KR870000610A - 스멕틱 상을 갖는 캡슐형 액정 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

스멕틱 상을 갖는 캡슐형 액정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 선행 기술의 액정장치의 개략도.
제4도는 제3도의 액정장치의 일부분을 부분적으로 떼어 나타낸 부분확대도.
제6도는 전기장이 가해진 상태하에서의 제5도와 비슷한도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,10,10' : 액정장치 2,20 : 액정재료
3,13,14 : 전극 4,12 : 기판
5,18,19,62,64 : 전기리드(lead) 6,17,60 : 스위치
7,16 : 전압 원 11 : 캡슐형 액정
15 : 보호층 22 : 캡슐
54 : 캡슐 벽 70,71,72 : 캐패시터

Claims (50)

  1. 스멕틱 상을 갖는 액정재료와 액정재료를 이산체적으로 제한하기 위한 캡슐을 이루는 매체수단을 포함하고 있으며, 캡슐을 이루는 매체수단은 일반적으로 액정재료의 뒤틀린 배열을 유발하고, 그 액정재료는 그와같은 배열에 감응하여 빛을 산란시키거나 흡수 하는중 적어도 하나를 하게되며 규정된 입력에 감응하여 산란 또는 흡수량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액정재료의 층 및 캡슐을 이루는 매체수단을 지지하기 위한 기판수단을 더불어 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 이산 체적은 캡슐을 이루는 매체 수단내에 있는 액정재료의 캡슐형 체적으로 이루어져 있으며, 상기층은 캡슐형 체적의 수개의 층이 두께로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  4. 제1항에 있어서, 스멕틱 상에서의 액정재료는 광학적으로 이방성이며, 스멕틱상에 있는 액정재료의 보통의 굴절룰과 캡슐을 이루는 매체수단의 굴절룰 사이의 차가 약 0.03밖에 안되는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  5. 제1항에 있어서, 스메틱상에 있는 액정재료는 양의 유전 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  6. 제1항에 있어서, 캡슐을 이루는 매체수단이 개개의 캡슐을 형성하는 고형매체로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  7. 제1항에 있어서, 캡슐을 이루는 매체수단이 개개의 상호 연결된 캡슐을 이루는 고형매체로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  8. 제1항에 있어서, 캡슐을 이루는 매체수단이 건조된 안정 에멀션으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  9. 제1항에 있어서, 액정재료와 혼합된 다색 염료를 더불어 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  10. 제1항에 있어서, 본 발명의 입사된 빛의 편광과 무관하게 동작하는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  11. 제1항에 있어서, 규정된 입력이 전기장인 것을 특징으로 하는 액정장치.
  12. 제11항에 있어서, 산란 또는 흡수의 감소된 양이 전기장의 제거후에도 남아있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  13. 제12항에 있어서, 액정재료의 온도에 있어서의 상승은 일반적으로 뒤틀린 배열을 유발하는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  14. 제13항에 있어서, 온도는 액정재료의 스멕틱에서 네마틱상으로 전이온도인 것을 특징으로 하는 액정장치.
  15. 제13항에 있어서, 온도는 액정재료의 스멕틱에서 등방성상 으로의 전이온도인 것을 특징으로 하는 액정장치.
  16. 제1항에 있어서, 스멕틱상은 스멕틱 A상인 것을 특징으로 하는 액정장치.
  17. 제1항에 있어서, 스멕틱상은 스멕틱 C상인 것을 특징으로 하는 액정장치.
  18. 제17항에 있어서, 스멕틱 C상이 키랄 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  19. 스멕틱과 네마틱상을 갖는 액정 재료와 액정재료를 이산체적으로 제한하기 위한 캡슐을 이루는 매체수단을 포함하고 있으며, 캡슐을 이루는 매체수단은 일반적으로 액정재료의 뒤틀린 배열을 유발하고 그 액정재료는 그러한 배열에 감응하여 빛을 산란시키거나 흡수하는중 적어도 어느 하나를 하게되며 규정된 입력에 감응하여 산란 또는 흡수량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  20. 제19항에 있어서, 규정된 입력은 액정재료가 네마틱상에 있도록 온도와, 그리고 네마틱 상에서의 산란 또는 흡수량을 줄이기에 충분한 전기장을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  21. 제20항에 있어서, 전기장의 제거후에도 산란이나 흡수의 감소된 량이 남아있도록 온도를 감소시키기 위한 수단을 더불어 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 액정재료의 온도의 증가는 일반적으로 상기 뒤틀어진 배열을 유발함을 특징으로 하는 액정장치.
  23. 제22항에 있어서, 온도가 상기 액정재료의 스멕틱으로부터 네마틱상으로의 전이온도임을 특징으로 하는 액정장치.
  24. 제23항에 있어서, 온도가 상기 액정재료의 스멕틱으로부터 등방성상으로의 전이 온도임을 특징으로 하는 액정장치.
  25. 적어도 하나의 캡슐을 이루는 매체 및 스멕틱상을 갖는 액정재료를 혼함하고, 더욱더 이러한 액정재료는 전기장이 그 위에 작용되지 않을때 액정분자들의 방향의 뒤틀림을 일으키는 이러한 캡슐매체에 의해 형성된 캡슐속의 이러한 액정재료를 제한하여 포함하는 투사광의 분광방향으로 실질적으로, 독립적으로 수행되는 캡슐형 스멕틱 액정의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 제한이 이러한 캡슐을 구성하는 매체의 별개의 캡슐형 체적에 이러한 액정을 제한함을 특징으로 하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 제한이 각각의 캡슐로서 고체매체에 이러한 액정을 제한함을 특징으로 하는 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 제한이 건조되고 안정한 에멀션에 이러한 액정을 제한함을 특징으로 하는 방법.
  29. 제26항에 있어서, 상기 제한이 더욱 더 상호 연결된 캡슐형 체적에 이러한 액정을 제한하여 포함함을 특징으로 하는 방법.
  30. 제25항에 있어서, 상기 혼합이 액정과 캡슐을 구성하는 매체의 분산을 형성하여 구성됨을 특징으로 하는 방법.
  31. 제25항에 있어서, 이러한 기판에의한 지지를 위해 기판에 캡슐형 액정재료를 더욱 사용함을 특징으로 하는 방법.
  32. 제31항에 있어서, 증발, 진공침적, 스퍼터링, 인쇄, 웨브로울러인쇄, 그라비야로울러 인쇄, 역로울러 인쇄, 및 스텐슬링으로 구성되는 그룹의 단계중의 적어도 하나에 의해 이러한 기판으로 부터 떨어진 이러한 캡슐형 액정재료의 표면에 전극을 더욱 더 사용함을 특징으로 하는 방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 기판에 광학적으로 반사되는 재료를 더욱 더 사용함을 특징으로 하는 방법.
  34. 제31항에 있어서, 상기 사용은 이러한 기판위에 이러한 캡슐형 액정재료를 실크-스크리닝시킴을 특징으로 하는 방법.
  35. 제31항에 있어서, 이러한 사용전에 이러한 기판위에 전극을 더욱 더 형성하고, 상기 사용은 이러한 전극에 이러한 캡슐형 액정재료를 사용함을 특징으로 하는 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 형성이 캡슐형 액정재료가 이러한 기판에 의해 지지되는 이러한 기판의 모든 표면적위에 실질적으로 이러한 전극을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  37. 제31항에 있어서, 상기 사용은 여러가지 캡슐의 두께에 이러한 캡술형 액정재료를 사용함을 특징으로 하는 방법.
  38. 제25항에 있어서, 액정재료의 최초 굴절률과 캡슐을 구성하는 매체의 굴절률 사이의 차이가 약 0.03 보다 크지않은 그러한 캡슐을 구성하는 매체 및 그러한 액정재료를 선택함을 특징으로 하는 방법.
  39. 제25항에 있어서, 이러한 액정재료와 다색염료를 더욱 더 혼합함을 특징으로 하는 방법.
  40. 적어도 하나의 산란 및 흡수 투사광에 대해 액정재료의 방향의 뒤틀림을 일으키는 캡슐형부피에 이러한 액정재료를 제한하고, 이러한 산란 또는 흡수를 감소시키기 위해 전기장을 고려하여 액정을 배열한 적어도 이러한 액정중의 몇몇을 사용하는 것으로 구성되고, 투사광의 분광방향에 실질적으로 독립적으로 수행하기 위한 스멕틱상을 갖는 액정재료를 만드는 방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 제한이 스멕틱상과 네마틱상을 모두 갖는 액정재료를 제한함을 특징으로 하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 액정이 네마틱상에서 산란 또는 흡수를 감소시키기 위한 충분한 전기장과 더불어 네마틱상이도록 이러한 액정을 가열하여 더욱 사용함을 특징으로 하는 방법.
  43. 제42항에 있어서, 산란 또는 흡수의 감소된 양이 전기장의 제거후 남아있도록 이러한 액정의 온도를 더욱 감소시킴을 특징으로 하는 방법.
  44. 제43항에 있어서, 이러한 산란 또는 흡수를 유발하기 위해 이러한 액정에 더욱 더 열을 사용함을 특징으로 하는 방법.
  45. 제40 또는 41항에 있어서, 이러한 감소된 산란 또는 흡수가 남아있는 그러한 전기장을 더욱 제거함을 특징으로 하는 방법.
  46. 제45항에 있어서, 이러한 산란 또는 흡수를 유발하기 위해 이러한 액정의 온도를 더욱 증가시킴을 특징으로 하는 방법.
  47. 제46항에 있어서, 온도가 이러한 액정의 스멕틱에서 네마틱상으로의 전이온도임을 특징으로 하는 방법.
  48. 제46항에 있어서, 온도가 이러한 액정의 스멕틱에서 동방성상으로의 전이온도임을 특징으로 하는 방법.
  49. 제40 또는 41항에 있어서, 스멕틱상이 스멕틱 A상임을 특징으로 하는 방법.
  50. 제40 또는 41항에 있어서, 스멕틱상이 스멕틱 C상임을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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