KR850005145A - 건식 부식 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

건식 부식 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1도와 제2도의 장치에서 활성화 이온의 수와 이온 에너지사이의 관계를 나타내는 분포 곡선도,
제4도A는 본 발명의 실시에 의하여 얻어지는 활성화 이온의 수와 이온 에너지 사이의 관계를 나타내는 분포 곡선도.
제4도B는 제4도A의 이온 에너지 분포를 실현하는데 필요한 전위 분포의 실시예를 나타내는 곡선도.
제5도A는 플라즈마(plasma) 부식 공정에서 대상물의 표면에 축적된 전하를 나타내는 구성도.
제5도B는 대상물 주위의 전위 분포를 도식적으로 나타낸 곡선도.
제6도A는 본 발명에 따른 건식부식 방법의 실시에서 전극에 가해지는 전압 파형을 나타내는 곡선도.
제6도B는 제6도A의 전압이 전극에 가해질 때 부식시키는 동안의 대상물의 표면 전위의 변화를 나타내는 곡선도.
제7도는 본 발명에 따른 건식 부식 장치의 실시를 나타내는 블럭 곡선도.

Claims (15)

  1. 전극(12,22)위에 대상물(11,12)이 놓이고, 공정실(14,24)에 장치되는 상기 전극과; 상기 공정실에 주입되는 부식 가스와; 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 부식 가스를 여기시키는 것과; 상기 전극에 주기적으로 가해지는 전압 파형V(t) 전압 파형의 첫번재 부분이 대상물에 전자가 충돌하게 하고, 두번째 부분이 대상물쪽으로 양의 이온을 가속화시키는 상기 주기적인 전압 파형V(t)와, 가속 장을 생성하기 위한 첫번째 성분과, 대상물 표면에서의 전하 축적의 효과를 상쇄하기 위한 두번째 성분을 포함하는 전압파형의 상기 두번째 부분을 포함하는 건식 부식방법.
  2. 전극(12,22)위에 대상물(11,21)이 놓이고 공정실(14,24)에 장치되는 상기 전극과; 상기 공정실에 주입되는 부식 가스와; 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 부식 가스를 여기시키는 것과; 상기 전극에 주기적으로 가해지는 전압 파형의 첫번째 부분의 첫번째 극성을 갖고, 두번째 부분이 첫번째 극성과 정반대인 두번째 극성을 갖는 상기 주기적인 V(t)실질적으로 상수 값인 첫번째전압-시간곱 S1=|∫V(t)dt|를 갖는 첫번째 부분과, 상기 첫번째곱 S1보다 큰 두번째 전압-시간곱 S2=|∫V(t)dt|를 갖는 두번째 부분과, 실질적으로 상수값을 갖는 상기 두번째 부분에서의 전압의 시간 미분값과, 그럼으로써 상기 전압 파형의 상기 두번째 부분에 상응하는 주기동안만 상기 대상물의 표면에 충돌하는 상기 플라즈마의 상기 첫번재 극성을 띤 입자들과, 상기 표면에서의 전하의 증가와 함께 증가하는 상기 주기에서 상기 전극에 인가되는 전압의 크기와,실질적으로상수값인 가속화 전압에 종속되는 상기 입자와, 상기 전압 파형의 상기 첫번째 부분에 상응하는 주기에서의 상기 두번째 극성의 입자에 의하여 중성화되는 상기 표면에서의 상기 전하를 포함하는 건식 부식 방법.
  3. 상기 주기적인 전압 파형의 상기 두번째 부분에서의 전압의 크기가 첫번째 소정의 값(VAC) 보다 작지 않은 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제2항 기재의 건식 부식방법.
  4. 상기 주기적인 전압 파형의 상기 두번째 부분에서의 전압의 크기가 두번째 소정의 값(VBO)보다 크지 않은 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제3항 기재의 건식 부식방법.
  5. 상기 주기적인 전압 파형의 상기 두번째 부분에서의 전압 크기의 상한과 하한을 각각 나타내기 위하여 첫번째 값과 두번째 값을 설정해 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제2항기재의 건식 부식방법.
  6. 상기 전극위에 놓인 상기 대상물의 상기 표면과 같은 곳에서의 전위를 정측하는 단계와, 측정된 전위를 기초로하여 상기 전압 파형의 상기 두번째 부분에서의 전압을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구범위 제5항 기재의 건식 부식 방법.
  7. 상기 전압 파형의 상기 첫번째 부분이 인가된 후에 상기 측정된 전위의 크기가 0으로 되는 시간을 검출하는 단계와, 상기 전압 파형의 상기 두번째 부분이 인가된 후에 상기 측정된 전위의 크기가 상기 두번째 값에 상응하는 값에 도달하는 시간을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제6항 기재의 건식 부식 방법.
  8. 입력 장치(32)에 의하여 상기 주기적인 전압 파형을 결정하고, 입력시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제2항 기재의 건식 부식방법.
  9. 진공이 가능한 공정실(14,24)과, 상기 공정실에 장치되어 전압이 인가되는 전극(12,22)과; 상기 전극 위에 놓여지는 대상물(11,21); 상기 공정실에 부식 가스를 넣기 위한 가스 주입 수단과, 상기 부식가스를 여시시켜 상기 공정 실에서 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 수단(15,16,25,26)과; 주기적인 전압 파형 V(yt)를 발생시켜 상기 전극에 파형V(t)를 인가하기 위한 수단 (17,27)과 파형V(t)의 첫번째 부분이 대상물의 표면에 전자가 충동하게 하고, 두번째 부분이 대상물 쪽으로 양의 입자를 가속화시키기 위한 파형 V(t)와, 가속 장을 발생시키기 위한 첫번째 성분과 대상물의 표면에서의 전하 축적의 영향을 상쇄하기 위하여 첫번째 성분에 부가된 두번째 성분을 갖는 파형의 상기 두번째 부분을 포함하는 건식 부식장치.
  10. 진공이 가능한 공정실(14,24)에 상기 공정실에 장치되어 대상물(11,21)을 올려 놓고, 전압을 인가하기 위한 전극(12,22)과; 상기 공정실에 부식 가스를 넣기 위한 가스 주입 수단과; 상기 부식 가스를 여기시켜 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생수단(15,16; 25,26)과; 상기 전극에 인가된 주기적인 전압파형 V(t)를 발생하기 위한 수단(17,27)과, 첫번째 극성의 첫번재 부분과 첫번째 극성과 정반대의 극성을 갖는 두번째 부분을 갖는 상기 주기적인 전압 파형과, 상기 첫번째 부분에서 얻어지는 첫번째 실질적으로 상수값인 전압-시간 곱 S1=|∫V(t)dt|과 상기 첫번째 곱보다 큰 두번째 부분에서 얻어지는 두번째 전압-시간 곱 S2=|∫V(t)dt|와, 실질적으로 상수값인 시간에 대한 상기 두번째 부분에서의 전압 미분값과, 그럼으로써 상기 전압 파형의 상기 두번째 부분에 상응하는 주기에서 상기 대상물의 표면에 충돌하는 상기 플라즈마에서 상기 첫번째 극성의 입자와, 상기 표면에서의 전하의 증가와 함께 증가되는 상기 주기동안에 상기 전극에 인가되는 전압의 크기와, 실질적으로 상수값인 가속화 전압에 종속되는 상기 입자와, 상기 전압 파형의 상기 첫번째 부분에 상응하는 주기에서 상기 두번째 극성의 입자에 의하여 중성화되는 상기 표면에서의 상기 전하를 포함하는 건식부식 장치.
  11. 상기 주기적인 전압 파형의 상기 두번째 부분에서의 전압의 크기가 소정의 값보다 작지않은 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제10항 기재의 건식 부식 장치.
  12. 상기 전압 파형 발생수단(17,27)이 여러가지의 파형파라미터를 입력시키기 위한 입력 장치(32)를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제10항 기재의 건식부식 장치.
  13. 상기 전압 파형 발생수단(17,27)이 또한 메모리 수단과, 논리 연산부와, 상기 전압 파형을 나타내는 출력 신호를 만들기 위한 출력 수단(36)을 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구범위 제12항 기재의 건식 주식 장치.
  14. 상기 대상물의 상기 표면과 같은 상기 공정실의 위치에서의 전위를 측정하기 위한 수단(20A,30A)을 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제10항 기재의 건식 부식 장치.
  15. 상기 전위 측정 수단에 의한 측정의 결과가 상기 주기적인 전압 파형을 제어하기 위하여 상기 전압 파형 발생 수단에 가해지는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제14항 기재의 건식 부식 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2603217B2 (ja) * 1985-07-12 1997-04-23 株式会社日立製作所 表面処理方法及び表面処理装置
JPS62125626A (ja) * 1985-11-27 1987-06-06 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPH0643637B2 (ja) * 1986-05-30 1994-06-08 株式会社日立製作所 プラズマ制御装置
KR900007687B1 (ko) * 1986-10-17 1990-10-18 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마처리방법 및 장치
US4767496A (en) * 1986-12-11 1988-08-30 Siemens Aktiengesellschaft Method for controlling and supervising etching processes
JPH0828345B2 (ja) * 1987-07-10 1996-03-21 株式会社日立製作所 ドライエッチング方法および装置
US4793895A (en) * 1988-01-25 1988-12-27 Ibm Corporation In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection
US4950377A (en) * 1988-09-23 1990-08-21 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for reactive ion etching
KR900013595A (ko) * 1989-02-15 1990-09-06 미다 가쓰시게 플라즈마 에칭방법 및 장치
US5145554A (en) * 1989-02-23 1992-09-08 Seiko Epson Corporation Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors
US5236537A (en) * 1989-04-07 1993-08-17 Seiko Epson Corporation Plasma etching apparatus
US5133830A (en) * 1989-04-07 1992-07-28 Seiko Epson Corporation Method of pretreatment and anisotropic dry etching of thin film semiconductors
DE69017744T2 (de) * 1989-04-27 1995-09-14 Fuji Electric Co Ltd Gerät und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines durch Mikrowellen erzeugten Plasmas.
US5194119A (en) * 1989-05-15 1993-03-16 Seiko Epson Corporation Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors
US5163458A (en) * 1989-08-03 1992-11-17 Optek, Inc. Method for removing contaminants by maintaining the plasma in abnormal glow state
US5198072A (en) * 1990-07-06 1993-03-30 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for detecting imminent end-point when etching dielectric layers in a plasma etch system
US5707486A (en) * 1990-07-31 1998-01-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process
JP2859721B2 (ja) * 1990-08-07 1999-02-24 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置
US5316645A (en) * 1990-08-07 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP2830978B2 (ja) * 1990-09-21 1998-12-02 忠弘 大見 リアクティブイオンエッチング装置及びプラズマプロセス装置
JP2543642B2 (ja) * 1991-01-18 1996-10-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高周波交流電気エネルギ―と相対的に低い周波数の交流電気的エネルギ―を有する、工作物を処理するためのシステムおよび方法
US5302882A (en) * 1991-09-09 1994-04-12 Sematech, Inc. Low pass filter for plasma discharge
US5330615A (en) * 1991-11-04 1994-07-19 Cheng Chu Symmetric double water plasma etching system
US5175472A (en) * 1991-12-30 1992-12-29 Comdel, Inc. Power monitor of RF plasma
US5523955A (en) * 1992-03-19 1996-06-04 Advanced Energy Industries, Inc. System for characterizing AC properties of a processing plasma
US5458732A (en) * 1992-04-14 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Method and system for identifying process conditions
US5325019A (en) * 1992-08-21 1994-06-28 Sematech, Inc. Control of plasma process by use of harmonic frequency components of voltage and current
JP3799073B2 (ja) 1994-11-04 2006-07-19 株式会社日立製作所 ドライエッチング方法
FR2738984B1 (fr) * 1995-09-19 1997-11-21 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de mesure d'un flux d'ions dans un plasma
US5860350A (en) * 1997-01-29 1999-01-19 Rexroad; John Flat braid with web core
US6174450B1 (en) * 1997-04-16 2001-01-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system
US6356097B1 (en) * 1997-06-20 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage
DE69723699T2 (de) 1997-10-08 2004-06-17 Recherche et Développement du Groupe Cockerill Sambre, en abrégé: RD-CS Verfahren zum Reinigen eines Substrats und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6265831B1 (en) 1999-03-31 2001-07-24 Lam Research Corporation Plasma processing method and apparatus with control of rf bias
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
JP4306149B2 (ja) * 2001-05-28 2009-07-29 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US6677711B2 (en) * 2001-06-07 2004-01-13 Lam Research Corporation Plasma processor method and apparatus
JP4219628B2 (ja) * 2001-07-27 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および基板載置台
BR0212510A (pt) 2001-09-14 2004-08-24 Methylgene Inc Inibidor de histona desacetilase, composto e composição
JP4830288B2 (ja) * 2004-11-22 2011-12-07 富士電機株式会社 プラズマ制御方法およびプラズマ制御装置
US7713430B2 (en) * 2006-02-23 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Using positive DC offset of bias RF to neutralize charge build-up of etch features
US7875859B2 (en) * 2008-03-31 2011-01-25 Tokyo Electron Limited Ion energy analyzer and methods of manufacturing and operating
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US9287092B2 (en) * 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9435029B2 (en) 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
FR2951026B1 (fr) * 2009-10-01 2011-12-02 St Microelectronics Sa Procede de fabrication de resonateurs baw sur une tranche semiconductrice
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US8816281B2 (en) 2011-03-28 2014-08-26 Tokyo Electron Limited Ion energy analyzer and methods of manufacturing the same
JP6329543B2 (ja) * 2012-08-28 2018-05-23 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． 切り替えモードイオンエネルギー分布システムを制御する方法
WO2014036000A1 (en) 2012-08-28 2014-03-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wide dynamic range ion energy bias control; fast ion energy switching; ion energy control and a pulsed bias supply; and a virtual front panel
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
WO2016130672A1 (en) * 2015-02-11 2016-08-18 President And Fellows Of Harvard College Methods for nano and micro-patterning
US20170358431A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for controlling a voltage waveform at a substrate during plasma processing
KR101913684B1 (ko) * 2016-10-21 2018-11-01 주식회사 볼트크리에이션 건식 에칭장치 및 그 제어방법
KR20200100642A (ko) 2017-11-17 2020-08-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱을 위한 이온 바이어스 전압의 공간 및 시간 제어
PL3711080T3 (pl) 2017-11-17 2023-12-11 Aes Global Holdings, Pte. Ltd. Zsynchronizowane pulsowanie źródła przetwarzania plazmy oraz polaryzacji podłoża
WO2019099937A1 (en) 2017-11-17 2019-05-23 Advanced Energy Industries, Inc. Improved application of modulating supplies in a plasma processing system
JP7134695B2 (ja) * 2018-04-27 2022-09-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及び電源制御方法
US10555412B2 (en) * 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
KR102592922B1 (ko) * 2018-06-21 2023-10-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 신호 소스 장치, 물질막의 처리 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법
CN110896019A (zh) * 2018-09-12 2020-03-20 北京北方华创微电子装备有限公司 等离子体刻蚀设备及刻蚀方法
KR20220031713A (ko) 2019-07-12 2022-03-11 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 단일 제어식 스위치를 갖는 바이어스 공급부
US11615966B2 (en) 2020-07-19 2023-03-28 Applied Materials, Inc. Flowable film formation and treatments
US11887811B2 (en) * 2020-09-08 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chambers for deposition and etch
US11699571B2 (en) * 2020-09-08 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chambers for deposition and etch
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4233109A (en) * 1976-01-16 1980-11-11 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Dry etching method
US4222838A (en) * 1978-06-13 1980-09-16 General Motors Corporation Method for controlling plasma etching rates
JPS55118637A (en) * 1979-03-06 1980-09-11 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Plasma etching apparatus
JPS5613480A (en) * 1979-07-13 1981-02-09 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
FR2463975A1 (fr) * 1979-08-22 1981-02-27 Onera (Off Nat Aerospatiale) Procede et appareil pour la gravure chimique par voie seche des circuits integres
JPS5681678A (en) * 1979-12-05 1981-07-03 Toshiba Corp Method and apparatus for plasma etching
JPS5687672A (en) * 1979-12-15 1981-07-16 Anelva Corp Dry etching apparatus
US4333814A (en) * 1979-12-26 1982-06-08 Western Electric Company, Inc. Methods and apparatus for improving an RF excited reactive gas plasma
DE3006694C2 (de) * 1980-02-22 1982-07-29 Bergwerksverband Gmbh, 4300 Essen Verfahren zur Herstellung von Nadelkoks
JPS5812347B2 (ja) * 1981-02-09 1983-03-08 日本電信電話株式会社 プラズマエッチング装置
US4327123A (en) * 1981-02-20 1982-04-27 Rca Corporation Method of metallizing a phosphor screen
JPS58200529A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US4464223A (en) * 1983-10-03 1984-08-07 Tegal Corp. Plasma reactor apparatus and method
US4496448A (en) * 1983-10-13 1985-01-29 At&T Bell Laboratories Method for fabricating devices with DC bias-controlled reactive ion etching
US4585516A (en) * 1985-03-04 1986-04-29 Tegal Corporation Variable duty cycle, multiple frequency, plasma reactor

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