JP2003141936A

JP2003141936A - 透明導電性フィルム

Info

Publication number: JP2003141936A
Application number: JP2001337840A
Authority: JP
Inventors: Hideta Kihara; 秀太木原; Hiroki Oguro; 寛樹小黒
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 2001-11-02
Filing date: 2001-11-02
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】表面抵抗が低く、透明性、耐熱性およびガスバ
リア性に優れ、有機ＥＬ表示素子や液晶表示素子などの
透明電極に好適な透明導電性フィルムを提供する。【解決手段】炭素数４〜２９の脂肪族テトラカルボン酸
二無水物またはその誘導体と炭素数1〜２９の脂肪族お
よび／または芳香族ジアミンまたはその誘導体とを構成
成分とする脂肪族ポリイミドからなる基板上に、少なく
とも１層の酸化ケイ素および／または窒化ケイ素からな
るガスバリア層と、酸化スズ、酸化インジウム、インジ
ウム−スズ複合酸化物、酸化亜鉛などの金属酸化物から
なる透明導電性薄膜とを基板温度２００℃以上の条件で
スパッタリングまたは蒸着することにより、表面抵抗が
低く、透明性、耐熱性およびガスバリア性に優れた透明
導電性フィルムを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は透明性および耐熱性
が良好なポリイミドを用いた透明導電性フィルムに関す
るものであり、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子の透明
基板やタッチパネルの透明電極などの電子・光デバイス
に利用される。

【０００２】

【従来の技術】透明な高分子フィルム上に酸化スズ、酸
化インジウム、インジウム−スズ複合酸化物、酸化亜鉛
などの透明な導電性薄膜を形成した透明導電性フィルム
は、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子やタッチパネルの
透明電極などの電子・光デバイスに広く利用されてい
る。基材になる透明な高分子フィルムとしては、例えば
特開平０６−２５１６３２に開示されるように、ポリエ
チレンテレフタレートやポリカーボネートが使用されて
いるが、これらのフィルムは耐熱性が不充分で、透明導
電性薄膜を製膜するプロセスの温度を低く保つ必要があ
り、そのために透明導電膜の結晶化度が低く、表面抵抗
値が高くなるという欠点がある。

【０００３】また、耐熱性の高いプラスチック基板の構
成材料として、例えば特開平０６−０４４８２６で開示
されているように、ポリアリレート樹脂やポリエーテル
スルホン樹脂も一部使用されているが、透明導電性薄膜
を２００℃以上の高温で製膜する場合や透明導電性薄膜
に加えて薄膜トランジスタ（TFT）形成を行う場合に
は、このレベルの耐熱性でも不充分である。

【０００４】一方、耐熱性や寸法安定性に優れる樹脂と
してポリイミド樹脂が知られている。芳香族テトラカル
ボン酸二無水物と芳香族ジアミン類との重縮合反応によ
り得られる全芳香族ポリイミド樹脂は４００℃以上の高
温で使用可能、、熱膨張係数が小さく、寸法安定性が良
い等の優れた特性を有し、高温化で使用するフィルム、
電線被覆、接着剤、塗料等の原料として、航空宇宙産
業、電子産業を中心に様々な分野で利用されている。し
かし、この様な全芳香族ポリイミド樹脂は、淡黄色から
赤褐色に着色している為に、透明導電性フィルムの基材
には不向きである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上述
の従来用いられてきた透明導電性フィルムの有する問題
点を解決し、透明性、耐熱性に優れ、表面抵抗値が低い
透明導電性フィルムを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決するため鋭意検討し、本発明に到達した。すなわ
ち本発明は、下記の一般式Ｉで示される繰り返し単位を
有する脂肪族ポリイミドからなる基板上に透明導電性薄
膜が積層された透明導電性フィルムに関する。

【化２】（式中、Ｒは炭素数４〜３９の４価の脂肪族基であり、
Φは炭素数２〜３９の２価の脂肪族基または芳香族基で
ある）

【０００７】さらにまた本発明は、一般式Ｉで示される
繰り返し単位を有する脂肪族ポリイミドからなる基板上
に少なくとも１層の酸化ケイ素および／または窒化ケイ
素からなるガスバリア層と透明導電性薄膜とが積層され
た透明導電性フィルムに関する。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式Ｉの脂
肪族ポリイミドは、４価の脂肪族テトラカルボン酸と２
価のジアミンとを構成成分とするポリイミドであり、脂
肪族テトラカルボン酸またはその誘導体とジアミンまた
はその誘導体とを反応させることにより得られる。脂肪
族テトラカルボン酸またはその誘導体としては、脂肪族
テトラカルボン酸、脂肪族テトラカルボン酸エステル
類、脂肪族テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる
が、好ましいのは脂肪族テトラカルボン酸二無水物であ
る。ジアミンおよびその誘導体としては、ジアミン、ジ
イソシアネート、ジアミノジシラン類などが上げられる
が、好ましいのはジアミンである。

【０００９】本発明の脂肪族ポリイミドの合成に用いら
れる脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、１，
２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，４，５−シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン
酸二無水物、ビシクロ[２，２，２]オクト−７−エン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物などが例示
されるが、特に好ましいのは１，２，４，５−シクロヘ
キサンテトラカルボン酸二無水物である。一般に、脂肪
族ジアミンを構成成分とするポリイミドは、中間生成物
であるポリアミド酸とジアミンが強固な錯体を形成する
ために高分子化しにくいので、錯体の溶解性が比較的高
い溶剤−例えばクレゾール−を用いるなどの工夫が必要
になる。しかし、１，２，４，５−シクロへキサンテト
ラカルボン酸二無水物と脂肪族ジアミンを構成成分とす
るポリイミドでは、ポリアミド酸とジアミンの錯体は比
較的弱い結合で結ばれているので、高分子量化容易で、
フレキシブルなフィルムが得られ易い。

【００１０】本発明の脂肪族ポリイミドの合成に用いら
れるジアミンは、脂肪族ジアミンであっても芳香族ジア
ミンであってもよく、それらの混合物でもよいが、特に
好ましいのは脂肪族ジアミンである。脂肪族ジアミンに
芳香族ジアミンを併用する場合、脂肪族ジアミンに対す
る芳香族ジアミンの重量比率が大きくなるほど全光線透
過率は小さくなるので、混合重量比率は３：１以下が好
ましい。

【００１１】本発明の脂肪族ポリイミドの合成に用いら
れる脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレングリコール
ビス（３−アミノプロピル）エーテル、ポリプロピレン
グリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、１,
３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４−ビ
ス（アミノメチル）シクロヘキサン、メタキシリレンジ
アミン、パラキシリレンジアミン、イソフォロンジアミ
ン、ノルボルナンジアミン、シロキサンジアミン類など
が挙げられる。

【００１２】さらに、本発明の脂肪族ポリイミドの合成
に用いられる芳香族ジアミンとしては、例えば、４,
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４,４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、４,４’−ジアミノジフェニルス
ルホン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミ
ン、ジアミノベンゾフェノン、２,６−ジアミノナフタ
レン、１,５−ジアミノナフタレンなどが挙げられる。

【００１３】本発明に用いられるポリイミド樹脂を製造
するに当たっては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルアミド、テトラメチレンスルホン、Ｐ−クロルフ
ェノール、ｍ−クレゾール、２−クロル−４−ヒドロキ
シトルエンなどの溶剤が用いられる。

【００１４】本発明に用いられるポリイミドフィルム
は、ジアミンの溶液に酸二無水物を添加、あるいは酸二
無水物の溶液にジアミンを添加し、好ましくは８０℃以
下、特に室温付近ないしそれ以下の温度に保ってポリア
ミド酸溶液を得た後、その溶液をガラス板、金属板など
の基板上に塗布し、２００℃〜３５０℃に加熱して脱水
反応を行うことにより製造される。また、下記のから
の方法でポリイミド溶液を直接調整した後、その溶液
をガラス板、金属板などの基板上に塗布し、２００℃〜
３５０℃に加熱して溶剤を蒸発させることにより製造さ
れる。

【００１５】反応中間体のポリアミド酸溶液にトルエ
ンあるいはキシレンなどの共沸脱水溶剤を添加して、生
成水を共沸により系外へ除きつつ脱水反応を行い、ポリ
イミド溶液を得る。反応中間体のポリアミド酸溶液に無水酢酸などの脱水
剤を用いてイミド化させた後、メタノールなどのポリイ
ミドの溶解性が乏しい溶剤を添加して、ポリイミドを沈
殿させ、ろ過・洗浄・乾燥により固体として分離し、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの溶剤に溶解させた
ポリイミド溶液を得る。イミドカに際しては、触媒とし
てトリエチルアミン、ピリジンあるいはβ―ピコリンな
どの３級アミンを併用することが出来る。クレゾールなどの高沸点溶剤を用いてポリアミド酸溶
液を調整し、そのまま１５０℃以上に保ってポリイミド
化させた後、メタノールなどのポリイミドの溶解性が乏
しい溶剤を添加して、ポリイミドを沈殿させ、ろ過・洗
浄・乾燥により固体として分離し、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミドなどの溶剤に溶解させたポリイミド溶液を得
る。

【００１６】本発明における透明導電性薄膜層として
は、公知の金属酸化物膜等が適用できる。例えば、不純
物としてスズ、テルル、カドミウム、モリブテン、タン
グステン、フッ素、亜鉛、ゲルマニウム等を添加した酸
化インジウム、酸化カドミウム及び酸化スズ、不純物と
してアルミニウムを添加した酸化亜鉛、酸化チタン等の
金属酸化物膜が挙げられる。中でも酸化スズを２〜１５
重量％含有した酸化インジウム（ＩＴＯ）の薄膜が、透
明性、導電性が優れており、好ましく用いられる。上記
透明導電性薄膜層の膜厚は目的の表面抵抗に応じて設定
されるが、５ｎｍ〜１０μｍが好ましい。これらの透明
導電性薄膜層をポリイミドフィルム上に直接またはバリ
ア層を介して積層する場合、スパッタ法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の気相中
より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法が適用され
る。透明導電性薄膜層の比抵抗を１ｍΩ・ｃｍ以下にす
るためには、基材温度は２０℃〜４００℃、好ましくは
２００℃から３５０℃である。

【００１７】本発明の透明導電性フィルムを有機ＥＬ素
子や液晶表示素子用の電極基板として用いる場合は、ポ
リイミドフィルム上に少なくとも一層のガスバリヤー層
を積層することが好ましい。ガスバリヤー層としては、
珪素、アルミニウム、マグネシウムおよび亜鉛からなる
群から選ばれる１種または２種以上の金属を主成分とす
る金属酸化物または金属窒化物を挙げることができる。
これらは、ガスバリヤー性に優れている材料として知ら
れているものである。これら酸化物の層は例えばスパッ
タ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマ
ＣＶＤ法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気
相堆積法により作製することができる。上記ガスバリア
層の膜厚は目的のガス透過率に応じて設定されるが、２
３℃、６０％ＲＨにおける酸素透過率が１．０ｃｃ／ｍ
²・ｄａｙ以下でかつ、４０℃、９０％ＲＨにおける水
蒸気透過率が１．０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透明導電性
フィルムを得るためには、１０ｎｍ〜１０μｍが好まし
い。

【００１８】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。但し、本発明はこれらの実施例により何ら制限され
るものではない。参考例１，２，４，５-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無
水物の合成内容積５リットルのハステロイ製(ＨＣ２２)オートクレ
ーブにピロメリット酸５５２ｇ、活性炭にＲｈを担持さ
せた触媒（エヌ・イーケムキャット（株）製）２００
ｇ、水１６５６ｇを仕込み、攪拌をしながら反応器内を
窒素ガスで置換した。次に水素ガスで反応器内を置換
し、反応器の水素圧を５．０ＭＰａとして６０℃まで昇
温した。水素圧を５．０ＭＰａに保ちながら2時間反応
させた。反応器内の水素ガスを窒素ガスで置換し、反応
液をオートクレーブより抜き出し、この反応液を熱時濾
過して触媒を分離した。濾過液をロータリーエバポレー
ターで減圧下に水を飛ばして濃縮し、結晶を析出させ
た。析出した結晶を室温で固液分離し、乾燥して１，
２，４，５-シクロヘキサンテトラカルボン酸４８１ｇ
（収率８５．０％）を得た。続いて、得られた１，２，
４，５-シクロヘキサンテトラカルボン酸４５０gと無水
酢酸４０００gとを、５リットルのガラス製セパラブル
フラスコ（ジムロート冷却管付）にを仕込み、攪拌をし
ながら反応器内を窒素ガスで置換した。窒素ガス雰囲気
下に溶媒の還流温度まで昇温し、１０分間溶媒を還流さ
せた。攪拌しながら室温まで冷却し、結晶を析出させ
た。析出した結晶を固液分離し、乾燥して一次結晶を得
た。更に分離母液をロータリーエバポレーターで減圧下
に濃縮し、結晶を析出させた。この結晶を固液分離し、
乾燥して二次結晶を得た。一次結晶、二次結晶を合わせ
て１，２，４，５-シクロヘキサンテトラカルボン酸二
無水物３７５gが得られた（無水化の収率９６．６
％）。

【００１９】実施例１温度計、撹拌器、窒素導入環、側管付き滴下ロート、分
縮器付き冷却管を備えた５００ｍＬ５つ口フラスコに、
参考例で合成した１，２，４，５-シクロヘキサンテト
ラカルボン酸二無水物１１．２ｇ（０．０５モル）と溶
剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン３７．７ｇを仕込
んで溶解させ、氷水バスを用いて５℃に冷却した。同温
度に保ちながら、４、４‘−ジアミノジフェニルエーテ
ル１０．０ｇ（０．０５モル）を４０．０ｇのＮ−メチ
ル−２−ピロリドンに溶解させた溶液を滴下ロートより
３０分かけて滴下し、滴下終了後氷水バスを外して室温
下２時間撹拌した。次に共沸脱水溶剤としてキシレン３
０．０ｇを添加して１７０℃に昇温し、留出液を留去さ
せながら、４時間かけて２００℃まで昇温て反応終了と
し、内温が６０℃になるまで空冷して反応液を取り出し
た。この溶液の重量は８７．９ｇ、また留出液総重量は
３７．７ｇであった。得られた溶液をガラス板に塗布
し、５０℃のホットプレート上で１時間乾燥後、ガラス
板から剥がして自立膜を得、ステンレス製の固定治具に
固定して熱風乾燥器中２００℃で１時間乾燥させ、薄茶
色のフレキシブルな膜厚１００μｍのフィルムを得た。
このフィルムのＩＲスペクトルを図１に示す。ν（Ｃ＝
Ｏ）１７７２、１７００（ｃｍ^-1）よりイミドの生成が
確認された。さらにこのフィルム０．５ｇを濃硫酸１０
ｍｌに溶解させて３０℃の温度条件で測定した固有粘度
ηは、０．５８、ＤＳＣで測定したガラス転移温度は３
１５℃であった。得られれたポリイミドフィルム上に、
スパッタ法にて厚さ５００ｎｍの酸化ケイ素層を、さら
にその上に１００ｎｍの酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ，Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１）を積層して、透明導電性フィ
ルムを得た。

【００２０】実施例２実施例１と同じ５００ｍｌの５つ口のフラスコに、参考
例で合成した１，２，４，５-シクロヘキサンテトラカ
ルボン酸二無水物（１１．２ｇ（０．０５モル）と１，
４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン７．１ｇ
（０．０５モル）および溶剤としてｍ−クレゾールを６
０ｇ仕込んで溶解させて１００℃に昇温した。同温度で
４時間撹拌した後、さらに約２００℃に昇温して、還流
下４時間反応を行い、反応終了とした。反応液を室温ま
で冷却した後、１０００ｍｌのメタノールに注ぎ入れて
ポリマーを沈殿させ、ろ過、メタノール洗浄を行った
後、１００℃の乾燥機中２４時間乾燥させ、白色粉末
９．５８ｇ（収率９６．８％）を得た。この粉末のＩＲ
スペクトルを図２に示す。ν（Ｃ＝Ｏ）１７６８、１６
９５（ｃｍ^-1）よりイミドの生成が確認された。さらに
この粉末０．５ｇを濃硫酸１０ｍｌに溶解させて３０℃
の温度条件で測定した固有粘度ηは、０．４４、ＤＳＣ
で測定したガラス転移温度は２５６℃であり、ジメチル
ホルムアミドあるいはＮ−メチル−２−ピロリドンに可
溶であることが確認された。

【００２１】得られたポリイミド粉末５ｇを２５ｇのＮ
−メチル−２−ピロリドンに溶解させた溶液をガラス板
に塗布し、８０℃のホットプレート上で１時間乾燥後、
ガラス板から剥がして自立膜を得、ステンレス製の固定
治具に固定して熱風乾燥器中２００℃で１時間乾燥さ
せ、無色透明でフレキシブルな膜厚１００μｍのフィル
ムを得た。得られたポリイミドフィルム上に、スパッタ
法にて厚さ５００ｎｍの酸化ケイ素層を、さらにその上
に１００ｎｍの酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ，Ｉｎ：
Ｓｎ＝９：１）を積層して、透明導電性フィルムを得
た。

【００２２】比較例１実施例１と同じ５００ｍｌの５つ口のフラスコに、４、
４‘−ジアミノジフェニルエーテル１０．０ｇ（０．０
５モル）と溶剤としてジメチルアセトアミド３７．７ｇ
を仕込んで溶解させ、窒素気流下室温にてピロメリット
酸二無水物１０．９ｇ（０．０５モル）を固体のまま約
１時間かけて添加し、添加終了後室温下３時間撹拌し、
ポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液をガラス板に塗
布し、５０℃のホットプレート上で１時間乾燥後、ガラ
ス板から剥がして自立膜を得、ステンレス製の固定治具
に固定して熱風乾燥機中、１００℃で３時間、２００℃
で３時間、２５０℃で２時間、３００℃で１時間、さら
に４００℃で１時間の乾燥を行い、褐色でフレキシブル
な膜厚１００μｍのフィルムを得た。得られたポリイミ
ドフィルム上に、スパッタ法にて１００ｎｍの酸化イン
ジウム・スズ（ＩＴＯ，Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１）を積層し
て、透明導電性フィルムを得た。

【００２３】比較例２１００μｍのＰＥＴフィルム（東レ(株)：ルミラー＃１
００）上に、スパッタ法にて１００ｎｍの酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ，Ｉｎ：Ｓｎ＝９：１）を積層して、
透明導電性フィルムを得た。

【００２４】実施例および比較例で得られた透明導電性
フィルムの評価は以下のように行った。＜全光線透過率＞ＪＩＳＫ７１０５に準拠し、全光線
透過率をヘイズメーター（日本電色（株）製、Ｚ−Σ８
０）を用いて測定した。＜表面抵抗率＞ＪＩＳＫ７１９４に準拠し、４端子法
で表面抵抗率を測定した。測定機は三菱油化（株）製、
ＬｏｔｅｓｔＡＭＣＰ−Ｔ４００を使用した。＜酸素透過率＞ＪＩＳＫ７１２６に準拠し、酸素透過
率測定装置（モダンコントロール社製、ＯＸ−ＴＲＡＮ
１０／５０Ａ）を用いてフィルムの酸素透過率を２３
℃、相対湿度６０％の条件下で測定した。＜水蒸気透過率＞ＪＩＳＺ０２０８に準拠し、フィル
ムの水蒸気透過率を４０℃、相対湿度９０％の条件下で
水蒸気透過率を測定した。

【００２５】

【表１】 CTDA:シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物 PMDA：ピロメリット酸二無水物 ODA:オキシジアニリン BAC:ビス（アミノメチル）シクロヘキサン

【００２６】

【発明の効果】本発明により得られる透明導電性フィル
ムは、透明性および耐熱性が良好で、表面抵抗が低く、
液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子の透明基板やタッチパ
ネルの透明電極などの電子・光デバイスに利用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られたポリイミドフィルムの赤外
吸収スペクトル

【図２】実施例２で得られたポリイミド粉末の赤外吸収
スペクトル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧＣ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧ // Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｃ０８Ｌ 79:08 ＢＦターム(参考） 4F071 AA60 AA86 AA88 AF08 AF30 AF37 AF39 AH12 AH16 BA02 BB02 BC01 4F100 AA12C AA20C AA33 AK49B BA02 BA03 BA10A GB41 JD03 JD04 JG01A JN01 JN01A YY00 4J043 PA02 QB15 QB26 QB31 SA06 SA42 SA45 SA46 SA47 SB01 TA21 TA22 TA66 TA69 TA70 TB01 UA022 UA032 UA042 UA121 UA131 UA261 UB011 UB121 UB301 ZA44 ZA52 ZB11 ZB23 5G307 FA02 FB01 FC06 FC09 FC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記の一般式Ｉで示される繰り返し単位を
有する脂肪族ポリイミドからなる基板上に透明導電性薄
膜が積層された透明導電性フィルム。【化１】（式中、Ｒは炭素数４〜３９の４価の脂肪族基であり、
Φは炭素数２〜３９の２価の脂肪族基または芳香族基で
ある）
【請求項２】一般式Ｉで示される繰り返し単位を有する
脂肪族ポリイミドからなる基板上に少なくとも１層の酸
化ケイ素および／または窒化ケイ素からなるガスバリア
層と透明導電性薄膜とが積層された透明導電性フィル
ム。
【請求項３】全光線透過率が８０％以上であることを特
徴とする請求項１〜請求項２記載の透明導電性フィル
ム。
【請求項４】透明導電性薄膜層の比抵抗が１０ｍΩ・ｃ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３記載
の透明導電性フィルム。
【請求項５】２３℃、６０％ＲＨにおける酸素透過率が
１ｃｃ／ｍ²・ｄａｙ以下でかつ、４０℃、９０％ＲＨ
における水蒸気透過率が１．０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下で
あることを特徴とする請求項２〜請求項４記載の透明導
電性フィルム。
【請求項６】一般式ＩのＲがシクロヘキサン環であるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項５記載の透明導電性フ
ィルム。
【請求項７】一般式ＩのΦが炭素数１〜３９の脂肪族ま
たは脂環族の基であることを特徴とする請求項１〜請求
項６記載の透明導電性フィルム。
【請求項８】請求項１〜請求項７記載の透明導電性フィ
ルム上に少なくとも発光層と電子を注入する陰極とを積
層してなる有機ＥＬ素子。