KR20220010526A - 세라믹 히터 - Google Patents

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Abstract

세라믹 히터(20)는 세라믹 플레이트(21)와, 원통형 샤프트(26)와, 도전막(30)을 구비하고 있다. 세라믹 플레이트(21)는 표면에 웨이퍼 적재면(21a)을 구비하고, 웨이퍼 적재면(21a)에 가까운 쪽부터 플라스마 전극(22)과 히터 전극(24)이 이 순으로 이격된 상태에서 매설되어 있다. 원통형 샤프트(26)는 세라믹 플레이트(21)의 이면(21b)으로부터 세라믹 플레이트(21)를 지지한다. 도전막(본 발명의 평면 실드부에 상당)(30)은, 세라믹 플레이트(21)의 이면(21b) 중 원통형 샤프트(26)를 제외한 환형 영역에 마련되어 있다. 도전막(30)은 원통형 샤프트(26)의 외벽 상에 상하 방향을 따라서 마련된 도전선(31)을 통하여 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다.

Description

세라믹 히터
본 발명은 세라믹 히터에 관한 것이다.
종래부터 반도체 제조 프로세스에 있어서, 플라스마 CVD 공정이 채용되는 경우가 있다. 플라스마 CVD 공정에서는, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면에 웨이퍼를 적재한다. 세라믹 히터의 세라믹 플레이트에는 플라스마 전극과 히터 전극이 매설되어 있다. 한편, 웨이퍼의 상방 공간에는 상부 전극이 배치되어 있다. 그리고, 상부 전극과 플라스마 전극 간에 고주파 전압을 인가하면, 이들 전극 사이에 플라스마가 발생하고, 이 플라스마를 이용하여 웨이퍼에 박막이 증착된다. 이러한 세라믹 히터에서는, 플라스마 전극에 인가한 고주파 전압의 누설 전류가 히터 전극에 전해지면, 히터 전극에의 통전을 제어할 수 없게 된다고 하는 문제가 있었다. 이 점을 감안하여, 특허문헌 1에는, 플라스마 전극과 히터 전극 사이에 고저항의 절연층(누설 전류 방지층)을 마련하는 것이 제안되어 있다.
일본 특허 제3602908호 공보
그러나, 상술한 세라믹 히터에서는, 세라믹 플레이트 중 웨이퍼 적재면과는 반대측의 면(이면)측으로 돌아 들어간 플라스마가 히터 전극과 커플링하는 경우가 있었다. 그러한 커플링이 일어나면, 히터 전극에 고주파 전류가 유입되기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 세라믹 플레이트의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마가 히터 전극과 커플링하는 것을 방지하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 세라믹 히터는,
표면에 웨이퍼 적재면을 구비하고, 상기 웨이퍼 적재면에 가까운 쪽부터 플라스마 전극, 히터 전극이 이 순으로 이격된 상태에서 매설된 원반형의 세라믹 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트의 이면으로부터 상기 세라믹 플레이트를 지지하는 원통형 샤프트와,
상기 원통형 샤프트의 내부에 배치되고, 상기 플라스마 전극에 접속된 플라스마 전극 접속 부재와,
상기 원통형 샤프트의 내부에 배치되고, 상기 히터 전극에 접속된 히터 전극 접속 부재와,
상기 세라믹 플레이트의 이면에 배치되거나 또는 상기 세라믹 플레이트 중 상기 히터 전극보다도 이면측에 매설되고, 접지에 접속된 평면 실드부
를 구비한 것이다.
이 세라믹 히터에서는, 세라믹 플레이트의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극의 커플링을 평면 실드부가 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생(예를 들어 히터 전극의 이상 발열이라든가 이상 팽창 등)을 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 도전성 세라믹 코팅막, 금속 메쉬 또는 금속판으로 해도 된다. 이렇게 하면, 평면 실드부를 비교적 간단하게 마련할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 원통형 샤프트의 내표면 또는 외표면에 마련된 원통형의 도전체를 통하여 상기 접지에 접속되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 원통형 샤프트의 내부에, 평면 실드부를 접지에 접속하기 위한 부재를 통과시킬 필요가 없기 때문에, 원통형 샤프트의 내부 공간에 다른 부재(예를 들어 히터 전극 접속 부재나 플라스마 전극 접속 부재 등)를 배치하기 쉬워진다. 또한, 원통형 샤프트의 내표면 또는 외표면에 마련된 원통형의 도전체를 접지에 접속함으로써, 플라스마로부터 발생하는 노이즈가, 히터 전극 접속 부재나 플라스마 전극 접속 부재 등에 흐르는 것을 방지할 수도 있다. 또한, 평면 실드와 원통형 샤프트의 내표면 또는 외표면에 마련된 원통형의 도전체가 접속되어 있지 않더라도 노이즈 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 웨이퍼 적재면에 평행한 것으로 해도 된다. 또한, 「평행」이란, 완전히 평행한 경우 이외에, 실질적으로 평행(예를 들어 교차의 범위에 들어가는 경우 등)도 포함한다(이하 동일).
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 히터 전극보다도 외경이 큰 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 플라스마와 히터 전극의 외주 부분의 커플링을 방지하기 쉽게 할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 세라믹 플레이트 및 상기 원통형 샤프트는, AlN 세라믹제이며, 상기 평면 실드부는, Al제 또는 Al 합금제여도 된다.
본 발명의 세라믹 히터는, 상기 평면 실드부의 외연으로부터 상기 웨이퍼 적재면을 향하여 마련된 측면 실드부를 구비하고 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트의 측면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극의 커플링을 측면 실드부가 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생(예를 들어 히터 전극의 이상 발열이라든가 이상 팽창 등)을 방지할 수 있다. 이 경우, 상기 측면 실드부는, Al제 또는 Al 합금제여도 된다. 또한, 이 경우, 상기 평면 실드부 및 상기 측면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트에 매설되어 있어도 되고, 상기 측면 실드부의 선단은, 상기 웨이퍼 적재면과 상기 히터 전극 사이에 위치하는 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트의 측면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극의 커플링을 확실하게 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트에 매설되어 있어도 되고, 상기 이면부터 상기 평면 실드부까지의 거리는, 상기 웨이퍼 적재면부터 상기 플라스마 전극까지의 거리보다도 큰 것으로 해도 된다. 이면부터 평면 실드부까지의 거리는, 웨이퍼 적재면의 플라스마 밀도에 영향을 미친다. 그 때문에, 이면부터 플라스마 전극까지의 거리를 크게 정함으로써 평면 실드부가 웨이퍼 적재면측의 플라스마에 끼치는 영향을 작게 할 수 있다. 또한, 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극의 커플링을 용이하게 방지할 수 있다. 이 경우, 상기 이면부터 상기 평면 실드부까지의 거리는, 상기 웨이퍼 적재면부터 상기 플라스마 전극까지의 거리보다도 2.0㎜ 이상 긴 것으로 해도 된다. 예를 들어, 웨이퍼 적재면부터 플라스마 전극까지의 거리가 1.0㎜인 경우, 이면부터 평면 실드부까지의 거리를, 3.0㎜ 이상으로 정하면 된다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트에 매설되어 있어도 되고, 상기 이면부터 상기 평면 실드부까지의 거리는, 상기 평면 실드부부터 상기 히터 전극까지의 거리보다도 큰 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 이면으로부터 돌아 들어간 플라스마를 히터 전극 부근에 위치하는 평면 실드부가 더 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면에 배치되어 있어도 되고, 상기 측면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트의 측면에 배치되어 있어도 되고, 상기 측면 실드부의 선단은, 상기 히터 전극이 마련된 면보다도 상기 이면측에 위치하는 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 웨이퍼 적재면의 균열성을 유지하기 쉽게 할 수 있다. 이 경우, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트의 이면에, 상기 세라믹 플레이트보다도 열전도성이 낮은 저열전도층을 개재하여 배치되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트의 열이 평면 실드부에 직접 전해지는 것을 저열전도층이 방지하기 때문에, 평면 실드부의 연화 또는 용융을 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 RF 전극과 상기 히터 전극 사이에는, 평면 실드부가 마련되지 않는 것이 바람직하다. 플라스마 전극에 인가되는 고주파 파워는, 다른 도전체에 흘러서 불필요하게 소비된 경우에는 웨이퍼 적재면의 플라스마 밀도에 영향을 미친다. 이 때문에, 플라스마 전극으로부터 실드부에 고주파 파워가 흐르지 않도록, 실드부는 이면과 히터 전극 사이에 마련되는 것이 바람직하다.
도 1은 플라스마 처리 장치(10)의 종단면도.
도 2는 플라스마 처리 장치(10)의 변형예의 종단면도.
도 3은 플라스마 처리 장치(10)의 변형예의 종단면도.
도 4는 플라스마 처리 장치(10)의 변형예의 종단면도.
도 5는 플라스마 처리 장치(10)의 변형예의 종단면도.
도 6은 플라스마 처리 장치(10)의 변형예의 종단면도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 플라스마 처리 장치(10)의 종단면도이다. 도 1 중, 점선 화살표는 플라스마 또는 플라스마 전류를 나타낸다.
플라스마 처리 장치(10)는 도 1에 도시한 바와 같이, 챔버(12)와, 상부 전극(14)과, 세라믹 히터(20)를 구비하고 있다.
챔버(12)는 알루미늄 합금 등에 의해 박스형으로 형성된 용기이다. 이 챔버(12)는 도시하지 않은 압력 조정 밸브나 진공 펌프 등을 구비하고 있고, 챔버(12)의 내부를 원하는 압력으로 조정할 수 있게 되어 있다.
상부 전극(14)은 챔버(12)의 천장에 설치되어 있다. 상부 전극(14)에는, 플라스마 발생용의 RF 전원(16)이 접속되어 있다.
세라믹 히터(20)는 세라믹 플레이트(21)와, 원통형 샤프트(26)와, 도전막(30)을 구비하고 있다.
세라믹 플레이트(21)는 표면에 웨이퍼 적재면(21a)을 구비한 원반형의 AlN 세라믹제 부재이다. 세라믹 플레이트(21)에는, 웨이퍼 적재면(21a)에 가까운 쪽부터 플라스마 전극(22)과 히터 전극(24)이 이 순으로 이격된 상태에서 매설되어 있다.
원통형 샤프트(26)는 세라믹 플레이트(21)의 이면(21b)으로부터 세라믹 플레이트(21)를 지지한다. 원통형 샤프트(26)는 구멍 구비된 메탈 부품(28)에 적재되어 있다. 원통형 샤프트(26)의 내부와 메탈 부품(28)의 구멍은 연통하고 있다. 메탈 부품(28)은 접지에 접속되어 있다. 원통형 샤프트(26)의 내부에는, 플라스마 전극(22)에 접속된 플라스마 전극 접속 부재(23)와, 히터 전극(24)에 접속된 히터 전극 접속 부재(25)가 배치되어 있다. 플라스마 전극 접속 부재(23)는 접지에 접속되어 있다. 히터 전극 접속 부재(25)는 히터 전극(24)의 양단에 전압을 인가하여 히터 전극(24)을 발열시킨다.
도전막(본 발명의 평면 실드부에 상당)(30)은, 세라믹 플레이트(21)의 이면(21b) 중 원통형 샤프트(26)를 제외한 환형 영역에 마련되어 있다. 도전막(30)은 웨이퍼 적재면(21a)에 평행한 것이 바람직하다. 도전막(30)은 도전성 세라믹의 코팅막으로 해도 된다. 도전성 세라믹으로서는, 예를 들어 SiC, TiC, TiN 등을 들 수 있다. 도전막(30)은 원통형 샤프트(26)의 외벽 상에 상하 방향을 따라서 마련된 도전선(31)을 통하여 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다. 도전선(31)은 도전성 세라믹의 선형의 코팅막으로 해도 된다.
이상 설명한 본 실시 형태의 세라믹 히터(20)에서는, 세라믹 플레이트(21)의 이면측에서 작용하는 플라스마 전류는 도전막(30)을 통하여 접지에 흐른다. 즉, 세라믹 플레이트(21)의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 도전막(30)이 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생(예를 들어 히터 전극(24)의 이상 발열이라든가 이상 팽창 등)을 방지할 수 있다.
또한, 도전선(31)이 원통형 샤프트(26)의 외벽 상에 상하 방향을 따라서 마련된 도전성 세라믹의 선형 코팅막이었을 경우에는, 원통형 샤프트(26)의 내부에 도전선을 배선할 필요가 없다. 또한, 챔버(12) 내에 도전선을 마련하는 경우에 비하여, 도전선(31)이 챔버측에 끼치는 영향도 작다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 형태로 실시할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
예를 들어, 상술한 실시 형태의 도전막(30) 및 도전선(31) 대신에 도 2에 도시하는 메탈 커버(40) 및 도전선(41)을 채용해도 된다. 또한, 도 2에서는, 상술한 실시 형태와 동일 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하였다. 메탈 커버(40)(본 발명의 평면 실드부에 상당)는 도넛형의 금속판이며, 세라믹 플레이트(21)의 이면(21b) 중 원통형 샤프트(26)를 제외한 환형 영역에 마련되어 있다. 메탈 커버(40)는 세라믹 플레이트(21)보다도 열전도율이 낮은 저열전도층(42)을 통하여 세라믹 플레이트(21)의 이면(21b)에 나사(43)로 고정되어 있다. 메탈 커버(40)는 웨이퍼 적재면(21a)과 평행한 것이 바람직하다. 저열전도층(42)의 재질로서는, 예를 들어 세라믹 플레이트(21)가 AlN 세라믹제인 경우, 알루미나 세라믹을 들 수 있다. 메탈 커버(40)는 원통형 샤프트(26)의 외측에 마련된 도전선(41)을 통하여 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다. 도 2에 있어서는, 세라믹 플레이트(21)의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 메탈 커버(40)가 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생(예를 들어 히터 전극(24)의 이상 발열이라든가 이상 팽창 등)을 방지할 수 있다. 또한, 세라믹 플레이트(21)의 열이 메탈 커버(40)에 직접 전해지는 것을 저열전도층(42)이 방지하기 때문에, 메탈 커버(40)의 연화 또는 용융을 방지할 수 있다. 특히, 메탈 커버(40)를 Al제 또는 Al 합금제로 하고, 저열전도층(42)을 알루미나층으로 하면, 이러한 효과가 유효하게 얻어진다. 또한, 도 2의 도전선(41)을 도 1의 도전선(31)과 같이, 원통형 샤프트(26)의 외벽 상에 상하 방향을 따라서 마련해도 된다.
혹은, 상술한 실시 형태의 도전막(30) 및 도전선(31) 대신에 도 3에 도시하는 실드 전극(50) 및 도전선(51)을 채용해도 된다. 또한, 도 3에서는, 상술한 실시 형태와 동일 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하였다. 실드 전극(50)(본 발명의 평면 실드부에 상당)은 세라믹 플레이트(21) 중 히터 전극(24)보다도 이면측에 매설된 금속제의 면 형상 부재이다. 실드 전극(50)은 웨이퍼 적재면(21a)과 평행한 것이 바람직하다. 실드 전극(50)은 금속(예를 들어 Mo 등)제의 메쉬로 해도 된다. 실드 전극(50)은 원통형 샤프트(26)의 내부에 마련된 도전선(51)을 통하여 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다. 도 3에 있어서는, 세라믹 플레이트(21)의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 실드 전극(50)이 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생(예를 들어 히터 전극의 이상 발열이라든가 이상 팽창 등)을 방지할 수 있다.
도 3의 실드 전극(50) 대신에 도 4에 도시하는 실드 전극(54)을 채용해도 된다. 실드 전극(54)은 평면 실드부(52)와 측면 실드부(53)를 구비한다. 평면 실드부(52)는 세라믹 플레이트(21) 중 히터 전극(24)보다도 이면(21b) 측에 매설된, 히터 전극(24)보다도 외경이 큰 금속제의 면 형상 부재이다. 평면 실드부(52)는 웨이퍼 적재면(21a)에 평행하다. 이면(21b)부터 평면 실드부(52)까지의 거리 D2는, 웨이퍼 적재면(21a)부터 플라스마 전극(22)까지의 거리 D1보다도 큰 것이 바람직하고, 거리 D2는 거리 D1보다도 2.0㎜ 이상 큰 것이 보다 바람직하다. 또한, 거리 D2는, 평면 실드부(52)부터 히터 전극(24)까지의 거리 D3보다도 크다. 평면 실드부(52)는 원통형 샤프트(26)의 내부에 마련된 도전선(51)을 통하여 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다. 측면 실드부(53)는 평면 실드부(52)의 외연으로부터 웨이퍼 적재면(21a)을 향하여 마련된 금속제의 원통 부재이다. 측면 실드부(53)의 선단은, 웨이퍼 적재면(21a)과 히터 전극(24) 사이(구체적으로는 플라스마 전극(22)과 히터 전극(24) 사이)에 위치하고 있다. 평면 실드부(52) 및 측면 실드부(53)는 금속(예를 들어 Mo 등)제의 메쉬로 해도 된다. 도 4에 있어서는, 세라믹 플레이트(21)의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 평면 실드부(52)가 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생(예를 들어 히터 전극의 이상 발열이라든가 이상 팽창 등)을 방지할 수 있다. 또한, 평면 실드부(52)는 히터 전극(24)보다도 외경이 크기 때문에, 플라스마와 히터 전극(24)의 외주 부분의 커플링을 방지하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 세라믹 플레이트(21)의 측면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 측면 실드부(53)가 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생을 방지할 수 있다. 그리고, 측면 실드부(53)의 선단은, 웨이퍼 적재면(21a)과 히터 전극(24) 사이에 위치하고 있다. 그 때문에, 세라믹 플레이트(21)의 측면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 확실하게 방지할 수 있다. 추가로 또한, 이면(21b)부터 평면 실드부(52)까지의 거리 D2는, 웨이퍼 적재면(21a)부터 플라스마 전극(22)까지의 거리 D1보다도 크다. 그 때문에, 평면 실드부(52)가 웨이퍼측의 플라스마에 끼치는 영향을 작게 할 수 있다. 그리고 또한, 이면(21b)부터 평면 실드부(52)까지의 거리 D2는, 평면 실드부(52)부터 히터 전극(24)까지의 거리 D3보다도 크다. 그 때문에, 이면(21b)으로부터 평면 실드부(52)에 플라스마가 유입되기 어려워져, 평면 실드부(52)가 웨이퍼 적재면측의 플라스마에 끼치는 영향을 작게 할 수 있다.
도 4의 도전선(51) 대신에 도 5에 도시하는 도전체(56)를 채용해도 된다. 도전체(56)는 원통형 샤프트(26)의 내표면의 전체면을 덮도록 마련되어 있다. 평면 실드부(52)는 도 5에 도시한 바와 같이, 세라믹 플레이트(21)에 매설된 도전선(61)을 통하여 도전체(56)에 접속되어 있고, 도전체(56)는 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다. 도전체(56)는 도전성 세라믹의 코팅막으로 해도 된다. 도전성 세라믹으로서는, 예를 들어 SiC, TiC, TiN 등을 들 수 있다. 도 5에 있어서는, 원통형 샤프트(26)의 내부에, 실드 전극(54)을 메탈 부품(28)에 접속하기 위한 부재를 통과시킬 필요가 없기 때문에, 원통형 샤프트(26)의 내부 공간에 다른 부재(예를 들어 히터 전극 접속 부재나 플라스마 전극 접속 부재 등)를 배치하기 쉽게 된다. 또한, 도 5에 있어서는, 도전체(56)는 원통형 샤프트(26)의 내표면에 마련되었지만, 원통형 샤프트(26)의 외표면에 마련되어도 된다. 또한, 도전체(56)는 원통형 샤프트(26)의 내표면 전체면에 마련되었지만, 전체면이 아니라 원통형 샤프트(26)의 상단으로부터 하단(메탈 부품(28)에 접하는 위치)까지 직선형으로 마련되어 있어도 된다.
도 2의 메탈 커버(40) 및 도전선(41) 대신에 도 6에 도시하는 메탈 구조체(70)를 채용해도 된다. 메탈 구조체(70)는 메탈 슬리브(71)와 메탈 커버(74)가 일체로 된 것이다. 메탈 슬리브(71)는 원통형 샤프트(26)의 외표면의 전체면을 덮고 있다. 메탈 슬리브(71)는 원통형 샤프트(26)의 하단에 마련된 플랜지(27)를 통하여, 도전성을 갖는 볼트(55)로 메탈 부품(28)에 고정되어 있다. 그 때문에, 메탈 구조체(70)는 볼트(55)를 통하여 메탈 부품(28)(접지)에 접속되어 있다. 메탈 커버(74)는 도넛형의 금속판인 평면 실드부(72)와, 그 외연으로부터 상측 방향으로 마련된 측면 실드부(73)를 구비하고 있다. 평면 실드부(72)는 이면(21b)에 저열전도층(42)을 개재하여 배치되고, 웨이퍼 적재면(21a)에 평행하며, 히터 전극(24)보다도 외경이 큰 것이다. 측면 실드부(73)의 선단은, 히터 전극(24)이 마련된 면과 이면(21b) 사이에 위치하고 있다. 메탈 구조체(70)를 원통형 샤프트(26)에 설치하기 위해서는, 예를 들어 메탈 구조체(70)를 세로로 2개로 나눈 절반 부재를 준비하고, 2개의 절반 부재를 원통형 샤프트(26)를 둘러싸도록 배치한 뒤 체결구(75)(볼트나 결속 밴드 등)로 고정하면 된다. 도 6에 있어서는, 세라믹 플레이트(21)의 이면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 평면 실드부(72)가 방지한다. 또한, 평면 실드부(72)는 히터 전극(24)보다도 외경이 크기 때문에, 플라스마와 히터 전극(24)의 외주 부분의 커플링을 방지하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 세라믹 플레이트(21)의 측면측으로 돌아 들어간 플라스마와 히터 전극(24)의 커플링을 측면 실드부(73)가 방지한다. 따라서, 그러한 커플링에 기인하는 문제의 발생을 방지할 수 있다. 그리고, 측면 실드부(73)의 선단은 히터 전극(24)이 마련된 면과 이면(21b) 사이에 위치하고 있기 때문에, 웨이퍼 적재면(21a)의 균열성을 유지하기 쉽게 할 수 있다. 추가로 또한, 세라믹 플레이트(21)의 열이 메탈 커버(74)에 직접 전해지는 것을 저열전도층(42)이 방지하기 때문에, 메탈 커버(74)의 연화 또는 용융을 방지할 수 있다. 특히, 메탈 커버(74)를 Al제 또는 Al 합금제로 하고, 저열전도층(42)을 알루미나층으로 하면, 이러한 효과가 유효하게 얻어진다. 그리고, 메탈 커버(74)는 일체화된 메탈 슬리브(71)에 의해 지지되기 때문에, 도 2의 나사(43)를 생략할 수도 있다. 나사(43)를 생략함으로써, 세라믹 플레이트(21)의 균열성을 유지하기 쉬워진다. 또한, 도 2의 메탈 커버(40)에 측면 실드부를 마련해도 된다. 또한, 도 1의 도전선(31)이나 도 2의 도전선(41) 대신에 원통형 샤프트(26)의 외표면의 전체면을 덮는 도전막이나 메탈 슬리브를 채용해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 상부 전극(14)을 RF 전원(16)에 접속하고, 플라스마 전극(22)을 접지에 접속했지만, 플라스마 전극(22)을 RF 전원(16)에 접속하고, 상부 전극(14)을 접지에 접속해도 된다. 이 점은, 도 2 내지 도 6에서도 마찬가지이다.
본 출원은, 2019년 12월 4일에 출원된 일본 특허 출원 제2019-219545호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용의 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 예를 들어 반도체 제조 장치용 부재에 이용 가능하다.
10: 플라스마 처리 장치
12: 챔버
14: 상부 전극
16: RF 전원
20: 세라믹 히터
21: 세라믹 플레이트
21a: 웨이퍼 적재면
21b: 이면
22: 플라스마 전극
23: 플라스마 전극 접속 부재
24: 히터 전극
25: 히터 전극 접속 부재
26: 원통형 샤프트
27: 플랜지
28: 메탈 부품
30: 도전막
31: 도전선
40: 메탈 커버
41: 도전선
42: 저열전도층
43: 나사
50: 실드 전극
51: 도전선
52: 평면 실드부
53: 측면 실드부
54: 실드 전극
55: 볼트
70: 메탈 구조체
71: 메탈 슬리브
72: 평면 실드부
73: 측면 실드부
74: 메탈 커버
75: 연결부
D1 내지 D3: 거리

Claims (12)

  1. 표면에 웨이퍼 적재면을 구비하고, 상기 웨이퍼 적재면에 가까운 쪽부터 플라스마 전극, 히터 전극이 이 순으로 이격된 상태에서 매설된 원반형의 세라믹 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트의 이면으로부터 상기 세라믹 플레이트를 지지하는 원통형 샤프트와,
    상기 원통형 샤프트의 내부에 배치되고, 상기 플라스마 전극에 접속된 플라스마 전극 접속 부재와,
    상기 원통형 샤프트의 내부에 배치되고, 상기 히터 전극에 접속된 히터 전극 접속 부재와,
    상기 세라믹 플레이트의 이면에 배치되거나 또는 상기 세라믹 플레이트 중 상기 히터 전극보다도 이면측에 매설되고, 접지에 접속된 평면 실드부
    를 구비한 세라믹 히터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 평면 실드부는, 도전성 세라믹 코팅막, 금속 메쉬 또는 금속판인,
    세라믹 히터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 원통형 샤프트의 내표면 또는 외표면에 마련된 원통형의 도전체를 통하여 상기 접지에 접속되어 있는,
    세라믹 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 히터 전극보다도 외경이 큰,
    세라믹 히터.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹 플레이트 및 상기 원통형 샤프트는, AlN 세라믹제이며, 상기 평면 실드부는, Al제 또는 Al 합금제인,
    세라믹 히터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평면 실드부의 외연으로부터 상기 웨이퍼 적재면을 향하여 마련된 측면 실드부를 구비한 세라믹 히터.
  7. 제6항에 있어서, 상기 측면 실드부는, Al제 또는 Al 합금제인,
    세라믹 히터.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 평면 실드부 및 상기 측면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트에 매설되어 있고,
    상기 측면 실드부의 선단은, 상기 웨이퍼 적재면과 상기 히터 전극 사이에 위치하는,
    세라믹 히터.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트에 매설되어 있고,
    상기 이면부터 상기 평면 실드부까지의 거리는, 상기 웨이퍼 적재면부터 상기 플라스마 전극까지의 거리보다도 큰,
    세라믹 히터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 이면부터 상기 평면 실드부까지의 거리는, 상기 웨이퍼 적재면부터 상기 플라스마 전극까지의 거리보다도 2.0㎜ 이상 긴,
    세라믹 히터.
  11. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면에 배치되고,
    상기 측면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트의 측면에 배치되고,
    상기 측면 실드부의 선단은, 상기 히터 전극이 마련된 면보다도 상기 이면측에 위치하는,
    세라믹 히터.
  12. 제1항 내지 제7항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면 실드부는, 상기 세라믹 플레이트의 이면에, 상기 세라믹 플레이트보다도 열전도성이 낮은 저열전도층을 개재하여 배치되어 있는,
    세라믹 히터.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022264922A1 (ko) * 2021-06-15 2022-12-22

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS602908B2 (ja) 1981-01-20 1985-01-24 インスチテユ−ト ネフテヒミチエスコゴ シンテザ イメニ エイ ヴイ トプチエヴア アカデミイ ナウク エスエスエスア−ル シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法
KR20110027621A (ko) * 2009-09-10 2011-03-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조체 및 처리 장치
KR20140148052A (ko) * 2013-06-21 2014-12-31 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20180127535A (ko) * 2016-04-22 2018-11-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3162955B2 (ja) * 1995-06-13 2001-05-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3602908B2 (ja) * 1996-03-29 2004-12-15 京セラ株式会社 ウェハ保持部材
CN101818336B (zh) * 2004-07-05 2011-09-14 东京毅力科创株式会社 处理装置和加热器单元
JP5014080B2 (ja) * 2007-11-19 2012-08-29 コバレントマテリアル株式会社 面状ヒータ
JP3156031U (ja) * 2009-09-29 2009-12-10 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター
JP5691701B2 (ja) * 2011-03-18 2015-04-01 富士通株式会社 設計検証装置、設計支援方法及びプログラム
CN104465453B (zh) * 2013-09-20 2018-10-30 住友电气工业株式会社 等离子体cvd装置用的晶片加热器
JP6361495B2 (ja) * 2014-12-22 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6615134B2 (ja) * 2017-01-30 2019-12-04 日本碍子株式会社 ウエハ支持台
US10047174B1 (en) * 2017-06-28 2018-08-14 Infineum International Limited Polymerization initiating system and method to produce highly reactive olefin functional polymers
CN207230713U (zh) * 2017-10-09 2018-04-13 深圳市艺越装饰工程有限公司 一种电热瓷砖
KR102292855B1 (ko) * 2018-03-26 2021-08-25 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지대
TW202013581A (zh) * 2018-05-23 2020-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
JP6699765B2 (ja) * 2019-01-29 2020-05-27 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS602908B2 (ja) 1981-01-20 1985-01-24 インスチテユ−ト ネフテヒミチエスコゴ シンテザ イメニ エイ ヴイ トプチエヴア アカデミイ ナウク エスエスエスア−ル シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法
KR20110027621A (ko) * 2009-09-10 2011-03-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조체 및 처리 장치
KR20140148052A (ko) * 2013-06-21 2014-12-31 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20180127535A (ko) * 2016-04-22 2018-11-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털

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