KR870700109A - 전해처리에 있어서 전극의 제조방법 및 그 전극의 사용 - Google Patents

전해처리에 있어서 전극의 제조방법 및 그 전극의 사용

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Abstract

내용 없음.

Description

전해처리에 있어서 전극의 제조방법 및 그 전극의 사용
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (26)

  1. 전해처리에 사용되는전극을 제조방법에 있어서 상기 전극이전도성지지체(electroconductive support)와, 전기촉매재 입자를 분산시킨 금속 또는 금속합금의 전기촉매피복으로 구성되고, 상기 전개촉매재의 현탁입자를 포함하는 갈바니 도금조(galvan ic plain bath)에서 상기 전도성지지체상에 갈바니침착(galvanic deposition)에 의해 상기 전기촉매피복을 하도록 구성되는 상기 방법에서 상기 갈바니도금조(galvanicp lating bath)에는 주기율표에서 ⅠB족, ⅡB족, Ⅲ족, Ⅳ족, ⅤA족, ⅥA족, Ⅶ족, Ⅷ족에 속하는 원소중 적어도 하나의 부가화합물(additial compognd) 0.005-2,000ppm을 포함하도록 함을 특징으로한 상기 방법.
  2. 제1항에 있어서, ⅠB족 원소의 부가화합물은 은화합물(silver compounds)임을 특징으로한 상기 방법.
  3. 제1항에 있어서, ⅡB족 원소의 부가화합물은 카드뮴 또는 수은 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  4. 제1항에 있어서, ⅢA족 원소의 부가화합물은 탈륨(tallium) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  5. 제1항에 있어서, ⅣA족 원소의 부가화합물은 납(lead) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  6. 제1항에 있어서, ⅤA족 원소의 부가화합물은 비소(Arsenic) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  7. 제1항에 있어서, ⅤB족 원소의 부가화합물은 바나듐(Vanadium) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  8. 제1항에 있어서, ⅤIA족 원소의 부가화합물은 유황화합물임을 특징으로한 상기방법.
  9. 제1항에 있어서, ⅤIB족 원소의 부가화합물은 몰리브덴(Molybdenum) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  10. 제1항에 있어서, ⅤⅢ족 원소의 부가화합물은 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  11. 제1항에 있어서, 갈바니도금조(galvanic plating bath)는 니켈 또는 구리, 또는 은의 도금조임을 특징으로한 상기방법.
  12. 제1항에 있어서, 현탁입자로된 전기촉매재가 티탄, 지르콘, 니오븀, 하프늄, 탄탈(tantalum), 백금족금속, 니켈, 코발트, 틴 및 만강, 상기 금속 또는 그 합금, 그 산화물, 혼합산화물, 보라이드(borides), 니트라이트(nitrides), 카바이드(carbides), 술파이드(sulphides)로 구성된 그룹에 속하는 적어도 하나의 원소고 구성시킴을 특징으로한 상기방법.
  13. 제12항에 있어서, 현탁입자로된 전개촉매재는 루테늄옥사이드(rethenium oxide) 임을 특징으로한 상기방법.
  14. 전해처리용 전극을 제조하는 방법에서 상기 전극은 전도성지지체와, 균일상(homogeneous phase)으로 백금족금속을 포함하는 금속 또는 금속합금의 전기촉매피복을 구성하고, 용해시킨 백금족금속의 가용염(soluble salts)을 포함하는 갈바니도금조에서 상기 전도성지지체상에 갈바니침착에 의해 상기 전기촉매피복을 하도록하는 상기 방법에 있어서, 상기 갈바니도금조에는 주기율표중 ⅠB족, ⅡB족, ⅢB족, ⅣB족, ⅤA족, ⅤB족, ⅥB족, Ⅷ족에 속하는 원소중 적어도 하나의 부가화합물을 0.005-2,000ppm으로 포함시킴을 특징으로한 상기방법.
  15. 제14항에 있어서, ⅠB족 원소의 부가화합물은 금(gold)화합물임을 특징으로한 상기 방법.
  16. 제14항에 있어서, ⅡB족 원소의 부가화합물은 카드뮴 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  17. 제14항에 있어서, ⅢA족 원소의 부가화합물은 탈륨(tallium) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  18. 제14항에 있어서, ⅣA족 원소의 부가화합물은 납(lead) 또는 틴(tin)의 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  19. 제14항에 있어서, ⅤA족 원소의 부가화합물은 비소화합물임을 특징으로한 상기방법.
  20. 제14항에 있어서, ⅤB족 원소의 부가화합물은 바나듐(V) 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  21. 제14항에 있어서, ⅤIB족 원소의 부가화합물은 몰리브덴화합물임을 특징으로한 상기방법.
  22. 제14항에 있어서, ⅤⅢ족 원소의 부가화합물은 백금이나 팔라듐 화합물임을 특징으로한 상기방법.
  23. 제14항에 있어서, 갈바니도금조는 니켈 또는 구리, 또는 은제도금조임을 특징으로한 상기방법.
  24. 제14항에 있어서, 백금족 금속의 가용염은 루테늄 트리클로라이드임을 특징으로한 상기방법.
  25. 제1항 또는 제14항에 있어서, 상기 방법에 의해 얻어지는 전해처리용 전극.
  26. 제25항에 있어서, 알칼리금속 할라이드의 전해용 전해조에서 음극으로서 전극을 사용하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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