JP2023122842A - 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体チップ、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板、及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】チップ接着性に優れる、樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体チップ、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板、及び半導体装置を提供することにある。【解決手段】下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、マレイミド化合物及びシトラコンイミド化合物からなる群より選択される１種以上の化合物（Ｂ）と、を含み、前記化合物（Ａ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０１～１５質量部である、樹脂組成物。【化１】JPEG2023122842000024.jpg24170（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｒ５及びＲ６は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ニトリル基、ニトロ基、又はエポキシ基を示し、ｎ１は、１～５の整数を示す。）【選択図】なし

Description

本発明は、樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体チップ、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板、及び半導体装置に関する。詳しくは、本発明は、アンダーフィル材として有用な樹脂組成物に関する。

近年、半導体装置の小型化及び高性能化に伴い、半導体チップ（以下、「チップ」と略す場合がある。）を半導体チップ搭載用基板（以下、「基板」と略す場合がある。）に搭載する方法として、フリップチップ実装が注目されている。フリップチップ実装においては、チップと基板とを接合した後、チップと基板との間隙にアンダーフィル材を充填し、硬化させる工法が一般的である。また、チップ又は基板にアンダーフィル材（プリアプライドアンダーフィル材ともいう）を充填した後、チップと、アンダーフィル材と、基板とを接合させる工法もある。

フリップチップ実装において、アンダーフィル材に求められる重要な特性としては、絶縁信頼性を保持することが挙げられる。そのためには、半導体装置を製造する工程において、アンダーフィル材と、チップ及び基板との間にボイド（気泡）が生じることなく、また、チップ及び基板からのアンダーフィル材硬化物の剥離を抑制する必要がある。

特許文献１には、主樹脂にラジカル重合性モノマーを使用したアンダーフィル材が記載されている。この特許文献１には、チップとの接着性向上を目的にしたシランカップリング剤の配合についての記載がある。

特表２０１５－５０３２２０号公報

ギャングボンディングやコレクティブボンディングのように、複数チップを一括で実装する方法において、所望に応じて、チップ実装工程が、アンダーフィル材を介して、チップと、チップ又は基板とを仮圧着する工程（以下、「仮圧着工程」と称することがある）、ハンダを溶かしてチップと、チップ又は基板とを接合する工程（以下、「本圧着工程」と称することがある）、さらに、アンダーフィルボイドを除去するために、温度と圧力をかけてアンダーフィル材を硬化させる加圧キュア等を行うポストキュア工程、を含んで実施されることがある。これらの工程を有する場合、本圧着工程において、仮圧着状態のチップ等の少なくとも一部は、加熱されたボンディングステージ上に一定時間待機後、チップと、チップ又は基板とを接合されることになる。

仮圧着工程から本圧着工程に移行する際、ボンディングヘッドの保護や接合性確保の観点などから、ボンディングヘッドとボンディングステージとの間の熱勾配を小さくすることが好ましい。このため、本圧着工程において、例えば２００℃台後半（例えば、２４０～３００℃）でチップを基板にボンディングする場合、ボンディングステージをある程度高温（例えば約１２０℃）とすることが多い。しかし、従来から用いられている有機過酸化物等のラジカル発生剤をアンダーフィル材用の樹脂組成物に用いた場合、仮圧着工程及び／又は本圧着工程での待機中に、樹脂組成物においてラジカル反応が進行してしまう場合がある。このように、仮圧着工程及び／又は本圧着工程の待機中にラジカル反応が開始してしまうと、樹脂組成物の硬化反応が中途半端に進んでしまい、結果として、本圧着工程における接合やポストキュア工程等において樹脂組成物が十分に硬化せず、所望のチップ接着性を発揮できないことがある。

一方、高温分解型の有機過酸化物等を用いて仮圧着工程や本圧着工程の待機中におけるラジカル反応の開始を抑制する手段も考えられる。しかし、一般に高温分解型のラジカル発生剤として入手可能な有機過酸化物は比較的低分子量であるため、比較的揮発しやすく、また、開裂反応が起こると、より低分子量の化合物となり、容易に揮発しやすい。このため、高温分解型の有機過酸化物を用いることにより、仮圧着工程におけるラジカル反応の開始や有機過酸化物の揮発を抑制しても、より高温となる本圧着工程前の待機中に有機過酸化物の揮発や、開裂反応に伴って発生する低分子量化合物に起因して、所望のチップ接着性を発揮できないことが懸念される。

本発明は、上述の課題を解決すべく、チップ接着性に優れる、樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体チップ、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板、及び半導体装置を提供することにある。

本発明者らは、従来技術が有する課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の樹脂組成物が、上述の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
＜１＞
下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、
マレイミド化合物及びシトラコンイミド化合物からなる群より選択される１種以上の化合物（Ｂ）と、を含み、
前記化合物（Ａ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０１～１５質量部である、樹脂組成物。
（式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｒ_５及びＲ_６は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ニトリル基、ニトロ基、又はエポキシ基を示し、ｎ^１は、１～５の整数を示す。）
＜２＞
前記式（１）中、Ｒ_５及びＲ_６が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１～５のアルキル基である、前記＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞
前記化合物（Ｂ）が、化合物（Ｂ１）と、化合物（Ｂ２）と、を含み、
前記化合物（Ｂ１）が、重量平均分子量が３，０００以上９，５００以下のマレイミド化合物（ＢＡ－１）及び重量平均分子量が３，０００以上９，５００以下のシトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）からなる群より選択される１種以上であり、
前記化合物（Ｂ２）が、重量平均分子量が３００以上３，０００未満のマレイミド化合物（ＢＡ－２）及び重量平均分子量が３００以上３，０００未満のシトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）からなる群より選択される１種以上であり、
各前記重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法により求められる標準ポリスチレン換算の値である、前記＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜４＞
前記化合物（Ｂ１）の含有量が、前記化合物（Ｂ１）と前記化合物（Ｂ２）との合計１００質量部に対して、３０～９９質量部であり、
前記化合物（Ｂ２）の含有量が、前記化合物（Ｂ１）と前記化合物（Ｂ２）との合計１００質量部に対して、１～７０質量部である、前記＜３＞に記載の樹脂組成物。
＜５＞
アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）をさらに含む、前記＜１＞～前記＜４＞のいずれかに記載の樹脂組成物。
＜６＞
前記アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）が、下記式（２）で表される化合物及び下記式（３）で表される化合物からなる群より選択される１種以上を含む、前記＜５＞に記載の樹脂組成物。
（式（２）中、Ｒ_７は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｎ^２、ｎ^３、及びｎ^４は、各々独立に、０～１０の整数を示し、（ｎ^２＋ｎ^３＋ｎ^４）は、１～２０の整数を示す。）
（式（３）中、Ｒ_８は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８、及びｎ^９は、各々独立に、０～１０の整数を示し、（ｎ^５＋ｎ^６＋ｎ^７＋ｎ^８＋ｎ^９）は、１～２０の整数を示す。）
＜７＞
前記アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．１～６０質量部である、前記＜５＞又は前記＜６＞に記載の樹脂組成物。
＜８＞
フラックス活性剤（Ｄ）をさらに含む、前記＜１＞～前記＜７＞のいずれかに記載の樹脂組成物。
＜９＞
前記フラックス活性剤（Ｄ)が、ロジン系樹脂を含む、前記＜８＞に記載の樹脂組成物。
＜１０＞
無機充填材（Ｅ）をさらに含む、前記＜１＞～前記＜９＞のいずれかに記載の樹脂組成物。
＜１１＞
前記無機充填材（Ｅ）が、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される１種以上を含む、前記＜１０＞に記載の樹脂組成物。
＜１２＞
前記無機充填材（Ｅ）の平均粒子径が、３μｍ以下である、前記＜１０＞又は前記＜１１＞に記載の樹脂組成物。
＜１３＞
前記無機充填材（Ｅ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、１０～５００質量部である、前記＜１０＞～前記＜１２＞のいずれかに記載の樹脂組成物。
＜１４＞
硬化触媒（Ｆ)をさらに含む、前記＜１＞～前記＜１３＞のいずれかに記載の樹脂組成物。
＜１５＞
前記硬化触媒（Ｆ）が、イミダゾール化合物を含む、前記＜１４＞に記載の樹脂組成物。
＜１６＞
アンダーフィル材用である、前記＜１＞～前記＜１５＞のいずれかに記載の樹脂組成物。
＜１７＞
支持基材と、
前記支持基材上に積層された、前記＜１＞～前記＜１６＞のいずれかに記載の樹脂組成物を含む層と、
を備える、積層体。
＜１８＞
前記樹脂組成物を含む層の厚さが、５～５００μｍである、前記＜１７＞に記載の積層体。
＜１９＞
半導体チップと、
前記半導体チップに積層された、前記＜１＞～前記＜１６＞のいずれかに記載の樹脂組成物を含む層と、
を備える、樹脂組成物層付き半導体チップ。
＜２０＞
半導体チップ搭載用基板と、
前記半導体チップ搭載用基板に積層された、前記＜１＞～前記＜１６＞のいずれかに記載の樹脂組成物を含む層と、
を備える、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板。
＜２１＞
前記＜１９＞に記載の樹脂組成物層付き半導体チップ及び／又は前記＜２０＞に記載の樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板を備える、半導体装置。

本発明によれば、チップ接着性に優れる、樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体チップ、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板、及び半導体装置を提供することができる。

以下、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」という。）について説明する。なお、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明は本実施形態のみに限定されない。

なお、本実施形態において、「（メタ）アクリロキシ」とは「アクリロキシ」及びそれに対応する「メタクリロキシ」の両方を意味し、「（メタ）アクリロニトリル」とは「アクリロニトリル」及びそれに対応する「メタアクリロニトリル」の両方を意味し、「（メタ）アクリル」とは「アクリル」及びそれに対応する「メタクリル」の両方を意味する。

また、本実施形態において、「樹脂固形分」又は「樹脂組成物中の樹脂固形分」とは、特に断りのない限り、樹脂組成物における、無機充填剤（Ｅ）、硬化触媒（Ｆ）、及び溶剤を除いた成分をいい、「樹脂固形分１００質量部」とは、樹脂組成物における、無機充填剤（Ｅ）、硬化触媒（Ｆ）、及び溶剤を除いた成分の合計が１００質量部であることをいう。

［樹脂組成物］
本実施形態の樹脂組成物は、下記式（１）で表される化合物（Ａ）（以下、単に「化合物（Ａ）」とも称する）と、マレイミド化合物及びシトラコンイミド化合物からなる群より選択される１種以上の化合物（Ｂ）（以下、単に「化合物（Ｂ）」とも称する）と、を含み、前記化合物（Ａ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０１～１５質量部である。また、本実施形態の樹脂組成物は、アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）（以下、単に「樹脂（Ｃ）」とも称する）、フラックス活性剤（Ｄ）、無機充填材（Ｅ）、及び硬化触媒（Ｆ）からなる群より選択される１種以上をさらに含んでいてもよい。

（式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｒ_５及びＲ_６は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ニトリル基、ニトロ基、又はエポキシ基を示し、ｎ^１は、１～５の整数を示す。）

本実施形態の樹脂組成物は、化合物（Ｂ）と共に所定量の化合物（Ａ）を含むことで、チップと基板との接着性を高めることができる。化合物（Ａ）は一定以上の温度で開裂し、化合物（Ｂ）を重合させることができる活性物質（ラジカル）を放出する化合物である。所定量の化合物（Ａ）を化合物（Ｂ）と併用することでチップ接着性が向上する理由は特定されるものではないが、化合物（Ａ）の開裂温度が一般的な仮圧着工程や本圧着工程前の待機中におけるボンディングステージの温度（例えば、１００℃以上）よりも高いことが一因であると推測される。

例えば、上述のように本圧着工程前にラジカル発生剤からラジカルが放出されると、化合物（Ｂ）の硬化反応が本圧着工程前に中途半端に進行し、結果として、化合物（Ｂ）の硬化が不十分となり、これがチップ接着性低下の要因となる。また、本圧着工程前に化合物（Ｂ）のラジカル反応が進行すると、ラジカル反応開始前に比して本圧着工程における樹脂組成物（アンダーフィル材）の粘度が高くなってしまう。さらに、本圧着工程において樹脂組成物の粘度が過度に上昇していると、本圧着時に樹脂組成物にボイドが発生しやすくなってしまう。

これに対し、本実施形態における化合物（Ａ）の開裂温度は、化合物（Ａ）が特定の構造を有するため、仮圧着工程や本圧着工程前の待機中におけるボンディングステージ温度よりも高くなるように設計することができる。また、化合物（Ａ）はラジカル発生剤として入手可能な高温分解型の有機過酸化物よりも比較的揮発性が低い。このため、化合物（Ｂ）に対して所定量の化合物（Ａ）が存在する場合、本圧着工程においても化合物（Ｂ）のラジカル硬化反応に十分な量のラジカルを放出することができる。さらに、化合物（Ａ）を用いることで、仮圧着工程や本圧着工程前の待機中において、ボンディングステージの熱によるラジカル反応に起因する樹脂組成物の粘度増加を抑制することができるため、当該粘度増加に伴うボイドの発生を抑制することができる。さらに、開裂反応後の化合物の沸点が比較的高いことにより、ボイドの発生につながりにくい効果が期待できる。

一方、化合物（Ａ）を用いた場合であっても、本圧着工程において化合物（Ａ）の一部が揮発することがある。このため、樹脂組成物における化合物（Ａ）の含有量が多すぎると、揮発する化合物（Ａ）の絶対量の増加に伴って、チップ接着性低下の一要因であるボイドが発生してしまうことがある。さらに、化合物（Ａ）の含有量が多すぎると、発生したラジカルの再結合や不均化など意図しない副反応が生じる可能性が高まり、十分な量のラジカルを化合物（Ｂ）の硬化反応に供給できないことも想定される。

これに対し、本実施形態においては、化合物（Ａ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０１～１５質量部であるため、上述のような化合物（Ａ）の過不足によるデメリットがなく、チップ接着性を効果的に高めることができる。このように、本実施形態の樹脂組成物は、接着性に優れるため、フリップチップ実装に使用されるアンダーフィル材等として好適に用いることができる。

〔化合物（Ａ）〕
化合物（Ａ）は下記式（１）で表される化合物である。

（式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｒ_５及びＲ_６は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ニトリル基、ニトロ基、又はエポキシ基を示し、ｎ^１は、１～５の整数を示す。）

式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示す。Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４における炭素数１～５のアルキル基としては、特に限定されないが、例えば、高温分解性付与の観点から、炭素数１～３のアルキル基が好ましく、炭素数１～２のアルキル基がさらに好ましい。すなわち、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４としては、化合物（Ａ）の開裂温度を仮圧着工程の温度以上とし、且つ本圧着工程及びポストキュア時の温度において揮発量を効果的に抑制できる観点から、炭素数１～３のアルキル基であることが好ましく、炭素数１～２のアルキル基がさらに好ましい。
また、特に限定されるものではないが、高温分解性付与の観点から、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４のうち、２以上が同一の基であることが好ましく、３以上が同一の基であることがさらに好ましく、４以上が同一の基であることが特に好ましい。

Ｒ_５及びＲ_６は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ニトリル基、ニトロ基、又はエポキシ基を示しｎ^１は、１～５の整数である。Ｒ_５及びＲ_６における炭素数１～５のアルキル基としては、特に限定されないが、例えば、高温分解性付与の観点から、炭素数１～３のアルキル基が好ましく、炭素数１～２のアルキル基がさらに好ましい。また、他成分との副反応抑制や溶剤溶解性の観点から、Ｒ_５及びＲ_６は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１～５のアルキル基であることが好ましい。また、ｎ^１は、１～５の整数であり、高温分解性付与の観点から、１～３の整数であることが好ましく、１～２の整数であることがさらに好ましい。

化合物（Ａ）の具体例としては、特に限定されるものではないが、高温分解性と低揮発性の両立の観点から、ジフェニルエタン、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルヘキサン、２，３－ジメチル－２，３－ビス（４－メチルフェニル）ブタン、１，１，２，２－テトラエチル－１，２－ジフェニルエタンであることが好ましく、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン、２，３－ジメチル－２，３－ビス（４－メチルフェニル）ブタンがさらに好ましい。

化合物（Ａ）の沸点は、特に限定されないが、本圧着工程において、ボンディングステージ温度下で揮発が抑制され、熱圧着時に開裂してラジカルを放出するようにできる観点から、２００～５００℃であることが好ましく、２５０～４５０℃であることがさらに好ましい。
また、同様の観点から、化合物（Ａ）の分子量は、１００～４００であることが好ましく、１５０～３５０であることがさらに好ましい。
化合物（Ａ）の開裂温度は、特に限定はないが、例えば１時間半減期温度を目安とすることができ、仮圧着工程の温度下においては開裂が抑制され、本圧着工程の熱圧着時の温度において揮発が抑制され開裂してラジカルを放出するようにできる観点から、１００～４００℃であることが好ましく、１５０～３５０℃であることがさらに好ましい。

化合物（Ａ）は、開裂温度以上の熱環境において炭素－炭素結合間で開裂し、式（１ａ）又は（２ａ）で示される化合物に分裂してラジカルを放出する。ラジカル（式（１ａ）又は（２ａ）で示される化合物）が放出されると、化合物（Ｂ）の二重結合を起点にラジカル重合反応が進行する。

本実施形態の樹脂組成物における化合物（Ａ）の含有量は、チップ接着性を十分に高める観点から、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０１～１５質量部であり、さらに、実装後のボイド発生の抑制の観点から、０．０５～１３質量部であることが好ましく、０．１０～１０質量部であることがさらに好ましい。化合物（Ａ）は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

〔化合物（Ｂ）〕
本実施形態の樹脂組成物は、低ボイド性及びチップ接着性に優れた樹脂組成物が得られる観点から、マレイミド化合物（ＢＡ）及びシトラコンイミド化合物（ＢＢ）からなる群より選択される１種以上の化合物（Ｂ）を含む。化合物（Ｂ）は、分子内に、マレイミド基及びシトラコンイミド基からなる群より選択される１種以上を含むものであれば特に限定されない。化合物（Ｂ）としては、後述のフラックス活性剤（Ｄ）と反応性を示さないことが好ましい。化合物（Ｂ）は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

本実施形態に係る化合物（Ｂ）としては、化合物（Ａ）とより優れた反応性が得られ、より優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にある点から、マレイミド化合物（ＢＡ）を含むことが好ましい。また、化合物（Ｂ）が、マレイミド化合物（ＢＡ）を含むことにより、後述のアミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）とより反応性に優れ、低ボイド性及びチップ接着性により優れる傾向にある。さらに、マレイミド化合物（ＢＡ）は、エポキシ化合物と比較して、保管時や加熱処理によるフラックス活性剤との反応が著しく進行しにくく、フラックスの活性剤の失活が発生しにくい。

化合物（Ｂ）は、化合物（Ｂ１）と、化合物（Ｂ２）と、を含み、化合物（Ｂ１）が、重量平均分子量が３，０００以上９，５００以下のマレイミド化合物（ＢＡ－１）及び重量平均分子量が３，０００以上９，５００以下のシトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）からなる群より選択される１種以上であり、化合物（Ｂ２）が、重量平均分子量が３００以上３，０００未満のマレイミド化合物（ＢＡ－２）及び重量平均分子量が３００以上３，０００未満のシトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）からなる群より選択される１種以上であることが、好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法により求められる標準ポリスチレン換算の値である。

本実施形態の樹脂組成物は、化合物（Ｂ）として、化合物（Ｂ１）及び（Ｂ２）を含むことで、低ボイド性及びチップ接着性により一層優れるものとなる。この理由について定かではないが、本発明者らは次のように推定している。
即ち、樹脂組成物が、比較的高分子量である化合物（Ｂ１）を含むことにより、半導体チップ実装時又は熱硬化時（ポストキュア時）の硬化収縮の際に発生する応力が緩和される。そのため、化合物（Ａ）と組み合わせることで接着性向上の効果がより一層促進される。また、樹脂組成物は、比較的低分子量である化合物（Ｂ２）も含む。そのため、半導体チップ実装時又はポストキュア時に架橋密度を向上させることができ、化合物（Ｂ２）と組み合わせることで化合物（Ｂ１）を含むことによる応力緩和により発現する接着性を一層促進させることができると推察している。ただし、理由はこれに限定されない。

化合物（Ｂ１）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、マレイミド化合物（ＢＡ－１）を含むことが好ましい。

化合物（Ｂ２）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、マレイミド化合物（ＢＡ－２）を含むことが好ましい。

マレイミド化合物（ＢＡ－１）としては、さらにより一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、その重量平均分子量は、３，２００以上８，０００以下であることが好ましく、３，３００以上６，０００以下であることがより好ましい。

シトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）としては、さらにより一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、その重量平均分子量は、３，２００以上８，０００以下であることが好ましく、３，３００以上６，０００以下であることがより好ましい。

マレイミド化合物（ＢＡ－２）としては、さらにより一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、その重量平均分子量は、３５０以上２，８００以下であることが好ましく、４００以上２，５００以下であることがより好ましい。

シトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）としては、さらにより一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、その重量平均分子量は、３５０以上２，８００以下であることが好ましく、４００以上２，５００以下であることがより好ましい。

（マレイミド化合物（ＢＡ））
マレイミド化合物（ＢＡ）としては、分子中に１個以上のマレイミド基を有する樹脂又は化合物であれば、特に限定されない。マレイミド化合物（ＢＡ）は、１種又は２種以上を混合して使用することができる。
このようなマレイミド化合物（ＢＡ）としては、例えば、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－ヒドロキシフェニルマレイミド、ビス（４－マレイミドフェニル）メタン、４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス（３，５－ジメチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ビス（３，５－ジエチル－４－マレイミドフェニル）メタン、フェニルメタンマレイミド、ｏ－フェニレンビスマレイミド、ｍ－フェニレンビスマレイミド、ｐ－フェニレンビスマレイミド、２，２－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）－フェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、４－メチル－１，３－フェニレンビスマレイミド、１，６－ビスマレイミド－（２，２，４－トリメチル）ヘキサン、４，４－ジフェニルエーテルビスマレイミド、４，４－ジフェニルスルフォンビスマレイミド、１，３－ビス（３－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、ポリフェニルメタンマレイミド、ノボラック型マレイミド化合物、ビフェニルアラルキル型マレイミド化合物、２，２－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，４－ビス（マレイミド）ブタン、１，６－ビス（マレイミド）ヘキサン、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、下記式（２０）で表されるマレイミド化合物、下記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物、下記式（２２）で表されるマレイミド化合物、下記式（２３）で表されるマレイミド化合物、下記式（２４）で表されるマレイミド化合物、及び下記式（３０）で表されるマレイミド化合物などが挙げられる。マレイミド化合物（ＢＡ）としては、上述したマレイミド化合物を重合して得られるプレポリマー、及びマレイミド化合物をアミン化合物等の他の化合物と重合して得られるプレポリマー等の形で、本実施形態に係る樹脂組成物に含有させることもできる。

式（２０）中、ｎ^３は、１～３０の整数を示す。

式（２１）中、Ｒ^１１は炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数２～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を示す。Ｒ^１２は炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数２～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を示す。Ｒ^１３は、各々独立に、水素原子、炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数２～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルケニル基を示す。ｎ^５は、１～１０の整数を示す。
なお、式（２１）で表される構成単位の詳細については、後述する。

式（２２）中、Ｒ_８は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示す。Ｒ_９は、各々独立に、水素原子又はメチル基を示す。

式（２３）中、Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ^４は、１～１０の整数を示す。Ｒ^１０は、水素原子であることが好ましい。

式（２４）中、Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｎ^２は、１以上の整数を示し、好ましくは１～１０の整数を示す。

式（３０）中、Ｒ_００１、Ｒ_００２は、各々独立に、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、－ＣＯＯＲ基（Ｒは炭素数１～６のアルキル基を示す）、又は水素原子を示し、ｎは１以上の整数である。

次いで、式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物の構造について説明する。
ビスマレイミド化合物は、複数の式（２１）で表される構成単位を有していてもよく、この場合、複数の式（２１）で表される構成単位中のＲ¹¹、Ｒ¹²、及びＲ¹³は、それぞれ同一であっても、異なっていてもよい。また、ビスマレイミド化合物は、式（２１）で表される構成単位中のＲ¹¹、Ｒ¹²、及びＲ¹³、並びに式（２１）で表される構成単位の数のうちの少なくとも１つが異なる化合物の混合物であってもよい。
ビスマレイミド化合物における式（２１）で表される構成単位において、Ｒ¹¹は、炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数２～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を示す。Ｒ¹¹としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物が好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇が好適に制御できる点から、直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがより好ましい。

アルキレン基の炭素数としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、２～１４であることが好ましく、４～１２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、２，２－ジメチルプロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基、ウンデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ネオペンチレン基、ジメチルブチレン基、メチルヘキシレン基、エチルヘキシレン基、ジメチルヘキシレン基、トリメチルヘキシレン基、メチルヘプチレン基、ジメチルヘプチレン基、トリメチルヘプチレン基、テトラメチルヘプチレン基、エチルヘプチレン基、メチルオクチレン基、メチルノニレン基、メチルデシレン基、メチルドデシレン基、メチルウンデシレン基、メチルトリデシレン基、メチルテトラデシレン基、及びメチルペンタデシレン基が挙げられる。

アルケニレン基の炭素数としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、２～１４であることが好ましく、４～１２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基としては、例えば、ビニレン基、１－メチルビニレン基、アリレン基、プロペニレン基、イソプロペニレン基、１－ブテニレン基、２－ブテニレン基、１－ペンテニレン基、２－ペンテニレン基、イソペンチレン基、シクロペンテニレン基、シクロヘキセニレン基、及びジシクロペンタジエニレン基等が挙げられる。

式（２１）で表される構成単位において、Ｒ¹²は、炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数２～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を示す。Ｒ¹²としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物が好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇が好適に制御できる点から、直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがより好ましい。

アルキレン基の炭素数としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、２～１４であることが好ましく、４～１２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基としては、上述のＲ¹¹を参照してもよい。

アルケニレン基の炭素数としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、２～１４であることが好ましく、４～１２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基としては、上述のＲ¹¹を参照してもよい。

式（２１）で表される構成単位において、Ｒ¹¹と、Ｒ¹²とは、同一であっても異なっていてもよいが、ビスマレイミド化合物をより容易に合成できる点から、同一であることが好ましい。

式（２１）で表される構成単位において、Ｒ¹³は、各々独立に、水素原子、炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数２～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルケニル基を示す。Ｒ¹³は、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物が好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇が好適に制御できる点から、各々独立に、水素原子、又は炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基であることが好ましく、Ｒ¹³のうち、１～５個の基（Ｒ¹³）が炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基であり、残りの基（Ｒ¹³）が水素原子であることがより好ましく、Ｒ¹³のうち、１～３個の基（Ｒ¹³）が炭素数１～１６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基であり、残りの基（Ｒ¹³）が水素原子であることがさらに好ましい。

アルキル基の炭素数としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、２～１４であることが好ましく、４～１２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、１－エチルプロピル基、ｎ－ブチル基、２－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、２－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、２－メチルペンタン－３－イル基、及びｎ－ノニル基が挙げられる。

アルケニル基の炭素数としては、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、２～１４であることが好ましく、４～１２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、４－ペンテニル基、イソプロペニル基、イソペンテニル基、２－ヘプテニル基、２－オクテニル基、及び２－ノネニル基が挙げられる。

式（２１）で表される構成単位において、ｎ⁵は、１～１０の整数を示す。

ビスマレイミド化合物は、分子鎖の両末端にマレイミド基を有する。両末端とは、ビスマレイミド化合物の分子鎖において両方の末端を意味し、例えば、式（２１）で表される構成単位が、ビスマレイミド化合物の分子鎖の末端にある場合には、マレイミド基は、Ｒ¹¹の分子鎖の末端に有するか、マレイミド環のＮ原子における分子鎖の末端に有するか、又は両方の末端に有することを意味する。ビスマレイミド化合物は、分子鎖の両末端以外に、マレイミド基を有していてもよい。
マレイミド基は、式（２５）で表され、Ｎ原子がビスマレイミド化合物の分子鎖に結合している。また、ビスマレイミド化合物に結合されるマレイミド基は、全て同一であっても異なっていてもよいが、分子鎖の両末端のマレイミド基は同一であることが好ましい。

式（２５）中、Ｒ₁₁は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。Ｒ₁₁は、より好適に化合物（Ａ）及び樹脂（Ｃ）と反応できる点から、両方ともに水素原子であることが好ましい。
アルキル基の炭素数としては、より好適に化合物（Ａ）及び樹脂（Ｃ）と反応できる点から、１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましい。
直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、上述のＲ¹³を参照してもよい。

このようなビスマレイミド化合物としては、例えば、式（２６）で表されるマレイミド化合物が挙げられる。これらは、１種単独で、あるいは式（２６）中のaの繰り返し数が異なる２種以上の化合物を適宜混合して使用することも可能である。

式（２６）中、ａは、１～１０の整数を示す。ａは、チップに対する樹脂組成物層の実装時において、樹脂組成物がより好適な粘度を有し、実装時における溶融粘度の上昇がより好適に制御できる点から、１～６の整数であることが好ましい。

マレイミド化合物（ＢＡ）は、上述した中でも、有機溶媒に対してより優れた溶解性が得られる点から、２，２’－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，２－ビス（マレイミド）エタン、１，４－ビス（マレイミド）ブタン、１，６－ビス（マレイミド）ヘキサン、Ｎ，Ｎ’－１，３－フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’－１，４－フェニレンジマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、前記式（２０）で表されるマレイミド化合物、前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物、前記式（２２）で表されるマレイミド化合物、前記式（２３）で表されるマレイミド化合物、前記式（２４）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（３０）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される１種以上を含有することが好ましく、２，２’－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、前記式（２０）で表されるマレイミド化合物、前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物、前記式（２２）で表されるマレイミド化合物、前記式（２３）で表されるマレイミド化合物、前記式（２４）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（３０）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される１種以上を含有することがより好ましい。さらに、マレイミド化合物（ＢＡ）は、一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にある点から、前記式（２０）で表されるマレイミド化合物、前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物、前記式（２２）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（２３）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される１種以上を含むことがよりさらに好ましい。

マレイミド化合物（ＢＡ－１）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、前記式（２０）で表されるマレイミド化合物及び／又は前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物であることが好ましい。

マレイミド化合物（ＢＡ－２）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、前記式（２２）で表されるマレイミド化合物、前記式（２３）で表されるマレイミド化合物、及び前記式（３０）で表されるマレイミド化合物からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。

マレイミド化合物（ＢＡ）としては、市販品を用いてもよく、２，２’－ビス（４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパンとしては、例えば、ケイ・アイ化成（株）社製ＢＭＩ－８０（商品名）が挙げられる。式（２０）で表されるマレイミド化合物としては、例えば、ケイ・アイ化成（株）製ＢＭＩ－１０００Ｐ（商品名、式（２０）中のｎ³＝１４（平均値）、重量平均分子量：３，７００）、ケイ・アイ化成（株）社製ＢＭＩ－６５０Ｐ（商品名、式（２０）中のｎ³＝９（平均値））、ケイ・アイ化成（株）社製ＢＭＩ－２５０Ｐ（商品名、式（２０）中のｎ³＝３～８（平均値））、ケイ・アイ化成（株）社製ＣＵＡ－４（商品名、式（２０）中のｎ³＝１）等が挙げられる。式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にマレイミド基とを含むビスマレイミド化合物としては、日本化薬（株）製ＭＩＺ－００１（商品名、式（２６）で表されるマレイミド化合物を含む、重量平均分子量：３，９００）が挙げられる。式（２２）で表されるマレイミド化合物としては、例えば、ケイ・アイ化成（株）製ＢＭＩ－７０（商品名；ビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン、重量平均分子量：５５０）が挙げられる。式（２３）で表されるマレイミド化合物としては、例えば、日本化薬（株）社製ＭＩＲ－３０００－７０ＭＴ（商品名、式（２３）中のＲ¹⁰が全て水素原子であり、ｎ⁴が１～１０の混合物である、重量平均分子量：１，０５０）が挙げられる。式（２４）で表されるマレイミド化合物としては、例えば、大和化成工業（株）社製ＢＭＩ－２３００（商品名）が挙げられる。式（３０）で表されるマレイミド化合物としては、例えば、群栄化学工業（株）社製ＢＭＣＸ４２６（商品名）、群栄化学工業（株）社製ＢＣＰＨ１３（商品名）等が挙げられる。

（シトラコンイミド化合物（ＢＢ））
シトラコンイミド化合物（ＢＢ）としては、特に限定されないが、例えば、ｏ－フェニレンビスシトラコンイミド、ｍ－フェニレンビスシトラコンイミド、ｐ－フェニレンビスシトラコンイミド、４，４－ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、２，２－ビス［４－（４－シトラコンイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス（３，５－ジメチル－４－シトラコンイミドフェニル）メタン、ビス（３－エチル－５－メチル－４－シトラコンイミドフェニル）メタン、ビス（３，５－ジエチル－４－シトラコンイミドフェニル）メタン、１,３－キシリレンビス(シトラコンイミド)、Ｎ－[３－ビス(トリメチルシリル)アミノ－１－プロピル]シトラコンイミド、Ｎ－[３－ビス(トリエチルシリル)アミノ－１－プロピル]シトラコンイミド、Ｎ－[３－ビス(トリフェニルシリル)アミノ－１－プロピル]シトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’－（ｍ－フェニレンジメチレン）ジシトラコンイミド、及びＮ－［３－（メチリデンスクシンイミドメチル）ベンジル］シトラコンイミド、下記式（２７）で表されるシトラコンイミド化合物、前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にシトラコンイミド基とを含むビスシトラコンイミド化合物、下記式（２８）で表されるシトラコンイミド化合物、及び下記式（２９）で表されるシトラコンイミド化合物が挙げられる。なお、ビスシトラコンイミド化合物は、上述のビスマレイミド化合物を参照できる。式（２１）で表される構成単位の詳細については上述のとおりであり、シトラコンイミド基については、前記式（２５）において、Ｒ₁₁の少なくとも１つの基がメチル基であること以外、式（２５）の構造を参照できる。シトラコンイミド化合物（ＢＢ）は、１種又は２種以上を混合して使用することができる。

シトラコンイミド化合物（ＢＢ）は、上述した中でも、有機溶媒に対してより優れた溶解性が得られ、一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にある点から、下記式（２７）で表されるシトラコンイミド化合物、前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にシトラコンイミド基とを含むビスシトラコンイミド化合物、下記式（２８）で表されるシトラコンイミド化合物、及び下記式（２９）で表されるシトラコンイミド化合物からなる群より選択される1種以上を含むことが好ましい。

シトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、下記式（２７）で表されるシトラコンイミド化合物及び／又は前記式（２１）で表される構成単位と分子鎖の両末端にシトラコンイミド基とを含むビスシトラコンイミド化合物であることが好ましい。

式（２７）中、ｎ^６は、１～３０の整数を示す。

シトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、下記式（２８）で表されるシトラコンイミド化合物及び／又は下記式（２９）で表されるシトラコンイミド化合物であることが好ましい。

式（２８）中、Ｒ_８は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示す。Ｒ_９は、各々独立に、水素原子又はメチル基を示す。

式（２９）中、Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、ｎ^７は、１以上の整数を示し、好ましくは１～１０の整数を示す。Ｒ^１０は、水素原子であることが好ましい。

本実施形態の樹脂組成物において、化合物（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られやすい観点から、樹脂組成物の樹脂固形分１００質量部に対して、２０～１００質量部であることが好ましく、３０～９５質量部であることがより好ましく、４０～９０質量部がさらに好ましく、５０～８５質量部であることがより一層好ましい。

化合物（Ｂ）として、化合物（Ｂ１）と化合物（Ｂ２）とを含む場合、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、化合物（Ｂ１）の含有量は、化合物（Ｂ１）と化合物（Ｂ２）との合計１００質量部に対して、３０～９９質量部であることが好ましく、４０～９５質量部であることがより好ましく、４５～９０質量部であることがさらに好ましい。また、化合物（Ｂ２）の含有量は、化合物（Ｂ１）と化合物（Ｂ２）との合計１００質量部に対して、１～７０質量部であることが好ましく、５～６０質量部であることがより好ましく、１０～５５質量部であることがさらに好ましい。

化合物（Ｂ）として、マレイミド化合物（ＢＡ－１）とマレイミド化合物（ＢＡ－２）とを含む場合、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、マレイミド化合物（ＢＡ－１）の含有量は、化合物（ＢＡ－１）と化合物（ＢＡ－２）との合計１００質量部に対して、３０～９９質量部であることが好ましく、４０～９５質量部であることがより好ましく、４５～９０質量部であることがさらに好ましい。また、マレイミド化合物（ＢＡ－２）の含有量は、化合物（ＢＡ－１）と化合物（ＢＡ－２）との合計１００質量部に対して、１～７０質量部であることが好ましく、５～６０質量部であることがより好ましく、１０～５５質量部であることがさらに好ましい。

化合物（Ｂ）として、シトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）とシトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）とを含む場合、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、シトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）の含有量は、化合物（ＢＢ－１）と化合物（ＢＢ－２）との合計１００質量部に対して、３０～９９質量部であることが好ましく、４０～９５質量部であることがより好ましく、４５～９０質量部であることがさらに好ましい。また、シトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）の含有量は、化合物（ＢＢ－１）と化合物（ＢＢ－２）との合計１００質量部に対して、１～７０質量部であることが好ましく、５～６０質量部であることがより好ましく、１０～５５質量部であることがさらに好ましい。

〔アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）〕
本実施形態の樹脂組成物は、低ボイド性及びチップ接着性に優れた樹脂組成物が得られる観点から、アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）をさらに含むことができる。アミノトリアジンノボラック樹脂としては、分子内にトリアジン環を有するフェノールホルムアルデヒド樹脂（フェノール樹脂）であればよく、公知の樹脂を用いることもできる。このようなアミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）は、公知の方法により製造でき、例えば、フェノール樹脂をメラミン等の窒素化合物で変性することで得られる。アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、その重量平均分子量は、３００～９，５００であることが好ましく、５００～５，０００であることがより好ましい。

アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られやすい観点から、その窒素含有量は、アミノトリアジンノボラック樹脂１００質量％中に、１０～２５質量％であることが好ましく、より一層優れた低ボイド性と共に、さらに一層優れたチップ接着性が得られることから、１５～２０質量％であることがより好ましい。

アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）としては、より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られやすい観点から、そのヒドロキシ基当量は、８０～２００ｇ／ｅｑ．であることが好ましく、１００～１８０ｇ／ｅｑ．であることがより好ましく、より一層優れた低ボイド性と共に、さらに一層優れたチップ接着性が得られることから、１３０～１７０ｇ／ｅｑ．であることがさらに好ましい。なお、本実施形態において、ヒドロキシ基当量とは、アミノトリアジンノボラック樹脂１ｇ中に含まれるヒドロキシ基をアセチル化するために要する水酸化カリウムのｍｇ数を示す。具体的には、ＪＩＳ Ｋ ００７０に従って測定される。

アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）としては、さらに一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、下記式（２）で表される化合物及び下記式（３）で表される化合物からなる群より選択される１種以上を含むことが好ましい。

（式（２）中、Ｒ_７は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｎ^２、ｎ^３、及びｎ^４は、各々独立に、０～１０の整数を示し、（ｎ^２＋ｎ^３＋ｎ^４）は、１～２０の整数を示す。）

式（２）中、Ｒ₇は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示す。より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、Ｒ₇は、各々独立に、水素原子又はメチル基であることが好ましい。ｎ^２、ｎ^３、及びｎ^４は、各々独立に、０～１０の整数を示す。より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、ｎ^２、ｎ^３、及びｎ^４は、各々独立に、１～６の整数であることが好ましい。（ｎ^２＋ｎ^３＋ｎ^４）は、１～２０の整数を示す。より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、（ｎ^２＋ｎ^３＋ｎ^４）は、３～１８の整数であることが好ましい。なお、式（２）で表される化合物は、例えば、式（２）において、Ｒ₁の基やその数が異なる化合物、ｎ^２、ｎ^３、及びｎ^４の数が異なる化合物、（ｎ^２＋ｎ^３＋ｎ^４）の数が異なる化合物などを含む混合物であってもよい。

（式（３）中、Ｒ_８は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８、及びｎ^９は、各々独立に、０～１０の整数を示し、（ｎ^５＋ｎ^６＋ｎ^７＋ｎ^８＋ｎ^９）は、１～２０の整数を示す。）

式（３）中、Ｒ₈は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示す。より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、Ｒ₈は、各々独立に、水素原子、又はメチル基であることが好ましい。ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８、及びｎ^９は、各々独立に、０～１０の整数を示す。より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８、及びｎ^９は、各々独立に、１～４の整数であることが好ましい。（ｎ^５＋ｎ^６＋ｎ^７＋ｎ^８＋ｎ^９）は、１～２０の整数を示す。より一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、（ｎ^５＋ｎ^６＋ｎ^７＋ｎ^８＋ｎ^９）は、５～２０の整数であることが好ましい。なお、式（３）で表される化合物は、例えば、式（３）において、Ｒ₈の基やその数が異なる化合物、ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８、及びｎ^９の数が異なる化合物、（ｎ^５＋ｎ^６＋ｎ^７＋ｎ^８＋ｎ^９）の数が異なる化合物などを含む混合物であってもよい。

さらにより一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）としては、式（２）で表される化合物と式（３）で表される化合物との混合物であることがより好ましい。このような混合物としては、さらに一層優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られることから、式（２）で表される化合物と式（３）で表される化合物との質量比（式（２）で表される化合物（質量部）：式（３）で表される化合物（質量部））が、５０：５０～９０：１０であることが好ましく、６０：４０～８５：１５であることがより好ましい。

アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）としては、市販品を用いてもよく、例えば、ＤＩＣ（株）製のＬＡ－１３５６（商品名）、ＬＡ－３０１８－５０Ｐ（商品名）、ＬＡ－７０５２（商品名）、ＬＡ－７０５４（商品名）、及びＬＡ－７７５１（商品名）が挙げられる。

本実施形態の樹脂組成物が、アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）を含む場合、樹脂（Ｃ）の含有量は、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．１～６０質量部であることが好ましく、より優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られやすい観点から、樹脂（Ｃ）の含有量は、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、５～５０質量部であることが好ましく、１０～４５質量部であることがより好ましく、２０～４０質量部であることがさらに好ましい。

〔その他の熱硬化性の樹脂又は化合物〕
本実施形態の樹脂組成物には、本実施形態の効果を奏する限り、化合物（Ｂ）及び樹脂（Ｃ）と異なる、その他の熱硬化性の樹脂又は化合物（以下、単に「その他の熱硬化性樹脂」とも称する）を含んでもよい。このようなその他の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物、フェノール化合物、変性ポリフェニレンエーテル化合物、アルケニル置換ナジイミド化合物、オキセタン樹脂、及び重合可能な不飽和基を有する化合物が挙げられる。これらのその他の熱硬化性樹脂は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

本実施形態の樹脂組成物がその他の熱硬化性樹脂を含む場合、その含有量は、特に限定されないが、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、それぞれ、通常０．１～５０質量部であることが好ましい。

〔フラックス活性剤（Ｄ）〕
本実施形態の樹脂組成物は、フリップチップ実装においてフラックス活性を発現させる観点から、フラックス活性剤（Ｄ）をさらに含むことが好ましい。フラックス活性剤（Ｄ）は、分子中に１個以上の酸性部位を有する有機化合物であれば、特に限定されない。酸性部位としては、例えば、リン酸基、フェノール性水酸基、カルボキシ基、及びスルホン酸基が好ましく、本実施形態の樹脂組成物をアンダーフィル材として用いた半導体装置において、接合部を構成するはんだや銅等の金属のマイグレーション、及び腐食をより有効に防止する観点から、フェノール性水酸基又はカルボキシ基がより好ましい。フラックス活性剤（Ｄ）は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

フラックス活性剤（Ｄ）は、特に限定されないが、接合部の酸化膜の除去を十分行う観点から、酸解離定数ｐＫａが、３．８以上１５．０以下であることが好ましく、ワニスの保存安定性、及び樹脂組成物の層を備えた積層体（支持基材付きアンダーフィル材）の保存安定性とフラックス活性の両立の観点から、４．０以上１４．０以下であることがより好ましい。

フラックス活性剤（Ｄ）の重量平均分子量又は分子量は、特に限定されないが、フリップチップ実装においてフラックス活性が発現する前に揮発してしまうこと、すなわち接合部の酸化膜を除去する前にフラックス活性剤（Ｄ）が揮発してしまうことを防ぐ観点から、重量平均分子量又は分子量は２００以上であることが好ましく、２５０以上であることがより好ましい。フラックス活性剤としての運動性を有し、十分なフラックス活性を得る観点から、フラックス活性剤（Ｄ）の重量平均分子量又は分子量は、８０００以下であることが好ましく、１０００以下であることがより好ましく、６００以下であることがさらに好ましい。

フラックス活性剤（Ｄ）としては、特に限定されないが、例えば、アビエチン酸、ネオアビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、ピマール酸、イソピマール酸、パラストリン酸、ジフェノール酸、ジヒドロアビエチン酸、テトラヒドロアビエチン酸、水添ロジンエステル、及びロジン変性マレイン酸樹脂等のロジン系樹脂；Ｎ，Ｎ’－ビス（サリチリデン）－１，２－プロパンジアミン、及びＮ，Ｎ’－ビス（サリチリデン）－１，３－プロパンジアミン等のジアミン系；フェノールフタリンが挙げられる。これらの中で、フラックス活性剤（Ｄ）としては、ロジン系樹脂を含むことが好ましい。これらのフラックス活性剤（Ｄ）は、溶媒への溶解性、ワニスの保存安定性、並びに樹脂組成物を含む層を備えた積層体の保存安定性及びフラックス活性に優れる点から、好ましい。

これらの中でも、化合物（Ｂ）による失活を防ぐ観点から、フラックス活性剤（Ｄ）は、デヒドロアビエチン酸、ジフェノール酸、ジヒドロアビエチン酸、テトラヒドロアビエチン酸、水添ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、Ｎ，Ｎ’－ビス（サリチリデン）－１，２－プロパンジアミン、及びＮ，Ｎ’－ビス（サリチリデン）－１，３－プロパンジアミンからなる群より選択される１種以上がより好ましい。また、これらのフラックス活性剤は、比較的反応性が低く、化合物（Ｂ）及び樹脂（Ｃ）との反応がほとんど起こらず、酸化膜の除去に必要となる十分なフラックス活性が維持される観点からさらに好ましい。さらに、より一層優れたフラックス活性が得られる点から、フラックス活性剤（Ｄ）は、デヒドロアビエチン酸、水添ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂であることが、よりさらに好ましい。

フラックス活性剤（Ｄ）は、市販品を用いることができる。ロジン系樹脂としては、例えば、パインクリスタル（登録商標、以下同じ）シリーズのＫＲ－８５（商品名、以下同じ）、ＫＲ－６１２、ＫＲ－６１４、ＫＥ－１００、ＫＥ－３１１、ＰＥ－５９０、ＫＥ－３５９、ＫＥ－６０４、ＫＲ－１２０、ＫＲ－１４０、ＫＲ－６１４、Ｄ－６０１１、及びＫＲ－５０Ｍ；マルキードＮｏ．３２（以上、荒川化学工業株式会社製）等が挙げられる。

本実施形態の樹脂組成物において、フラックス活性剤（Ｄ）の含有量は、特に限定されないが、絶縁信頼性、及び実装時に十分なフラックス活性を確保する観点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、５～７０質量部であることが好ましく、１０～６０質量部であることがより好ましく、１５～５５質量部であることがさらに好ましい。

〔無機充填材（Ｅ）〕
本実施形態の樹脂組成物は、耐燃性の向上、熱伝導率の向上、及び熱膨張率の低減のため、無機充填材（Ｅ）をさらに含むことが好ましい。無機充填材（Ｅ）を使用することにより、本実施形態の樹脂組成物を用いて形成されるフィルム等の硬化物の耐燃性、及び熱伝導率を向上させ、熱膨張率を低減することができる。さらに、樹脂組成物の最低溶融粘度を好適にコントロールすることができる。アンダーフィル材用として好適であることから、樹脂組成物の最低溶融粘度は、１Ｐａ・s以上１０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、５Ｐａ・s以上５，０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましく、１０Ｐａ・s以上１，０００Ｐａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。

無機充填材（Ｅ）の平均粒子径は、特に限定されないが、本実施形態の樹脂組成物をアンダーフィル材として用いる場合、チップに配列される電極の狭ピッチ化や電極間の狭ギャップ化に対応する観点からは、３μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下であってもよい。その平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍである。なお、本実施形態において、無機充填材（Ｅ）の「平均粒子径」とは、無機充填材（Ｅ）のメジアン径を意味するものとする。ここでメジアン径とは、ある粒径を基準として粉体の粒度分布を２つに分けた場合に、より粒径が大きい側の粒子の体積と、より粒径が小さい側の粒子の体積とが、全粉体の夫々５０％を占めるような粒径を意味する。無機充填材（Ｅ）の平均粒子径（メジアン径）は、湿式レーザー回折・散乱法により測定される。

無機充填材（Ｅ）としては、特に限定されないが、例えば、天然シリカ、溶融シリカ、アモルファスシリカ、及び中空シリカ等のシリカ；ベーマイト、水酸化アルミニウム、アルミナ、及び窒化アルミニウム等のアルミニウム化合物；酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウム等のマグネシウム化合物；炭酸カルシウム、及び硫酸カルシウム等のカルシウム化合物；酸化モリブデン、及びモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物；窒化ホウ素；硫酸バリウム；天然タルク、及び焼成タルク等のタルク；マイカ；短繊維状ガラス、球状ガラス、及び微粉末ガラス（例えば、Ｅガラス、Ｔガラス、Ｄガラス）等のガラスが挙げられる。また、本実施形態の樹脂組成物に導電性又は異方導電性を付与したい場合には、無機充填材（Ｅ）として、例えば、金、銀、ニッケル、銅、錫合金、パラジウム等の金属粒子を使用してもよい。

これらの中でも、樹脂組成物の耐燃性の向上及び熱膨張率の低減の観点から、無機充填材（Ｅ）としては、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される１種以上を含むことが好ましく、シリカ、アルミナ、及び窒化ホウ素からなる群より選択される１種以上がより好ましく、その中でもシリカがさらに好ましい。

これらの無機充填材（Ｅ）は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

無機充填材（Ｅ）は、シランカップリング剤で表面処理されたものを用いてもよい。無機充填材（Ｅ）の表面処理に用いられるシランカップリング剤としては、一般に無機物の表面処理に使用されているシランカップリング剤であれば、特に限定されない。例えば、ビニルトリメトキシシラン及びγ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のビニルシラン系シランカップリング剤；Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等のフェニルアミノシラン系シランカップリング剤；トリメトキシフェニルシラン等のフェニルシラン系シランカップリング剤；イミダゾールシラン系シランカップリング剤が挙げられる。これらのシランカップリング剤は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

シランカップリング剤としては、より優れた低ボイド性及びチップ接着性が得られる傾向にあることから、ビニルシラン系シランカップリング剤、フェニルアミノシラン系シランカップリング剤、及びフェニルシラン系シランカップリング剤からなる群より選択される１種以上が好ましく、化合物（Ｂ）との反応性の観点から、フェニルアミノシラン系シランカップリング剤、及びビニルシラン系シランカップリング剤が好ましく、さらに優れた低ボイド性の観点からフェニルアミノシラン系シランカップリング剤がより好ましい。

シリカ若しくはシランカップリング剤で表面処理されたシリカとしては、例えば、デンカ（株）製のＳＦＰ－１２０ＭＣ（商品名）、及びＳＦＰ－１３０ＭＣ（商品名）；（株）アドマテックス製の０．３μｍＳＸ－ＣＭ１（商品名）、０．３μｍＳＸ－ＥＭ１（商品名）、０．３μｍＳＶ－ＥＭ１（商品名）、ＳＣ１０５０－ＭＬＱ（商品名）、ＳＣ２０５０－ＭＮＵ（商品名）、ＳＣ２０５０－ＭＴＸ（商品名）、２．２μｍＳＣ６１０３－ＳＱ（商品名）、ＳＥ２０５３－ＳＱ（商品名）、Ｙ５０ＳＺ－ＡＭ１（商品名）、ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ（商品名）、ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＭ（商品名）、ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＦ（商品名）、及びＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＡ（商品名）が挙げられる。

本実施形態の樹脂組成物において、無機充填材（Ｅ）の含有量は、特に限定されないが、絶縁信頼性、及び実装時に十分なフラックス活性を確保する観点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、１０～５００質量部であることが好ましく、５０～４００質量部であることがより好ましい。

〔硬化触媒（Ｆ）〕
本実施形態の樹脂組成物においては、硬化触媒（Ｆ）をさらに含むことができる。樹脂組成物が硬化触媒（Ｆ）を含むことにより、化合物（Ｂ）と樹脂（Ｃ）との反応速度、及び／又は化合物（Ｂ）の重合速度をより好適に制御でき、また、適度な成形性を有する樹脂組成物が得られる傾向にある。硬化触媒（Ｆ）は、化合物（Ｂ）と樹脂（Ｃ）との反応、及び／又は化合物（Ｂ）の重合反応を促進できる化合物であれば、特に限定されない。硬化触媒（Ｆ）は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

本実施形態の硬化触媒（Ｆ）としては、特に限定されないが、例えば、有機過酸化物、イミダゾール化合物、アゾ化合物、並びにトリエチルアミン及びトリブチルアミン等の第３級アミン並びにそれらの誘導体が挙げられる。これらの中でも、良好な反応速度及び／又は重合速度が得られ、良好な硬化速度が得られる観点から、硬化触媒（Ｆ）は、有機過酸化物及びイミダゾール化合物からなる群より選択される１種以上を含むことが好ましく、イミダゾール化合物を含むことがより好ましい。

本実施形態において、硬化触媒（Ｆ）の含有量は、特に限定されないが、良好な硬化速度が得られる点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０００１～１０質量部であることが好ましく、０．００１～８質量部であることがより好ましい。

（有機過酸化物）
本実施形態に係る有機過酸化物は、熱により、化合物（Ｂ）と樹脂（Ｃ）との反応、及び／又は化合物（Ｂ）の重合反応を促進させることができる活性物質（ラジカル）を放出する化合物であれば特に限定されず、公知の有機過酸化物を用いることができる。有機過酸化物は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

本実施形態において、有機過酸化物の１０時間半減期温度は、特に限定されないが、１００℃以上であることが好ましく、製造性の観点から、１１０℃以上であることがより好ましい。製造時の溶媒除去工程の高温化を図ることができるため、有機過酸化物は、上述の範囲の１０時間半減期温度を満たすことが好ましい。

有機過酸化物としては、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ（２－ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシイソプロピル）ベンゼン、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）ヘキシン－３、ベンゾイルパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオキサイド、及びシクロヘキサノンパーオキサイドのケトンパーオキサイド；１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、及び２，２－ジ（４，４－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキシル）プロパンのパーオキシケタール；ｔｅｒｔ―ブチルハイドロパーオキサイド、ｐ－メンタンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、及びｔ－ブチルハイドロパーオキサイドのハイドロパーオキサイド；ジ（２－ｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－へキシルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３、α, α’－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、及びジ－ｔ－ブチルパーオキサイドのジアルキルパーオキサイド；ジベンゾイルパーオキサイド、及びジ（４－メチルベンゾイル）パーオキサイドのジアシルパーオキサイド；ジ－ｎ－プロピルパーオキシジカーボネート、及びジイソプロピルパーオキシジカーボネートのパーオキシジカーボネート；２，５－ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－へキシルパーオキシベンゾエート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、及びｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノネートのパーオキシエステル等が挙げられる。より良好な反応速度及び硬化速度が得られる点から、ジクミルパーオキサイド、ジ（２－ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシイソプロピル）ベンゼン、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）ヘキシン－３、α, α’－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、及びｔｅｒｔ―ブチルハイドロパーオキサイドからなる群より選択される１種以上が好ましい。

本実施形態の樹脂組成物において、有機過酸化物の含有量は、特に限定されないが、より一層良好な反応速度及び硬化速度が得られる点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０００１～０．１質量部含むことが好ましく、０．００１～０．０５質量部含むことがより好ましい。

（イミダゾール化合物）
イミダゾール化合物は、化合物（Ｂ）と樹脂（Ｃ）との反応、及び／又は化合物（Ｂ）の重合反応を促進させることができれば、特に限定されず、公知のイミダゾール化合物を用いることができる。イミダゾール化合物は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

イミダゾール化合物としては、例えば、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、及び２，４，５－トリフェニルイミダゾールが挙げられる。中でも、反応速度及び硬化速度の調整がより容易である点から、２－エチル－４－メチルイミダゾールが好ましい。

本実施形態の樹脂組成物において、イミダゾール化合物の含有量は、特に限定されないが、反応速度及び硬化速度の調整がより一層容易になる点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０５質量部～１０質量部であることが好ましく、０．０５質量部～８質量部であることがより好ましい。

（アゾ化合物）
アゾ化合物は、化合物（Ｂ）と樹脂（Ｃ）との反応、及び／又は化合物（Ｂ）の重合反応を促進させることができれば、特に限定されず、公知のアゾ化合物を用いることができる。アゾ化合物は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。
アゾ化合物としては、例えば、２，２'－アゾビスブチロニトリル、２，２'－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、及び２，２'－アゾビス（４－メトキシ－２，４－ジメチルバレロニトリル）等が挙げられる。

本実施形態の樹脂組成物において、アゾ化合物の含有量は、特に限定されないが、より一層良好な反応速度及び硬化速度が得られる点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０５～１０質量部含むことが好ましく、０．０５～８質量部含むことがより好ましい。

〔その他の成分〕
本実施形態の樹脂組成物は、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、樹脂（Ｃ）、フラックス活性剤（Ｄ）、無機充填材（Ｅ）、硬化触媒（Ｆ）の他に、その他の成分を１種又は２種以上含んでいてもよい。

その他の成分としては、特に限定されないが、例えば、可撓性付与成分が挙げられる。可撓性付与成分は、樹脂組成物を含む層に対して可撓性を付与できるような成分であれば、特に限定されない。このような成分としては、例えば、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、樹脂（Ｃ）、フラックス活性剤（Ｄ）、無機充填材（Ｅ）、及び硬化触媒（Ｆ）以外の、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスチレン、ポリオレフィン、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、（メタ）アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ポリウレタン、ポリプロピレン、（メタ）アクリルオリゴマー、（メタ）アクリルポリマー、及びシリコーン樹脂等の熱可塑性の高分子化合物が挙げられる。これらの可撓性付与成分は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

本実施形態の樹脂組成物は、その他の成分として、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、及び樹脂（Ｃ）等の樹脂成分と、無機充填材（Ｅ）との界面の接着性及び吸湿耐熱性をより向上させることを目的として、シランカップリング剤を含むこともできる。シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン及びγ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のビニルシラン系シランカップリング剤；Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等のフェニルアミノシラン系シランカップリング剤；トリメトキシフェニルシラン等のフェニルシラン系シランカップリング剤；イミダゾールシラン系シランカップリング剤が挙げられる。これらのシランカップリング剤は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。
シランカップリング剤を使用する場合、その含有量は、特に限定されないが、吸湿耐熱性の一層の向上、及びフリップチップ実装時の揮発量の一層低減できる点から、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０５～２０質量部であることが好ましい。

本実施形態の樹脂組成物には、その他の成分として、積層体の製造性の一層の向上及び充填材の一層の分散性向上等の目的として、湿潤分散剤を含んでもよい。湿潤分散剤としては、一般に塗料等に使用されている湿潤分散剤であれば、特に限定されない。例えば、ビックケミー・ジャパン（株）製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）－１１０（商品名）、同－１１１（商品名）、同－１８０（商品名）、同－１６１（商品名）、ＢＹＫ－Ｗ９９６（商品名）、同－Ｗ９０１０（商品名）、及び同－Ｗ９０３（商品名）が挙げられる。これらの湿潤分散剤は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。
湿潤分散剤を使用する場合、その含有量は、特に限定されないが、積層体の製造性の一層向上の観点からは、無機充填材（Ｅ）１００質量部に対して、０．１～５質量部とすることが好ましく、０．５～３質量部とすることがより好ましい。なお、２種以上の湿潤分散剤を併用する場合には、これらの合計量が上述の比率を満たすことが好ましい。

その他の成分として、本実施形態の樹脂組成物には、所期の特性が損なわれない範囲において、種々の目的により、各種の添加剤を含有していてもよい。添加剤としては、例えば、紫外線吸収剤、酸化防止剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、レベリング剤、光沢剤、難燃剤、及びイオントラップ剤が挙げられる。これらの添加剤は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。
本実施形態の樹脂組成物において、その他の添加剤の含有量は、特に限定されないが、通常、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、それぞれ０．０１～１０質量部である。

〔樹脂組成物〕
本実施形態の樹脂組成物は、低ボイド性及びチップ接着性に優れる。本実施形態の樹脂組成物を、積層体の形態で使用するアンダーフィル材、好適にはプリアプライドアンダーフィル材として用いた場合、低ボイド性及びチップ接着性に優れ、加えて、接合性及び絶縁信頼性にも優れる。本実施形態の樹脂組成物は、各種の優れた特徴を有することから、アンダーフィル材としてより有用であり、プリアプライドアンダーフィル材としてさらに有用である。なお、積層体については、後述する。

本実施形態の樹脂組成物は、アンダーフィル材として好適であり、プリアプライドアンダーフィル材用としてより好適であることから、樹脂組成物を用いて得られるシート、及び樹脂組成物を含む層（以下、単に「樹脂組成物層」とも称する）は、半硬化状態（Ｂステージ）であることが好ましい。なお、シート及び樹脂組成物層の詳細については、後述する。シート及び樹脂組成物層が半硬化状態であることにより、より一層優れた、低ボイド性及びチップ接着性を得ることができる。本実施形態において、半硬化状態（Ｂステージ）とは、シート又は樹脂組成物層中に含まれる各成分が、積極的に反応（硬化）を始めてはいないが、シート又は樹脂組成物層が乾燥状態、すなわち、粘着性がない程度まで、加熱して溶媒を揮発させている状態を称し、加熱しなくても硬化せずに溶媒が揮発したのみの状態も含まれる。本実施形態において、半硬化状態（Ｂステージ）の最低溶融粘度は、通常、５０,０００Ｐａ・ｓ以下である。最低溶融粘度の下限は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上である。アンダーフィル材用として好適であることから、半硬化状態（Ｂステージ）の最低溶融粘度は、１Ｐａ・s以上１０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。なお、本実施形態において、溶融粘度は、次の方法で測定される。すなわち、ラミネータを用いて、樹脂組成物層を支持基材等に積層することにより厚み０．４～０．６ｍｍ程度の樹脂片を得て、この樹脂片をサンプルとして使用し、レオメータ（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製ＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳ６０（商品名））により、溶融粘度を測定する。測定には、プレート径８ｍｍのディスポーサブルパラレルプレートを使用し、４０℃から３００℃までの範囲において、昇温速度１０℃／分、周波数１０．０ｒａｄ／秒、及び歪０．１％の条件下で、樹脂片の溶融粘度を測定する。最低溶融粘度は、４０℃から３００℃までの範囲において、粘度が最も下がった時の粘度を意味する。

〔樹脂組成物の製造方法〕
本実施形態の樹脂組成物は、前述した組成を有するものが得られる限り、製造方法は特に限定されない。樹脂組成物は、例えば、化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）と、必要に応じて、樹脂（Ｃ）と、フラックス活性剤（Ｄ）と、無機充填材（Ｅ）と、硬化触媒（Ｆ）と、その他の成分とを、適宜混合することにより調製できる。必要に応じて、これらの成分を有機溶媒に溶解又は分散させたワニスの形態としてもよい。ワニスは、積層体を作製する際に好適に使用することができる。具体的な製造方法については、後述の積層体の製造方法、及び実施例を参考にできる。

有機溶媒は、本実施形態の樹脂組成物における各成分を好適に溶解又は分散させることができ、かつ、本実施形態の樹脂組成物の効果を損なわないものであれば特に限定されない。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、及びプロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン（以下、「ＭＥＫ」と略す場合がある。）、及びメチルイソブチルケトン等のケトン類；ジメチルアセトアミド、及びジメチルホルムアミド等のアミド類；トルエン、及びキシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。これらの有機溶媒は、１種を単独で又は２種以上を適宜混合して使用することができる。

［樹脂シート］
樹脂シートは、本実施形態の樹脂組成物を含む。具体的には、樹脂シートは、支持基材と、支持基材の片面又は両面に配された樹脂層と、を有し、樹脂層が、本実施形態の樹脂組成物を含む。この樹脂シートを積層樹脂シートとも称する。樹脂シートに係る樹脂層は、未硬化状態（Ａステージ）の樹脂組成物を支持基材に塗布後、半硬化状態（Ｂステージ）にさせたものであることが好ましい。このような樹脂シートの製造方法としては、一般にＢステージ化の樹脂層及び支持基材の複合体を製造する方法が好ましい。具体的には、未硬化状態（Ａステージ）の樹脂組成物をワニスの形態として、バーコーターなど公知の方法を用いて、このワニスを銅箔などの支持基材に塗布した後、１００～２００℃の乾燥機中で、１～６０分で加熱させる方法などにより半硬化（Ｂステージ化）させ、樹脂シートを製造する方法などが挙げられる。
なお、本実施形態において、未硬化状態（Ａステージ）とは、樹脂組成物がほぼ硬化しておらず、ゲル化していない状態を称する。樹脂シートに係る支持基材に塗布する前の樹脂組成物は、例えば、樹脂組成物の構成成分の混合物（溶媒を含んでも含まなくてもよい）、又は該混合物を溶媒に溶解又は分散させたワニスの形態であり、未硬化状態（Ａステージ）である。

支持基材としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、及びエチレンテトラフルオロエチレン共重合体フィルム、並びにポリイミドフィルム等の有機系のフィルム；これらのフィルムの表面に離型剤を塗布した離型フィルム；銅箔、及びアルミニウム箔等の導体箔；ガラス板、ＳＵＳ板、及びＦＲＰ等の板状のものが挙げられる。

塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶媒に溶解させた溶液を、バーコーター、ダイコーター、ドクターブレード、及びベーカーアプリケーター等で支持基材上に塗布する方法が挙げられる。

樹脂シートのうち、単層樹脂シートは、樹脂組成物をシート状に成形して得られる。単層樹脂シートの製造方法は、常法に従って行うことができ、特に限定されない。例えば、樹脂シートの製法において、樹脂組成物を溶媒に溶解させた溶液を支持基材上に塗布して乾燥させた後に、樹脂シートから支持基材を剥離又はエッチングする方法が挙げられる。なお、樹脂組成物を溶媒に溶解させた溶液を、シート状のキャビティを有する金型内に供給し乾燥する等してシート状に成形することで、支持基材を用いることなく単層樹脂シートを得ることもできる。

樹脂シート又は単層樹脂シートの作製において、溶媒を除去する際の乾燥条件は、特に限定されないが、低温であると樹脂組成物中に溶媒が残り易く、高温であると樹脂組成物の硬化が進行することから、２０～１７０℃の温度で１～９０分間が好ましい。

樹脂シート又は単層樹脂シートの樹脂層の厚みは、樹脂組成物の溶液の濃度と塗布の厚みにより調整することができ、特に限定されないが、一般的には塗布の厚みが厚くなると乾燥時に溶媒が残り易くなることから、０．１～５００μｍが好ましい。

樹脂シート又は単層樹脂シートは、例えば、半導体ウェハ及び半導体チップ搭載用基板における配線回路形成の際の材料として使用することができる。

［積層体］
本実施形態の樹脂組成物を支持基材上に塗布することにより、低ボイド性及びチップ接着性に優れる、樹脂組成物を含む層を有する積層体を得ることができる。本実施形態の積層体は、支持基材と、支持基材上に積層された本実施形態の樹脂組成物を含む層と、を備える。このような積層体は、本実施形態の樹脂組成物が、支持基材に添着されて得られる。支持基材としては、特に限定されないが、高分子フィルムを使用することができる。高分子フィルムの材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、及びエチレン－ビニルアルコール共重合体などのビニル系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリウレタン系樹脂；ポリイミド系樹脂；ポリアミド系樹脂等が挙げられる。支持基材としては、これらの樹脂等を含有するフィルム、並びにこれらのフィルムの表面に離型剤を塗布した離型フィルムが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、及びポリアミド系樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂を含有するフィルム、並びにこれらのフィルムの表面に離型剤を塗布した離型フィルムが好ましく、ポリエステル系樹脂の一種である、ポリエチレンテレフタレートを含有するフィルム、又はポリエチレンテレフタレートを含有するフィルムの表面に離型剤を塗布した離型フィルムがより好ましい。

支持基材の厚さは、特に限定されないが、積層体の製造がより容易である点、例えば、支持基材に樹脂組成物を塗布する場合の塗布厚のより良好な安定性と、積層体のより良好な搬送性の点から、１０～１００μｍであることが好ましい。支持基材の厚さの下限としては、積層体を製造する際の歩留りをより確保できる点から、１０μｍ以上であることがより好ましくは、２０μｍ以上であることがさらに好ましく、２５μｍ以上であることがさらにより好ましい。支持基材の厚さの上限としては、支持基材が最終的に半導体装置の構成部材として存在することなく、工程の途中で剥離される点と、積層体の製造コストの点から、８０μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。

支持基材上に、本実施形態の樹脂組成物を含む層（樹脂組成物層）を形成して本実施形態の積層体を製造する方法としては、特に限定されない。そのような製造方法としては、例えば、本実施形態の樹脂組成物を有機溶媒に溶解又は分散させたワニスを、支持基材の表面に塗布し、加熱、及び／又は減圧下で乾燥し、溶媒を除去して本実施形態の樹脂組成物を固化させ、樹脂組成物層を形成する手法が挙げられる。乾燥条件は、特に限定されないが、樹脂組成物層に対する有機溶媒の含有比率が、樹脂組成物層の総質量（１００質量部）に対して、通常１０質量部以下、好ましくは５質量部以下となるように乾燥させる。かかる乾燥を達成する条件は、ワニス中の有機溶媒の種類と配合量によっても異なる。例えば、化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、１０～１０００質量部のメチルエチルケトンを含むワニスの場合、１気圧下で９０～１６０℃の加熱条件下で２～１５分の乾燥が目安となる。本実施形態の積層体における樹脂組成物層の厚さは、特に限定されないが、樹脂組成物層の乾燥時に、比較的低分子量の揮発分をより良好に除去する観点、及び積層体としての機能をより有効かつ確実に奏する観点から、５～５００μｍの範囲が好適であり、１０～１００μｍの範囲がより好ましい。本実施形態の積層体の製造を行ったあと、保管等の目的で、別途、保護フィルムを積層体の支持基材のある面とは反対側の面に積層してもよい。

［樹脂組成物層付き半導体チップ、及び樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板］
本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップは、半導体チップと、その半導体チップに積層された本実施形態の樹脂組成物を含む層とを備える。また、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板は、半導体チップ搭載用基板と、その半導体チップ搭載用基板に積層された本実施形態の樹脂組成物を含む層とを備える。

本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップを作製する方法は、特に限定されないが、例えば、半導体ウェハの電極が形成された面、すなわち基板との接合が行われる面に、本実施形態の積層体の樹脂組成物層が対向するように貼り合わせ、積層体における支持基材を剥離し、その後、ダイシングソー等による個片化を行うことで、樹脂組成物層付き半導体チップを得ることができる。また、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板を作製する方法は、特に限定されないが、例えば、半導体チップ搭載用基板のチップ搭載側の面に、本実施形態の積層体の樹脂組成物層が対向するよう貼り合わせ、積層体における支持基材を剥離することで得られる。

本実施形態の積層体を半導体ウェハ又は半導体チップ搭載用基板に貼り合わせる方法としては、特に限定されないが、真空加圧式ラミネータを好適に使用することができる。この場合、本実施形態の積層体に対してゴム等の弾性体を介して加圧し、貼り合わせる方法が好ましい。ラミネート条件としては、当業界で一般に使用されている条件であれば、特に限定されないが、例えば、５０～１４０℃の温度、０．０１～１ＭＰａの範囲の圧力、並びに２０ｈＰａ以下の雰囲気減圧下で行われる。ラミネート工程の後に、金属板による熱プレスにより、貼り合わされた積層体の平滑化を行ってもよい。ラミネート工程、及び平滑化工程は、市販されている真空加圧式ラミネータによって連続的に行うことができる。半導体ウェハ又は半導体搭チップ載用基板に貼り付けられた積層体は、いずれの場合もチップのフリップチップ実装前までに支持基材の除去が行われる。

［半導体装置］
本実施形態の半導体装置は、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップ及び／又は本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板を備える。本実施形態の半導体装置を製造する方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップを半導体チップ搭載用基板に搭載する手法が挙げられる。また、本実施形態の樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板に、半導体チップを搭載してもよい。樹脂組成物層付き半導体チップを半導体チップ搭載用基板に搭載する方法、及び半導体チップを樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板に搭載する方法では、熱圧着工法に対応したフリップチップボンダを好適に使用することができる。また、本実施形態では半導体チップを半導体チップ搭載用基板にフリップチップ実装する場合を便宜的に説明しているが、半導体チップをフリップチップ実装しつつ、本実施形態の樹脂組成物を適用する対象は、半導体チップ搭載用基板以外とすることも可能である。例えば、本実施形態の樹脂組成物は、半導体ウェハ上へ半導体チップを搭載する際の半導体ウェハと半導体チップとの接合部や、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）等を経由して半導体チップ間接続を行うチップ積層体の、各半導体チップ間の接合部に使用することも可能であり、いずれの場合も本実施形態の効果を得ることができる。

以下、本実施形態を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本実施形態は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。

［樹脂組成物及び積層体の作製］
（実施例１）
化合物（Ｂ）として、ＭＩＺ－００１（商品名、日本化薬（株）製）８７．５質量部、ビス－（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン（ＢＭＩ－７０（商品名）、ケイ・アイ化成（株）製）１２．５質量部、アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）として、フェノライト（登録商標）ＬＡ－１３５６（商品名、ＤＩＣ（株）製、重量平均分子量：１，５００、窒素含有量：１９質量％、ヒドロキシ基当量：１４６ｇ／ｅｑ．、不揮発分：６０質量％）４１．７質量部（不揮発分換算で２５質量部）、フラックス活性剤（Ｄ）として、ロジン変性マレイン酸樹脂（マルキードＮｏ．３２（商品名）、荒川化学工業（株）製）５０質量部、無機充填材（Ｅ）として、スラリーシリカ（Ｙ５０ＳＺ－ＡＭ１（商品名）、（株）アドマテックス製、フェニルアミノシラン表面処理シリカ、固形分５０質量％、分散媒：ＭＥＫ、平均粒子径：５０ｎｍ）２２５質量部（不揮発分換算で１１２．５質量部）、化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）０．２８質量部（純度換算で０．２５質量部）、硬化触媒（Ｆ）として、２－エチル－４－メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業（株）製）３．７５質量部と、を混合し、６０℃の湯浴中で高速攪拌装置を用いて４０分間撹拌し、その後、ＭＥＫを添加することで、固形分濃度が６０質量％のワニスを得た。このワニスを、表面に離型剤がコートされた厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＴＲ１－３８（商品名、支持基材）、ユニチカ（株））に塗布し、１００℃で５分間加熱乾燥して、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（実施例２）
化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）の配合量を１．３９質量部（純度換算で１．２５質量部）に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、実施例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（実施例３）
化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）の配合量を８．３３質量部（純度換算で７．５０質量部）に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、実施例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（実施例４）
化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）の配合量を１３．９質量部（純度換算で１２．５質量部）に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、実施例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（実施例５）
化合物（Ｂ）として、ＭＩＺ－００１（商品名、日本化薬（株）製）５０．０質量部、ビス－（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン（ＢＭＩ－７０（商品名）、ケイ・アイ化成（株）製）２５．０質量部、ＢＭＣＸ４２６（商品名、群栄化学工業（株）製）２５．０質量部、フラックス活性剤（Ｄ）として、デヒドロアビエチン酸（東京化成工業（株）製）２０．０質量部、無機充填材（Ｅ）として、スラリーシリカ（Ｙ５０ＳＺ－ＡＭ１（商品名）、（株）アドマテックス製、フェニルアミノシラン表面処理シリカ、固形分５０質量％、分散媒：ＭＥＫ、平均粒子径：５０ｎｍ）２００質量部（不揮発分換算で１００質量部）、化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）６．６７質量部（純度換算で６．００質量部）と、を混合し、６０℃の湯浴中で高速攪拌装置を用いて４０分間撹拌し、その後、ＭＥＫを添加することで、固形分濃度が６０質量％のワニスを得た。このワニスを、表面に離型剤がコートされた厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＴＲ１－３８（商品名、支持基材）、ユニチカ（株））に塗布し、１００℃で５分間加熱乾燥して、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（比較例１）
化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）を配合しなかった以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、実施例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（比較例２）
化合物（Ａ）として、２，３－ジメチル－２，３－ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ－９０（商品名）、日本油脂（株）製、純度９０％）の配合量を２０．８質量部（純度換算で１８．７質量部）に変更した以外は、実施例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、実施例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（比較例３）
α, α’－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（パーブチル（登録商標）Ｐ、日本油脂（株）製）１．２５質量部を配合した以外は、比較例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、比較例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（比較例４）
１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド（パーオクタ（登録商標）Ｈ、日本油脂（株）製、純度９０％）１．３９質量部（純度換算で１．２５質量部）を配合した以外は、比較例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、比較例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

（比較例５）
４，４’－ジアミノ－１，２－ジフェニルエタン（東京化成工業（株）製）１．２５質量部を配合した以外は、比較例１と同様にしてワニスを調製した。このワニスを用いて、比較例１と同様にして、樹脂組成物層の厚さが３５μｍである積層体を得た。

［積層体の評価］
実施例及び比較例で得られた積層体を用いて、次の評価を行った。それらの結果を表１に示す。

（１）実装後のボイド
得られた積層体を８ｍｍ×８ｍｍの正方形に切断した。切断された積層体は、半導体チップ搭載用基板（（株）ウォルツ製ＷＡＬＴＳ－ＫＩＴ ＣＣ８０（Ｗ）－０１０５ＪＹ（商品名））のパッド部分における１５μｍの銅回路面に対して、切断後の積層体における樹脂組成物層が接するように、ダイヤフラム式真空ラミネータ（Ｖ－１３０（商品名）、ニッコー・マテリアルズ（株）製）を用いて、真空引き時間３０秒間、温度６０℃、圧力０．５ＭＰａ、加圧時間６０秒間の条件で積層した。その後、積層体におけるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した。次いで、フリップチップボンダ（ＬＦＢ－２３０１（商品名）、（株）新川製）を用いて、ステージ温度１２０℃、ボンドヘッド温度１２０℃、荷重５０Ｎ、時間１秒間の条件で、半導体チップの銅とはんだで構成されるＣｕピラーを電極に持つ面と、樹脂組成物層の剥離面が接するように配置して熱圧着し、１時間待機後、ボンドヘッド温度２６０℃、荷重５０Ｎ、時間４秒間の条件でさらに熱圧着して実装して、評価用サンプルを得た。実装後の評価用サンプル（半導体チップ／樹脂組成物層／半導体チップ搭載用基板）を超音波精密探傷画像処理装置（μ－ＳＤＳ（商品名）、(株)ＫＪＴＤ製）を用いて画像データを取得し、半導体チップ実装部の範囲における樹脂組成物層のボイドの有無を該画像データから確認した。
ボイドが確認できた部分が占める面積の割合が、半導体チップ実装部の範囲における樹脂組成物層が占める面積の全体に対して、２０％未満の場合を「Ａ」とし、２０％以上４０％未満の場合を「Ｂ」とし、４０％以上の場合を「Ｃ」として評価した。

（２）ポストキュア後のボイド
得られた積層体を８ｍｍ×８ｍｍの正方形に切断した。切断された積層体は、半導体チップ搭載用基板（（株）ウォルツ製ＷＡＬＴＳ－ＫＩＴ ＣＣ８０（Ｗ）－０１０５ＪＹ（商品名））のパッド部分における１５μｍの銅回路面に対して、切断後の積層体における樹脂組成物層が接するように、ダイヤフラム式真空ラミネータ（Ｖ－１３０（商品名）、ニッコー・マテリアルズ（株）製）を用いて、真空引き時間３０秒間、温度６０℃、圧力０．５ＭＰａ、加圧時間６０秒間の条件で積層した。その後、積層体におけるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した。次いで、フリップチップボンダ（ＬＦＢ－２３０１（商品名）、（株）新川製）を用いて、ステージ温度１２０℃、ボンドヘッド温度１２０℃、荷重５０Ｎ、時間１秒間の条件で、半導体チップの銅とはんだで構成されるＣｕピラーを電極に持つ面と、樹脂組成物層の剥離面が接するように配置して熱圧着し、１時間待機後、ボンドヘッド温度２６０℃、荷重５０Ｎ、時間４秒間の条件でさらに熱圧着して実装した。実装後、真空加圧オーブン（ＥＬＴ－ＰＩＳ（商品名）、ＫｅｙＬｉｎｋ製）を用いて、圧力８ｋｇｆ／ｃｍ^２、温度１８０℃にて２時間加熱処理して、硬化させて、評価用サンプルを得た。硬化後の評価用サンプル（半導体チップ／樹脂組成物層／半導体チップ搭載用基板）を超音波精密探傷画像処理装置（μ－ＳＤＳ（商品名）、(株)ＫＪＴＤ製）を用いて画像データを取得し、半導体チップ実装部の範囲における樹脂組成物層のボイドの有無を該画像データから確認した。
ボイドが確認できなかった場合を「Ａ」とし、半導体チップ実装部の範囲における樹脂組成物層の一部にボイドが確認された場合を「Ｂ」とし、半導体チップ実装部の範囲における樹脂組成物層全面にボイドが確認された場合を「Ｃ」として評価した。

（３）接着性
得られた積層体を８ｍｍ×８ｍｍの正方形に切断した。切断された積層体は、半導体チップ搭載用基板（（株）ウォルツ製ＷＡＬＴＳ－ＫＩＴ ＣＣ８０（Ｗ）－０１０５ＪＹ（商品名））のパッド部分における１５μｍの銅回路面に対して、切断後の積層体における樹脂組成物層が接するように、ダイヤフラム式真空ラミネータ（Ｖ－１３０（商品名）、ニッコー・マテリアルズ（株）製）を用いて、真空引き時間３０秒間、温度６０℃、圧力０．５ＭＰａ、加圧時間６０秒間の条件で積層した。その後、積層体におけるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した。次いで、フリップチップボンダ（ＬＦＢ－２３０１（商品名）、（株）新川製）を用いて、ステージ温度１２０℃、ボンドヘッド温度１２０℃、荷重５０Ｎ、時間１秒間の条件で、半導体チップの銅とはんだで構成されるＣｕピラーを電極に持つ面と、樹脂組成物層の剥離面が接するように配置して熱圧着し、１時間待機後、ボンドヘッド温度２６０℃、荷重５０Ｎ、時間４秒間の条件でさらに熱圧着して実装した。実装後、真空加圧オーブン（ＥＬＴ－ＰＩＳ（商品名）、ＫｅｙＬｉｎｋ製）を用いて、圧力８ｋｇｆ／ｃｍ^２、温度１８０℃にて２時間加熱処理して、硬化させ、サンプルＡを得た。硬化後のサンプルＡを乾燥機（ＥＳＰＥＣ製ＳＰＨＨ－２０１（商品名））を用いて、温度１２５℃にて２４時間加熱処理し乾燥させ、恒温恒湿槽（ＦＸ２２４Ｃ（商品名）、楠本化成（株）製）を用いて、温度３０℃、相対湿度６０％、加湿時間１９２時間の条件にて加湿処理を行い、リフロー装置（ＴＮＶ５０－５６８ＥＭ－Ｐ（商品名）、（株）タムラ製作所製）を用いて、温度プロファイルはＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ－ＳＴＤ－０２０に準拠し加熱処理を行い、サンプルＢとした。加熱処理後のサンプルＢ（半導体チップ／樹脂組成物層／半導体チップ搭載用基板）を回転式研磨装置(装置名：ＭｅｔａＳｅｒｖ（登録商標）３０００（商品名）、ビューラー社製)を用いて半導体チップのみを除去し、樹脂組成物層と半導体チップ搭載用基板との積層体（Ａ）を得た。積層体（Ａ）において、樹脂組成物層の表面を目視にて観察し、半導体チップ由来の配線層が該樹脂組成物層の表面に付着されているか否かで、剥離の状況を確認した。
樹脂組成物層の全面に配線層が付着されている場合、剥離が発生していないとして、「Ａ」として評価した。樹脂組成物層の一部のみに配線層が付着されている場合（即ち、樹脂組成物層に配線層が付着されていない部分が存在する場合）、剥離が少し発生しているとして、「Ｂ」として評価した。半導体チップの除去作業中に、半導体チップが樹脂組成物層から欠落した場合、剥離が発生しているとして、「Ｃ」として評価した。
なお、評価がＡの場合、半導体チップが樹脂組成物層から欠落せず、チップ接着性が非常に優れていることから、絶縁信頼性が非常に高い積層体と評価される。評価がＢの場合、チップ接着性の評価では一部剥離が発生しているが、半導体装置としては問題なく稼働することから、チップ接着性は良好であり、絶縁信頼性は高い積層体と評価される。また、表１において、半導体チップ実装後において、半導体チップと樹脂組成物層との間にボイドが多く、半導体チップと樹脂組成物層とが接着していない部分が多いことによって、チップ接着性が評価できない場合、「Ｅ」と記載した。

本実施形態の樹脂組成物は、低ボイド性及びチップ接着性に優れることから、積層体、樹脂組成物層付き半導体チップ、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板、及び半導体装置の材料として好適に用いられる。樹脂組成物は、アンダーフィル材として好適であり、プリアプライドアンダーフィル材としてより好適である。

Claims (21)

1. 下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、
   マレイミド化合物及びシトラコンイミド化合物からなる群より選択される１種以上の化合物（Ｂ）と、を含み、
   前記化合物（Ａ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．０１～１５質量部である、樹脂組成物。
   （式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、又はフェニル基を示し、Ｒ_５及びＲ_６は、各々独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ニトリル基、ニトロ基、又はエポキシ基を示し、ｎ^１は、１～５の整数を示す。）
2. 前記式（１）中、Ｒ_５及びＲ_６が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１～５のアルキル基である、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. 前記化合物（Ｂ）が、化合物（Ｂ１）と、化合物（Ｂ２）と、を含み、
   前記化合物（Ｂ１）が、重量平均分子量が３，０００以上９，５００以下のマレイミド化合物（ＢＡ－１）及び重量平均分子量が３，０００以上９，５００以下のシトラコンイミド化合物（ＢＢ－１）からなる群より選択される１種以上であり、
   前記化合物（Ｂ２）が、重量平均分子量が３００以上３，０００未満のマレイミド化合物（ＢＡ－２）及び重量平均分子量が３００以上３，０００未満のシトラコンイミド化合物（ＢＢ－２）からなる群より選択される１種以上であり、
   各前記重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法により求められる標準ポリスチレン換算の値である、請求項２に記載の樹脂組成物。
4. 前記化合物（Ｂ１）の含有量が、前記化合物（Ｂ１）と前記化合物（Ｂ２）との合計１００質量部に対して、３０～９９質量部であり、
   前記化合物（Ｂ２）の含有量が、前記化合物（Ｂ１）と前記化合物（Ｂ２）との合計１００質量部に対して、１～７０質量部である、請求項３に記載の樹脂組成物。
5. アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）をさらに含む、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
6. 前記アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）が、下記式（２）で表される化合物及び下記式（３）で表される化合物からなる群より選択される１種以上を含む、請求項５に記載の樹脂組成物。
   （式（２）中、Ｒ_７は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｎ^２、ｎ^３、及びｎ^４は、各々独立に、０～１０の整数を示し、（ｎ^２＋ｎ^３＋ｎ^４）は、１～２０の整数を示す。）
   （式（３）中、Ｒ_８は、各々独立に、水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８、及びｎ^９は、各々独立に、０～１０の整数を示し、（ｎ^５＋ｎ^６＋ｎ^７＋ｎ^８＋ｎ^９）は、１～２０の整数を示す。）
7. 前記アミノトリアジンノボラック樹脂（Ｃ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、０．１～６０質量部である、請求項５又は請求項６に記載の樹脂組成物。
8. フラックス活性剤（Ｄ）をさらに含む、請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
9. 前記フラックス活性剤（Ｄ)が、ロジン系樹脂を含む、請求項８に記載の樹脂組成物。
10. 無機充填材（Ｅ）をさらに含む、請求項１～請求項９のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
11. 前記無機充填材（Ｅ）が、シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、ベーマイト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、及び水酸化マグネシウムからなる群より選択される１種以上を含む、請求項１０に記載の樹脂組成物。
12. 前記無機充填材（Ｅ）の平均粒子径が、３μｍ以下である、請求項１０又は請求項１１に記載の樹脂組成物。
13. 前記無機充填材（Ｅ）の含有量が、前記化合物（Ｂ）の総量１００質量部に対して、１０～５００質量部である、請求項１０～請求項１２のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
14. 硬化触媒（Ｆ)をさらに含む、請求項１～請求項１３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
15. 前記硬化触媒（Ｆ）が、イミダゾール化合物を含む、請求項１４に記載の樹脂組成物。
16. アンダーフィル材用である、請求項１～請求項１５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
17. 支持基材と、
    前記支持基材上に積層された、請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む層と、
    を備える、積層体。
18. 前記樹脂組成物を含む層の厚さが、５～５００μｍである、請求項１７に記載の積層体。
19. 半導体チップと、
    前記半導体チップに積層された、請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む層と、
    を備える、樹脂組成物層付き半導体チップ。
20. 半導体チップ搭載用基板と、
    前記半導体チップ搭載用基板に積層された、請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む層と、
    を備える、樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板。
21. 請求項１９に記載の樹脂組成物層付き半導体チップ及び／又は請求項２０に記載の樹脂組成物層付き半導体チップ搭載用基板を備える、半導体装置。