KR20220029549A

KR20220029549A - 결정화 인듐주석 복합 산화물막, 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20220029549A
Application number: KR1020217037014A
Authority: KR
Inventors: 쇼야 다케시타; 히데히코 안도
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2019-06-27
Filing date: 2020-06-12
Publication date: 2022-03-08
Also published as: JPWO2020262047A1; TW202105416A; CN114040842A; WO2020262047A1

Abstract

결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 35 ㎚ 이상의 두께를 갖는다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 평균 입경이 110 ㎚ 이상인 결정립을 함유한다.

Description

결정화 인듐주석 복합 산화물막, 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법

본 발명은, 결정화 인듐주석 복합 산화물막, 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막, 그것을 구비하는 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 투명 도전성 필름은, 투명 플라스틱 필름 기재 상에, 결정질의 산화인듐을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비하는 것이 알려져 있다. 결정질의 투명 도전막은, 통상적으로, 복수의 결정립 (그레인) 을 함유한다.

예를 들어, 두께가 20 ㎚, 평균 결정 입경 (그레인의 평균 입경) 이 130 ㎚인 투명 도전막이 제안되어 있다 (예를 들어, 하기 특허문헌 1 의 실시예 6 참조.).

일본 공개특허공보 2010-28275호

최근, 투명 도전막에는, 보다 낮은 표면 저항이 요구된다. 그 때문에, 투명 도전막을 두껍게 하는 것이 시안된다.

그러나, 투명 도전막이 두꺼워지면, 평균 결정 입경이 작아진다. 그러면, 내약품성이 저하된다는 문제가 있다.

본 발명은, 낮은 표면 저항을 가지면서, 내약품성이 우수한 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법을 제공한다.

본 발명 (1) 은, 35 ㎚ 이상의 두께를 갖고, 평균 입경이 110 ㎚ 이상인 결정립을 함유하는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 포함한다.

이 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 두께가 35 ㎚ 로 두껍기 때문에, 낮은 표면 저항을 갖는다.

또, 이 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 110 ㎚ 이상으로 큰 평균 입경인 결정립을 함유하기 때문에, 내약품성이 우수하다.

그 때문에, 이 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 낮은 표면 저항을 가지면서, 내약품성이 우수하다.

본 발명 (2) 는, 산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 영역을 포함하는, (1) 에 기재된 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 포함한다.

이 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 낮게 할 수 있다.

본 발명 (3) 은, 투명 필름 기재와, 상기 필름 기재의 두께 방향 일방면에 배치되고, (1) 또는 (2) 에 기재된 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 구비하는, 투명 도전성 필름을 포함한다.

이 투명 도전성 필름은, 상기한 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 구비하기 때문에, 낮은 표면 저항을 가지면서, 내약품성이 우수하다.

본 발명 (4) 는, 상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면은, 1.0 ㎚ 이하의 산술 평균 조도 Ra 를 갖는, (3) 에 기재된 투명 도전성 필름을 포함한다.

이 투명 도전성 필름에서는, 투명 필름 기재의 두께 방향 일방면이, 1.0 ㎚ 이하로 작은 산술 평균 조도 Ra 를 가지므로, 투명 필름 기재의 두께 방향 일방면에 배치되는 비정질 인듐주석 복합 산화물막에 있어서 결정 성장의 저해를 억제할 수 있다. 그 때문에, 결정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서 평균 입경이 큰 결정립을 형성할 수 있다. 그 결과, 투명 도전성 필름의 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 내약품성이 우수하다.

본 발명 (5) 는, (2) 또는 (3) 에 기재된 투명 도전성 필름을 제조하는 방법이며, 상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면에 스퍼터링함으로써, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 1 공정과, 상기 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 2 공정을 구비하고, 상기 제 1 공정에서는, 분압 0.4 ㎩ 이상의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링을 실시하는, 투명 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.

이 투명 도전성 필름의 제조 방법의 제 1 공정에서는, 0.4 ㎩ 이상으로 높은 분압의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링하므로, 평균 입경이 큰 결정립을 형성할 수 있다. 그 결과, 내약품성이 우수한 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 구비하는 투명 도전성 필름을 제조할 수 있다.

본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 낮은 표면 저항을 가지면서, 내약품성이 우수하다.

도 1 은, 본 발명의 결정화 인듐주석 복합 산화물막 및 투명 도전성 필름의 일 실시형태의 단면도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 투명 도전성 필름의 변형예의 단면도이다.
도 3A ∼ 도 3B 는, 실시예의 평가에 있어서의 SEM 사진의 화상 처리도이며, 도 3A 가 실시예 1, 도 3B 가 비교예 2 를 나타낸다.

＜일 실시형태＞

[결정화 인듐주석 복합 산화물막]

본 발명의 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 일 실시형태를 설명한다.

이 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 두께 방향으로 대향하는 일방면 및 타방면을 갖는다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 두께 방향으로 직교하는 면 방향으로 연장되는 막 형상을 갖는다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께는, 35 ㎚ 이상이다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께가 상기 하한을 하회하면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 낮게 할 수 없다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께는, 바람직하게는 38 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 40 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 45 ㎚ 이상, 특히 바람직하게는 50 ㎚ 이상, 가장 바람직하게는 55 ㎚ 이상, 나아가서는, 60 ㎚ 이상, 70 ㎚ 이상, 80 ㎚ 이상, 100 ㎚ 이상, 125 ㎚ 이상, 150 ㎚ 이상이 적합하다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께가 상기한 하한 이상이면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 충분히 낮게 할 수 있다.

또한, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께의 상한은, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 낮게 하는 관점에서, 특별히 한정되지 않는다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께는, 통상적으로 1000 ㎚ 이하이며, 또, 500 ㎚ 이하이다.

이 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 결정립 (그레인) 을 함유한다. 결정립 (도 3A 에 있어서의 부호 9 참조) 은, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 중에, 복수 존재한다. 또, 복수의 결정립은, 예를 들어, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 면 방향 전체 및 두께 방향 전체에 걸쳐서 존재한다. 복수의 결정립의 각각은, 결정립계 (도 3A 에 있어서의 부호 10 참조) 에 의해, 구획된다.

결정립의 평균 입경은, 110 ㎚ 이상이다.

또한, 결정립의 평균 입경은, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께 방향 일방면을 SEM 관찰했을 때의 결정립의 평균 입경으로서, 그 측정 방법의 상세한 내용은, 뒤의 실시예에서 상세히 서술된다.

도 3B 가 참조되는 바와 같이, 결정립 (9) 의 평균 입경이 상기 하한을 하회하면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 에 있어서의 결정립계 (10) 의 단위면적당의 점유율이 과도하게 증대한다. 그러면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 두께 방향 일방면이 액상의 약품에 노출되어, 상기한 결정립계 (10) 가 약품의 침입 경로의 입구가 될 때에, 이 입구의 단위면적당의 점유율도 증대하기 때문에, 내약품이 현저하게 저하된다.

결정립의 평균 입경은, 바람직하게는 130 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 150 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 170 ㎚ 이상, 특히 바람직하게는 200 ㎚ 이상, 가장 바람직하게는 250 ㎚ 이상, 나아가서는, 300 ㎚ 이상, 400 ㎚ 이상, 450 ㎚ 이상이 바람직하다. 결정립의 평균 입경이 상기한 하한 이상이면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 내약품의 저하를 충분히 억제할 수 있다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 재료는, 결정질의 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 이다. ITO 는, 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 필수 성분으로서 포함하는 복합 산화물이다. 구체적으로는, ITO 는, 산화주석 (SnO₂) 및 산화인듐 (In₂O₃) 을 주성분으로서 함유한다.

산화주석의 함유 비율은, 산화주석 및 산화인듐의 합계량에 대하여, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 8 질량％ 이상, 특히 바람직하게는 9 질량％ 이상이며, 또, 예를 들어, 20 질량％ 이하, 바람직하게는 15 질량％ 이하이다.

산화주석의 함유 비율이 상기한 하한 이상이면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 낮게 할 수 있다. 산화주석의 함유 비율이 상기한 상한 이하이면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 강도가 우수하다.

산화인듐의 함유 비율은, 상기한 합계량에 있어서의 산화주석의 함유 비율의 잔부이다. 또한, ITO 는, 주성분 (필수 성분) 이외의 추가 성분, 구체적으로는, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등의 추가 성분을 함유할 수도 있다.

또, 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 영역을 포함할 수 있다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막이 산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 영역을 포함하는 경우에는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 낮출 수 있다.

예를 들어, 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 영역의 일례로서의 제 1 영역 (부호 11 참조) 과, 제 1 영역에 있어서의 산화주석의 비율보다 낮은 산화주석의 비율인 제 2 영역 (부호 12 참조) 을 포함한다. 구체적으로는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 층상의 제 1 영역과, 제 1 영역의 두께 방향 일방면에 배치되는 층상의 제 2 영역을 차례로 포함한다. 또한, 제 1 영역 및 제 2 영역의 경계는, 측정 장치에 의한 관찰로 확인되지 않고, 불명료한 것이 허용된다. 또한, 이 결정화 인듐주석 복합 산화물막에서는, 두께 방향 일방면으로부터 타방면을 향하여 산화주석 농도가 점차 높아지는 농도 구배를 가져도 된다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막이 상기한 제 1 영역에 더하여, 제 2 영역을 포함하는 경우에는, 그 영역의 비율 조정에 따라 원하는 결정화 속도를 얻는 것을 할 수 있다.

제 1 영역에 있어서의 산화주석의 비율은, 바람직하게는 9 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 10 질량％ 이상이며, 또, 20 질량％ 이하이다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께에 있어서의 제 1 영역의 두께의 비율은, 예를 들어, 50 ％ 초과, 바람직하게는 70 ％ 이상, 보다 바람직하게는 80 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 제 1 영역의 두께의 비율이 상기한 하한 이상이면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 산화주석의 비율을 높게 할 수 있고, 그 때문에, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항을 충분히 낮게 할 수 있다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께에 있어서의 제 1 영역의 두께의 비율은, 예를 들어, 99 ％ 이하, 바람직하게는 97 ％ 이하이다.

제 2 영역에 있어서의 산화주석의 비율은, 예를 들어, 8 질량％ 미만, 바람직하게는 7 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 4 질량％ 이하이며, 또, 예를 들어, 1 질량％ 이상, 바람직하게는 2 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 3 질량％ 이상이다.

제 2 영역에 있어서의 산화주석의 비율에 대한, 제 1 영역에 있어서의 산화주석의 비율의 비 (제 1 영역에 있어서의 산화주석의 비율/제 2 영역에 있어서의 산화주석의 비율) 는, 예를 들어, 1.5 이상, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 2.5 이상이며, 또, 예를 들어, 5 이하, 바람직하게는 4 이하이다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막, 제 1 영역 및 제 2 영역의 각각에 있어서의 산화주석 농도는, X 선 광 전자 분광법에 의해 측정된다. 또는, 산화주석의 함유 비율은, 비정질 인듐주석 복합 산화물막을 스퍼터링으로 형성할 때에 사용되는 타깃의 성분 (이미 알려져 있음) 으로부터 추측할 수도 있다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항은, 예를 들어, 60 Ω/□ 이하, 바람직하게는 50 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 45 Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 40 Ω/□ 이하, 특히 바람직하게는 30 Ω/□ 이하, 가장 바람직하게는 20 Ω/□ 이하이다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항이 상기한 상한 이하이면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 패터닝하여 전극으로서 사용될 때에, 우수한 전기 특성을 발현할 수 있다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항의 하한은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항은, 통상적으로, 0 Ω/□ 초과, 또, 1 Ω/□ 이상이다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항은, 사단자법에 의해 측정된다.

또한, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께 방향 타방면의 산술 평균 조도 Ra 는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께 방향 타방면이, 다음으로 설명하는 투명 필름 기재의 두께 방향 일방면에 밀착하여 추종하기 때문에, 예를 들어, 투명 필름 기재의 두께 방향 타방면의 산술 평균 조도 Ra 와 동일하다. 구체적으로는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께 방향 타방면의 산술 평균 조도 Ra 는, 예를 들어, 2 ㎚ 이하, 바람직하게는 1 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 0.75 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎚ 이하이며, 또, 예를 들어, 0.001 ㎚ 이상이다.

[투명 도전성 필름]

다음으로, 상기한 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 구비하는 투명 도전성 필름을, 도 1 을 참조하여 설명한다.

투명 도전성 필름 (3) 은, 면 방향으로 연장되는 필름 형상을 갖는다. 투명 도전성 필름 (3) 은, 투명 필름 기재 (2) 와, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을, 두께 방향 일방측을 향하여 차례로 구비한다. 투명 도전성 필름 (3) 은, 투명 필름 기재 (2) 와, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 배치되는 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 구비한다. 바람직하게는 투명 도전성 필름 (3) 은, 투명 필름 기재 (2) 와, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 만을 구비한다.

투명 필름 기재 (2) 는, 투명 도전성 필름 (3) 의 외형 형상을 이룬다. 투명 필름 기재 (2) 는, 투명하다. 투명 필름 기재 (2) 는, 예를 들어, 안티 블로킹층 (5) 과, 투명 필름 (6) 과, 하드 코트층 (7) 과, 광학 조정층 (8) 을, 두께 방향 일방측을 향하여 차례로 구비한다. 투명 필름 기재 (2) 는, 안티 블로킹층 (5) 과, 안티 블로킹층 (5) 의 두께 방향 일방면에 배치되는 투명 필름 (6) 과, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 일방면에 배치되는 하드 코트층 (7) 과, 하드 코트층 (7) 의 두께 방향 일방면에 배치되는 광학 조정층 (8) 을 구비한다. 바람직하게는 투명 필름 기재 (2) 는, 안티 블로킹층 (5) 과, 투명 필름 (6) 과, 하드 코트층 (7) 과, 광학 조정층 (8) 만을 구비한다.

안티 블로킹층 (5) 은, 투명 도전성 필름 (3) 을 두께 방향으로 적층했을 경우 등에, 서로 접촉하는 복수의 투명 도전성 필름 (3) 의 각각의 표면에 내블로킹성을 부여한다. 안티 블로킹층 (5) 의 재료는, 예를 들어, 안티 블로킹 조성물이다. 안티 블로킹 조성물로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2016-179686호에 기재된 혼합물 등을 들 수 있다. 혼합물은, 예를 들어, 아크릴 수지 등의 수지 (바인더 수지) 와, 무기 및/또는 유기의 입자 (바람직하게는 폴리스티렌 등의 유기의 입자) 를 함유한다. 안티 블로킹층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하이다.

투명 필름 (6) 은, 투명 필름 기재 (2) 에 있어서의 필수 층이다. 투명 필름 (6) 은, 투명 도전성 필름 (3) 의 기계 강도를 확보하기 위한 투명 기재이다. 투명 필름 (6) 은, 필름 형상을 갖고 있으며, 면 방향으로 연장된다. 투명 필름 (6) 은, 안티 블로킹층 (5) 의 두께 방향 일방면에 접촉하고 있다. 투명 필름 (6) 의 재료로는, 예를 들어, 시클로올레핀 수지 (COP), 폴리에스테르 수지 (폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등) 등의 수지를 들 수 있다. 바람직하게는 시클로올레핀 수지를 들 수 있다. 또, 투명 필름 (6) 은, 등방성 또는 복굴절성을 갖는다. 투명 필름 기재 (2) 는, 바람직하게는 등방성을 갖는다. 투명 필름 기재 (2) 의 면내 방향의 복굴절률은, 예를 들어, 100 이하, 바람직하게는 50 이하이며, 또, 예를 들어, 0 이상이다. 투명 필름 (6) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 100 ㎛ 이하이다.

하드 코트층 (7) 은, 투명 도전성 필름 (3) 에 찰상을 잘 발생시키지 않게 하기 위한 찰상 보호층이다. 하드 코트층 (7) 은, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 일방면에 접촉하고 있다. 하드 코트층 (7) 의 재료는, 예를 들어, 하드 코트 조성물이다. 하드 코트 조성물로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2016-179686호에 기재된 혼합물 등을 들 수 있다. 혼합물은, 예를 들어, 아크릴 수지, 우레탄 수지 등의 수지 (바인더 수지) 를 함유한다. 하드 코트층 (7) 의 두께는, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하이다.

광학 조정층 (8) 은, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 으로부터 형성되는 패턴의 시인을 억제하여, 투명 도전성 필름 (3) 의 광학 물성 (구체적으로는, 굴절률) 을 조정하는 층이다. 광학 조정층 (8) 은, 하드 코트층 (7) 의 두께 방향 일방면에 접촉하고 있다. 광학 조정층 (8) 의 재료는, 예를 들어, 광학 조정 조성물이다. 광학 조정 조성물로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2016-179686호에 기재된 혼합물 등을 들 수 있다. 혼합물은, 예를 들어, 아크릴 수지 등의 수지 (바인더 수지) 와, 무기 및/또는 유기의 입자 (바람직하게는 지르코니아 등의 무기의 입자) 를 함유한다. 광학 조정층 (8) 의 두께는, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 1 ㎛ 이하이다.

광학 조정층 (8) 의 두께 방향 일방면의 산술 평균 조도 Ra 는, 예를 들어, 2 ㎚ 이하, 바람직하게는 1 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 0.75 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎚ 이하이며, 또, 예를 들어, 0.001 ㎚ 이상이다. 광학 조정층 (8) 의 두께 방향 일방면의 산술 평균 조도 Ra 는, JIS B0681-6 (2017) 에 따라서, 구해진다.

투명 필름 기재 (2) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 100 ㎛ 이하이다. 투명 필름 기재 (2) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상이며, 또, 예를 들어, 99 ％ 이하이다.

투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면의 산술 평균 조도 Ra 는, 상기한 광학 조정층 (8) 의 산술 평균 조도 Ra 와 동일하다.

투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면의 산술 평균 조도 Ra 가, 상기한 상한 이하이면, 비정질 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 형성할 때에, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 접촉하는 면, 즉, 비정질 인듐주석 복합 산화물막의 두께 방향 타방면으로부터 두께 방향 일방측을 향하는 결정립의 성장을 촉진시킬 수 있다. 그 때문에, 결정립의 평균 입경을 크게 할 수 있다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 접촉하고 있다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 두께 방향 일방면은, 두께 방향 일방측을 향하여 노출한다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 두께 방향 타방면은, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 밀착 (접촉) 한다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 두께 방향 타방면에 있어서의 산술 평균 조도 Ra 는, 상기한 바와 같이, 예를 들어, 2 ㎚ 이하, 바람직하게는 1 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 0.75 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎚ 이하이며, 또, 예를 들어, 0.001 ㎚ 이상이다.

투명 도전성 필름 (3) 의 두께는, 예를 들어, 15 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 120 ㎛ 이하이다. 투명 도전성 필름 (3) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상이며, 또, 예를 들어, 99 ％ 이하이다.

[투명 도전성 필름의 제조 방법]

다음으로, 투명 도전성 필름의 제조 방법을 설명한다.

투명 도전성 필름 (3) 의 제조 방법은, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 스퍼터링함으로써, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 1 공정과, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 형성하는 제 2 공정을 구비한다. 또, 이 제조 방법에서는, 각 층을, 예를 들어, 롤 투 롤 방식으로, 차례로 배치한다.

제 1 공정에서는, 먼저, 투명 필름 기재 (2) 를 준비한다.

예를 들어, 투명 필름 (6) 을 준비한다. 계속해서, 투명 필름 (6) 에 대하여, 하드 코트층 (7), 안티 블로킹층 (5) 및 광학 조정층 (8) 을 배치한다.

구체적으로는, 먼저, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 양면의 각각에, 하드 코트 조성물의 희석액 및 안티 블로킹 조성물의 희석액 각각을 도포하고, 건조 후, 자외선 조사에 의해, 하드 코트 조성물 및 안티 블로킹 조성물 각각을 경화시킨다. 이에 따라, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 양면의 각각에, 하드 코트층 (7) 및 안티 블로킹층 (5) 각각을 형성한다. 그 후, 광학 조정 조성물의 희석액을, 하드 코트층 (7) 의 두께 방향 일방면에 도포하고, 건조 후, 자외선 조사에 의해, 광학 조정 조성물을 경화시킨다. 이에 따라, 광학 조정층 (8) 을 형성한다. 이에 따라, 안티 블로킹층 (5), 투명 필름 (6), 하드 코트층 (7) 및 광학 조정층 (8) 을 두께 방향 일방측을 향하여 차례로 구비하는 적층 필름인 투명 필름 기재 (2) 를 준비한다.

계속해서, 제 1 공정에서는, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 대하여, 스퍼터링을 실시한다. 구체적으로는, 스퍼터링 장치에 있어서, 인듐주석 복합 산화물로 이루어지는 타깃에, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면을 대향시키면서, 불활성 가스의 존재하, 스퍼터링한다. 이 때, 상기한 불활성 가스 이외에, 예를 들어, 산소 등의 반응성 가스를 존재시킬 수도 있다.

불활성 가스로는, 예를 들어, 아르곤 등의 희가스 등을 들 수 있다. 스퍼터링 장치 내에 있어서의 불활성 가스의 분압은, 예를 들어, 0.1 ㎩ 이상, 바람직하게는 0.3 ㎩ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 ㎩ 이상, 더욱 바람직하게는 0.55 ㎩ 이상이며, 또, 예를 들어, 10 ㎩ 이하이다. 불활성 가스의 분압이, 상기한 하한 이상이면, 스퍼터링에 있어서의 불활성 가스의 원자의 에너지가 낮아진다. 그러면, 비정질 인듐주석 복합 산화물막이, 불활성 가스의 원자를 받아들이는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 결정립의 성장을 촉진할 수 있다. 이에 따라, 결정립의 평균 입경을 크게 할 수 있다.

스퍼터링 장치 내에 있어서의 압력은, 불활성 가스의 분압, 및, 반응성 가스의 분압의 합계 압력이다.

또한, 산화주석 농도가 서로 상이한 제 1 타깃 및 제 2 타깃을, 스퍼터링 장치에 있어서, 투명 필름 기재 (2) 의 반송 방향을 따라 차례로 배치할 수도 있다. 제 1 타깃의 재료는, 예를 들어, 상기한 제 1 영역에 있어서의 ITO (SnO₂ 농도 : 8 질량％ 이상) 이다. 제 2 타깃의 재료는, 예를 들어, 상기한 제 2 영역에 있어서의 ITO (SnO₂ 농도 : 8 질량％ 미만) 이다.

상기의 스퍼터링에 의해, 비정질 인듐주석 복합 산화물막이, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 형성된다.

또한, 비정질 인듐주석 복합 산화물막이, 상기한 제 1 타깃 및 제 2 타깃을 사용하는 스퍼터링에 의해 형성되어 있는 경우에는, 비정질 인듐주석 복합 산화물막은, 산화주석 농도가 서로 상이한 제 1 비정질층 및 제 2 비정질층을, 두께 방향 일방측을 향하여 차례로 구비한다. 제 1 비정질층 및 제 2 비정질층의 각각의 재료는, 제 1 타깃 및 제 2 타깃의 재료와 동일하다. 구체적으로는, 제 1 비정질층의 ITO 에 있어서의 SnO₂ 농도는, 예를 들어, 8 질량％ 이상이다. 제 2 비정질층의 ITO 에 있어서의 SnO₂ 농도는, 예를 들어, 8 질량％ 미만이다.

비정질 인듐주석 복합 산화물막의 두께에 있어서의 제 1 비정질층의 두께의 비율은, 예를 들어, 50 ％ 초과, 바람직하게는 70 ％ 이상, 보다 바람직하게는 80 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막의 두께에 있어서의 제 1 비정질층의 두께의 비율은, 예를 들어, 99 ％ 이하, 바람직하게는 97 ％ 이하이다.

이 비정질 인듐주석 복합 산화물막은, 아직 결정화되어 있지 않고, 요컨대, 본 발명의 결정화 인듐주석 복합 산화물막은 아니다. 비정질 인듐주석 복합 산화물막은, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 얻기 위한 전구체 막 (중간재) 이다.

이에 따라, 투명 필름 기재 (2) 및 비정질 인듐주석 복합 산화물막으로 이루어지는 비정질 적층 필름을 얻는다.

그 후, 제 2 공정에서는, 비정질 적층 필름을 가열한다. 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등의 가열 장치에 의해, 비정질 인듐주석 복합 산화물막을 가열한다.

가열 조건은, 특별히 한정되지 않는다. 가열 온도가, 예를 들어, 90 ℃ 이상, 바람직하게는 110 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 160 ℃ 이하, 바람직하게는 140 ℃ 이하이다. 가열 시간은, 예를 들어, 30 분간 이상, 보다 바람직하게는 60 분간 이상이며, 또, 예를 들어, 5 시간 이하, 바람직하게는 3 시간 이하이다.

이에 따라, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 비정질 인듐주석 복합 산화물층이 결정화되고, 복수의 결정립을 포함하는 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 이 형성된다.

또한, 비정질 인듐주석 복합 산화물막이, 제 1 비정질층 및 제 2 비정질층을 포함하는 경우에는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 제 1 비정질층 및 제 2 비정질층의 각각에 대응하는 제 1 층 (11) 및 제 2 영역 (12) 을 포함한다.

이 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 상기한 바와 같이, 35 ㎚ 이상의 두께를 갖고, 또, 평균 입경이 110 ㎚ 이상인 결정립을 함유한다.

이에 따라, 투명 필름 기재 (2) 및 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 구비하는 투명 도전성 필름 (3) 이 제조된다.

그 후, 이 투명 도전성 필름 (3) 은, 예를 들어, 에칭 등에 의해, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 이 패터닝된다. 패터닝된 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 터치 패널 (터치 센서) 등의 전극에 사용된다.

그리고, 이 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 두께가 35 ㎚ 로 두껍기 때문에, 낮은 표면 저항을 갖는다.

그 때문에, 이 투명 도전성 필름 (3) 의 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 내약품성이 우수하다.

또, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 제 1 영역 (11) 을 포함하므로, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 표면 저항을 낮게 할 수 있다.

또, 이 투명 도전성 필름 (3) 은, 상기한 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 구비하므로, 낮은 표면 저항을 가지면서, 내약품성이 우수하다.

또, 이 투명 도전성 필름 (3) 에서는, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면이, 1.0 ㎚ 이하로 작은 산술 평균 조도 Ra 를 가지면, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 배치되는 비정질 인듐주석 복합 산화물막의 결정 성장의 저해를 억제하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 에 있어서, 평균 입경이 큰 결정립을 형성할 수 있다. 그 결과, 투명 도전성 필름은, 내약품성이 우수하다.

이 투명 도전성 필름 (3) 의 제조 방법의 제 1 공정에서는, 0.4 ㎩ 이상으로 높은 분압의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링하면, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 에 있어서 평균 입경이 큰 결정립을 형성할 수 있다. 그 결과, 내약품성이 우수한 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 구비하는 투명 도전성 필름 (3) 을 제조할 수 있다.

변형예

변형예에 있어서, 일 실시형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또, 변형예는, 특기하는 것 이외에, 일 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 일 실시형태 및 그 변형예를 적절히 조합할 수 있다.

결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 산화주석의 비율이 8 질량％ 미만인 제 2 영역을 포함하지 않고, 산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 제 1 영역만을 포함할 수도 있다.

투명 필름 기재 (2) 는, 투명 필름 (6) 을 구비하고 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 투명 필름 기재 (2) 가, 투명 필름 (6) 만을 구비하는 제 1 양태, 예를 들어, 투명 필름 기재 (2) 가, 투명 필름 (6) 과, 안티 블로킹층 (5), 하드 코트층 (7) 및 광학 조정층 (8) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 층을 구비하는 제 2 양태 (전체 2 층 구성), 예를 들어, 투명 필름 기재 (2) 가, 투명 필름 (6) 과, 안티 블로킹층 (5), 하드 코트층 (7) 및 광학 조정층 (8) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 2 개의 층을 구비하는 제 3 양태 (전체 3 층 구성) 가 본 발명에 포함된다.

제 3 양태 (전체 3 층 구성) 의 일례로서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 필름 기재 (2) 는, 하드 코트층 (7) (도 1 참조) 을 구비하지 않고, 안티 블로킹층 (5), 투명 필름 (6) 및 광학 조정층 (8) 만을 구비한다.

실시예

이하에 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 조금도 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」 에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재의 상한 (「이하」, 「미만」 으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한 (「이상」, 「초과」 로서 정의되어 있는 수치) 으로 대체할 수 있다.

실시예 1

먼저, 시클로올레핀 수지로 이루어지는 투명 필름 (6) (COP 필름, 두께 40 ㎛, 닛폰 제온사 제조, 「ZEONOR」 (등록상표), 면내의 복굴절률 0.0001) 을 준비하였다.

이어서, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 일방면에, 바인더 수지 (우레탄 다관능 폴리아크릴레이트, 상품명 「UNIDIC」, DIC 사 제조) 로 이루어지는 하드 코트 조성물의 희석액을 도포함과 함께, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 타방면에, 바인더 수지 (우레탄 다관능 폴리아크릴레이트, 상품명 「UNIDIC」, DIC 사 제조) 와 입자 (가교 아크릴·스티렌 수지 입자, 상품명 「SSX105」, 직경 3 ㎛, 세키스이 수지사 제조) 를 함유하는 안티 블로킹 조성물의 희석액을 도포하고, 이어서, 이들을 건조시킨 후, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 양면의 각각에 자외선을 조사하고, 하드 코트 조성물 및 안티 블로킹 조성물을 경화시켰다. 이에 따라, 투명 필름 (6) 의 일방면에, 두께 1 ㎛ 의 하드 코트층 (7) 을 형성하고, 투명 필름 (6) 의 두께 방향 타방면에, 두께 1 ㎛ 의 안티 블로킹층 (5) 을 형성하였다.

이어서, 하드 코트층의 두께 방향 일방면에, 지르코니아 입자와 자외선 경화성 수지 (아크릴 수지) 를 함유하는 광학 조정 조성물의 희석액 (「옵스타 Z7412」, JSR 사 제조, 굴절률 1.62) 을 도포하고, 80 ℃ 에서 3 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하였다. 이에 따라, 하드 코트층 (7) 의 두께 방향 일방면에, 두께 0.1 ㎛ 의 광학 조정층 (8) 을 형성하였다. 이에 따라, 안티 블로킹층 (5), 투명 필름 (6), 하드 코트층 (7) 및 광학 조정층 (8) 으로 이루어지는 적층 필름을 투명 필름 기재 (2) 로서 얻었다.

그 후, 스퍼터링에 의해, 광학 조정층 (8) 의 두께 방향 일방면에, 두께 39.7 ㎚ 의 비정질 인듐주석 복합 산화물층 1 을 형성하였다.

상세하게는, 먼저, 스퍼터링 장치에, 산화주석 농도가 10 중량％ 인 ITO 로 이루어지는 제 1 타깃과, 산화주석 농도가 3.3 중량％ 인 ITO 로 이루어지는 제 2 타깃을, 투명 필름 기재 (2) 의 반송 방향 상류측으로부터 하류측을 향하여 차례로 배치하였다. 그리고, 비정질 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 제 1 비정질층의 두께의 비율, 및, 제 2 비정질층의 두께의 비율이, 각각, 95 ％, 및, 5 ％ 가 되도록, 스퍼터링하였다. 또한, 비정질 인듐주석 복합 산화물막은, 제 1 비정질층 (산화주석 농도 10 질량％) 및 제 2 비정질층 (산화주석 농도 3.3 질량％) 을, 두께 방향 일방측을 향하여 차례로 포함한다.

스퍼터링 시의 아르곤 유량을 조정함으로써, 스퍼터링 장치 내의 아르곤 분압을 0.35 ㎩ 로 조정하였다. 또한, 스퍼터링 장치 내의 압력은, 0.42 ㎩ 였다.

이에 따라, 안티 블로킹층 (5), 투명 필름 (6), 하드 코트층 (7), 광학 조정층 (8) 및 비정질 인듐주석 복합 산화물층을 차례로 구비하는 비정질 적층 필름을 제조하였다.

그 후, 비정질 적층 필름을, 130 ℃, 90 분 가열하여, 비정질 인듐주석 복합 산화물층을 결정화하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 조제하였다.

이에 따라, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 안티 블로킹층 (5), 투명 필름 (6), 하드 코트층 (7), 광학 조정층 (8) 및 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 을 구비하는 투명 도전성 필름 (3) 을 제조하였다.

또, 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 제 1 비정질층 및 제 2 비정질층의 각각에서 기인하는 제 1 영역 (11) 및 제 2 영역 (12) 을 포함하고 있었다.

비교예 1 ∼ 비교예 2

표 1 의 기재에 따라서 처방을 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 처리하였다.

실시예 2

실시예 1 의 하드 코트층 (7) 및 광학 조정층 (8) 대신에, 두께 0.7 ㎛ 의 광학 조정층 (8) 을 형성한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 처리하였다.

요컨대, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이 투명 필름 기재 (2) 는, 하드 코트층 (7) 을 구비하지 않고, 안티 블로킹층 (5), 투명 필름 (6), 광학 조정층 (8) 을 차례로 구비한다.

또한, 이 광학 조정층 (8) 은, 지르코니아 입자, 실리카 입자 및 자외선 경화성 수지 (아크릴 수지) 를 함유하는 광학 조정 조성물의 희석액 (「TYZ72-A12」 토요켐사 제조, 굴절률 1.72) 을 투명 필름 (6) 의 두께 방향 일방면에 도포하고, 80 ℃ 에서 3 분간 건조시킨 후, 자외선을 조사하였다.

실시예 3 ∼ 실시예 6

표 1 의 기재에 따라서 처방을 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 처리하였다.

실시예 7

스퍼터링 장치에, 제 2 타깃을 구비하지 않고, 표 1 에 기재에 따라서 처방을 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 처리하였다.

비정질 인듐주석 복합 산화물막은, 제 2 비정질층을 포함하지 않고, 제 1 비정질층을 포함한다. 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 은, 제 2 영역 (12) 을 포함하지 않고, 제 1 영역 (11) 을 포함하고 있었다.

＜평가＞

하기의 항목을 평가하였다. 그들의 결과를 표 1 에 나타낸다.

[결정립의 평균 입경]

각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 투명 도전성 필름 (3) 의 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 두께 방향 일방면을 SEM 관찰하였다.

SEM 관찰로 확인되는 복수의 다각형상의 입자를, ITO 의 결정립으로 정의한다. 그리고, 복수의 결정립의 각각의 면적을 구하였다. 각 결정립의 면적을 원주율 (π) 로 나눈 값의 제곱근을 2 배한 값의 평균값을, 결정립의 평균 입경으로서 산출하였다.

SEM 관찰에서는, 세로 1500 ㎚, 가로 1500 ㎚ 의 시야 이미지를 취득하였다. 이 시야 이미지 중, 결정립을 나누는 입계를 특정하였다. 이것에 기초하여, 복수의 결정립의 면적을 구하였다. 1 개의 결정립의 면적을 원주율 (π) 로 나눈 값의 제곱근을 2 배한 값을 1 개의 결정립의 입경으로서 근사하였다. 또한, 입경이 20 ㎚ 미만으로 된 결정립을 평균값의 계산으로부터 제외하였다.

요컨대, 입경이 20 ㎚ 이상이고, 상기한 시야 이미지에서 관찰되는 결정립 중, 시야 이미지로부터 비어져 나와 있지 않은 (즉, 당해 결정립의 전체 (전부) 가 시야 이미지 내에 다 들어간다) 복수의 결정립의 면적 및 수만을 평균값의 산출에 이용하고, 그 결과, 얻어진 평균값을 「결정립의 평균 입경」 으로 하였다.

장치 및 측정 조건은 이하와 같다.

SEM 장치 : Hitachi High-Technologies 제조, 주사 전자 현미경 SU8020

가속 전압 : 0.8 ㎸

실시예 1 의 SEM 사진의 화상 처리도를 도 3A 에, 비교예 2 의 SEM 사진의 화상 처리도를 도 3B 에 나타낸다.

[결정화 인듐주석 복합 산화물막의 표면 저항]

각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 투명 도전성 필름 (3) 의 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 표면 저항을 사단자법에 의해 측정하였다. 하기의 기준에 기초하여, 표면 저항을 평가하였다.

◎ : 표면 저항이, 40 Ω/□ 이하였다.

○ : 표면 저항이, 60 Ω/□ 이하, 40 Ω/□ 초과였다.

× : 표면 저항이, 60 Ω/□ 초과였다.

[결정화 인듐주석 복합 산화물막의 내약품성]

각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 투명 도전성 필름 (3) 의 결정화 인듐주석 복합 산화물막 (1) 의 두께 방향 일방면에, 커터 나이프로 흠집을 냈다.

그 후, 투명 도전성 필름 (3) 을, 16 질량％ 과황산암모늄 수용액에, 20 ℃ 에서 5 분간 침지하였다. 그 후, 3 질량％ 수산화칼륨 수용액에, 30 ℃ 에서, 20 분간 침지하였다.

그 후, 흠집을 광학 현미경으로 관찰하고, 하기의 기준에 기초하여, 내약품성을 평가하였다.

× : 흠집으로부터 연장되는 균열 부분이 다수 확인되었다.

○ : 상기한 균열 부분이, 극히 조금 확인되었다.

◎ : 상기한 균열 부분이 확인되지 않았다.

[투명 필름 기재의 산술 평균 조도 Ra ]

비정질 인듐주석 복합 산화물막을 형성하기 전의 투명 도전성 필름 (3), 요컨대, 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면의 산술 평균 조도 Ra 를, JIS B0681-6 (2017) 에 따라, 원자간력 현미경 (Digital Instruments 사 제조, Nonoscope IV) 을 사용하여 구하였다. 투명 필름 기재 (2) 의 두께 방향 일방면에 있어서 1 ㎛ × 1 ㎛ 의 범위 (시야 이미지) 를 원자간력 현미경으로 관찰하였다.

[결정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 산화주석의 함유 비율]

먼저, 제 1 타깃 및 제 2 타깃에 있어서의 산화주석 농도, 비정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 제 1 비정질층의 두께 및 제 2 비정질층의 두께의 비율로부터, 비정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 산화주석의 함유 비율을 구하였다.

비정화 인듐주석 복합 산화물막으로부터 결정화 인듐주석 복합 산화물막으로의 전화에 있어서, 산화주석 농도의 변동이 없는 것으로 가정하고, 비정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 산화주석의 함유 비율을, 결정화 인듐주석 복합 산화물막에 있어서의 산화주석의 함유 비율로서 추정하였다.

또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구의 범위에 포함된다.

산업상 이용가능성

결정화 인듐주석 복합 산화물막은, 투명 도전성 필름에 구비된다.

1 : 결정화 인듐주석 복합 산화물막
2 : 투명 필름 기재
3 : 투명 도전성 필름
9 : 결정립
11 : 제 1 영역

Claims

35 ㎚ 이상의 두께를 갖고,
평균 입경이 110 ㎚ 이상인 결정립을 함유하는 것을 특징으로 하는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막.
제 1 항에 있어서,
산화주석의 비율이 8 질량％ 이상인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 결정화 인듐주석 복합 산화물막.
투명 필름 기재와,
상기 필름 기재의 두께 방향 일방면에 배치되고, 제 1 항에 기재된 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 구비하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
투명 필름 기재와,
상기 필름 기재의 두께 방향 일방면에 배치되고, 제 2 항에 기재된 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 구비하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
제 3 항에 있어서,
상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면은, 1.0 ㎚ 이하의 산술 평균 조도 Ra 를 갖는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
제 4 항에 있어서,
상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면은, 1.0 ㎚ 이하의 산술 평균 조도 Ra 를 갖는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
제 3 항에 기재된 투명 도전성 필름을 제조하는 방법으로서,
상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면에 스퍼터링함으로써, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 1 공정과,
상기 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 2 공정을 구비하고,
상기 제 1 공정에서는, 분압 0.4 ㎩ 이상의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링을 실시하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름의 제조 방법.
제 4 항에 기재된 투명 도전성 필름을 제조하는 방법으로서,
상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면에 스퍼터링함으로써, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 1 공정과,
상기 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 2 공정을 구비하고,
상기 제 1 공정에서는, 분압 0.4 ㎩ 이상의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링을 실시하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름의 제조 방법.
제 5 항에 기재된 투명 도전성 필름을 제조하는 방법으로서,
상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면에 스퍼터링함으로써, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 1 공정과,
상기 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 2 공정을 구비하고,
상기 제 1 공정에서는, 분압 0.4 ㎩ 이상의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링을 실시하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름의 제조 방법.
제 6 항에 기재된 투명 도전성 필름을 제조하는 방법으로서,
상기 투명 필름 기재의 상기 두께 방향 일방면에 스퍼터링함으로써, 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 1 공정과,
상기 비정화 인듐주석 복합 산화물막을 가열하여, 결정화 인듐주석 복합 산화물막을 형성하는 제 2 공정을 구비하고,
상기 제 1 공정에서는, 분압 0.4 ㎩ 이상의 불활성 가스의 존재하에서, 스퍼터링을 실시하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름의 제조 방법.