認できた。

〔発明の効果〕

以上、詳述した通り、本発明の電子写真法によれば、感
光体として光導電性アモルファスシリコンカーバイドを
用いてこれの表面の劣化層を研磨再生することにより、
長期的に初期特性を維持することができ、それにより、
良好な初期画像を長期に亘り供給することが可能となる
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電性アモルファスシリコンカーバイド層を有する電
   子写真感光体を用い、その劣化した表面を研磨すること
   により、その表面を再生し継続使用を可能にすることを
   特徴とする電子写真法。