KR20220031543A - 수지 조성물, 수지 시트, 적층체, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 - Google Patents

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겐타로 다카노
츠요시 기다
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미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

하기 식 (1) 로 나타내는 구성 단위와, 분자 사슬의 양 말단에 말레이미드기를 포함하는, 비스말레이미드 화합물 (A) 와, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 경화 촉진제 (C) 를 포함하고, 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 시트라콘이미드기, 비닐기, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 및 알릴기에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.

Description

수지 조성물, 수지 시트, 적층체, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치
본 발명은, 수지 조성물, 수지 시트, 수지 조성물을 사용한 적층체, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치에 관한 것이다. 상세하게는, 본 발명은, 언더필재로서 유용한 수지 조성물에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 소형화, 및 고성능화에 수반하여, 반도체 칩 (이하,「칩」이라고 약칭하는 경우가 있다) 을 반도체 탑재용 기판 (이하,「기판」이라고 약칭하는 경우가 있다) 에 탑재하는 방법으로서, 플립 칩 실장이 주목받고 있다. 플립 칩 실장에 있어서는, 칩과 기판을 접합한 후, 칩과 기판의 간극에 언더필재를 충전하고, 경화시키는 공법이 일반적이다. 그러나, 반도체 장치의 소형화나 고성능화에 수반하여, 칩에 배열되는 전극의 협피치화나 전극간의 협갭화가 진행되어, 언더필재의 충전의 장시간화에 의한 작업성의 악화나 미충전 등의 충전 불량의 발생이 문제가 되고 있다. 이에 대해, 칩 또는 기판에 프리어플라이드 언더필재를 공급한 후, 칩과 기판의 접합과, 언더필재의 충전을 동시에 실시하는 공법이 검토되고 있다.
언더필재는, 칩, 및 기판과 직접 접촉하는 부재인 점에서, 언더필재에 요구되는 중요한 특성으로서, 반도체 장치를 제조, 및 사용되는 환경에 있어서, 칩, 및 기판과 언더필재 사이의 언더필 미충전 부분이 억제되는 것 (이하,「저보이드성」이라고 칭하는 경우가 있다) 이나, 칩, 및 기판과 언더필재의 양호한 접착성 (이하,「칩 접착성」이라고 약칭하는 경우가 있다) 을 들 수 있다. 또, 프리어플라이드 언더필재를 사용하는 경우에는, 언더필재의 핸들링성의 관점에서, 택성이 낮은 것이 필요해진다. 또한, 칩과 기판의 접착 지점의 위치 정밀도도 요구되는 점에서, 칩, 및 기판에 있어서의 얼라인먼트 마크의 시인성으로서, 언더필재의 투과성도 필요해진다.
특허문헌 1 에는, 주수지에 라디칼 중합성 모노머를 사용한 프리어플라이드 언더필재가 기재되어 있다. 이 특허문헌 1 에는, 칩과의 접착성 향상을 목적으로 한 실란 커플링제의 배합에 대한 기재가 있다.
특허문헌 2 에는, 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 및 말레이미드 화합물을 포함하는 언더필재가 기재되어 있다.
특허문헌 3 에는, 에폭시 화합물, 카르복실기 함유 플럭스 성분을 사용하는 프리어플라이드 언더필재가 기재되어 있으며, 접착에 대해 언급되어 있다.
특허문헌 4 에는, 말레이미드 화합물, 에폭시 수지, 및 에폭시 수지 경화제를 필수 성분으로 하는 수지 조성물이 기재되어 있으며, 열경화 후의 수지 조성물에 있어서 높은 밀착성이 얻어졌다고 기재되어 있다.
특허문헌 5 에는, 프린트 배선 기판에 있어서의 절연층을 형성하기 위해 사용되는 열경화성 수지 조성물로서, 특정한 구조를 갖는 말레이미드 화합물, 벤조옥사진 화합물, 및 무기 충전재를 함유하는 프린트 배선 기판용 수지 조성물에 대한 기재가 있다.
특허문헌 6 에는, 지방족 에폭시 화합물, 및 벤조옥사진 화합물을 경화 주제로서 함유하고, 또한, 페놀계 경화제를 함유하는 전자 부품용 접착제에 대한 기재가 있다.
특허문헌 7 에는, 열경화성 화합물, 상기 열경화성 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 폴리머, 및 열경화제를 함유하고, 본딩 온도에서의 용융 점도가 10 Pa·s ∼ 15000 Pa·s 이고, 본딩 온도에서의 겔 타임이 10 초 이상이고, 또한, 240 ℃ 에서의 겔 타임이 1 초 ∼ 10 초인 접착제 조성물에 대한 기재가 있다.
특허문헌 8 에는, 시트상 열경화성 수지 조성물을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 기재가 있다.
특허문헌 9 에는, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 수지, 및 아크릴 수지에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 성분, 에폭시 수지, 열 라디칼 중합성 물질, 및 열 라디칼 발생제를 특정량으로 포함하는 언더필 절연 필름의 기재가 있다.
특허문헌 10 에는, 동적 점탄성 측정 장치를 사용한 측정에 있어서, 60 ℃ 에서부터 10 ℃/분으로 승온시켰을 때의, 120 ℃ 에서의 용융 점도 η* 1 이 2 × 102 Pa·s ∼ 2 × 104 Pa·s 이고, 140 ℃ 에서의 용융 점도 η* 2 가 3 × 102 Pa·s ∼ 3 × 105 Pa·s 인, 갱 본딩 프로세스용 언더필 절연 필름의 기재가 있다.
특허문헌 11 에는, 반도체 칩과 회로 기판 사이에 배치되고, 경화되면 상기 반도체 칩을 상기 회로 기판에 고정시키는 미경화의 언더필재로서, 특정량의 아크릴 폴리머와, 아크릴 모노머와, 특정량의 말레이미드 화합물을 포함하는, 언더필재의 기재가 있다.
특허문헌 12 에는, 수평균 분자량이 600 이하인 에폭시 수지와, 수평균 분자량이 500 을 초과하는 페놀 수지, 및 엘라스토머를 포함하는 수지 성분을 포함하고, 수지 성분 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 함유량을 각각 특정량으로 포함하는, 언더필용 접착 필름의 기재가 있다.
또, 칩과 기판을, 산화되기 쉬운 금속, 예를 들어, 땜납이나 구리를 개재하여 접합하는 경우, 접합의 저해 요인이 되는 금속 산화막을 접합부로부터 제거하고, 양호한 금속 접합을 얻는 것을 목적으로 하여, 프리어플라이드 언더필재에 카르복실산 등에서 유래하는 플럭스 성분을 첨가하는 경우가 있다.
일본 공표특허공보 2015-503220호 일본 공표특허공보 2014-521754호 일본 공개특허공보 2013-112730호 일본 공개특허공보 2003-221443호 일본 공개특허공보 2016-196548호 일본 공개특허공보 2013-008800호 일본 공개특허공보 2011-157529호 일본 공개특허공보 2006-245242호 일본 공개특허공보 2019-029599호 일본 공개특허공보 2018-160566호 일본 공개특허공보 2018-195823호 일본 공개특허공보 2014-203964호
그러나, 일반적으로 라디칼 중합성 모노머는 경화가 빨라, 배합한 실란 커플링제의 접착 부위의 운동성이 칩 표면의 실란올기와, 충분한 수의 결합을 형성하기 전에 중합이 진행된 주수지에 의해 율속되어 버린다. 그 결과, 특허문헌 1 에 기재된 프리어플라이드 언더필재에서는, 칩, 및 프린트 배선판 등의 기판과 언더필재 사이에 있어서, 충분한 저보이드성, 및 양호한 칩 접착성이 얻어지지 않는다. 또, 라디칼 중합성 모노머는 경화가 빠르기 때문에, 수지 조성물이 칩 표면에 존재하는 요철에 메워지기 전에 경화되므로, 특허문헌 1 에 기재된 프리어플라이드 언더필재에서는, 접착성 향상에 있어서 유용해지는 앵커 효과가 충분히 얻어지지 않는다는 문제도 있다.
특허문헌 2 에 기재된 재료는, 폴리이미드 패시베이션막에만 작용하는 점에서, 적용 범위가 좁다는 문제가 있다.
특허문헌 3 에 기재된 기술에 있어서, 실온이어도 카르복실기 함유 화합물은 에폭시 화합물과 겨우 반응이 진행되고, 보관 중에 플럭스 활성이 경시적으로 저하된다. 그 때문에, 특허문헌 3 에 기재된 프리어플라이드 언더필재는, 접합 안정성이 낮고, 양산성이 부족하다는 문제가 있다.
특허문헌 4 에 기재된 기술에 있어서는, 말레이미드 수지의 흡수율이 높기 때문에, 흡습 처리 후의 칩 접착성이 대폭 저하된다는 문제가 있다. 접착성이 불충분하면, 박리 계면으로부터 물이 침입하여, 절연 신뢰성이 크게 저하된다. 또, 말레이미드 수지만으로도, 저보이드성과 칩 접착성의 양립은 곤란하다.
특허문헌 5 에서는, 플럭스 활성에 관한 기재는 없고, 또, 플럭스 성분에 대해서도 기재가 없다. 그 때문에, 특허문헌 5 에 기재된 수지 조성물에서는, 양호한 금속 접합은 얻어지지 않는다는 문제가 있다.
특허문헌 6 에서는, 에폭시 화합물의 접착성은 높지만, 에폭시 화합물은 플럭스 성분과도 반응해 버려, 양호한 금속 접합을 얻기 위해 충분한 플럭스 활성이 얻어지지 않는다는 문제가 있다.
특허문헌 7 의 접착제 조성물에서는, 플럭스성을 갖는 열 경화제를 포함하지만, 실시예에 있어서, 에폭시 화합물, 및 에폭시기를 함유하는 폴리머가 사용되고 있어, 본딩 온도보다 저온에서 양자가 반응해 버리기 때문에 충분한 플럭스 활성을 얻는 것이 어렵다.
특허문헌 8 에 있어서도, 열경화성 수지 조성물 중에 포함되는 열경화성 수지로서 에폭시 수지가 바람직한 것이 기재되어 있지만, 상기와 같이, 에폭시 화합물은 플럭스 성분과도 반응해 버려, 양호한 금속 접합을 얻기 위해 충분한 플럭스 활성이 얻어지지 않는다는 문제도 있다.
또한, 종래의 언더필재에서는, 예를 들어, 특허문헌 9 의 단락〔0002〕, 및 특허문헌 10 의 단락〔0002〕에 기재된 바와 같이, 양호한 투과성이 얻어지지 않는다는 과제를 갖는다. 또, 종래의 언더필재에서는, 예를 들어, 특허문헌 11 의 단락〔0016〕, 및 특허문헌 12 의 단락〔0026〕에 기재된 바와 같이, 핸들링성을 확보하기 위해, 택성의 제어가 필요하다는 과제를 갖는다.
본 발명은, 이와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수한, 수지 조성물, 수지 시트, 적층체, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 상기 문제점을 해결을 위해 예의 검토한 결과, 특정한 비스말레이미드 화합물 (A) 와, 특정한 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 경화 촉진제 (C) 를 포함하는 수지 조성물이, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.
[1]
하기 식 (1) 로 나타내는 구성 단위와, 분자 사슬의 양 말단에 말레이미드기를 포함하는, 비스말레이미드 화합물 (A) 와, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 경화 촉진제 (C) 를 포함하고, 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 시트라콘이미드기, 비닐기, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 및 알릴기에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 (1) 중, Q1 은, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q2 는, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기를 나타낸다. n1 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.)
[2]
상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 말레이미드기를 포함하는, [1] 에 기재된 수지 조성물.
[3]
상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 하기 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (6) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (7) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (10) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (11) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (12) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (13) 으로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [1] 또는 [2] 에 기재된 수지 조성물.
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 (2) 중, R1 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n2 는 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 (3) 중, n3 은, 1 ∼ 30 의 정수를 나타낸다)
[화학식 4]
Figure pct00004
(식 (4) 중, R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기, 또는 에틸기를 나타내고, R3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)
[화학식 5]
Figure pct00005
(식 (5) 중, R4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, l 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, n4 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
[화학식 6]
Figure pct00006
(식 (6) 중, R5 및 R7 은, 각각 독립적으로, 8 이상의 원자가 직사슬형으로 연결된 탄화수소기를 나타내고, R6 은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기를 나타내고, n5 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
[화학식 7]
Figure pct00007
(식 (7) 중, R8 은, 각각 독립적으로, 알킬렌기를 나타내고, R9 는, 각각 독립적으로, 알킬렌기, 하기 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 하기 식 (9) 로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타내고, n6 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
[화학식 8]
Figure pct00008
(식 (8) 중, Z 는, 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기이고, n7 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다)
[화학식 9]
Figure pct00009
[화학식 10]
Figure pct00010
(식 (10) 중, R21 은, 탄소 원자수 1 ∼ 40 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬렌기, 고리를 구성하는 탄소수가 3 ∼ 20 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기, 산소 원자, 식「-NH-」로 나타내는 기, 황 원자, 및 식「-SO2-」로 나타내는 기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다)
[화학식 11]
Figure pct00011
(식 (11) 중, n8 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m1 은, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다)
[화학식 12]
Figure pct00012
(식 (12) 중, n9 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m2 는, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다)
[화학식 13]
Figure pct00013
(식 (13) 중, n10 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m3 은, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다)
[4]
상기 경화 촉진제 (C) 가, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 및 이미다졸 화합물 (E) 에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[5]
상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 의 10 시간 반감기 온도가, 100 ℃ 이상인, [4] 에 기재된 수지 조성물.
[6]
상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 가, 유기 과산화물을 포함하는, [4] 또는 [5] 에 기재된 수지 조성물.
[7]
상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 가, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 또는 하이드로퍼옥사이드 골격을 갖는, [4] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[8]
상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 가, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)헥신-3, 및 tert-부틸하이드로퍼옥사이드에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [4] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[9]
상기 비스말레이미드 화합물 (A) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인, [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[10]
상기 경화 촉진제 (C) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.05 질량부 ∼ 10 질량부인, [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[11]
상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 이외의, 열경화성 화합물 (F) 를 추가로 포함하는, [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[12]
상기 열경화성 화합물 (F) 가, 400 이상의 분자량을 갖는, [11] 에 기재된 수지 조성물.
[13]
상기 열경화성 화합물 (F) 가, 벤조옥사진 화합물을 포함하는, [11] 또는 [12] 에 기재된 수지 조성물.
[14]
상기 벤조옥사진 화합물이, 하기 식 (14) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (15) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (16) 으로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (17) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [13] 에 기재된 수지 조성물.
[화학식 14]
Figure pct00014
(식 (14) 중, R10 은, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, R11 은, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 하기 일반식 (a) ∼ (t) 로 나타내는 1 ∼ 4 가의 유기기를 나타내고, n11 은, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
[화학식 15]
Figure pct00015
(식 (15) 중, R12 는, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, R13 은, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 하기 일반식 (a) ∼ (t) 로 나타내는 1 가 ∼ 4 가의 유기기를 나타내고, n12 는, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
[화학식 16]
Figure pct00016
(식 (16) 중, R14 는, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 페닐기를 나타낸다)
[화학식 17]
Figure pct00017
(식 (17) 중, R15 는, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 페닐기를 나타낸다)
[화학식 18]
Figure pct00018
[화학식 19]
Figure pct00019
[화학식 20]
Figure pct00020
[화학식 21]
Figure pct00021
[화학식 22]
Figure pct00022
[화학식 23]
Figure pct00023
[화학식 24]
Figure pct00024
(식 (a) ∼ (t) 중, Ra 는, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, Rb 는, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다)
[15]
상기 벤조옥사진 화합물이, 하기 식 (18) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (19) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (20) 으로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [13] 또는 [14] 에 기재된 수지 조성물.
[화학식 25]
Figure pct00025
(식 (18) 중, R16 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, o 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고, R17 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, p 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고, T1 은, 알킬렌기, 하기 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다)
[화학식 26]
Figure pct00026
(식 (19) 중, R18 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, q 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, R19 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, r 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 5 의 정수를 나타내고, T2 는, 알킬렌기, 하기 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다)
[화학식 27]
Figure pct00027
(식 (8) 중, Z 는, 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기이고, n7 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다)
[화학식 28]
Figure pct00028
(식 (20) 중, R20 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 탄화수소기를 나타낸다)
[16]
상기 식 (18) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (21) 로 나타내는 화합물, 및/또는 하기 식 (22) 로 나타내는 화합물을 포함하고, 상기 식 (19) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (23) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (24) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (25) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [15] 에 기재된 수지 조성물.
[화학식 29]
Figure pct00029
[화학식 30]
Figure pct00030
[화학식 31]
Figure pct00031
[화학식 32]
Figure pct00032
[화학식 33]
Figure pct00033
[17]
상기 열경화성 화합물 (F) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인, [11] ∼ [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[18]
무기 충전재 (G) 를 추가로 포함하는, [1] ∼ [17] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[19]
상기 무기 충전재 (G) 의 평균 입자경이, 3 ㎛ 이하인, [18] 에 기재된 수지 조성물.
[20]
상기 무기 충전재 (G) 가, 실리카, 수산화알루미늄, 알루미나, 베마이트, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [18] 또는 [19] 에 기재된 수지 조성물.
[21]
상기 무기 충전재 (G) 가, 실리카인, [18] ∼ [20] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[22]
상기 무기 충전재 (G) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 500 질량부 이하인, [16] ∼ [19] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[23]
플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 를 추가로 포함하는, [1] ∼ [22] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[24]
상기 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 60 질량부인, [23] 에 기재된 수지 조성물.
[25]
언더필재용인, [1] ∼ [24] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[26]
프리어플라이드 언더필재용인, [1] ∼ [25] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[27]
[1] ∼ [26] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 수지 시트.
[28]
지지 기재와, 상기 지지 기재 상에 적층된 [1] ∼ [26] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 층을 구비하는 적층체.
[29]
반도체 웨이퍼와, 상기 반도체 웨이퍼에 적층된 [28] 에 기재된 적층체를 구비하고, 상기 수지 조성물을 포함하는 층이, 상기 반도체 웨이퍼에 적층된, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼.
[30]
반도체 탑재용 기판과, 상기 반도체 탑재용 기판에 적층된 [28] 에 기재된 적층체를 구비하고, 상기 수지 조성물을 포함하는 층이, 상기 반도체 탑재용 기판에 적층된, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판.
[31]
[29] 에 기재된 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 및/또는 [30] 에 기재된 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판을 구비하는, 반도체 장치.
본 발명에 의하면, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수한, 수지 조성물, 수지 시트, 적층체, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 간단히「본 실시형태」라고 한다) 에 대해 설명한다. 또한, 이하의 본 실시형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명은 본 실시형태에만 한정되지 않는다.
본 실시형태의 일 양태에 의하면, 수지 조성물은, 특정한 비스말레이미드 화합물 (A) 와, 특정한 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 경화 촉진제 (C) 를 포함한다. 수지 조성물은, 본 발명에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 확실하게 발휘하는 관점에서, 언더필재용인 것이 바람직하고, 프리어플라이드 언더필재용인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태의 다른 양태는, 열경화성 화합물 (F) 를 추가로 함유하는 수지 조성물이다.
본 실시형태의 다른 양태는, 무기 충전재 (G) 를 추가로 함유하는 수지 조성물이다.
본 실시형태의 다른 양태는, 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 를 추가로 함유하는 수지 조성물이다.
또한, 본 실시형태에 있어서,「(메트)아크릴로일」이란「아크릴로일」및 그에 대응하는「메타크릴로일」의 양방을 의미하고,「(메트)아크릴」이란「아크릴」및 그에 대응하는「메타크릴」의 양방을 의미하고,「(메트)아크릴레이트」란「아크릴레이트」및 그에 대응하는「메타크릴레이트」의 양방을 의미하고,「(메트)알릴」이란「알릴」및 그에 대응하는「메타알릴」의 양방을 의미한다.
[수지 조성물]
본 실시형태의 수지 조성물은, 식 (1) 로 나타내는 구성 단위와, 분자 사슬의 양 말단에 말레이미드기를 포함하는, 비스말레이미드 화합물 (A) 와, 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 경화 촉진제 (C) 를 포함하고, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 시트라콘이미드기, 비닐기, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 및 알릴기에서 선택되는 적어도 1 종을 포함한다. 본 실시형태의 수지 조성물은, 칩의 플립 칩 실장에 사용되는 언더필재에 바람직하고, 칩의 플립 칩 실장에 사용되는 프리어플라이드 언더필재에 보다 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물은, 열경화성 화합물 (F), 무기 충전재 (G), 및 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 중 적어도 어느 하나를 포함하고 있어도 된다.
본 실시형태에 있어서, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수한, 수지 조성물이 얻어지는 이유에 대해 확실하지는 않지만, 본 발명자들은 다음과 같이 추정하고 있다. 식 (1) 로 나타내는 비스말레이미드 화합물 (A) 는, 유연한 골격을 갖고 있고, 저점도이고, 또한, 후술하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 후술하는 경화 촉진제 (C) 와 함께, 양호하게 라디칼 중합하는 말레이미드기를 갖고 있다. 그 때문에, 바람직하게 라디칼 중합할 수 있고, 중합 후에 있어서도, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와 함께, 유연성을 갖는 구조를 형성할 수 있다. 또, 비스말레이미드 화합물 (A) 는, 지방족계의 골격을 많이 갖기 때문에, 광선 투과성이 우수하다. 또, 수지 조성물이 저점도이면, 예를 들어, 수지 조성물을 언더필재에 적용했을 경우에, 칩, 및 기판과 언더필재의 접착성에 기여하는 극성 관능기의 운동성이 향상되고, 칩 표면에 존재하는 요철에 언더필재가 추종하기 쉬워져, 언더필재의 매립성이 개선된다. 그 결과, 언더필재에 포함되는 극성 관능기와 칩의 실란올기 사이에 있어서, 양호한 화학 결합을 발생시키기 때문에, 저보이드성을 갖고, 택성이 낮고, 칩의 요철에 대한 언더필재의 매립에 의한 앵커 효과에 의해 충분한 칩 접착성을 얻을 수 있다. 또, 말레이미드 화합물은, 에폭시 화합물과 비교하여, 보관시나 가열 처리에 의한 플럭스 성분과의 반응이 현저하게 진행되기 어려워, 플럭스의 실활이 발생하지 않는 것으로 추정된다. 또한, 식 (1) 로 나타내는 비스말레이미드 화합물 (A) 를 사용함으로써, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와의 중합에 있어서도, 양호한 투과성을 얻을 수 있는 것으로 추정하고 있다.
〔비스말레이미드 화합물 (A)〕
본 실시형태의 수지 조성물은, 식 (1) 로 나타내는 구성 단위와, 분자 사슬의 양 말단에 말레이미드기를 포함하는, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) (성분 (A) 라고도 칭한다) 를 포함한다.
[화학식 34]
Figure pct00034
식 (1) 중, Q1 은, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q2 는, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기를 나타낸다. n1 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 는, 식 (1) 로 나타내는 구성 단위를 포함하므로, 투과성, 및 플럭스 활성이 매우 우수하다. 또, 말단에 라디칼 중합 반응성의 말레이미드기를 갖기 때문에, 경화 과정에 있어서, 말레이미드기와, 후술하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 에 있어서의 중합성 관능기, 즉, 시트라콘이미드기, 비닐기, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 및 알릴기의 반응이 진행되기 쉽다. 그 때문에, 얻어지는 경화물의 가교 밀도가 오르지만, 주골격이 유연한 골격이기 때문에, 택성이 우수하고, 또한 내열성 (유리 전이 온도) 이 향상된다. 그리고, 본 실시형태의 수지 조성물은, 후술하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 후술하는 경화 촉진제 (C) 와 함께, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 를 포함함으로써, 상기와 같이, 저보이드성을 갖고, 칩 접착성이 우수하다.
이와 같이 본 실시형태의 수지 조성물은, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수하기 때문에, 언더필재용으로 바람직하고, 프리어플라이드 언더필재용으로 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 예를 들어, 에폭시기를 갖는 수지에서는 반응 후에 흡수성을 갖는 극성기를 발생시키지만, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 이면, 흡수성을 갖는 극성기가 발생하지 않는다. 그 때문에, 흡수(습)성이 낮고, 절연 신뢰성이 높은 경화물이 얻어진다.
비스말레이미드 화합물 (A) 는, 본 발명의 효과를 발휘하는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 억제할 수 있는 점에서, 질량 평균 분자량이, 100 ∼ 5000 인 것이 바람직하고, 300 ∼ 4500 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 있어서,「질량 평균 분자량」이란, 겔 침투 크로마토그래피 (GPC) 법에 의한, 폴리스티렌 스탠다드 환산의 질량 평균 분자량을 의미한다.
이어서, 비스말레이미드 화합물 (A) 의 구조에 대해 설명한다.
비스말레이미드 화합물 (A) 의 식 (1) 중, Q1 은, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q1 로는, 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 제어할 수 있는 점에서, 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하다.
알킬렌기의 탄소수로는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 2 ∼ 14 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기로는, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 2,2-디메틸프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 도데실렌기, 운데실렌기, 트리데실렌기, 테트라데실렌기, 펜타데실렌기, 헥사데실렌기, 옥타데실렌기, 네오펜틸렌기, 디메틸부틸렌기, 메틸헥실렌기, 에틸헥실렌기, 디메틸헥실렌기, 트리메틸헥실렌기, 메틸헵틸렌기, 디메틸헵틸렌기, 트리메틸헵틸렌기, 테트라메틸헵틸렌기, 에틸헵틸렌기, 메틸옥틸렌기, 메틸노닐렌기, 메틸데실렌기, 메틸도데실렌기, 메틸운데실렌기, 메틸트리데실렌기, 메틸테트라데실렌기, 메틸펜타데실렌기, 및 메틸헥사데실렌기를 들 수 있다.
알케닐렌기의 탄소수로는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 2 ∼ 14 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기로는, 예를 들어, 비닐렌기, 1-메틸비닐렌기, 알릴렌기, 프로페닐렌기, 이소프로페닐렌기, 1-부테닐렌기, 2-부테닐렌기, 1-펜테닐렌기, 2-펜테닐렌기, 이소펜틸렌기, 시클로펜테닐렌기, 시클로헥세닐렌기, 및 디시클로펜타디에닐렌기 등을 들 수 있다.
식 (1) 중, Q2 는, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q2 로는, 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 제어할 수 있는 점에서, 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하다.
알킬렌기의 탄소수로는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 2 ∼ 14 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기로는, 상기의 Q2 를 참조할 수 있다.
알케닐렌기의 탄소수로는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 2 ∼ 14 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기로는, 상기의 Q2 를 참조할 수 있다.
식 (1) 에 있어서, Q1 과 Q2 는, 동일해도 되고 상이해도 되지만, 비스말레이미드 화합물 (A) 를 보다 용이하게 합성할 수 있는 점에서, 동일한 것이 바람직하다.
식 (1) 중, Q3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기를 나타낸다. Q3 은, 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 제어할 수 있는 점에서, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기인 것이 바람직하고, Q3 중, 1 ∼ 5 의 기 (Q3) 가 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기이고, 나머지 기 (Q3) 가 수소 원자인 것이 보다 바람직하고, Q3 중, 1 ∼ 3 의 기 (Q3) 가 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기이고, 나머지 기 (Q3) 가 수소 원자인 것이 더욱 바람직하다.
알킬기의 탄소수로는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 2 ∼ 14 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 2-펜틸기, tert-펜틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 및 2-메틸펜탄-3-일기를 들 수 있다.
알케닐기의 탄소수로는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 2 ∼ 14 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 알릴기, 4-펜테닐기, 이소프로페닐기, 및 이소펜틸기를 들 수 있다.
식 (1) 중, n1 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
비스말레이미드 화합물 (A) 는, 분자 사슬의 양 말단에 말레이미드기를 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 양 말단이란, 비스말레이미드 화합물 (A) 의 분자 사슬에 있어서 양방의 말단을 의미하고, 예를 들어, 식 (1) 로 나타내는 구조 단위가, 비스말레이미드 화합물 (A) 의 분자 사슬의 말단에 있는 경우에는, 말레이미드기는, Q1 의 분자 사슬의 말단에 갖거나, 말레이미드 고리의 N 원자에 있어서의 분자 사슬의 말단에 갖거나, 또는 양방의 말단에 갖는 것을 의미한다. 비스말레이미드 화합물 (A) 는, 분자 사슬의 양 말단 이외에, 말레이미드기를 갖고 있어도 된다.
본 실시형태에 있어서, 말레이미드기는, 식 (26) 으로 나타내고, N 원자가 비스말레이미드 화합물 (A) 의 분자 사슬에 결합되어 있다. 또, 비스말레이미드 화합물 (A) 에 결합되는 말레이미드기는, 모두 동일해도 되고 상이해도 되지만, 분자 사슬의 양 말단의 말레이미드기는 동일한 것이 바람직하다.
[화학식 35]
Figure pct00035
식 (26) 중, Q4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기를 나타낸다. Q4 는, 바람직하게 경화되는 점에서, 양방 모두 수소 원자인 것이 바람직하다.
알킬기의 탄소수로는, 바람직하게 경화되는 점에서, 1 ∼ 3 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하다.
직사슬형 혹은 분기형의 알킬기로는, 상기의 Q3 을 참조할 수 있다.
이와 같은 비스말레이미드 화합물 (A) 로는, 예를 들어, 식 (27) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 들 수 있다.
[화학식 36]
Figure pct00036
식 (27) 중, a 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다. a 는, 보다 바람직한 점도가 얻어지고, 바니시의 점도 상승을 보다 제어할 수 있는 점에서, 1 ∼ 6 의 정수인 것이 바람직하다.
비스말레이미드 화합물 (A) 는, 시판품을 이용할 수도 있다. 시판품으로는, 예를 들어, 닛폰 화약 (주) 제조 MIZ-001 (상품명, 식 (27) 로 나타내는 말레이미드 화합물이고, 식 (27) 중의 a 가 1 ∼ 6 (정수) 인 혼합물이다) 을 들 수 있다
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 비스말레이미드 화합물 (A) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 비스말레이미드 화합물을 주성분으로 한 경화물을 얻는 것이 가능해지고, 경화성을 보다 향상시키고, 또한, 가일층의 저보이드성이 얻어진다는 관점에서, 비스말레이미드 화합물 (A), 및 후술하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인 것이 바람직하고, 3 질량부 ∼ 95 질량부인 것이 보다 바람직하고, 5 질량부 ∼ 90 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 10 질량부 ∼ 85 질량부인 것이 보다 더욱 바람직하고, 15 질량부 ∼ 80 질량부인 것이 보다 더욱더 바람직하다.
비스말레이미드 화합물 (A) 는, 1 종 단독 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
(비스말레이미드 화합물 (A) 의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 는, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2무수물과, 다이머 디아민 등을 포함하는 디아민을 포함하는 모노머와, 말레이미드 화합물을, 통상적으로 80 ℃ ∼ 250 ℃, 바람직하게는 100 ℃ ∼ 200 ℃ 의 온도에 있어서, 통상적으로 0.5 시간 ∼ 50 시간, 바람직하게는 1 시간 ∼ 20 시간 중부가 반응시켜 중부가물을 얻는다. 그 후, 통상적으로 60 ℃ ∼ 120 ℃, 바람직하게는 80 ℃ ∼ 100 ℃ 의 온도에 있어서, 통상적으로 0.1 시간 ∼ 2 시간, 바람직하게는 0.1 시간 ∼ 0.5 시간 중부가물을 이미드화 반응, 즉, 탈수 폐환 반응시킴으로써, 비스말레이미드 화합물 (A) 를 얻을 수 있다.
다이머 디아민은, 예를 들어, 다이머산의 환원적 아미노화 반응에 의해 얻어지고, 아민화 반응은, 예를 들어, 암모니아 및 촉매를 사용하는 환원법 등, 공지된 방법 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평9-12712호에 기재된 방법) 에 의해 실시할 수 있다. 다이머산이란, 불포화 지방산이 분자간 중합 반응 등에 의해 이량화되어 얻어지는 이염기산이다. 합성 조건 및 정제 조건에 따라 다르기도 하지만, 통상적으로는 다이머산 외에, 모노머산이나 트리머산 등도 소량 포함된다. 반응 후에는 얻어진 분자 내에 이중 결합이 잔존하지만, 본 실시형태에서는, 수소 첨가 반응에 의해, 분자 내에 존재하는 이중 결합이 환원되어 포화 이염기산이 된 것도 다이머산에 포함시킨다. 다이머산은, 예를 들어, 루이스산 및 브뢴스테드산을 촉매로서 사용하여, 불포화 지방산의 중합을 실시함으로써 얻어진다. 다이머산은, 공지된 방법 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평9-12712호에 기재된 방법) 에 의해 제조할 수 있다. 불포화 지방산으로는, 예를 들어, 크로톤산, 미리스톨레산, 팔미톨레산, 올레산, 엘라이드산, 박센산, 가돌레산, 에이코센산, 에루크산, 네르본산, 리놀레산, 피놀렌산, 엘레오스테아르산, 미드산, 디호모-γ-리놀렌산, 에이코사트리엔산, 스테아리돈산, 아라키돈산, 에이코사테트라엔산, 아드렌산, 보세오펜타엔산, 오즈본드산, 클루파노돈산, 테트라코사펜타엔산, 도코사헥사엔산, 니신산을 들 수 있다. 불포화 지방산의 탄소수는, 통상적으로 4 ∼ 24 이고, 바람직하게는 14 ∼ 20 이다.
비스말레이미드 화합물 (A) 의 제조에 있어서, 디아민을 포함하는 모노머는, 미리, 예를 들어, 아르곤, 질소 등의 불활성 분위기 중에 있어서, 유기 용매 중에 용해 또는 슬러리상으로 분산시켜, 디아민을 포함하는 모노머 용액으로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2무수물은, 유기 용매에 용해 또는 슬러리상으로 분산시킨 후, 혹은 고체의 상태에서, 상기 디아민을 포함하는 모노머 용액 중에 첨가하는 것이 바람직하다.
1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2무수물의 몰수와, 디아민을 포함하는 모노머 및 말레이미드 화합물의 전체량의 몰수를 조제함으로써, 임의의 비스말레이미드 화합물 (A) 를 얻을 수 있다.
중부가 반응 및 이미드화 반응시에는, 여러 가지 공지된 용매를 사용할 수 있다. 용매로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 및 N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 및 이소포론 등의 케톤류 ; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤, α-메틸-γ-부티로락톤, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 및 아세트산부틸 등의 에스테르류 ; 메탄올, 에탄올, 및 프로판올 등의 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족 알코올류 ; 페놀, 및 크레졸 등의 방향족 기 함유 페놀류 ; 벤질알코올 등의 방향족 기 함유 알코올류 ; 에틸렌글리콜, 및 프로필렌글리콜 등의 글리콜류, 또는 그들 글리콜류와, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 헥산올, 옥탄올, 벤질알코올, 페놀, 및 크레졸 등의 모노에테르 혹은 디에테르, 또는 이들 모노에테르의 에스테르류 등의 글리콜에테르류 ; 디옥산, 및 테트라하이드로푸란 등의 고리형 에테르류 ; 에틸렌카보네이트, 및 프로필렌카보네이트 등의 고리형 카보네이트류 ; 지방족 및 톨루엔, 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소류 ; 디메틸술폭시드 등의 비프로톤성 극성 용매를 들 수 있다. 이들 용매는, 필요에 따라, 1 종류를 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또, 이미드화 반응에 있어서는, 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 촉매로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 3 급 아민, 및 탈수 촉매를 사용할 수 있다. 3 급 아민으로는, 복소 고리형의 3 급 아민이 바람직하고, 예를 들어, 피리딘, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 들 수 있다. 탈수 촉매로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 무수 아세트산, 프로피온산 무수물, n-부티르산 무수물, 벤조산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물 등을 들 수 있다.
촉매의 첨가량은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 이미드화제를, 아미드기에 대해, 0.5 배몰 ∼ 5.0 배몰 당량, 탈수 촉매를, 아미드기에 대해, 0.5 배몰 ∼ 10.0 배몰 당량으로 하는 것이 바람직하다.
이미드화 반응이 완결된 후, 이 용액을 비스말레이미드 화합물 (A) 용액으로서 사용해도 되고, 반응 용매 중에, 빈용매를 투입하고, 비스말레이미드 화합물 (A) 를 고형물로 해도 된다. 빈용매로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 물, 메틸알코올, 에틸알코올, 2-프로필알코올, 에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 2-부틸알코올, 2-펜틸알코올, 2-헥실알코올, 시클로펜틸알코올, 시클로헥실알코올, 페놀, 및 t-부틸알코올을 들 수 있다.
〔라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B)〕
본 실시형태의 수지 조성물은, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) (성분 (B) 라고도 칭한다) 를 포함한다. 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 는, 시트라콘이미드기, 비닐기, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 및 알릴기에서 선택되는 적어도 1 종을 포함한다. 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 는, 후술하는 경화 촉진제와 함께, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 와 반응성을 나타내면 특별히 한정되지 않는다. 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 후술하는 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 와 반응성을 나타내지 않는 것이 바람직하다. 이들 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
중합성 관능기로서 시트라콘이미드기를 갖는, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 분자 중에 1 개 이상의 시트라콘이미드기를 갖고, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의 수지 또는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, o-페닐렌비스시트라콘이미드, m-페닐렌비스시트라콘이미드, p-페닐렌비스시트라콘이미드, 4,4-디페닐메탄비스시트라콘이미드, 2,2-비스[4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐]프로판, 비스(3,5-디메틸-4-시트라콘이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-시트라콘이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-시트라콘이미드페닐)메탄, 1,3-자일릴렌비스(시트라콘이미드, N-[3-비스(트리메틸실릴)아미노-1-프로필]시트라콘이미드, N-[3-비스(트리에틸실릴)아미노-1-프로필]시트라콘이미드, N-[3-비스(트리페닐실릴)아미노-1-프로필]시트라콘이미드, N,N'-(m-페닐렌디메틸렌)디시트라콘이미드, 및 N-[3-(메틸리덴숙신이미드메틸)벤질]시트라콘이미드를 들 수 있다. 시트라콘이미드기를 갖는 수지 또는 화합물 (B) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
중합성 관능기로서 비닐기를 갖는, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 분자 중에 1 개 이상의 비닐기를 갖고, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의 수지 또는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르, 하이드록시에틸비닐에테르, 에틸렌글리콜디비닐에테르, 및 비닐기를 갖는 2 관능성 페닐렌에테르 올리고머의 비닐에테르류를 들 수 있다. 비닐기를 갖는 수지 또는 화합물 (B) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 와 우수한 반응성이 얻어지는 점에서, 저보이드성, 칩 접착성, 및 택성을 보다 한층 갖고, 또한, 양호한 절연성 신뢰성 및 내열성을 갖는 관점에서, 분자 내에 말레이미드기를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가 바람직한 이유는 확실하지는 않지만, 본 발명자들은, 다음과 같이 추정하고 있다. 즉, 말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와, 비스말레이미드 화합물 (A) 의 부가 반응은, 비스말레이미드 화합물 (A) 끼리의 중합 반응보다 높은 반응성을 나타낸다. 이 부가 반응이 진행됨으로써, 비스말레이미드 화합물 (A) 의 말레이미드기는, 다른 비스말레이미드 화합물 (A) 와 중합하는 기능을 일부 소실한다. 또, 말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 도, 말레이미드기와 반응할 수 있는 관능기가 주로 제 2 급 아미노기가 되기 때문에, 말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 에 있어서도, 다른 말레이미드 화합물 (A) 와 부가 반응을 일으키는 기능을 잃는다. 그 결과, 말레이미드 화합물 (A) 끼리가 중합하여 생성되는 고분자량체의 비율을 낮게 억제할 수 있기 때문에, 수지 조성물의 용융 점도를 낮출 수 있고, 또한 수지 조성물이 저점도인 시간을 장시간 가질 수 있다. 또한, 제 2 급 아미노기를 2 개 이상 갖는 아미노 화합물 등 2 관능 이상의 아미노 화합물에서는, 비스말레이미드 화합물 (A) 와의 부가 반응을 일으키는 사이트가 많아지기 때문에, 중합이 과잉으로 진행된다. 그 때문에, 수지 조성물의 점도가 상승하고, 예를 들어, 수지 조성물을 언더필재에 적용했을 경우에, 언더필재에 요구되는 최저 용융 점도에 도달할 수 없다. 수지 조성물의 저점도화는, 칩, 및 기판과 언더필재의 접착성에 기여하는 극성 관능기의 운동성이 향상되고, 칩 표면에 존재하는 요철에 언더필재가 추종하기 쉬워져, 언더필재의 매립성이 개선된다. 그 결과, 언더필재에 포함되는 극성 관능기와 칩의 실란올기 사이에 있어서, 양호한 화학 결합을 발생시키기 때문에, 저보이드성을 갖고, 택성이 낮고, 칩의 요철에 대한 언더필재의 매립에 의한 앵커 효과에 의해 충분한 칩 접착성을 얻게 된다. 또, 말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 를 사용함으로써, 흡수성을 갖는 극성기가 아닌 말레이미드기를 갖고, 강직한 네트워크를 형성하는 것이 가능하기 때문에, 우수한 절연성 신뢰성 및 내열성을 얻을 수 있다.
말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 분자 중에 1 개 이상의 말레이미드기를 갖는 수지 또는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 말레이미드기를 포함하는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
예를 들어, N-페닐말레이미드, N-하이드록시페닐말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 4,4-디페닐메탄비스말레이미드, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 페닐메탄말레이미드, o-페닐렌비스말레이미드, m-페닐렌비스말레이미드, p-페닐렌비스말레이미드, p-페닐렌비스시트라콘이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)-페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 1,6-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산, 4,4-디페닐에테르비스말레이미드, 4,4-디페닐술폰비스말레이미드, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠, 폴리페닐메탄말레이미드, 노볼락형 말레이미드 화합물, 비페닐아르알킬형 말레이미드 화합물, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 1,2-비스(말레이미드)에탄, 1,4-비스(말레이미드)부탄, 1,6-비스(말레이미드)헥산, N,N'-1,3-페닐렌디말레이미드, N,N'-1,4-페닐렌디말레이미드, N-페닐말레이미드, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (7) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (10) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (11) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (12) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (13) 으로 나타내는 말레이미드 화합물 등을 들 수 있다. 말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 는, 말레이미드 화합물을 중합시켜 얻어지는 프레폴리머, 및 말레이미드 화합물을 아민 화합물 등의 다른 화합물과 중합시켜 얻어지는 프레폴리머 등의 형태로, 본 실시형태에 관련된 수지 조성물에 함유시킬 수도 있다.
이들 중에서도, 유기 용제에 대한 용해성의 관점에서, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 1,2-비스(말레이미드)에탄, 1,4-비스(말레이미드)부탄, 1,6-비스(말레이미드)헥산, N,N'-1,3-페닐렌디말레이미드, N,N'-1,4-페닐렌디말레이미드, N-페닐말레이미드, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (7) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (10) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (11) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (12) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (13) 으로 나타내는 말레이미드 화합물이 바람직하고, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (7) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (10) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (11) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (12) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (13) 으로 나타내는 말레이미드 화합물이 보다 바람직하고, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물이 더욱 바람직하다. 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 비스-(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄이 바람직하다.
[화학식 37]
Figure pct00037
식 (2) 중, R1 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 본 실시형태에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 확실하게 발휘하는 관점에서, 수소 원자인 것이 바람직하다. 또, 식 (2) 중, n2 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다. n2 의 상한값은, 유기 용제에 대한 용해성의 관점에서, 상한값은 7 인 것이 바람직하다.
[화학식 38]
Figure pct00038
식 (3) 중, n3 은, 1 ∼ 30 의 정수를 나타낸다. 본 실시형태에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 확실하게 발휘하는 관점에서, n3 은, 7 ∼ 30 의 정수인 것이 바람직하고, 7 ∼ 18 의 정수인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 39]
Figure pct00039
식 (4) 중, R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기, 또는 에틸기를 나타낸다.
식 (4) 중, R3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 40]
Figure pct00040
식 (5) 중, R4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, l 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, n4 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 및 네오펜틸기를 들 수 있다.
[화학식 41]
Figure pct00041
식 (6) 중, R5 및 R7 은, 각각 독립적으로, 8 이상의 원자가 직사슬형으로 연결된 탄화수소기를 나타낸다. R6 은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기를 나타낸다. n5 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
R5 및 R7 모두, 8 이상의 원자가 직사슬형으로 연결된 탄화수소기로는, 예를 들어, 8 이상의 탄소 원자를 갖는, 치환 또는 비치환의 2 가의 탄화수소기를 들 수 있다. 치환 또는 비치환의 2 가의 탄화수소기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 치환 또는 비치환의 직사슬형 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 분기형 지방족 탄화수소기, 및 치환 또는 비치환의 고리형 지방족 탄화수소기를 들 수 있다. 예를 들어, 옥틸렌기, 노나메틸렌기, 데카메틸렌기, 도데카메틸렌기, 헥사데카메틸렌기, 및 옥타데카메틸렌기를 들 수 있다.
R6 에 있어서, 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기로는, 예를 들어, 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 지환기, 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 방향족 기, 및 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 복소 고리기를 들 수 있다. 또한, 고리를 구성하는 원자수란, 고리형으로 연결되어 있는 원자의 수로서, 측사슬의 치환기 등의 원자수는 포함되지 않는다. 치환 또는 비치환의 지환기에 있어서의 지환 부분의 기로는, 예를 들어, 2 가 또는 2 가 이상의, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 및 시클로데실기를 들 수 있다. 또, 치환기가 알킬기인 경우, 알킬기로는, 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 10 의 알킬기가 보다 바람직하다. 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-에틸헥실기, n-노닐기, 및 n-데실기를 들 수 있다. 알킬기 치환의 알킬기는, 1 개여도 되고, 2 이상이어도 된다.
[화학식 42]
Figure pct00042
식 (7) 중, R8 은, 각각 독립적으로, 알킬렌기를 나타낸다. R9 는, 각각 독립적으로, 알킬렌기, 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 식 (9) 로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다. n6 은 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
R8 및 R9 에 있어서의, 알킬렌기는, 모두 상기와 같다.
[화학식 43]
Figure pct00043
식 (8) 중, Z 는, 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기이다. n7 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. n7 은, 1 ∼ 3 의 정수인 것이 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.
Z 에 있어서, 알킬렌기 및 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기에 대해서는 상기와 같다.
[화학식 44]
Figure pct00044
[화학식 45]
Figure pct00045
식 (10) 중, R21 은, 탄소 원자수 1 ∼ 40 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬렌기, 고리를 구성하는 탄소수가 3 ∼ 20 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기, 산소 원자, 식「-NH-」로 나타내는 기, 황 원자, 및 식「-SO2-」로 나타내는 기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
탄소 원자수 1 ∼ 40 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬렌기로는, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 2,2-디메틸프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 도데실렌기, 운데실렌기, 트리데실렌기, 테트라데실렌기, 펜타데실렌기, 헥사데실렌기, 옥타데실렌기, 네오펜틸렌기, 디메틸부틸렌기, 메틸헥실렌기, 에틸헥실렌기, 디메틸헥실렌기, 트리메틸헥실렌기, 메틸헵틸렌기, 디메틸헵틸렌기, 트리메틸헵틸렌기, 테트라메틸헵틸렌기, 에틸헵틸렌기, 메틸옥틸렌기, 메틸노닐렌기, 메틸데실렌기, 메틸도데실렌기, 메틸운데실렌기, 메틸트리데실렌기, 메틸테트라데실렌기, 메틸펜타데실렌기, 메틸헥사데실렌기, 에이코실렌기, 및 트리아콘렌기를 들 수 있다.
고리를 구성하는 탄소수가 3 ∼ 20 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기로는, 상기와 같다.
[화학식 46]
Figure pct00046
식 (11) 중, n8 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m1 은, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다. n8 은, 1 ∼ 8 의 정수인 것이 바람직하다. m1 은, 8 ∼ 32 의 정수인 것이 바람직하다.
[화학식 47]
Figure pct00047
식 (12) 중, n9 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m2 는, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다. n9 는, 1 ∼ 9 의 정수인 것이 바람직하다. m2 는, 8 ∼ 32 의 정수인 것이 바람직하다.
[화학식 48]
Figure pct00048
식 (13) 중, n10 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m3 은, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다. n10 은, 1 ∼ 9 의 정수인 것이 바람직하다. m3 은, 8 ∼ 32 의 정수인 것이 바람직하다.
말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 유기 용제에 대해 양호한 용해성이 얻어지는 점에서 보이드를 저감시킬 수 있고, 또 양호한 가요성이 얻어지는 점에서, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물이 바람직하고, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물과 함께, 추가로 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물에서 선택되는 적어도 1 종의 말레이미드 화합물을 함유하는 것이 보다 바람직하고, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물 전부를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 는, 시판품을 사용해도 되고, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판으로는, 예를 들어, 케이·아이 화성 (주) 제조 BMI-80 (상품명) 을 들 수 있다. 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, 다이와 화성 공업 (주) 사 제조 BMI-2300 (상품명, 식 (2) 중의 R1 이 모두 수소 원자이고, n2 가 1 ∼ 3 인 혼합물이다) 을 들 수 있다. 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, 케이·아이 화성 (주) 제조 BMI-1000P (상품명, 식 (3) 중의 n3 ＝ 14 (평균)), 케이·아이 화성 (주) 사 제조 BMI-650P (상품명, 식 (3) 중의 n3 ＝ 9 (평균)), 케이·아이 화성 (주) 사 제조 BMI-250P (상품명, 식 (3) 중의 n3 ＝ 3 ∼ 8 (평균)), 케이·아이 화성 (주) 사 제조 CUA-4 (상품명, 식 (3) 중의 n3 ＝ 1) 등을 들 수 있다. 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, 케이·아이 화성 (주) 제조 BMI-70 (상품명) 을 들 수 있다. 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, 닛폰 화약 (주) 사 제조 MIR-3000-70MT (상품명, 식 (5) 중의 R4 가 모두 수소 원자이고, n4 가 1 ∼ 10 인 혼합물이다) 를 들 수 있다. 식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, Designer Molecules inc. 제조 BMI-3000 (상품명), 및 BMI-5000 (상품명) 을 들 수 있다. 식 (7) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, Designer Molecules inc. 제조 BMI-6000 (상품명) 을 들 수 있다. 식 (10) 으로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, 다이와 화성 공업 (주) 사 제조 BMI-TMH (상품명), Evonik 사 제조 MAHD (상품명) 를 들 수 있다. 식 (11) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, Designer Molecules inc. 제조 BMI-689 (상품명) 를 들 수 있다. 식 (12) 로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, Designer Molecules inc. 제조 BMI-1500 (상품명) 을 들 수 있다. 식 (13) 으로 나타내는 말레이미드 화합물로는, 예를 들어, Designer Molecules inc. 제조 BMI-1700 (상품명) 을 들 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 비스말레이미드 화합물 (A) 를 주성분으로 한 경화물을 얻는 것이 가능해지고, 경화성을 보다 향상시키고, 또한, 가일층의 저보이드성이 얻어진다는 관점에서, 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인 것이 바람직하고, 5 질량부 ∼ 97 질량부인 것이 보다 바람직하고, 10 질량부 ∼ 95 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 15 질량부 ∼ 90 질량부인 것이 보다 더욱 바람직하고, 20 질량부 ∼ 85 질량부인 것이 보다 더욱더 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로서 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 포함하는 경우에는, 특별히 한정되지 않지만, 유기 용제에 대한 양호한 용해성 및 양호한 가요성이 얻어지는 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 5 질량부 이상 70 질량부 이하로 포함하는 것이 바람직하고, 10 질량부 ∼ 60 질량부로 포함하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 포함하는 경우에는, 특별히 한정되지 않지만, 우수한 택성 및 투과성을 가지면서, 보다 양호한 가요성, 가일층의 저보이드성, 및 보다 한층 우수한 칩 접착성이 얻어지는 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 말레이미드기를 갖는 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 비스말레이미드 화합물 (A) 를 15 질량부 ∼ 65 질량부, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 5 질량부 ∼ 82 질량부, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판을 1 질량부 ∼ 10 질량부, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 1 질량부 ∼ 10 질량부, 및 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 1 질량부 ∼ 10 질량부로 각각 포함하는 것이 바람직하고, 비스말레이미드 화합물 (A) 를 22 질량부 ∼ 65 질량부, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 5 질량부 ∼ 75 질량부, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판을 1 질량부 ∼ 15 질량부, 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 1 질량부 ∼ 5 질량부, 및 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 1 질량부 ∼ 10 질량부로 각각 포함하는 것이 보다 바람직하다.
중합성 관능기로서 (메트)아크릴로일기를 갖는, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 분자 중에 1 개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-1,3-디(메트)아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 트리스((메트)아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. (메트)아크릴로일기를 갖는 수지 또는 화합물 (B) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
중합성 관능기로서 알릴기를 갖는, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로는, 분자 중에 1 개 이상의 알릴기를 갖는 수지 또는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 트리(메트)알릴시아누레이트, 트리(메트)알릴이소시아누레이트, 트리(메트)알릴트리멜리테이트, 테트라(메트)알릴피로멜리테이트, 및 펜타에리트리톨트리(메트)알릴에테르를 들 수 있다. 알릴기를 갖는 수지 또는 화합물 (B) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
〔경화 촉진제 (C)〕
본 실시형태의 수지 조성물은, 경화 촉진제를 포함한다. 수지 조성물이 경화 촉진제를 포함하면, 경화 속도를 조정할 수 있고, 또, 적당한 성형성을 갖는 수지 조성물이 얻어진다. 본 실시형태의 경화 촉진제는, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 경화를 촉진시킬 수 있는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 경화 촉진제 (C) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 경화 촉진제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 열 라디칼 중합 개시제 (D), 이미다졸 화합물 (E), 그리고 트리에틸아민 및 트리부틸아민 등의 제 3 급 아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 양호한 경화 속도가 얻어지는 점에서, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 및 이미다졸 화합물 (E) 에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하고, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 및 이미다졸 화합물 (E) 의 양방을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 경화 촉진제 (C) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 양호한 경화 속도가 얻어지는 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.05 질량부 ∼ 10 질량부로 포함하는 것이 바람직하고, 0.05 질량부 ∼ 8 질량부로 포함하는 것이 보다 바람직하다.
(열 라디칼 중합 개시제 (D))
본 실시형태에 관련된 열 라디칼 중합 개시제 (D) 는, 열에 의해, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 에 있어서의 말레이미드기, 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 중합성 관능기를 중합시킬 수 있는 활성 물질 (라디칼) 을 방출하는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 열 라디칼 개시제를 사용할 수 있다. 열 라디칼 중합 개시제 (D) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 의 10 시간 반감기 온도는, 특별히 한정되지 않지만, 100 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 제조성의 관점에서, 110 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 본 실시형태에 있어서, 제조시의 용제 제거 공정의 고온화를 도모할 수 있기 때문에, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 는, 상기의 범위의 10 시간 반감기 온도를 만족하는 것이 바람직하다.
열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)헥신-3, 벤조일퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 및 시클로헥사논퍼옥사이드의 케톤퍼옥사이드 ; 1,1-디(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 및 2,2-디(4,4-디(t-부틸퍼옥시)시클로헥실)프로판의 퍼옥시케탈 ; tert-부틸하이드로퍼옥사이드, p-멘탄하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 및 t-부틸하이드로퍼옥사이드의 하이드로퍼옥사이드 ; 디(2-t-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-t-헥실퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 및 디-t-부틸퍼옥사이드의 디알킬퍼옥사이드 ; 디벤조일퍼옥사이드, 및 디(4-메틸벤조일)퍼옥사이드의 디아실퍼옥사이드 ; 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 및 디이소프로필퍼옥시디카보네이트의 퍼옥시디카보네이트 ; 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)헥산, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 및 t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트의 퍼옥시에스테르 등의 유기 과산화물 ; 2,2'-아조비스부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 및 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물 등을 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 양호한 경화 속도가 얻어지는 점에서, 유기 과산화물이 바람직하고, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 및 하이드로퍼옥사이드 골격을 갖는 유기 과산화물이 보다 바람직하고, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)헥신-3, 및 tert-부틸하이드로퍼옥사이드가, 제조성의 관점에서 더욱 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 양호한 경화 속도가 얻어지는 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.05 질량부 ∼ 10 질량부로 포함하는 것이 바람직하고, 0.05 질량부 ∼ 8 질량부로 포함하는 것이 보다 바람직하다.
(이미다졸 화합물 (E))
본 실시형태에 관련된 이미다졸 화합물 (E) 는, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 경화를 촉진시킬 수 있는 이미다졸 화합물이면, 특별히 한정되지 않고, 공지된 이미다졸 화합물을 사용할 수 있다. 이미다졸 화합물 (E) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이미다졸 화합물 (E) 로는, 예를 들어, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 트리에틸아민 및 트리부틸아민 등의 제 3 급 아민, 및 그들의 유도체를 들 수 있다. 그 중에서도, 경화 속도의 조정이 용이한 점에서, 2-에틸-4-메틸이미다졸이 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 이미다졸 화합물 (E) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 경화 속도의 조정이 용이한 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.05 질량부 ∼ 10 질량부로 포함하는 것이 바람직하고, 0.05 질량부 ∼ 8 질량부로 포함하는 것이 보다 바람직하다.
〔열경화성 화합물 (F)〕
본 실시형태의 수지 조성물에는, 특별히 한정되지 않지만, 경화 속도의 조정이 용이한 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 이외의 열경화성 화합물 (F) 를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 관련된 열경화성 화합물 (F) 로는, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와 반응성을 나타내는 화합물이면, 공지된 화합물을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 열경화성 화합물 (F) 로는, 후술하는 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 와 반응성을 나타내지 않는 것이 바람직하다.
열경화성 화합물 (F) 의 분자량은, 특별히 한정되지 않지만, 플립 칩 실장 중에 있어서, 열경화성 화합물 (F) 의 휘발에 의한 보이드를 방지하는 관점에서, 400 이상인 것이 바람직하다. 한편, 보다 충분한 플럭스 활성을 얻는 관점에서, 열경화성 화합물 (F) 의 분자량은, 10,000 이하인 것이 바람직하다.
이와 같은 열경화성 화합물 (F) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 알케닐기를 갖는 화합물, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 및 벤조옥사진 화합물을 들 수 있다. 열경화성 화합물 (F) 중에서도, 우수한 난연성, 내열성, 접착성, 및 유기 용제에 대한 용해성이 얻어지는 점에서, 벤조옥사진 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 열경화성 화합물 (F) 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
알케닐기를 갖는 화합물로는, 분자 중에 1 개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물이고, 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 이외이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 비닐기를 갖는 화합물, 및 (메트)알릴기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
비닐기를 갖는 화합물로는, 예를 들어, 디비닐벤젠, 디비닐나프탈렌, 스티렌, 및 스티렌 유도체를 들 수 있다. 이들 비닐기를 갖는 화합물은, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
벤조옥사진 화합물로는, 기본 골격으로서 옥사진 고리를 갖고 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태에 있어서, 벤조옥사진 화합물에는, 나프토옥사진 화합물 등의 다환 옥사진 골격을 갖는 화합물도 포함된다. 벤조옥사진 화합물은, 가열에 의해 휘발성의 부생성물을 발생시키지 않고, 벤조옥사진 고리가 개환 중합하여 바람직하게 경화된다. 경화물은, 내열성, 내수성, 및 난연성이 우수하다. 또, 벤조옥사진 화합물은, 개환 중합시에 극성기인 페놀성 수산기, 및 제 3 급 아미노기가 생성되기 때문에, 높은 칩 접착성 및 기판 접착성을 기대할 수 있다. 벤조옥사진 화합물은, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
벤조옥사진 화합물로는, 식 (14) 로 나타내는 화합물, 식 (15) 로 나타내는 화합물, 식 (16) 으로 나타내는 화합물, 및 식 (17) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 벤조옥사진 화합물 중에는, 모노머가 중합하여 생성된 올리고머 등을 포함하고 있어도 된다.
[화학식 49]
Figure pct00049
식 (14) 중, R10 은, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. R11 은, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 일반식 (a) ∼ (t) 로 나타내는 1 가 ∼ 4 가의 유기기를 나타낸다. n11 은, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.
R10 및 R11 모두, 아릴기로는, 탄소 원자수 6 ∼ 18 의 아릴기인 것이 바람직하다. 이와 같은 아릴기로서, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 인데닐기, 비페닐기, 및 안트릴기를 들 수 있다. 그 중에서도, 페닐기가 보다 바람직하다. 이들 아릴기는, 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 저급 알킬기를 1 개 이상, 바람직하게는 1 ∼ 3 개의 범위에서 갖는다. 그와 같은 저급 알킬기를 갖는 아릴기로는, 예를 들어, 톨릴기, 자일릴기, 및 메틸나프틸기 등을 들 수 있다.
R10 및 R11 모두, 아르알킬기는, 벤질기, 및 페네틸기인 것이 바람직하다. 이들은, 그 페닐기 상에 탄소 원자수 1 내지 4 의 저급 알킬기를 1 개 이상, 바람직하게는 1 ∼ 3 개의 범위에서 갖는다.
R10 및 R11 모두, 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 및 헥세닐기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 비닐기, 알릴기, 및 프로페닐기가 바람직하고, 알릴기가 보다 바람직하다.
R10 및 R11 모두, 알킬기로는, 탄소 원자수 1 ∼ 20 의 알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 1 ∼ 10 의 알킬기이다. 탄소 원자수 3 이상의 알킬기는, 직사슬형이어도 되고 분기 사슬형이어도 된다. 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-에틸헥실기, n-노닐기, 및 n-데실기를 들 수 있다.
R10 및 R11 모두, 시클로알킬기로는, 예를 들어, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 및 시클로헵틸기를 들 수 있다. 바람직하게는 시클로헥실기이다.
[화학식 50]
Figure pct00050
식 (15) 중, R12 는, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. R13 은, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 일반식 (a) ∼ (t) 로 나타내는 1 가 ∼ 4 가의 유기기를 나타낸다. n12 는 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.
R12 및 R13 모두, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 및 시클로알킬기에 대해서는 상기와 같다.
[화학식 51]
Figure pct00051
식 (16) 중, R14 는, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다.
R14 에 있어서의, 알킬기 및 시클로알킬기에 대해서는 상기와 같다.
치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기로는, 예를 들어, 무치환 페닐기 ; 4-메틸페닐기, 3-메톡시페닐기, 4-시클로헥실페닐기, 및 4-메톡시페닐기의 1 치환 페닐기 ; 3,5-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 및 3,5-디메톡시페닐기의 2 치환 페닐기 ; 3,4,5-트리메틸페닐기의 3 치환 페닐기 ; 2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 및 4-메틸-2-나프틸기의 치환기를 갖고 있어도 되는 2-나프틸기를 들 수 있다.
[화학식 52]
Figure pct00052
식 (17) 중, R15 는, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다.
R15 에 있어서의, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기에 대해서는 상기와 같다.
[화학식 53]
Figure pct00053
[화학식 54]
Figure pct00054
[화학식 55]
Figure pct00055
[화학식 56]
Figure pct00056
[화학식 57]
Figure pct00057
[화학식 58]
Figure pct00058
[화학식 59]
Figure pct00059
일반식 (a) ∼ (t) 중, Ra 는, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. Rb 는, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다.
Ra 및 Rb 모두, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 및 시클로알킬기에 대해서는 상기와 같다.
벤조옥사진 화합물로는, 우수한 난연성, 및 내열성이 얻어지는 점에서, 식 (18) 로 나타내는 화합물, 식 (19) 로 나타내는 화합물, 및 식 (20) 으로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이, 용제 용해성의 관점에서 바람직하다.
[화학식 60]
Figure pct00060
식 (18) 중, R16 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. o 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. R17 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. p 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. T1 은, 알킬렌기, 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다.
R16 및 R17 모두, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 및 시클로알킬기에 대해서는 상기와 같다.
T1 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하다. 직사슬형의 알킬렌기로는, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데카닐렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 및 옥타데실렌기를 들 수 있다. 분기 사슬형의 알킬렌기로는, 예를 들어, -C(CH3)2-, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, 및 -C(CH2CH3)2- 의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, 및 -C(CH2CH3)2-CH2- 의 알킬에틸렌기를 들 수 있다.
[화학식 61]
Figure pct00061
식 (19) 중, R18 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. q 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다. R19 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. r 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. T2 는, 알킬렌기, 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다.
R18 및 R19 모두, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 및 시클로알킬기에 대해서는 상기와 같다. T2 에 있어서의 알킬렌기에 대해서는 상기와 같다.
[화학식 62]
Figure pct00062
식 (8) 중, Z 는, 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기이다. n7 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. n7 은, 1 ∼ 3 의 정수인 것이 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.
Z 에 있어서의 알킬렌기에 대해서는 상기와 같다.
방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기로는, 예를 들어, 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 플루오렌, 페난트렌, 인다센, 터페닐, 아세나프틸렌, 및 페날렌의 방향족성을 갖는 화합물의 핵으로부터 수소 원자를 2 개 제거한 2 가의 기를 들 수 있다.
[화학식 63]
Figure pct00063
식 (20) 중, R20 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 탄화수소기를 나타낸다.
본 실시형태의 수지 조성물에는, 우수한 난연성, 및 내열성이 얻어지는 점에서, 식 (18) 로 나타내는 화합물이, 식 (21) 로 나타내는 화합물, 및/또는 식 (22) 로 나타내는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물에는, 유기 용제에 대한 용해성이 우수한 점에서, 식 (19) 로 나타내는 화합물이, 식 (23) 으로 나타내는 화합물, 식 (24) 로 나타내는 화합물, 및 식 (25) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 수지 조성물에는, 보다 우수한 난연성, 내열성, 및 유기 용제에 대한 용해성이 얻어지는 점에서, 식 (21) 로 나타내는 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
[화학식 64]
Figure pct00064
[화학식 65]
Figure pct00065
[화학식 66]
Figure pct00066
[화학식 67]
Figure pct00067
[화학식 68]
Figure pct00068
벤조옥사진 화합물로는, 시판되는 것을 사용해도 되고, 예를 들어, P-d 형 벤조옥사진 (시코쿠 화성 공업사 제조, 3,3'-(메틸렌-1,4-디페닐렌)비스(3,4-디하이드로-2H-1,3-벤조옥사진), 수산기 당량 : 217, 분자량 : 434), 및 F-a 형 벤조옥사진 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2,2-비스(3,4-디하이드로-2H-3-페닐-1,3-벤조옥사지닐)메탄, 수산기 당량 : 217, 분자량 : 434) 을 들 수 있다.
이들 벤조옥사진 화합물은, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물이, 열경화성 화합물 (F) 를 포함하는 경우, 열경화성 화합물 (F) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 양호한 칩 접착성, 및 가요성을 갖는 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인 것이 바람직하고, 5 질량부 ∼ 80 질량부인 것이 보다 바람직하고, 10 질량부 ∼ 60 질량부인 것이 더욱 바람직하다.
〔무기 충전재 (G)〕
본 실시형태의 수지 조성물에는, 내연성의 향상, 열전도율의 향상, 및 열팽창률의 저감을 위해, 무기 충전재 (G) 를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 무기 충전재를 사용함으로써, 수지 조성물 등의 내연성, 및 열전도율을 향상시키고, 열팽창률을 저감시킬 수 있다.
무기 충전재 (G) 의 평균 입경은, 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태의 수지 조성물을, 언더필재로서, 바람직하게는 프리어플라이드 언더필재로서 사용하는 경우, 칩에 배열되는 전극의 협피치화나 전극간의 협갭화에 대응하는 관점에서는, 3 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 그 평균 입경의 하한값은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 10 ㎚ 이다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 무기 충전재 (G) 의「평균 입경」이란, 무기 충전재 (G) 의 메디안 직경을 의미하는 것으로 한다. 여기서 메디안 직경이란, 어느 입경을 기준으로 하여 분체의 입도 분포를 2 개로 나눈 경우에, 보다 입경이 큰 쪽의 입자의 체적과, 보다 입경이 작은 쪽의 입자의 체적이, 전체 분체의 각각 50 ％ 를 차지하는 입경을 의미한다. 무기 충전재 (G) 의 평균 입경 (메디안 직경) 은, 습식 레이저 회절·산란법에 의해 측정된다.
무기 충전재 (G) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 천연 실리카, 용융 실리카, 아모르퍼스 실리카, 및 중공 실리카 등의 실리카 ; 베마이트, 수산화알루미늄, 알루미나, 및 질화알루미늄 등의 알루미늄 화합물 ; 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘 등의 마그네슘 화합물 ; 탄산칼슘, 및 황산칼슘 등의 칼슘 화합물 ; 산화몰리브덴, 및 몰리브덴산아연 등의 몰리브덴 화합물 ; 질화붕소 ; 황산바륨 ; 천연 탤크, 및 소성 탤크 등의 탤크 ; 마이카 ; 단섬유상 유리, 구상 유리, 및 미분말 유리 (예를 들어, E 유리, T 유리, D 유리) 등의 유리를 들 수 있다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물에 도전성 또는 이방 도전성을 부여하고자 하는 경우에는, 무기 충전재 (G) 로서, 예를 들어, 금, 은, 니켈, 구리, 주석 합금, 및 팔라듐의 금속 입자를 사용해도 된다.
이들 중에서도, 본 실시형태의 수지 조성물의 내연성의 향상 및 열팽창률의 저감의 관점에서, 무기 충전재 (G) 로는, 실리카, 수산화알루미늄, 알루미나, 베마이트, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘이 바람직하고, 실리카, 알루미나, 질화붕소가 보다 바람직하고, 그 중에서도 실리카가 더욱 바람직하다. 실리카로는, 예를 들어, 덴카 (주) 제조의 SFP-120MC (상품명), 및 SFP-130MC (상품명), (주) 아드마텍스 제조의 0.3 ㎛ SX-CM1 (상품명), 0.3 ㎛ SX-EM1 (상품명), 0.3 ㎛ SV-EM1 (상품명), SC1050-MLQ (상품명), SC2050-MNU (상품명), SC2050-MTX (상품명), 2.2 ㎛ SC6103-SQ (상품명), SE2053-SQ (상품명), YA050C-MJE (상품명), YA050C-MJF (상품명), 및 YA050C-MJA (상품명) 를 들 수 있다.
이들 무기 충전재 (G) 는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
무기 충전재 (G) 는, 실란 커플링제로 표면 처리된 것을 사용해도 된다.
실란 커플링제로는, 일반적으로 무기물의 표면 처리에 사용되고 있는 실란 커플링제이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 비닐트리메톡시실란, 및 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 비닐실란계 실란 커플링제 ; N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 페닐아미노실란계 실란 커플링제 ; 트리메톡시페닐실란 등의 페닐실란계 실란 커플링제 ; 이미다졸실란계 실란 커플링제를 들 수 있다. 이들 실란 커플링제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물이, 무기 충전재 (G) 를 포함하는 경우, 무기 충전재 (G) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 내연성의 향상, 및 열팽창률의 저감을 하면서, 언더필재, 바람직하게는 프리어플라이드 언더필재의 접합시의 유동성을 확보하는 관점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 500 질량부 이하인 것이 바람직하고, 300 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 그 함유량은, 10 질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 20 질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 50 질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.
〔플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H)〕
본 실시형태의 수지 조성물에는, 플립 칩 실장 중에 있어서 플럭스 활성을 발현시키기 위해, 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 는, 분자 중에 1 개 이상의 산성 부위를 갖는 유기 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 산성 부위로는, 예를 들어, 인산기, 페놀성 수산기, 카르복실기, 및 술폰산기가 바람직하고, 본 실시형태의 수지 조성물을, 언더필재로서, 바람직하게는 프리어플라이드 언더필재로서 사용한 반도체 장치에 있어서, 접합부를 구성하는 땜납이나 구리 등의 금속의 마이그레이션, 및 부식을 보다 유효하게 방지하는 관점에서, 페놀성 수산기 또는 카르복실기가 보다 바람직하다. 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 는, 특별히 한정되지 않지만, 접합부의 산화막의 제거를 충분히 실시하기 위해, 산 해리 정수 (定數) pKa 가, 3.8 ∼ 15.0 인 것이 바람직하고, 바니시 및 수지 적층체의 보존 안정성과 플럭스 활성의 양립의 관점에서, 4.0 ∼ 14.0 인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서의 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 는, 특별히 한정되지 않지만, 플립 칩 실장 중에 있어서 플럭스 활성이 발현되기 전에 휘발되어 버리는 것, 즉 접합부의 산화막을 제거하기 전에 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 가 휘발되어 버리는 것을 방지하는 관점에서, 분자량이 200 이상인 것이 바람직하고, 250 이상인 것이 보다 바람직하다. 산으로서의 운동성을 갖고, 충분한 플럭스 활성을 얻기 위해서는, 분자량 8000 이하인 것이 바람직하고, 1000 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 이하인 것이 더욱 바람직하다.
플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아비에트산, 네오아비에트산, 데하이드로아비에트산, 피마르산, 이소피마르산, 팔루스트르산, 디페놀산, 디하이드로아비에트산, 테트라하이드로아비에트산, 로진 변성 말레산 수지 등의 로진산 변성 수지, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민, N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민, 및 페노프탈린을 들 수 있다. 이들 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 는, 용제 용해성 및 보존 안정성이 우수한 관점에서 바람직하다.
이들 중에서도, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 에 의한 실활을 방지하는 관점에서는, 데하이드로아비에트산, 디페놀산, 디하이드로아비에트산, 테트라하이드로아비에트산, 로진 변성 말레산 수지 등의 로진산 변성 수지, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민, 및 N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민이 보다 바람직하다. 데하이드로아비에트산, 디하이드로아비에트산, 로진 변성 말레산 수지 등의 로진산 변성 수지, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민, 및 N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민은, 비교적 반응성이 낮은 점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와의 반응이 거의 일어나지 않아, 산화막의 제거에 필요로 되는 충분한 플럭스 활성이 유지되는 관점에서 더욱 바람직하다.
플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 로는, 시판되는 것을 사용해도 되고, 예를 들어, 말키드 No32 (아라카와 화학 공업 (주) 제조, (상품명), 산가 : 140 이하), 말키드 No31 (아라카와 화학 공업 (주) 제조, (상품명) 산가 : 200 이하), 및 말키드 No33 (아라카와 화학 공업 (주) 제조, (상품명) 산가 : 290 ∼ 320) 을 들 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물이, 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 를 포함하는 경우, 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 플럭스 활성과, 적층체를 형성하여 사용할 때에 중요한 특성 중 하나가 되는 가요성을 양립하는 관점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 60 질량부인 것이 바람직하고, 5 질량부 ∼ 50 질량부인 것이 보다 바람직하고, 10 질량부 ∼ 45 질량부인 것이 더욱 바람직하다.
〔기타 성분〕
본 실시형태의 수지 조성물에서는, 비스말레이미드 화합물 (A), 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B), 열 라디칼 중합 개시제 (D) 및 이미다졸 화합물 (E) 등의 경화 촉진제 (C), 열경화성 화합물 (F), 무기 충전재 (G), 및 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 외에, 기타 성분을 1 종 또는 2 종 이상 포함하고 있어도 된다.
기타 성분으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 가요성 부여 성분을 들 수 있다. 가요성 부여 성분은, 수지 조성물을 포함하는 층에 대해 가요성을 부여할 수 있는 성분이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 본 실시형태에 관련된, 비스말레이미드 화합물 (A), 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B), 열경화성 화합물 (F), 및 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 이외의, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 스티렌-부타디엔 고무 (SBR), 이소프렌 고무 (IR), 부타디엔 고무 (BR), (메트)아크릴로니트릴부타디엔 고무 (NBR), 폴리우레탄, 폴리프로필렌, (메트)아크릴 올리고머, (메트)아크릴 폴리머, 및 실리콘 수지 등의 열가소성의 고분자 화합물을 들 수 있다. 이들 가요성 부여 성분은, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물에는, 기타 성분으로서, 수지와 무기 충전재의 계면의 접착성의 향상, 및 흡습 내열성의 향상을 목적으로 하여, 실란 커플링제를 포함할 수도 있다. 실란 커플링제로는, 예를 들어, 비닐트리메톡시실란, 및 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 비닐실란계 실란 커플링제 ; N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 페닐아미노실란계 실란 커플링제 ; 트리메톡시페닐실란 등의 페닐실란계 실란 커플링제 ; 이미다졸실란계 실란 커플링제를 들 수 있다. 이들 실란 커플링제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
실란 커플링제를 사용하는 경우, 그 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 흡습 내열성의 향상, 및 플립 칩 실장시의 휘발량의 저감 관점에서, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.05 질량부 ∼ 20 질량부인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에는, 기타 성분으로서, 적층체의 제조성 향상 및 충전재의 분산성 등의 목적으로서, 습윤 분산제를 포함할 수도 있다. 습윤 분산제로는, 일반적으로 도료 등에 사용되고 있는 습윤 분산제이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 빅케미·재팬 (주) 제조의 Disperbyk (등록상표)-110 (상품명), 동-111 (상품명), 동-180 (상품명), 동-161 (상품명), BYK-W996 (상품명), 동-W9010 (상품명), 및 동-W903 (상품명) 을 들 수 있다. 이들 습윤 분산제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
습윤 분산제를 사용하는 경우, 그 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 적층체의 제조성 향상의 관점에서는, 본 실시형태에 관련된 무기 충전재 (G) 100 질량부에 대해, 0.1 질량부 ∼ 5 질량부로 하는 것이 바람직하고, 0.5 질량부 ∼ 3 질량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 2 종 이상의 습윤 분산제를 병용하는 경우에는, 이들의 합계량이 상기 비율을 만족하는 것이 바람직하다.
기타 성분으로서, 본 실시형태의 수지 조성물에는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 여러 가지 목적에 따라, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광 중합 개시제, 형광 증백제, 광 증감제, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 레벨링제, 광택제, 난연제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 광 중합 개시제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알킬페논계 광 중합 개시제 ; 아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제 ; 티타노센계 광 중합 개시제를 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 기타 첨가제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 각각 0.01 질량부 ∼ 10 질량부이다.
〔수지 조성물〕
본 실시형태의 수지 조성물은, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수하다. 본 실시형태의 수지 조성물을, 적층체의 형태로 사용하는 언더필재, 바람직하게는 프리어플라이드 언더필재로서 사용한 경우, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수하고, 게다가 접합성 및 절연 신뢰성도 우수하다. 이와 같이, 본 실시형태 수지 조성물은, 각종 우수한 특징을 갖는 점에서, 언더필재로서 보다 유용하고, 프리어플라이드 언더필재로서 더욱 유용하다. 또한, 적층체에 대해서는 후술한다.
본 실시형태의 수지 조성물은, 비스말레이미드 화합물 (A), 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B), 열 라디칼 중합 개시제 (D) 및 이미다졸 화합물 (E) 등의 경화 촉진제 (C) 와, 필요에 따라 열경화성 화합물 (F) 와, 무기 충전재 (G) 와, 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 와, 기타 성분을 적절히 혼합함으로써 조제된다. 필요에 따라, 이들 성분을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 바니시의 형태로 해도 된다. 본 실시형태의 수지 조성물의 바니시는, 하기와 같이, 본 실시형태의 적층체를 제조할 때의 바니시로서 바람직하게 사용할 수 있다. 유기 용제는, 상기의 성분을 각각 바람직하게 용해 또는 분산시킬 수 있고, 또한, 본 실시형태의 수지 조성물의 소기의 효과를 저해하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 유기 용제로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 및 프로판올 등의 알코올류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤 (이하,「MEK」라고 약칭하는 경우가 있다), 및 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 ; 디메틸아세트아미드, 및 디메틸포름아미드 등의 아미드류 ; 톨루엔, 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소류를 들 수 있다. 이들 유기 용제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
[수지 시트]
본 실시형태의 수지 시트는, 본 실시형태의 수지 조성물을 포함한다. 구체적으로는, 본 실시형태의 수지 시트는, 지지 기재와, 지지 기재의 편면 또는 양면에 배치된 수지층을 갖고, 수지층이, 본 실시형태의 수지 조성물을 포함한다. 이 수지 시트를 적층 수지 시트라고도 칭한다. 수지 시트의 제조 방법은, 통상적인 방법에 따라 실시할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물을 용제에 용해시킨 용액을 지지 기재에 도포하여 건조시킴으로써 얻을 수 있다.
지지 기재로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 및 에틸렌테트라플루오로에틸렌 공중합체 필름, 그리고 폴리이미드 필름 등의 유기계의 필름 ; 이들 필름의 표면에 이형제를 도포한 이형 필름 ; 구리박, 및 알루미늄박 등의 도체박 ; 유리판, SUS 판, 및 FRP 등의 판상의 것을 들 수 있다.
도포 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물을 용제에 용해시킨 용액을, 바 코터, 다이 코터, 닥터 블레이드, 및 베이커 어플리케이터 등으로 지지 기재 상에 도포하는 방법을 들 수 있다.
본 실시형태의 수지 시트 중, 단층 수지 시트는, 본 실시형태의 수지 조성물을 시트상으로 성형하여 이루어진다. 단층 수지 시트의 제조 방법은, 통상적인 방법에 따라 실시할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시형태의 수지 시트의 제법에 있어서, 본 실시형태의 수지 조성물을 용제에 용해시킨 용액을 지지 기재 상에 도포하여 건조시킨 후에, 수지 시트로부터 지지 기재를 박리 또는 에칭하는 방법을 들 수 있다. 또한, 본 실시형태의 수지 조성물을 용제에 용해시킨 용액을, 시트상의 캐비티를 갖는 금형 내에 공급하고 건조시키거나 하여 시트상으로 성형함으로써, 지지 기재를 사용하지 않고 단층 수지 시트를 얻을 수도 있다.
본 실시형태의 수지 시트 또는 단층 수지 시트의 제조에 있어서, 용제를 제거할 때의 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 저온이면 수지 조성물 중에 용제가 남기 쉽고, 고온이면 수지 조성물의 경화가 진행되는 점에서, 20 ℃ ∼ 170 ℃ 의 온도에서 1 분간 ∼ 90 분간이 바람직하다.
본 실시형태의 수지 시트 또는 단층 수지 시트의 수지층의 두께는, 본 실시형태의 수지 조성물의 용액의 농도와 도포의 두께에 따라 조정할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 도포의 두께가 두꺼워지면 건조시에 용제가 남기 쉬워지는 점에서, 0.1 ㎛ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하다.
본 실시형태의 수지 시트 또는 단층 수지 시트는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 반도체 탑재용 기판, 및 프린트 배선판의 절연층의 제조용으로서 사용할 수 있다.
[적층체]
본 실시형태의 수지 조성물을 지지 기재 상에 도포함으로써, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수한, 수지 조성물을 포함하는 층을 갖는 적층체를 제공할 수 있다. 본 실시형태의 적층체는, 지지 기재와, 지지 기재 상에 적층된 본 실시형태의 수지 조성물을 포함하는 층을 구비한다. 이와 같은 적층체는, 본 실시형태의 수지 조성물이, 지지 기재에 전착되어 얻어진다. 지지 기재로는, 특별히 한정되지 않지만, 고분자 필름을 사용할 수 있다. 고분자 필름으로는, 예를 들어, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 및 에틸렌-비닐알코올 공중합체 등의 비닐계 수지 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지 ; 폴리우레탄계 수지 ; 폴리이미드계 수지 ; 폴리아미드계 수지 등을 함유하는 필름, 그리고 이들 필름의 표면에 이형제를 도포한 이형 필름을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 및 폴리아미드계 수지가 바람직하고, 폴리에스테르계 수지의 1 종인, 폴리에틸렌테레프탈레이트가 보다 바람직하다.
지지 기재의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 적층체의 제조가 보다 용이한 점, 예를 들어, 지지 기재에 수지 조성물을 도포하는 경우의 도포 두께의 안정성과, 적층체의 반송성의 점에서, 10 ㎛ ∼ 100 ㎛ 인 것이 바람직하다. 지지 기재의 두께의 하한으로는, 적층체를 제조할 때의 수율 확보의 점에서, 10 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 25 ㎛ 이상인 것이 보다 더욱 바람직하다. 지지 기재의 두께의 상한으로는, 지지 기재가 최종적으로 반도체 장치의 구성 부재로서 존재하지 않고, 공정 도중에 박리되는 점과, 적층체의 제조 비용의 점에서, 80 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
지지 기재 상에, 본 실시형태의 수지 조성물을 포함하는 층 (이하, 간단히「수지 조성물층」이라고도 한다) 을 형성하여 본 실시형태의 적층체를 제조하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않는다. 그와 같은 제조 방법으로는, 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 바니시를, 지지 기재의 표면에 도포하고, 가열, 및/또는 감압하에서 건조시키고, 용매를 제거하여 본 실시형태의 수지 조성물을 고화시켜, 수지 조성물층을 형성하는 수법을 들 수 있다. 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층에 대한 유기 용제의 함유 비율이, 수지 조성물층의 총량 (100 질량부) 에 대해, 통상적으로 10 질량부 이하, 바람직하게는 5 질량부 이하가 되도록 건조시킨다. 이러한 건조를 달성하는 조건은, 바니시 중의 유기 용매의 종류와 배합량에 따라서도 상이하다. 예를 들어, 본 실시형태에 관련된 비스말레이미드 화합물 (A) 및 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 10 질량부 ∼ 650 질량부의 메틸에틸케톤을 포함하는 바니시의 경우, 1 기압하에서 90 ℃ ∼ 160 ℃ 의 가열 조건하에서 2 분 ∼ 15 분의 건조가 기준이 된다. 본 실시형태의 적층체에 있어서의 수지 조성물층의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층의 건조시에, 비교적 저분자량의 휘발분을 보다 양호하게 제거하는 관점, 및 적층체로서의 기능을 보다 유효하고 확실하게 발휘하는 관점에서, 5 ㎛ ∼ 500 ㎛ 의 범위가 바람직하고, 10 ㎛ ∼ 100 ㎛ 의 범위가 보다 바람직하다.
[수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 및 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판]
본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼는, 반도체 웨이퍼와, 그 반도체 웨이퍼에 적층된 본 실시형태의 적층체를 구비하고, 수지 조성물을 포함하는 층이, 반도체 웨이퍼에 적층된다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판은, 반도체 탑재용 기판과, 그 반도체 탑재용 기판에 적층된 본 실시형태의 적층체를 구비하고, 수지 조성물을 포함하는 층이, 반도체 탑재용 기판에 적층된다.
본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 전극이 형성된 면, 즉 기판과의 접합이 실시되는 면에, 본 실시형태의 적층체의 수지 조성물층이 대향하도록 첩합함으로써 얻어진다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판을 제조하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 반도체 탑재용 기판의 칩 탑재측의 면에, 본 실시형태의 적층체의 수지 조성물층이 대향하도록 첩합함으로써 얻어진다.
본 실시형태의 적층체를 반도체 웨이퍼 또는 반도체 탑재용 기판에 첩합하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 진공 가압식 라미네이터를 바람직하게 사용할 수 있다. 이 경우, 본 실시형태의 적층체에 대해 고무 등의 탄성체를 개재하여 가압하고, 첩합하는 방법이 바람직하다. 라미네이트 조건으로는, 당업계에서 일반적으로 사용되고 있는 조건이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 50 ℃ ∼ 140 ℃ 의 온도, 1 kgf/㎠ ∼ 11 kgf/㎠ 의 범위의 접촉 압력, 그리고 20 hPa 이하의 분위기 감압하에서 실시된다. 라미네이트 공정 후에, 금속판에 의한 열 프레스에 의해, 첩합된 적층체의 평활화를 실시해도 된다. 라미네이트 공정, 및 평활화 공정은, 시판되고 있는 진공 가압식 라미네이터에 의해 연속적으로 실시할 수 있다. 반도체 웨이퍼 또는 반도체 탑재용 기판에 첩부된 적층체는, 어느 경우에도 칩의 플립 칩 실장 전까지 지지 기재의 제거가 실시된다.
[반도체 장치]
본 실시형태의 반도체 장치는, 본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 및/또는 본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판을 구비한다. 본 실시형태의 반도체 장치를 제조하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼를 연삭 등의 수단으로 박화, 및 다이싱 소 등에 의한 개편화를 실시하고, 수지 조성물층 부착 칩으로 하고, 이것을 반도체 탑재용 기판에 탑재하는 수법을 들 수 있다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판에, 칩을 탑재해도 된다. 수지 조성물층 부착 칩을 반도체 탑재용 기판에 탑재하는 방법, 및 반도체 칩을 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판에 탑재하는 방법에서는, 열 압착 공법에 대응한 플립 칩 본더를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 본 실시형태에서는 칩을 반도체 탑재용 기판에 플립 칩 실장하는 경우를 편의적으로 설명하고 있지만, 칩을 플립 칩 실장하면서, 본 실시형태의 수지 조성물을 적용하는 대상은, 반도체 탑재용 기판 이외로 하는 것도 가능하다. 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물은, 반도체 웨이퍼 상에 칩을 탑재할 때의 반도체 웨이퍼와 칩의 접합부나, TSV (Through Silicon Via) 등을 경유하여 칩간 접속을 실시하는 칩 적층체의, 각 칩간의 접합부에 사용하는 것도 가능하고, 어느 경우에도 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
실시예
이하, 본 실시형태를 실시예 및 비교예를 사용하여 보다 구체적으로 설명한다. 본 실시형태는, 이하의 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
[수지 조성물 및 적층체의 제조]
(실시예 1)
비스말레이미드 화합물 (A) 로서, MIZ-001 (닛폰 화약 (주) 제조, (상품명), 식 (27) 로 나타내는 말레이미드 화합물이고, 식 (27) 중의 a 가 1 ∼ 6 (정수) 인 혼합물이다) 33.3 질량부, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 로서, 비스-(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄 (BMI-70 (상품명), 케이·아이 화성 (주) 제조) 의 메틸에틸케톤 (MEK) 용액 (불휘발분 50 질량％) 13.4 질량부 (불휘발분 환산으로 6.7 질량부), 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판 (BMI-80 (상품명), 케이·아이 화성 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 50 질량％) 8.0 질량부 (불휘발분 환산으로 4.0 질량부), 식 (2) 로 나타내는 노볼락형 말레이미드 화합물 (BMI-2300 (상품명), 다이와 화성 공업사 제조, 불포화 이미드기 당량 186 g/eq.) 2.7 질량부, 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물 (MIR-3000-70MT (상품명), 닛폰 화약 (주) 제조, 불휘발분 70 질량％) 76.2 질량부 (불휘발분 환산으로 53.3 질량부), 열경화성 화합물 (F) 로서, P-d 형 벤조옥사진 (시코쿠 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 50 질량％) 66.6 질량부 (불휘발분 환산으로 33.3 질량부), 플럭스 기능을 갖는 화합물 (H) 로서, 로진 변성 말레산 수지 (말키드 No32 (상품명), 아라카와 화학 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 100 질량％) 26.7 질량부, 무기 충전재 (G) 로서, 슬러리 실리카 (YA050C-MJE (상품명), 고형분 50 질량％, 평균 입자경 : 50 ㎚, (주) 아드마텍스 제조) 266.6 질량부 (불휘발분 환산으로 133.3 질량부), 열 라디칼 중합 개시제 (D) 로서, 비스(1-메틸-1-페닐에틸)퍼옥사이드 (디쿠밀퍼옥사이드, 키시다 화학 (주) 제조, 10 시간 반감기 온도 : 116.4 ℃) 1.5 질량부, 이미다졸 화합물 (E) 로서, 2-에틸-4-메틸이미다졸 (2E4MZ, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조) 4.0 질량부를 혼합하고, 고속 교반 장치를 사용하여 40 분간 교반하여, 바니시를 얻었다 (MEK 량 : 202.8 질량부). 이 바니시를, 표면에 이형제를 코트한 두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (TR1-38 (상품명, 지지 기재), 유니티카 (주) 제조) 에 도포하고, 1 기압하, 100 ℃ 에서 5 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(실시예 2)
식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물 (MIR-3000-70MT (상품명)) 76.2 질량부 (불휘발분 환산으로 53.3 질량부) 를 57.1 질량부 (불휘발분 환산으로 40.0 질량부) 로 변경하고, 비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부를 46.6 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(실시예 3)
식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물 (MIR-3000-70MT (상품명)) 76.2 질량부 (불휘발분 환산으로 53.3 질량부) 를 38.1 질량부 (불휘발분 환산으로 26.7 질량부) 로 변경하고, 비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부를 59.9 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(실시예 4)
식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물 (MIR-3000-70MT (상품명)) 을 배합하지 않고, 비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부를 86.6 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(실시예 5)
식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물 (MIR-3000-70MT (상품명)) 76.2 질량부 (불휘발분 환산으로 53.3 질량부) 를 109.6 질량부 (불휘발분 환산으로 76.7 질량부) 로 변경하고, 비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부를 9.9 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(실시예 6)
식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물 (MIR-3000-70MT (상품명)) 76.2 질량부 (불휘발분 환산으로 53.3 질량부) 를 23.9 질량부 (불휘발분 환산으로 16.7 질량부) 로 변경하고, 비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부를 69.9 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(비교예 1)
비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부 대신에, 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물 (BMI-1000P (상품명), 케이·아이 화성 (주) 제조) 33.3 질량부를 배합한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(비교예 2)
비스말레이미드 화합물 (A) (MIZ-001 (상품명)) 33.3 질량부 대신에, 식 (28) 로 나타내는 비스말레이미드 화합물 (BMI-3000 (상품명), Designer Molecules inc 제조, n 이 1 ∼ 20 의 범위에 있는 혼합물) 33.3 질량부를 배합한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 배합하여, 바니시를 제조하였다. 그 후, 실시예 1 과 동일하게 하여, 적층체를 제조하려고 했지만, 바니시 점도가 높고, 성형성이 나쁘기 때문에, 균일한 두께의 수지 조성물층을 갖는 적층체를 성형할 수 없었다.
[화학식 69]
Figure pct00069
[적층체의 평가]
(1) 택성
실시예 1 에서 얻어진 적층체를 폭 2.5 ㎝ × 길이 5 ㎝ 로 잘라내어, 샘플을 제조하였다. 실온에서, 이 샘플의 수지 조성물층의 면에 대해, SUS 제의 추 (바닥 면적 10 ㎠ (＝ 2 ㎝ × 5 ㎝), 중량 500 g, (주) 무라카미 형기사 제조) 를 30 초간 올리고, 그 후, 추를 들어 올렸을 때에, 달라붙음이 없는 경우를 A (택성 없음) 로 평가하고, 달라붙은 경우를 C (택성 있음) 로 평가하였다. 실시예 2 ∼ 6 및 비교예 1 에서 얻어진 적층체에 대해서도, 동일하게 샘플을 제조하고, 택성을 평가하였다. 그들 결과를 표 1 에 나타낸다.
(2) 투과율
실시예 1 에서 얻어진 적층체를 폭 5 ㎝ × 길이 5 ㎝ 로 잘라내어, 샘플을 제조하였다. 이 샘플의 624 ㎚ 에서의 투과율을, 분광 색채계 (SD6000 (상품명), 니혼 분광 (주) 제조) 로, 실온하에서 측정하였다. 624 ㎚ 에서의 투과율이 80 ％ 이상인 경우를 A 로 하고, 80 ％ 미만인 경우를 B 로 하였다. 또, 실시예 2 ∼ 6 및 비교예 1 에서 얻어진 적층체에 대해서도, 동일하게 샘플을 제조하고, 투과율을 평가하였다. 그들 결과를 표 1 에 나타낸다. 투과율이 80 ％ 이상이면, 적층체를 붙인 기판, 및 반도체 칩에 있어서의 얼라인먼트 마크를 판독하는 것이 가능해져, 적층할 때의 위치 맞춤이 가능한 적층체가 얻어진다.
(3) 보이드
실시예 1 에서 얻어진 적층체를 8 ㎜ × 8 ㎜ 의 정방형으로 절단하고, 반도체 탑재용 기판 ((주) 월츠 제조 WALTS-KIT MB50-0102JY (상품명)) 의 패드 부분에 있어서의 15 ㎛ 의 구리 회로면에 대해, 절단 후의 적층체에 있어서의 수지 조성물층을 적층하고, 라미네이트하였다. 그 후, 적층체에 있어서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하였다. 그 후, 플립 칩 본더 (LFB-2301 (상품명), (주) 신카와 제조) 를 사용하여, 스테이지 온도 70 ℃, 본드 헤드 온도 260 ℃, 하중 50 N, 및 시간 6 초의 조건에서, 구리와 땜납으로 구성되는 Cu 필러를 전극에 갖는 반도체 칩 상에, 박리면의 수지 조성물층을 열 압착하여, 실장을 실시하였다. 실장 후의 샘플 (반도체 칩/수지 조성물층/평가용 기판) 을 초음파 정밀 탐상 화상 처리 장치 (μ-SDS (상품명), (주) KJTD 제조) 를 사용하여, 반도체 칩 실장부의 범위에 있어서의 수지 조성물층의 보이드의 유무를 확인하였다. 보이드의 비율이, 반도체 칩 실장부의 범위에 있어서의 수지 조성물층 전체에 대해, 10 ％ 미만인 경우를 A 로 하고, 10 ％ 이상 30 ％ 미만을 경우 B 로 하고, 30 ％ 이상인 경우를 C 로 하여 평가하였다. 또, 실시예 2 ∼ 6 및 비교예 1 에서 얻어진 적층체에 대해서도, 동일하게 샘플을 제조하고, 보이드의 비율을 평가하였다. 그들 결과를 표 1 에 나타낸다. 보이드의 비율이 10 ％ 미만이면, 절연 신뢰성이 높은 적층체가 얻어진다.
(4) 칩 접착성
실시예 1 에서 얻어진 적층체를 8 ㎜ × 8 ㎜ 의 정방형으로 절단하고, 반도체 탑재용 기판 ((주) 월츠 제조 WALTS-KIT MB50-0102JY (상품명)) 의 패드 부분에 있어서의 15 ㎛ 의 구리 회로면에 대해, 절단 후의 적층체에 있어서의 수지 조성물층을 적층하고, 라미네이트하였다. 그 후, 적층체에 있어서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하였다. 그 후, 플립 칩 본더 (LFB-2301 (상품명), (주) 신카와 제조) 를 사용하여, 스테이지 온도 70 ℃, 본드 헤드 온도 260 ℃, 하중 50 N, 및 시간 6 초의 조건에서, 구리와 땜납으로 구성되는 Cu 필러를 전극에 갖는 반도체 칩 상에, 박리면의 수지 조성물층을 열 압착하여, 실장을 실시하였다. 실장 후의 샘플 (반도체 칩/수지 조성물층/평가용 기판) 의 중앙부의 단면을 잘라내고, 주사형 전자 현미경 (JCM-6000Plus (상품명), 니혼 전자 (주) 제조) 을 사용하여, 그 단면에 있어서, 반도체 칩과 수지 조성물층의 계면에 있어서의 박리를 확인하였다. 박리의 비율이, 반도체 칩과 수지 조성물층의 계면 전체에 대해, 1 ％ 미만인 경우를 A 로 하고, 1 ％ 이상 20 ％ 미만인 경우를 B 로 하고, 20 ％ 이상인 경우를 C 로 하여 평가하였다. 또, 실시예 2 ∼ 6 및 비교예 1 에서 얻어진 적층체에 대해서도, 동일하게 샘플을 제조하고, 박리의 비율을 평가하였다. 그들 결과를 표 1 에 나타낸다. 박리의 비율이 1 ％ 미만이면, 절연 신뢰성이 높은 적층체가 얻어진다.
(5) 가요성 평가
실시예 1 에서 얻어진 적층체를 폭 10 ㎜ × 길이 20 ㎝ 로 잘라내어, 샘플을 제조하였다. 실온에 있어서, 이 샘플의 지지 기재 (폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 가 내측이 되도록, 외경이 20 ㎜ 인 스테인리스제 환봉 (스테인리스 환봉, (주) 에스코 제조) 에 감고, 10 초간 유지한 후, 감은 것을 풀어 샘플을 펼쳤다. 이 조작을 10 회 반복한 후, 샘플의 수지 조성물층의 크랙의 유무를 육안으로 확인하고, 가요성의 평가를 실시하였다. 크랙의 발생이 전혀 확인되지 않는 경우를 A (굴곡성 양호), 크랙의 발생이 일부에 확인되는 경우를 B, 전체면에 크랙이 확인되는 경우를 C 로 하였다. 또, 실시예 2 ∼ 6 및 비교예 1 에서 얻어진 적층체에 대해서도, 동일하게 샘플을 제조하고, 가요성을 평가하였다. 그들 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00070
본 출원은, 2019월 6월 28일 출원된 일본 특허출원 (일본 특허출원 2019-122395호) 에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
산업상 이용가능성
본 실시형태의 수지 조성물은, 저보이드성, 칩 접착성, 택성, 투과성, 및 플럭스 활성의 밸런스가 우수한 점에서, 수지 시트, 적층체, 반도체 웨이퍼, 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치의 재료로서 바람직하게 사용되고, 특히, 언더필재로서 바람직하고, 프리어플라이드 언더필재로서 보다 바람직하다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물은, 플럭스 활성이 우수한 점에서, 칩과 기판의 접합, 칩과 반도체 웨이퍼의 접합, 칩과 칩의 접합에 의해 얻어지는 적층체에 있어서, 장기적인 사용에도 견딜 수 있는 높은 신뢰성을 부여할 수 있다.

Claims (31)

  1. 하기 식 (1) 로 나타내는 구성 단위와, 분자 사슬의 양 말단에 말레이미드기를 포함하는, 비스말레이미드 화합물 (A) 와,
    상기 비스말레이미드 화합물 (A) 이외의, 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 와,
    경화 촉진제 (C) 를 포함하고,
    상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 시트라콘이미드기, 비닐기, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 및 알릴기에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
    Figure pct00071

    (식 (1) 중, Q1 은, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q2 는, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐렌기를 나타낸다. Q3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 또는 탄소수 2 ∼ 16 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기를 나타낸다. n1 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 말레이미드기를 포함하는, 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 가, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 하기 식 (2) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (6) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (7) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (10) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (11) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (12) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (13) 으로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
    Figure pct00072

    (식 (2) 중, R1 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n2 는 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00073

    (식 (3) 중, n3 은, 1 ∼ 30 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00074

    (식 (4) 중, R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기, 또는 에틸기를 나타내고, R3 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)
    Figure pct00075

    (식 (5) 중, R4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 페닐기를 나타내고, l 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, n4 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00076

    (식 (6) 중, R5 및 R7 은, 각각 독립적으로, 8 이상의 원자가 직사슬형으로 연결된 탄화수소기를 나타내고, R6 은, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의, 고리를 구성하는 원자수가 4 ∼ 10 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기를 나타내고, n5 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00077

    (식 (7) 중, R8 은, 각각 독립적으로, 알킬렌기를 나타내고, R9 는, 각각 독립적으로, 알킬렌기, 하기 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 하기 식 (9) 로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타내고, n6 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00078

    (식 (8) 중, Z 는, 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기이고, n7 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00079

    Figure pct00080

    (식 (10) 중, R21 은, 탄소 원자수 1 ∼ 40 의 직사슬형 또는 분기형의 알킬렌기, 고리를 구성하는 탄소수가 3 ∼ 20 인 헤테로 원자를 포함해도 되는 고리형 탄화수소기, 산소 원자, 식「-NH-」로 나타내는 기, 황 원자, 및 식「-SO2-」로 나타내는 기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다)
    Figure pct00081

    (식 (11) 중, n8 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m1 은, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00082

    (식 (12) 중, n9 는, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m2 는, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00083

    (식 (13) 중, n10 은, 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, m3 은, 8 ∼ 40 의 정수를 나타낸다)
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 촉진제 (C) 가, 열 라디칼 중합 개시제 (D) 및 이미다졸 화합물 (E) 에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 의 10 시간 반감기 온도가, 100 ℃ 이상인, 수지 조성물.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 가, 유기 과산화물을 포함하는, 수지 조성물.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 가, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 또는 하이드로퍼옥사이드 골격을 갖는, 수지 조성물.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (D) 가, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)헥신-3, 및 tert-부틸하이드로퍼옥사이드에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비스말레이미드 화합물 (A) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인, 수지 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화 촉진제 (C) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.05 질량부 ∼ 10 질량부인, 수지 조성물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 이외의, 열경화성 화합물 (F) 를 추가로 포함하는, 수지 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 열경화성 화합물 (F) 가, 400 이상의 분자량을 갖는, 수지 조성물.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 열경화성 화합물 (F) 가, 벤조옥사진 화합물을 포함하는, 수지 조성물.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 벤조옥사진 화합물이, 하기 식 (14) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (15) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (16) 으로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (17) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
    Figure pct00084

    (식 (14) 중, R10 은, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, R11 은, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 하기 일반식 (a) ∼ (t) 로 나타내는 1 ∼ 4 가의 유기기를 나타내고, n11 은, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00085

    (식 (15) 중, R12 는, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, R13 은, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 하기 일반식 (a) ∼ (t) 로 나타내는 1 가 ∼ 4 가의 유기기를 나타내고, n12 는, 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00086

    (식 (16) 중, R14 는, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 페닐기를 나타낸다)
    Figure pct00087

    (식 (17) 중, R15 는, 알킬기, 시클로알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 페닐기를 나타낸다)
    Figure pct00088

    Figure pct00089

    Figure pct00090

    Figure pct00091

    Figure pct00092

    Figure pct00093

    Figure pct00094

    (식 (a) ∼ (t) 중, Ra 는, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, Rb 는, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다)
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 벤조옥사진 화합물이, 하기 식 (18) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (19) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (20) 으로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
    Figure pct00095

    (식 (18) 중, R16 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, o 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고, R17 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, p 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 4 의 정수를 나타내고, T1 은, 알킬렌기, 하기 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다)
    Figure pct00096

    (식 (19) 중, R18 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, q 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, R19 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타내고, r 은, 각각 독립적으로, 1 ∼ 5 의 정수를 나타내고, T2 는, 알킬렌기, 하기 식 (8) 로 나타내는 기, 식「-SO2-」로 나타내는 기,「-CO-」로 나타내는 기, 산소 원자, 또는 단결합을 나타낸다)
    Figure pct00097

    (식 (8) 중, Z 는, 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 ∼ 30 의 탄화수소기이고, n7 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다)
    Figure pct00098

    (식 (20) 중, R20 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 탄화수소기를 나타낸다)
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 식 (18) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (21) 로 나타내는 화합물, 및/또는 하기 식 (22) 로 나타내는 화합물을 포함하고,
    상기 식 (19) 로 나타내는 화합물이, 하기 식 (23) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (24) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (25) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
    Figure pct00099

    Figure pct00100

    Figure pct00101

    Figure pct00102

    Figure pct00103
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 화합물 (F) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 99 질량부인, 수지 조성물.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    무기 충전재 (G) 를 추가로 포함하는, 수지 조성물.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (G) 의 평균 입자경이, 3 ㎛ 이하인, 수지 조성물.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (G) 가, 실리카, 수산화알루미늄, 알루미나, 베마이트, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 수지 조성물.
  21. 제 18 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (G) 가, 실리카인, 수지 조성물.
  22. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (G) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 500 질량부 이하인, 수지 조성물.
  23. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 를 추가로 포함하는, 수지 조성물.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 플럭스 기능을 갖는 유기 화합물 (H) 의 함유량이, 상기 비스말레이미드 화합물 (A) 및 상기 라디칼 중합성 수지 또는 화합물 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 1 질량부 ∼ 60 질량부인, 수지 조성물.
  25. 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    언더필재용인, 수지 조성물.
  26. 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    프리어플라이드 언더필재용인, 수지 조성물.
  27. 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 수지 시트.
  28. 지지 기재와,
    상기 지지 기재 상에 적층된 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 층을 구비하는 적층체.
  29. 반도체 웨이퍼와,
    상기 반도체 웨이퍼에 적층된 제 28 항에 기재된 적층체를 구비하고,
    상기 수지 조성물을 포함하는 층이, 상기 반도체 웨이퍼에 적층된, 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼.
  30. 반도체 탑재용 기판과,
    상기 반도체 탑재용 기판에 적층된 제 28 항에 기재된 적층체를 구비하고,
    상기 수지 조성물을 포함하는 층이, 상기 반도체 탑재용 기판에 적층된, 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판.
  31. 제 29 항에 기재된 수지 조성물층 부착 반도체 웨이퍼, 및/또는 제 30 항에 기재된 수지 조성물층 부착 반도체 탑재용 기판을 구비하는, 반도체 장치.
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