KR20220149671A - 포지티브형 감광성 수지 조성물 - Google Patents
포지티브형 감광성 수지 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220149671A KR20220149671A KR1020227030026A KR20227030026A KR20220149671A KR 20220149671 A KR20220149671 A KR 20220149671A KR 1020227030026 A KR1020227030026 A KR 1020227030026A KR 20227030026 A KR20227030026 A KR 20227030026A KR 20220149671 A KR20220149671 A KR 20220149671A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin composition
- positive photosensitive
- photosensitive resin
- compound
- group
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 9
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 claims abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- -1 quinonediazide compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 17
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical group OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N (z)-2-cyano-3-thiophen-2-ylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C/C1=CC=CS1 QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N 0.000 description 1
- PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical group OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKDCQCZRMNHVCR-UHFFFAOYSA-N 3-[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propyl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(CC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C)=C1C(O)=O BKDCQCZRMNHVCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical group CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- BNWKXMCELVEAPW-UHFFFAOYSA-N chembl3305990 Chemical compound O=C1C(=[N+]=[N-])C=CC2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O BNWKXMCELVEAPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical group OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid group Chemical group C(C=1C(C(=O)O)=CC=CC1)(=O)O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003900 succinic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
-
- H01L51/50—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
본 발명은, 알칼리 가용성 수지 (A), 감광제 (B), 가교제 (C), 계면 활성제 (D) 를 함유하고, 상기 가교제 (C) 가 산성기로서 카르복실기, 페놀성 수산기, 술포기 및 인산기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 이상을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 산성기를 갖는 화합물의 비율이, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대하여 5 ∼ 35 % 의 범위에 있고, 상기 계면 활성제 (D) 가 F 원자를 갖지 않는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은, 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
포지티브형 감광성 수지 조성물은, 컬러 필터, 유기 EL 소자, TFT 어레이 제조에 사용되는 화소 형성용 격벽, 층간 절연막, 평탄화막, 나아가서는 매크로 렌즈 형성용으로 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2).
최근에는 제품의 요구 성능이 높아지고 있어, 종래의 포지티브형 감광성 수지 조성물에서는 성능이 충분하지 않다.
이와 같은 상황하, 기판과의 밀착성이 높고, 현상 잔사가 적고, 또한 내용제성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물이 요구되고 있다.
본 발명은, 이하의 양태를 포함한다.
1. 알칼리 가용성 수지 (A), 감광제 (B), 가교제 (C), 계면 활성제 (D) 를 함유하고, 상기 가교제 (C) 가 산성기로서 카르복실기, 페놀성 수산기, 술포기 및 인산기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 이상을 갖는 화합물을 함유하고,
상기 산성기를 갖는 화합물의 비율이, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대하여 5 ∼ 35 % 의 범위에 있고,
상기 계면 활성제 (D) 가 F 원자를 갖지 않는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
2. 상기 감광제 (B) 가 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 상기 1 에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. 상기 알칼리 가용성 수지 (A) 의 질량 평균 분자량이 500 ∼ 10000 의 범위에 있는 상기 1 또는 2 에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
4. 상기 알칼리 가용성 수지 (A) 가 페놀 수지인 상기 1 ∼ 3 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
5. 상기 페놀 수지가 오르토크레졸 수지인 상기 4 에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
6. 상기 산성기가 카르복실기인 상기 1 ∼ 5 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
7. 상기 가교제 (C) 가 1 분자 중에 상기 카르복실기를 1 ∼ 3 개 갖는 화합물을 함유하는 상기 6 에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
8. 상기 가교제 (C) 중의 상기 산성기를 갖는 화합물의 비율이, 질량비로 30 % 이상인 상기 1 ∼ 7 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
9. 추가로 용매 (E) 를 함유하고, 상기 용매에 있어서의 비점이 170 ℃ 이상인 화합물의 비율이 10 ∼ 70 질량% 의 범위에 있는 상기 1 ∼ 8 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
10. 상기 1 ∼ 9 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화시킨 경화물.
11. 상기 10 에 기재된 경화물을 격벽으로서 포함하는 광학 소자.
본 발명에 의하면, 기판과의 밀착성이 높고, 현상 잔사가 적고, 또한 내용제성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대해서 설명한다.
[포지티브형 감광성 수지 조성물]
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 필수 성분과 임의 성분의 조합으로 이루어진다. 필수 성분은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 필수적으로 함유되는 것으로, 성능의 주요한 기능을 제공한다. 임의 성분은 필요에 따라 사용된다.
본 명세서에 있어서 특별한 기재가 없는 경우, % 는 질량% 를 의미한다. 단, 본 명세서에 있어서, 질량 기준의 비율 (백분율, 부 등) 은 중량 기준의 비율 (백분율, 부 등) 과 동일하다. 수치 범위는 반올림한 범위를 포함한다. 또한, 수치 범위를 「X ∼ Y」로 나타내는 경우 「X 이상 Y 이하」를 의미한다.
[필수 성분]
필수 성분은 알칼리 가용성 수지 (A), 감광제 (B), 가교제 (C) 및 계면 활성제 (D) 이다.
<알칼리 가용성 수지 (A)>
알칼리 가용성 수지 (A) 는, 현상 공정에서 사용되는 알칼리에 대하여 용해되는 수지이고, 화소부 등에서 사용되는 격벽의 주성분이 되는 수지이다.
본 발명에서 사용되는 알칼리 가용성 수지 (A) 로는, 포지티브형 감광성 수지 조성물에 사용되는 공지된 수지를 사용할 수 있다.
구체예로서, 알칼리 가용성 수지 (A) 로는 일본 특허공보 제6177495호, 일본 특허공보 제5447384호, 일본 특허공보 제4770985호, 일본 특허공보 제4600477호, 일본 특허공보 제5444749호, 및 국제 공개 제2019/156000호에 기재된 알칼리 가용성 수지가 개시되지만, 알칼리 가용성 수지 (A) 는 이것들에 한정되지 않는다.
바람직한 알칼리 가용성 수지 (A) 의 구체예로서 이하의 수지가 예시되지만, 알칼리 가용성 수지 (A) 는 이것들에 한정되지 않는다.
알칼리 가용성 수지 (A) 로는 페놀 수지가 바람직하다. 페놀 수지를 사용하면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화성이 향상되고, 또한 아웃 가스의 발생이 저감된다. 페놀 수지로는, 수지의 분자량을 작게 컨트롤 가능하기 때문에 오르토크레졸 수지가 특히 바람직하다.
잔사 제거성이 우수하기 때문에, 알칼리 가용성 수지 (A) 의 질량 평균 분자량은 500 ∼ 10000 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 1000 ∼ 5000 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하고, 1000 ∼ 3000 의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다.
본 명세서에 있어서 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 테트라하이드로푸란을 이동상으로 하여 측정되는, 표준 폴리스티렌을 기준으로 하여 환산한 질량 평균 분자량을 의미한다.
알칼리 가용성 수지 (A) 의 사용량은, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대해 40 ∼ 80 % 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 50 ∼ 75 % 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하며, 55 ∼ 72 % 의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 사용량이 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 발휘할 수 있다.
<감광제 (B)>
감광제 (B) 는, 노광시에 광과 반응하여 포지티브형 감광성 수지 조성물의 알칼리 용액에 대한 용해성을 변화시키는 화합물이다.
본 발명에서 사용되는 감광제 (B) 로서, 포지티브형 감광성 수지 조성물에 사용되는 공지된 감광제를 들 수 있다.
감광제 (B) 로서, 감광성이 우수하기 때문에 퀴논디아지드기를 갖는 화합물 (이하 퀴논디아지드 화합물이라고도 한다) 이 바람직하다.
감광제 (B) 의 사용량은, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대하여 10 ∼ 35 % 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 15 ∼ 30 % 의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하고, 17 ∼ 22 % 의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 사용량이 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 발휘할 수 있다.
<가교제 (C)>
가교제 (C) 는, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화성에 기여하는 화합물이며 2 개 이상의 광 경화성 관능기를 갖는다. 광 경화성 관능기는, 알칼리 가용성 수지 (A) 가 갖는 광 경화성 관능기와 동일한 종류의 관능기가 바람직하다. 구체적으로는, 광 경화성 관능기로는 에틸렌성 이중 결합이 바람직하다.
가교제 (C) 가 갖는 광 경화성 관능기의 수는, 1 분자 중, 2 개 이상이고, 3 개 이상이 바람직하며, 4 개 이상이 보다 바람직하고, 5 개 이상이 특히 바람직하다. 광 경화성 관능기의 수가 많을수록, 도막 표면의 경화성이 향상되어, 경화물의 내용제성이나 아웃 가스 등의 신뢰성이 향상된다.
본 발명에서 사용되는 가교제 (C) 는, 산성기로서 카르복실기, 페놀성 수산기, 술포기 및 인산기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 갖는 화합물 (이하, 산성기를 갖는 화합물이라고도 한다) 을 함유하고, 바람직하게는 카르복실기를 갖는 화합물을 함유한다. 상기 산성기를 갖는 화합물이 갖는 산성기의 수는, 1 분자 중 1 개 이상이고, 바람직하게는 1 ∼ 3 개이며, 특히 바람직하게는 1 개이다.
상기 산성기를 갖는 화합물이 상기 구조를 가짐으로써 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 발휘할 수 있다. 또한, 가교제가 경화막 중에 균일하게 분산되어, 현상액의 침투성을 높일 수 있다.
상기 산성기를 갖는 화합물의 질량 평균 분자량은, 현상액의 침투 및 액 중으로의 확산의 관점에서 100 ∼ 1500 이 바람직하고, 300 ∼ 1000 이 더욱 바람직하고, 400 ∼ 800 이 특히 바람직하다.
상기 산성기를 갖는 화합물의 구체예를 이하에 들지만, 산성기를 갖는 화합물은 이것들에 한정되지 않는다.
산성기를 갖는 화합물은 예를 들어, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카르복실산의 에스테르, 방향족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카르복실산의 에스테르, 및, 폴리이소시아네이트 화합물과 (메트)아크릴로일 함유 하이드록시 화합물을 반응시킨 우레탄 골격을 갖는 에틸렌성 화합물 등에, 불포화 결합 (에틸렌성 이중 결합) 을 2 개 이상 남기도록 하여, 산성기를 도입한 화합물이 바람직하다.
또한, 산성기를 갖는 화합물은, 에틸렌성 이중 결합의 도입 비율의 관점에서, 이소시아누레이트 골격, 트리메틸올프로판 골격, 프탈산 골격, 펜타에리트리톨 골격, 디펜타에리트리톨 골격, 또는 트리펜타에리트리톨 골격을 갖는 화합물이 바람직하고, 특히 디펜타에리트리톨 골격을 갖는 화합물이 바람직하다.
보다 구체적으로는, 산성기를 갖는 화합물은, 디펜타에리트리톨의 5 개의 하이드록시기가 (메트)아크릴로일옥시기로 치환되고, 나머지 1 개의 하이드록시기가 예를 들어 숙신산과 에스테르 결합함으로써, 산성기가 도입된 화합물이 특히 바람직하다.
이들 화합물이 1 분자 중에 광 경화성 관능기, 바람직하게는 에틸렌성 이중 결합, 보다 바람직하게는 아크릴레이트를, 2 개 이상, 바람직하게는 3 개 이상, 보다 바람직하게는 4 개 이상, 특히 바람직하게는 5 개 이상 갖고, 또한 산성기를 함께 가짐으로써, 내용제성과 현상 잔사의 저감 효과가 높은 레벨로 양립 가능해진다.
가교제 (C) 의 산가는, 10 mgKOH/g 이상이 바람직하고, 20 mgKOH/g 이상이 보다 바람직하고, 50 mgKOH/g 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 산가는 200 mgKOH/g 이하가 바람직하고, 150 mgKOH/g 이하가 보다 바람직하고, 100 mgKOH/g 이하가 더욱 바람직하다. 산가는, 10 ∼ 200 mgKOH/g 이 바람직하고, 20 ∼ 150 mgKOH/g 이 더욱 바람직하고, 50 ∼ 100 mgKOH/g 이 특히 바람직하다. 가교제 (C) 의 산가가 상기 하한값 이상이면, 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서 보다 양호한 현상액에 대한 용해성을 얻을 수 있다.
가교제 (C) 는, 상기 산성기를 갖는 화합물 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 그 밖의 가교제와 병용해도 된다.
가교제 (C) 중의 산성기를 갖는 화합물의 비율은 질량비로 30 % 이상인 것이 바람직하고, 50 % 이상인 것이 더욱 바람직하고, 60 % 이상인 것이 특히 바람직하다.
상기 산성기를 갖는 화합물의 사용량은, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대하여 5 ∼ 35 % 의 범위에 있다. 이러한 사용량은, 6 % 이상이 바람직하고, 8 % 이상이 보다 바람직하다. 또한, 사용량은, 25 % 이하가 바람직하고, 20 % 이하가 보다 바람직하다. 또, 사용량은 6 ∼ 25 % 가 바람직하고, 8 ∼ 20 % 가 특히 바람직하다. 사용량이 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 발휘할 수 있다. 보다 구체적으로는, 산성기를 갖는 화합물의 사용량이 상기 하한값 이상임으로써, 우수한 내용제성과 현상 잔사의 저감 효과를 양립시키기 쉽다. 사용량이 상기 상한값 이하임으로써, 기판과의 밀착성이 양호해지기 쉽다.
또, 가교제 (C) 의 비율은, 알칼리 가용성 수지 (A) 에 대하여 질량비로, 8 % 이상이 바람직하고, 10 % 이상이 보다 바람직하고, 12 % 이상이 더욱 바람직하고, 14 % 이상이 특히 바람직하다. 또한, 이러한 비율은 40 % 이하가 바람직하고, 35 % 이하가 보다 바람직하고, 30 % 이하가 더욱 바람직하고, 26 % 이하가 특히 바람직하다. 이러한 비율은 바람직하게는 8 ∼ 40 %, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 35 %, 특히 바람직하게는 12 ∼ 30 %, 가장 바람직하게는 14 ∼ 26 % 이다. 가교제 (C) 의 비율이 알칼리 가용성 수지 (A) 에 대하여 이 범위에 있음으로써 현상액 용해성과 패턴 형상의 밸런스가 우수하다.
<계면 활성제 (D)>
계면 활성제 (D) 는, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 도포성을 향상시키고, 또한 현상시의 잔사 제거성을 향상시킨다.
본 발명의 계면 활성제 (D) 는 F 원자를 갖지 않는다. 계면 활성제 (D) 가 F 원자를 갖지 않음으로써 발잉크성을 약하게 하여, 잉크와의 친화성이 필요한 용도에 바람직하게 된다. 한편, 발잉크제를 사용한 경우, 잉크를 도포하는 지점에 발잉크성이 생겨 잉크의 도포성이 크게 저하된다. 그 때문에, 계면 활성제 (D) 로는, 발잉크제로서 사용되는 화합물은 바람직하지 않다.
계면 활성제 (D) 의 구체예를 이하에 들지만, 이것들에 한정되지 않는다.
계면 활성제 (D) 로는, 실리콘계 계면 활성제, 논이온성, 아니온성, 카티온성 및 양쪽성 계면 활성제를 들 수 있고, 폴리에테르 변성 실리콘계 계면 활성제가 바람직하다.
실리콘계 계면 활성제로서 보다 구체적으로는, 다우·도레이 주식회사 제조 「도레이 실리콘 DC3PA」, 「도레이 실리콘 SH7PA」, 「도레이 실리콘 DC11PA」, 「도레이 실리콘 SH21PA」, 「도레이 실리콘 SH28PA」, 「도레이 실리콘 SH29PA」, 「도레이 실리콘 SH30PA」, 「도레이 실리콘 SH8400」, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 합동회사 제조 「TSF-4440」, 「TSF-4300」, 「TSF-4445」, 「TSF-444(4)(5)(6)(7)」, 「TSF-4460」, 「TSF-4452」, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조 「KP341」, 빅케미사 제조 「BYK323」, 「BYK330」등을 들 수 있다.
계면 활성제 (D) 의 사용량은, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대하여 0.1 ∼ 1.0 % 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 사용량이 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 발휘할 수 있다.
[임의 성분]
<용매 (E)>
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 용매 (E) 를 함유해도 된다.
용매 (E) 를 함유함으로써, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 도공성, 기판에 대한 밀착성, 안정성이 보다 우수하다.
용매 (E) 로는, 포지티브형 감광성 수지 조성물에 사용되는 공지된 용매를 사용할 수 있다. 용매 (E) 로는, 구체적으로는 알코올류, 에테르류, 방향족류, 및 탄화수소를 들 수 있지만, 용매 (E) 는 이들에 한정되지 않는다.
포지티브형 감광성 수지 조성물의 도막의 균일성이 향상되고, 또한 층 분리가 우수하기 때문에, 용매 (E) 에 있어서의 비점이 170 ℃ 이상인 화합물의 비율은 10 ∼ 70 질량% 의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다.
또한, 용매 (E) 의 배합량은, 포지티브형 감광성 수지 조성물 중, 질량비로, 60 ∼ 90 % 의 범위가 바람직하고, 75 ∼ 85 % 의 범위가 특히 바람직하다.
<그 밖의 성분>
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 열경화제, 열경화 촉진제, 착색제, 실란 커플링제, 미립자, 증점제, 가소제, 소포제, 레벨링제, 크레이터링 방지제 및 자외선 흡수제 등, 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 첨가되는 공지된 성분을 첨가해도 된다. 보다 구체적으로는, 일본 특허공보 제6098635호, 단락 0080 ∼ 0095 에 기재된 성분 등을 추가해도 된다.
[포지티브형 감광성 수지 조성물의 조제 방법]
포지티브형 감광성 수지 조성물은, 알칼리 가용성 수지 (A), 감광제 (B), 가교제 (C) 및 계면 활성제 (D), 그리고 필요에 따라 용매 및 그 밖의 성분을 균일해질 때까지 혼합하여 조제된다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 유기 EL 소자, 컬러 필터, 및 TFT 어레이 등의 광학 소자에 있어서의 화소 형성용 격벽, 층간 절연막, 평탄화막, 나아가서는 마이크로렌즈 형성용으로서 바람직하게 사용되지만, 용도는 이들에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화한 경화물을 상기 용도 등에 바람직하게 사용할 수 있다.
일례로서 유기 EL 소자의 제조 방법을 나타낸다.
유리 등의 투명 기판에 주석 도프 산화인듐 (ITO) 등의 투명 전극을 스퍼터법 등에 의해 제막하고, 필요에 따라, 원하는 패턴으로 투명 전극을 에칭한다. 다음으로, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 격벽 (경화물) 을 형성하고, 또한 표면이 발액성을 갖는 뱅크제를 형성 후, 잉크젯법을 이용하여 도트에 정공 수송 재료, 발광 재료의 용액을 순차 도포하고, 건조하여, 정공 수송층, 및 발광층을 형성한다. 그 후, 알루미늄 등의 전극을 증착법 등에 의해 형성함으로써, 유기 EL 소자의 화소가 얻어진다.
실시예
실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 효과를 발휘하는 한에 있어서 실시형태를 적절히 변경할 수 있다. 예 1 ∼ 예 10 은 실시예이고, 예 11 ∼ 예 13 은 비교예이다.
<측정 조건·평가 조건>
[평가용 샘플]
표 1 에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, ITO 기판 상에 경화막을 제작하고 평가용 샘플로 하였다. 평가용 샘플로서 평가용 샘플 1 과 2 의 2 종류를 준비하였다.
평가용 샘플 1 을 사용하여 밀착성과 내용제성을 평가하였다.
평가용 샘플 2 를 사용하여 현상 잔사량을 평가하였다.
[평가용 샘플 1]
ITO 기판 (주식회사 쿠라모토 제작소 제조의 저항값 10 Ω/sq 이하의 ITO 품, 치수 7.5 cm × 7.5 cm × 0.7 mm) 을 에탄올 중에서 초음파 세정 (30 분간) 하였다.
이어서 5 분간 자외선/오존 세정 (장치 : PL7-200 센 엔지니어링 주식회사 제조) 을 실시하였다.
세정 후의 기판 표면에 스피너 (미카사 주식회사 제조 IH-DX2) 를 사용하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 스핀 도포 (회전수 610 rpm, 10 초간) 하였다. 다음으로 100 ℃ 에서 2 분간 핫 플레이트 상에서 건조시켜, 막두께 1.3 ㎛ 의 막을 형성하였다. 얻어진 막의 표면을, 이하의 조건으로 노광하였다.
<조건>
[포토마스크] : 20 mm × 20 mm 의 범위에 이하의 18 종류의 라인 패턴을 반복하는 차광부를 갖는다.
차광부의 형상 : 각각 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 30, 40, 50 ㎛ × 1000 ㎛
패턴 간격 : 50 ㎛
[램프] : 우시오 전기사 제조 USH-255BY, 365 nm 환산의 노광 파워 (노광 출력) 25 mW/cm2
[조사 조건] : 330 nm 이하의 광은 커트하고, 그 때 50 ㎛ 의 간극을 두고, 25 mW/cm2 로 8 초간 조사하였다.
노광 후의 ITO 기판을 테트라메틸수산화암모늄 수용액 (0.4 질량%) 에 40 초간 침지하여 현상하였다. 그 후, 수세와 건조를 실시하였다. 건조 후의 기판을 핫 플레이트 상에서 가열 (220 ℃, 60 분간) 하여, 특정한 패턴을 갖는 경화막을 갖는 ITO 기판을 제작하였다 (평가용 샘플 1).
[평가용 샘플 2]
사용하는 포토마스크를 변경한 것 이외에는 평가용 샘플 1 과 동일한 방법으로 평가용 샘플 2 를 제작하였다.
[포토마스크] : 20 mm × 20 mm 의 범위에 이하의 패턴으로 개구부를 갖는다.
개구부의 형상 : 100 ㎛ × 200 ㎛
패턴 간격 : 20 ㎛
[밀착성]
평가용 샘플 1 의 경화막의 패턴을 현미경으로 관찰하여, 세정 공정에서 박리되지 않고 잔존한 경화막의 라인의 결손의 유무로부터 이하의 기준으로 밀착성을 판단하였다.
양호 : 폭이 10 ㎛ 미만인 라인에 결손이 없었다.
불가 : 폭이 10 ㎛ 미만인 라인에 결손이 있었다.
양호를 합격으로 하였다.
[현상 잔사]
평가용 샘플 2 의 경화막의 뱅크 제거부에 대해서 잔사량 측정을 실시하였다. 또한, 뱅크 제거부란, 현상 조작으로, 막을 제거한 부분을 의미한다.
뱅크 제거부의 ITO 면의 잔사량을 μ-XPS 법으로 측정하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
<측정 조건>
측정 장치 : 알박·파이사 제조 Quantera SXMX 선
조건 : 50 ㎛Φ, 12.5 W, 15 kV
래스터 사이즈 : point
시료 각도 : 45 도
Acquisition cycle : 18
Pass Energy Step : 0.4 eV 로 측정을 실시하고, 측정 데이터를 C/In 으로 수치화하였다.
우수 : 잔사량이 4 이하였다.
양호 : 잔사량이 4 보다 크고, 5 이하였다.
가능 : 잔사량이 5 보다 크고, 8 이하였다.
불가 : 잔사량이 8 보다 높았다.
우수, 양호, 가능을 합격으로 하였다.
[내용제성]
평가용 샘플 1 의 경화막에 PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 2.5 ㎕ 를 적하하고, 60 초 방치하였다.
그 후 PGMEA 를 웨이스트 천 (벤코트 M-3II 아사히 화성 주식회사 제조) 으로 닦아내고, 막 상면의 용해 자국의 유무를 육안으로 확인하여, 이하의 기준으로 평가하였다.
양호 : 용해 자국이 없었다.
가능 : 약간 표면에 원형의 자국이 남았다.
불가 : 용해 자국이 있었다.
양호 및 가능을 합격으로 하였다.
[실시예 및 비교예]
표 1 에 기재된 비율로 원료를 균일해질 때까지 교반 (약 30 분) 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 이것을 사용하여 각각 평가용 샘플 1, 2 를 제작하고 평가를 실시하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
표 중의 숫자는, 유효 숫자를 소수점 첫째자리로서 표시하고 있다. 또한, 표 중의 공란은 해당 열의 성분을 함유하지 않은 것을 나타낸다.
<약어의 설명>
[알칼리 가용성 수지 (A)]
A1 : 오르토크레졸 노볼락 수지 (Mw : 1740)
A2 : 오르토크레졸 노볼락 수지 (Mw : 2470)
[감광제 (B)]
B1 : 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논과 6-디아조-5,6-디하이드로-5-옥소-나프탈렌-1-술폰산의 (모노 ∼ 테트라)에스테르
[가교제 (C)]
C1 : 다염기산 변성 아크릴 올리고머 (디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 및, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트의 숙신산에스테르 (산가 92 mgKOH/g, 분자량 612) 의 혼합물)
C2 : 2,2,2-트리아크릴로일옥시메틸에틸프탈산 (산가 87 mgKOH/g, 분자량 446)
C3 : 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트의 혼합물
[계면 활성제 (D)]
D1 : 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산의 크실렌/페닐글리콜 혼합 용액 (고형분 12.5 %)
[용매 (E)]
EDM : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 (비점 176 ℃)
PGME : 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (비점 120 ℃)
PGMEA : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (비점 146 ℃)
본 발명을 상세하게 또한 특정 실시양태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있음은 당업자에게 있어서 분명하다. 본 출원은, 2020년 3월 4일에 출원된 일본 특허출원 (특원 2020-037170호) 에 기초한 것으로서, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
Claims (11)
- 알칼리 가용성 수지 (A), 감광제 (B), 가교제 (C), 계면 활성제 (D) 를 함유하고, 상기 가교제 (C) 가 산성기로서 카르복실기, 페놀성 수산기, 술포기 및 인산기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 이상을 갖는 화합물을 함유하고,
상기 산성기를 갖는 화합물의 비율이, 질량비로, (A)+(B)+(C)+(D) 의 합계에 대하여 5 ∼ 35 % 의 범위에 있고,
상기 계면 활성제 (D) 가 F 원자를 갖지 않는 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 감광제 (B) 가 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지 (A) 의 질량 평균 분자량이 500 ∼ 10000 의 범위에 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지 (A) 가 페놀 수지인 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 4 항에 있어서,
상기 페놀 수지가 오르토크레졸 수지인 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산성기가 카르복실기인 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 6 항에 있어서,
상기 가교제 (C) 가 1 분자 중에 상기 카르복실기를 1 ∼ 3 개 갖는 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가교제 (C) 중의 상기 산성기를 갖는 화합물의 비율이, 질량비로 30 % 이상인 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로 용매 (E) 를 함유하고, 상기 용매에 있어서의 비점이 170 ℃ 이상인 화합물의 비율이 10 ∼ 70 질량% 의 범위에 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화시킨 경화물.
- 제 10 항에 기재된 경화물을 격벽으로서 포함하는 광학 소자.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2020-037170 | 2020-03-04 | ||
JP2020037170 | 2020-03-04 | ||
PCT/JP2021/007782 WO2021177250A1 (ja) | 2020-03-04 | 2021-03-01 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220149671A true KR20220149671A (ko) | 2022-11-08 |
Family
ID=77613066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020227030026A KR20220149671A (ko) | 2020-03-04 | 2021-03-01 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2021177250A1 (ko) |
KR (1) | KR20220149671A (ko) |
CN (1) | CN115244462A (ko) |
TW (1) | TW202141186A (ko) |
WO (1) | WO2021177250A1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010134422A (ja) | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及びマイクロレンズ、並びにそれらの製造方法 |
JP6384678B2 (ja) | 2013-10-21 | 2018-09-05 | 日産化学株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06118648A (ja) * | 1991-12-10 | 1994-04-28 | Konica Corp | ポジ型感光性組成物及び画像形成方法 |
JP6177495B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2017-08-09 | 日立化成株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及び感光性フィルム |
JP2016042126A (ja) * | 2014-08-15 | 2016-03-31 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、表示素子の層間絶縁膜、その形成方法及び表示素子 |
JP2016166951A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Jnc株式会社 | 感光性組成物 |
-
2021
- 2021-03-01 WO PCT/JP2021/007782 patent/WO2021177250A1/ja active Application Filing
- 2021-03-01 JP JP2022504364A patent/JPWO2021177250A1/ja not_active Withdrawn
- 2021-03-01 KR KR1020227030026A patent/KR20220149671A/ko unknown
- 2021-03-01 CN CN202180018155.6A patent/CN115244462A/zh not_active Withdrawn
- 2021-03-04 TW TW110107713A patent/TW202141186A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010134422A (ja) | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及びマイクロレンズ、並びにそれらの製造方法 |
JP6384678B2 (ja) | 2013-10-21 | 2018-09-05 | 日産化学株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202141186A (zh) | 2021-11-01 |
JPWO2021177250A1 (ko) | 2021-09-10 |
CN115244462A (zh) | 2022-10-25 |
WO2021177250A1 (ja) | 2021-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101937172B (zh) | 正型放射线敏感性组合物、固化膜、层间绝缘膜及其形成方法、显示元件以及硅氧烷聚合物 | |
TWI434141B (zh) | 感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 | |
TWI734756B (zh) | 感光性矽氧烷組成物及硬化膜的形成方法 | |
TWI505031B (zh) | 矽烷偶合劑、負型感光性樹脂組成物、硬化膜及觸控面板用構件 | |
TWI720135B (zh) | 正型感光性矽氧烷組成物及其製造方法 | |
CN103562793A (zh) | 感光性硅氧烷树脂组合物 | |
TW201142506A (en) | Negative photosensitive resin composition, protective film and touch panel element using the same | |
TWI538968B (zh) | 含有矽氧烷樹脂之塗布組成物 | |
CN104271642B (zh) | 部分水解缩合物、拒墨剂、负型感光性树脂组合物、固化膜、分隔壁和光学元件 | |
CN104160336A (zh) | 正型感光性树脂组合物、分隔壁和光学元件 | |
CN103376661B (zh) | 光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件 | |
CN103765314A (zh) | 负型感光性树脂组合物、分隔壁以及光学元件 | |
CN105190440A (zh) | 感光性树脂组合物、光学间隔件、彩色滤色器用保护膜和触摸面板的保护膜或绝缘膜 | |
TW201510659A (zh) | 可低溫硬化之負型感光性組成物 | |
KR20200129037A (ko) | 감방사선성 조성물, 표시 장치용 절연막, 표시 장치, 표시 장치용 절연막의 형성 방법 및, 실세스퀴옥산 | |
CN103890128A (zh) | 拒墨剂的制造方法、负型感光性树脂组合物、分隔壁以及光学元件 | |
CN110662805B (zh) | 硅氧烷树脂组合物、使用其的粘合剂、显示装置、半导体装置及照明装置 | |
KR20200060466A (ko) | 포지티브형 감광성 실록산 조성물 및 이를 사용하는 경화 막 | |
CN106462069B (zh) | 负型感光性树脂组合物、分隔壁及光学元件 | |
CN104122753A (zh) | 感光性聚硅氧烷组合物、保护膜及具有保护膜的元件 | |
CN105051597A (zh) | 显示元件、感光性组合物以及电润湿显示器 | |
KR20220149671A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
TW200808856A (en) | Thermosetting resin composition, protective film and method for forming protective film | |
KR20220149672A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
KR20220150301A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |