JPS602908B2 - シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法 - Google Patents
シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法Info
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- JPS602908B2 JPS602908B2 JP56007107A JP710781A JPS602908B2 JP S602908 B2 JPS602908 B2 JP S602908B2 JP 56007107 A JP56007107 A JP 56007107A JP 710781 A JP710781 A JP 710781A JP S602908 B2 JPS602908 B2 JP S602908B2
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基礎的な有機合成用の触媒の製造、もっと詳細
には、シ‐クロベンタジェンの水素化を目的とする膜状
触媒及びその製造方法に関する。
には、シ‐クロベンタジェンの水素化を目的とする膜状
触媒及びその製造方法に関する。
これらの触媒は反応生成物の混和を生じることなく、し
かも慣用の触媒よりも速い速度で水素の離脱と添加との
2つの過程を確実に遂行しうるので化学工業及び石油化
学工業において有用である。当業界において、炭化水素
の吸着及び水素同位体の分離の改善に使用される、ポリ
マをベースとした組成物が知られている。
かも慣用の触媒よりも速い速度で水素の離脱と添加との
2つの過程を確実に遂行しうるので化学工業及び石油化
学工業において有用である。当業界において、炭化水素
の吸着及び水素同位体の分離の改善に使用される、ポリ
マをベースとした組成物が知られている。
米国特許第272504号明細書は金属酸化物(A夕2
03,MO03,Cの,V2Qなど)と、原子量滋〜4
2の遷移金属の酸化物又は硫化物と、シリコーンとから
なる組成物を、シリコーで処理されていない酸化物材料
と比較して炭化水素の選択吸着性を改良するのに適して
いると教示している。
03,MO03,Cの,V2Qなど)と、原子量滋〜4
2の遷移金属の酸化物又は硫化物と、シリコーンとから
なる組成物を、シリコーで処理されていない酸化物材料
と比較して炭化水素の選択吸着性を改良するのに適して
いると教示している。
米国特許第3鱗1976号明細書はAぐ2Q,W03,
Mg0,Si02などのような金属酸化物、或はグラフ
アィトと周期系の第風族に属する金属の酸化物及び疎水
性を有するポリマとの混合物からなる水素同位体分離用
の複合触媒を教示している。しかしながらこれらの先行
技術による組成物は水素を選択的に透過させうる膜状触
媒として役立たない。
Mg0,Si02などのような金属酸化物、或はグラフ
アィトと周期系の第風族に属する金属の酸化物及び疎水
性を有するポリマとの混合物からなる水素同位体分離用
の複合触媒を教示している。しかしながらこれらの先行
技術による組成物は水素を選択的に透過させうる膜状触
媒として役立たない。
現在、水素透過性膜状触媒として、箔状に製造されたパ
ラジウムをベースとした合金、例えば85重量%のPd
と15重量%のMとを含む合金(袴公昭44−1136
2号明細書参照)又は管状にしたパラジウムベースの合
金(米国特許第3201620号明細書参照)が使用さ
れている。
ラジウムをベースとした合金、例えば85重量%のPd
と15重量%のMとを含む合金(袴公昭44−1136
2号明細書参照)又は管状にしたパラジウムベースの合
金(米国特許第3201620号明細書参照)が使用さ
れている。
こうした膜の製造には1地の触媒表面積当り箸量のパラ
ジウムの消費が要求される。従って、特公昭44−11
362号明細書の教示する触媒の製造には1地の触媒表
面積当り0.24夕のパラジウムの使用が必要とされる
。米国特許第3201162号明細書に従えば1地の触
媒表面積当り0.20夕のPdが必要である。当業界に
は圧延によって0.05〜0.1肋の厚さのパラジウム
又はその合金の箔として水素透過性膜状触媒を製造する
方法も知られている(00kladyAkademii
Nauk USSR,211, M.3,624,1
973年参照)。
ジウムの消費が要求される。従って、特公昭44−11
362号明細書の教示する触媒の製造には1地の触媒表
面積当り0.24夕のパラジウムの使用が必要とされる
。米国特許第3201162号明細書に従えば1地の触
媒表面積当り0.20夕のPdが必要である。当業界に
は圧延によって0.05〜0.1肋の厚さのパラジウム
又はその合金の箔として水素透過性膜状触媒を製造する
方法も知られている(00kladyAkademii
Nauk USSR,211, M.3,624,1
973年参照)。
貴金属を節約する目的で、水素に選択的に透過性な重合
フィルム上にパラジウムベース合金を昇華させて膜状触
媒を製造する方法が示唆されている。
フィルム上にパラジウムベース合金を昇華させて膜状触
媒を製造する方法が示唆されている。
このフィルムを、多孔性金属物質から作られ試薬の透入
を全く妨げない補強基質上に塗布する(ソ連発明考証第
593351号明細書、1977年10月21日付:米
国特許第41326鰍号明細書1979王1月2日付、
参照)。この方法は例えば銅、ニッケル、ステンレス鋼
をベースとした多孔性金属基質、ポリオルガノシロキサ
ンポリマフィルム及び触媒的に活性なパラジウムをベー
スとする成分の簿層からなる3層上組成物の形で膜状触
媒を製造することを可能にした。
を全く妨げない補強基質上に塗布する(ソ連発明考証第
593351号明細書、1977年10月21日付:米
国特許第41326鰍号明細書1979王1月2日付、
参照)。この方法は例えば銅、ニッケル、ステンレス鋼
をベースとした多孔性金属基質、ポリオルガノシロキサ
ンポリマフィルム及び触媒的に活性なパラジウムをベー
スとする成分の簿層からなる3層上組成物の形で膜状触
媒を製造することを可能にした。
この触媒においてその触媒的活性成分は触媒の大きな面
積に亘つてパラジウム層が不均一な厚さをもつために十
分に使用されない。
積に亘つてパラジウム層が不均一な厚さをもつために十
分に使用されない。
更にこの複合触媒の寸法は限定され、従って触媒による
水素化プラントのユニット能力の制限をひき起す。
水素化プラントのユニット能力の制限をひき起す。
この触媒の限定された寸法はパラジウムの昇華に使用さ
れる真空室の小さい寸法によるものである。この複合膜
状触媒はパラジウム又はその合金を低分散状態で含有す
るが、この触媒表面の単位面積の製造に対してはかえっ
て多量のパラジウムが消費される。本発明の目的は、製
造の際のパラジウムの消費量を低下させて膜状触媒の生
産性を増大させることである。
れる真空室の小さい寸法によるものである。この複合膜
状触媒はパラジウム又はその合金を低分散状態で含有す
るが、この触媒表面の単位面積の製造に対してはかえっ
て多量のパラジウムが消費される。本発明の目的は、製
造の際のパラジウムの消費量を低下させて膜状触媒の生
産性を増大させることである。
本発明の目的は、多孔性金属基質とその上にフィルムと
して付着した、ボリオルガノシロキサンポリマと一般式
〔ただし、R=アルキル、アルコキシ;R′=一(CH
2)n−(ただしn=1〜1〇); D=一PR2″(ただしR″=フエニル)、−NR2′
′′(ただしR″′=アルキル)、一C5日4N:L;
一Cそ である〕をもつ不溶化パラジウム錆体との反応生成物と
からなる、シクロベンタジェンの水素化用膜状触媒によ
って達成される。
して付着した、ボリオルガノシロキサンポリマと一般式
〔ただし、R=アルキル、アルコキシ;R′=一(CH
2)n−(ただしn=1〜1〇); D=一PR2″(ただしR″=フエニル)、−NR2′
′′(ただしR″′=アルキル)、一C5日4N:L;
一Cそ である〕をもつ不溶化パラジウム錆体との反応生成物と
からなる、シクロベンタジェンの水素化用膜状触媒によ
って達成される。
この膜状触媒は、膜の全容積に亘つて活性成分が分布し
ているために、また実質上非限定の水素化プラントのユ
ニット能力を保証する可能性のために単位重量のパラジ
ウム当り高い生産性を有する。
ているために、また実質上非限定の水素化プラントのユ
ニット能力を保証する可能性のために単位重量のパラジ
ウム当り高い生産性を有する。
更に、本発明による触媒はその製造に対するパラジウム
の消費が減少すると同時に水素化触媒及び水素透過膜の
両方の諸性質を併せ持っている。
の消費が減少すると同時に水素化触媒及び水素透過膜の
両方の諸性質を併せ持っている。
触媒性と水素透過性との改善には本発明による膜状触媒
が次の重量%で示される量の各成分からなることが好ま
しい:多孔性金属基質 50〜8
9ポリオルガノシロキサンポリマ 10〜39
不均化パラジウム銭体 1〜4本発明によ
る膜状触媒はその活性を増大させるために、フィルムと
してポリオルガノシロキサンポリマと不溶化パラジウム
鍵体との反応生成物を含有し、この鍔体が( Si−○
−Si−C系結合を通して)化学的に結合された、窒素
−及びリン含有エレクトロンドナー基をもつオルガノシ
リコンリガンドによってシリカゲルと結合したパラジウ
ムの鈴化合物であることが好適である。
が次の重量%で示される量の各成分からなることが好ま
しい:多孔性金属基質 50〜8
9ポリオルガノシロキサンポリマ 10〜39
不均化パラジウム銭体 1〜4本発明によ
る膜状触媒はその活性を増大させるために、フィルムと
してポリオルガノシロキサンポリマと不溶化パラジウム
鍵体との反応生成物を含有し、この鍔体が( Si−○
−Si−C系結合を通して)化学的に結合された、窒素
−及びリン含有エレクトロンドナー基をもつオルガノシ
リコンリガンドによってシリカゲルと結合したパラジウ
ムの鈴化合物であることが好適である。
その触媒におけるそのフィルムの厚さはその水素透過性
の改善に対しては0.3〜1.0肋の範囲であることが
望ましい。
の改善に対しては0.3〜1.0肋の範囲であることが
望ましい。
シクロベンタジヱンの水素化用膜状触媒の製造法は、ポ
リオルガノシロキサンポリマと一般式〔ただし、R=ア
ルキル、アルコキシ;R′=一(CH2)n一(ただし
n=1〜1〇); D=−PR2″(ただしR″=フェニル)、一NR2″
′(ただしR″′=アルキル)、一C迅4N:L=−C
そ である〕 をもつ不均化パラジウム鍔体との混合物を多孔性金属基
質上に塗布し、それに続いて20〜150℃の範囲内の
温度において加稀剤の存在下に0.3〜1.0脚の厚さ
のフィルムが形成されるまで加硫することからなる。
リオルガノシロキサンポリマと一般式〔ただし、R=ア
ルキル、アルコキシ;R′=一(CH2)n一(ただし
n=1〜1〇); D=−PR2″(ただしR″=フェニル)、一NR2″
′(ただしR″′=アルキル)、一C迅4N:L=−C
そ である〕 をもつ不均化パラジウム鍔体との混合物を多孔性金属基
質上に塗布し、それに続いて20〜150℃の範囲内の
温度において加稀剤の存在下に0.3〜1.0脚の厚さ
のフィルムが形成されるまで加硫することからなる。
本発明による方法は、パラジウムにもとづく触媒的に活
性な成分の噂霧による付着工程が省かれているので工程
技術を著しく単純化し、触媒製造の期間を短縮すること
を可能にする。
性な成分の噂霧による付着工程が省かれているので工程
技術を著しく単純化し、触媒製造の期間を短縮すること
を可能にする。
このパラジウムにもとづく触媒的に活性成分は触媒中に
不均化鍔体の形で導入される。この方法は高真空贋霧ユ
ニットの寸法とは無関係にあうゆる寸法の触媒を製造す
ることも可能にする。ポリオルガノシロキサンポリマと
して、ポリジメチルシロキサン又は5〜25重量%のフ
ェニル基を含むポリメチルフェニルシロキサンの使用が
好適である。
不均化鍔体の形で導入される。この方法は高真空贋霧ユ
ニットの寸法とは無関係にあうゆる寸法の触媒を製造す
ることも可能にする。ポリオルガノシロキサンポリマと
して、ポリジメチルシロキサン又は5〜25重量%のフ
ェニル基を含むポリメチルフェニルシロキサンの使用が
好適である。
触媒成分は予め製造される。
それは一般式(ただし、R=アルキル、アルコキシ:
R′=−(CH2)n一(ただしn=1〜1〇);
D=一PR2″(ただしR″=フエニル)、一NR2の
(ただしR…=アルキル)、一C迅4N; L=一Cそ である) をもつ不均化パラジウム錆体である。
(ただしR…=アルキル)、一C迅4N; L=一Cそ である) をもつ不均化パラジウム錆体である。
この目的に対しては、シリコンに結合した加水分解性基
と、可変原子価金属の化合物と配位し得る官能基を有す
る炭化水素基とを含有するRぶiR′D(式中、R3S
iは少なくとも1個の加水分解性基を含有するものであ
り、R′は二価炭化水素基であり、Dは窒素または燐含
有基である)型のオルガノシリコン化合物で変性された
無機酸化物キャリャー(例えばシリカゲル)をパラジウ
ム塩溶液で処理する。
と、可変原子価金属の化合物と配位し得る官能基を有す
る炭化水素基とを含有するRぶiR′D(式中、R3S
iは少なくとも1個の加水分解性基を含有するものであ
り、R′は二価炭化水素基であり、Dは窒素または燐含
有基である)型のオルガノシリコン化合物で変性された
無機酸化物キャリャー(例えばシリカゲル)をパラジウ
ム塩溶液で処理する。
その生成する不均化パラジウム鍵体の形態の触媒活性成
分を、加硫剤としての例えばアミノ置換シランまたはア
ルキルトリアセトキシシラン及び充填料としての例えば
酸化亜沿を含有するポリオルガ/シロキサン−Q,のー
ジオールと1:5〜1:15の重量比で混合する。
分を、加硫剤としての例えばアミノ置換シランまたはア
ルキルトリアセトキシシラン及び充填料としての例えば
酸化亜沿を含有するポリオルガ/シロキサン−Q,のー
ジオールと1:5〜1:15の重量比で混合する。
この混合物を例えばニッケル、鋼またはステンレス鋼を
基礎とする多孔性金属シート物質の表面に(0.3〜1
.仇岬の厚さの)薄層として塗布し、20〜150℃の
温度で加稀処理する。オルガノシーJコンポリマと不均
化パラジウム鰭体との混合物の加孫の結果として形成さ
れる膜は水素化触媒の特性及び水素透過膜の特性を持つ
。補強基質則ち多孔性金属物質の厚さは全組成物のガス
透過性を調節する必要性に応じて0.1〜1.仇岬の範
囲内で変化し得る。その物資の厚さが増大するにつれて
金属セラミックシートは脆くなるので、その厚さが1肋
を越えると反応器中での膜触媒の気密性が妨げられる。
0.1肋よりも薄い厚さの金属セラミックの使用はその
物質のガス透過性が高いことにより制限される。
基礎とする多孔性金属シート物質の表面に(0.3〜1
.仇岬の厚さの)薄層として塗布し、20〜150℃の
温度で加稀処理する。オルガノシーJコンポリマと不均
化パラジウム鰭体との混合物の加孫の結果として形成さ
れる膜は水素化触媒の特性及び水素透過膜の特性を持つ
。補強基質則ち多孔性金属物質の厚さは全組成物のガス
透過性を調節する必要性に応じて0.1〜1.仇岬の範
囲内で変化し得る。その物資の厚さが増大するにつれて
金属セラミックシートは脆くなるので、その厚さが1肋
を越えると反応器中での膜触媒の気密性が妨げられる。
0.1肋よりも薄い厚さの金属セラミックの使用はその
物質のガス透過性が高いことにより制限される。
膜触媒の水素透過性は0.3〜1.0肌の範囲内でのポ
リオルガノシロキサン膜の厚さの変化によっても調節さ
れる。ポリオルガノシロキサン膜の特性の技簿化は加硫
時間、加硫温度、充填料及び加硫剤の種類及び量を変化
させることによって達成される。シクロベンタジェンの
水素化反応における触媒の生産性はポリオルガノシロキ
サンと不均化パラジウム錆体との比を1:5〜1:15
の範囲内で変化させることにより調節できる。膜触媒の
製造法においては諸成分が下記の量(重量%)で含有さ
れるような態様で諸成分の割合を変えることが望ましい
:多孔性金属基質 50〜89ポ
リオルガノシリコンポリマ 10〜39不均化
パラジウム鍔体 1〜4この膜触媒は高
い触媒活性及び単位重量のパラジウム当りの高い生産性
を有する。
リオルガノシロキサン膜の厚さの変化によっても調節さ
れる。ポリオルガノシロキサン膜の特性の技簿化は加硫
時間、加硫温度、充填料及び加硫剤の種類及び量を変化
させることによって達成される。シクロベンタジェンの
水素化反応における触媒の生産性はポリオルガノシロキ
サンと不均化パラジウム錆体との比を1:5〜1:15
の範囲内で変化させることにより調節できる。膜触媒の
製造法においては諸成分が下記の量(重量%)で含有さ
れるような態様で諸成分の割合を変えることが望ましい
:多孔性金属基質 50〜89ポ
リオルガノシリコンポリマ 10〜39不均化
パラジウム鍔体 1〜4この膜触媒は高
い触媒活性及び単位重量のパラジウム当りの高い生産性
を有する。
この生成する膜触媒は、補強基質として用いられる多孔
質多孔性金属物質の層と、触媒活性で且つ水素透過性の
薄いポリマ膜とからなる2層複合体である。
質多孔性金属物質の層と、触媒活性で且つ水素透過性の
薄いポリマ膜とからなる2層複合体である。
これはまたパラジウム合金製の膜触媒に対比してパラジ
ウムを高度に活性な状態で含有する。本発明による触媒
の表面積1の当りのパラジウムの消費量は0.004夕
、即ちパラジウム合金製の従来の膜触媒の場合の約10
び分の1である。
ウムを高度に活性な状態で含有する。本発明による触媒
の表面積1の当りのパラジウムの消費量は0.004夕
、即ちパラジウム合金製の従来の膜触媒の場合の約10
び分の1である。
本発明がもっとよく理解されるように、、以下に例示と
して若干の特定例を示す。例1 60の‘のベンゼンーェタノール(1:1)溶液中の、
ジメチルエトキシ(メチルジエチルアミノ)シランで変
性されたシリカゲル2のこ0.6夕の塩化パラジウムを
40%水溶液として添加する。
して若干の特定例を示す。例1 60の‘のベンゼンーェタノール(1:1)溶液中の、
ジメチルエトキシ(メチルジエチルアミノ)シランで変
性されたシリカゲル2のこ0.6夕の塩化パラジウムを
40%水溶液として添加する。
この反応混合物を室内に2岬時間保つ。次にこのシリカ
ゲルを炉別し、毎回50の上のベンゼンーェタノール溶
液で2回、毎回50の‘の無水エタノールで2回洗浄す
る。その後シリカゲルを室温で6時間1×10‐4肌H
gの真空下で乾燥する。2.2重量%のパラジウム含有
率をもつ不均化銭体がこうして得られる。0.1肋以下
の粒径をもつこうして得られた0.18夕の触媒を、(
ポリマ10の重量部当り3重量部の比で)充填料として
の酸化亜鉛及び加硫剤としてのメチルトリアセトキシシ
ランを含む0.9夕のポリジメチルシロキサンーQ,の
ージオールと混合する。
ゲルを炉別し、毎回50の上のベンゼンーェタノール溶
液で2回、毎回50の‘の無水エタノールで2回洗浄す
る。その後シリカゲルを室温で6時間1×10‐4肌H
gの真空下で乾燥する。2.2重量%のパラジウム含有
率をもつ不均化銭体がこうして得られる。0.1肋以下
の粒径をもつこうして得られた0.18夕の触媒を、(
ポリマ10の重量部当り3重量部の比で)充填料として
の酸化亜鉛及び加硫剤としてのメチルトリアセトキシシ
ランを含む0.9夕のポリジメチルシロキサンーQ,の
ージオールと混合する。
この濠合物を119×22×0.1肌の寸法をもつ多孔
性鋼シート上に塗布する。室温の空気中で2日間加硫し
た後、試料を10‐3肋Hgの真空下で6時間おくと0
.3凧の厚さの重合フィルムが得られる。得られた膜状
触媒を水素化反応の実施に通したフロー型反応器中に据
え密封する。
性鋼シート上に塗布する。室温の空気中で2日間加硫し
た後、試料を10‐3肋Hgの真空下で6時間おくと0
.3凧の厚さの重合フィルムが得られる。得られた膜状
触媒を水素化反応の実施に通したフロー型反応器中に据
え密封する。
この膜状触媒の片側に水素を供給し、同時に他の側にシ
クロベンタジェンの蒸気とアルゴンとの混合物を10の
‘/分の速度で供v給する。水素化帯におけるシクロベ
ンタジェンの分圧は8.5肌Hgであり、水素の分圧は
11.4凧Hgである。161℃の温度において、シク
ロベンタジェンの転化率は89.8%でありシクロベン
テンに関する選択性は0.95である。
クロベンタジェンの蒸気とアルゴンとの混合物を10の
‘/分の速度で供v給する。水素化帯におけるシクロベ
ンタジェンの分圧は8.5肌Hgであり、水素の分圧は
11.4凧Hgである。161℃の温度において、シク
ロベンタジェンの転化率は89.8%でありシクロベン
テンに関する選択性は0.95である。
例2
膜状触媒を例1に記載の操作によって製造するが、ジメ
チルエトキシ(ジフエニルホスフイノメチル)シランで
変性されたシリカゲルを使用する点が異なる。
チルエトキシ(ジフエニルホスフイノメチル)シランで
変性されたシリカゲルを使用する点が異なる。
パラジウム舎量が4.6重量%に等しい不均化パラジウ
ム簿体が得られる。5:1の比のポリジメチルシロキサ
ンと不均化パラジウム鍵体との混合物を119×22×
1肌の大きさの多孔性ニッケルシート上に0.5凧の厚
さのフィルムとして塗布する。
ム簿体が得られる。5:1の比のポリジメチルシロキサ
ンと不均化パラジウム鍵体との混合物を119×22×
1肌の大きさの多孔性ニッケルシート上に0.5凧の厚
さのフィルムとして塗布する。
得られた触媒は重量%で次の組成をもつ:多孔性金属材
料76:ポリジメチルシロキサンポリマ20;パラジウ
ム錆体4。フロー型の触媒的反応器中でその膜状触媒の
片側に水素を供野合し、シクロベンタジェン蒸気とアル
ゴンとの混合物をその膜状触媒の他の側に10の【/分
の速度で供給する:10び0の温度で反応帯におけるシ
クロベンタジェンの分圧は8.5肋Hgで、水素の分圧
は11.4柵Hgである。
料76:ポリジメチルシロキサンポリマ20;パラジウ
ム錆体4。フロー型の触媒的反応器中でその膜状触媒の
片側に水素を供野合し、シクロベンタジェン蒸気とアル
ゴンとの混合物をその膜状触媒の他の側に10の【/分
の速度で供給する:10び0の温度で反応帯におけるシ
クロベンタジェンの分圧は8.5肋Hgで、水素の分圧
は11.4柵Hgである。
達成されるシクロベンタジェンの転化率は86.6%で
シクロベンテンに関する選択性は0.82である。例3 例1に記載の操作に従ってトリェトキシ〔8一(2−エ
チルピリジル}〕シラン変性のシリカゲルをベースとし
て5.5重量%のパラジウムを含有する不均化パラジウ
ム鍵体を得る。
シクロベンテンに関する選択性は0.82である。例3 例1に記載の操作に従ってトリェトキシ〔8一(2−エ
チルピリジル}〕シラン変性のシリカゲルをベースとし
て5.5重量%のパラジウムを含有する不均化パラジウ
ム鍵体を得る。
更に膜状触媒を例1のように製造するがポリジメチルシ
ロキサンとシリカゲル上に不均化されたパラジウム鍔体
との混合物を1凧の厚さで119×松×0.5柳の大き
さの多孔性鋼シート上に塗布する。
ロキサンとシリカゲル上に不均化されたパラジウム鍔体
との混合物を1凧の厚さで119×松×0.5柳の大き
さの多孔性鋼シート上に塗布する。
得られる触媒は重量%で次の組成をもつ:多孔性金属基
質 57ポリジメチルシロキ
サン 39不均化パラジウム鍔体
4反応器中でこの触媒を温度磯℃、
シクロベンタジヱン蒸気とアルゴンとの混合物の供給速
度I0N/分、水素化帯内でのシクロベンタジヱンの分
圧8.5側Hg、水素分圧11.4肋Hgで使用する。
シク口ベンテンに関する選択性0.79において聡9%
のシクロベンタジェン転化率が達成される。例4 膜状触媒を上記の例2の操作に従って製造する。
質 57ポリジメチルシロキ
サン 39不均化パラジウム鍔体
4反応器中でこの触媒を温度磯℃、
シクロベンタジヱン蒸気とアルゴンとの混合物の供給速
度I0N/分、水素化帯内でのシクロベンタジヱンの分
圧8.5側Hg、水素分圧11.4肋Hgで使用する。
シク口ベンテンに関する選択性0.79において聡9%
のシクロベンタジェン転化率が達成される。例4 膜状触媒を上記の例2の操作に従って製造する。
ジメチルエトキシ(ジフエニルホスフイ/メチル)シラ
ンで変性されたシリカゲルをベースとして製造され、0
.1肌以下の粒径をもち、2.紅重量%のパラジウムを
含有する不均化パラジウム鏡体をポリメチルフヱニルシ
ロキサンポリマ(シリコンの所に5%のフェニル置換基
を含む)と1:10の比で混合し、119×22×0.
5肌の大きさの多孔性鋼シート上に塗布した。加硫は2
5q0の温度で3時間、次いで150℃で1時間行われ
、0.3柵の厚さのフィルムを得た。得られた触媒は重
量%で次の組成をもつ:多孔性金属基質
89ポリメチルフエニルシロキサン
10不均化パラジウム鍔体 1
反応器内のこの触媒について、温度100℃、シクロベ
ンタジェン蒸気とアルゴンとの混合物供V給速度10凧
【/分、水素化帯中でのシクロベンタジェン(CPD)
の分圧8.5肋Hg、及び水素分圧11.4肋Hgで、
シクロベンテンに関する選択性0.82で866%のC
PDの転化率が得られる。
ンで変性されたシリカゲルをベースとして製造され、0
.1肌以下の粒径をもち、2.紅重量%のパラジウムを
含有する不均化パラジウム鏡体をポリメチルフヱニルシ
ロキサンポリマ(シリコンの所に5%のフェニル置換基
を含む)と1:10の比で混合し、119×22×0.
5肌の大きさの多孔性鋼シート上に塗布した。加硫は2
5q0の温度で3時間、次いで150℃で1時間行われ
、0.3柵の厚さのフィルムを得た。得られた触媒は重
量%で次の組成をもつ:多孔性金属基質
89ポリメチルフエニルシロキサン
10不均化パラジウム鍔体 1
反応器内のこの触媒について、温度100℃、シクロベ
ンタジェン蒸気とアルゴンとの混合物供V給速度10凧
【/分、水素化帯中でのシクロベンタジェン(CPD)
の分圧8.5肋Hg、及び水素分圧11.4肋Hgで、
シクロベンテンに関する選択性0.82で866%のC
PDの転化率が得られる。
例5
膜状触媒を例1に記載のように製造するがシリカゲルの
変性はジメチルェトキシ(ソージフェニルホスフイノプ
。
変性はジメチルェトキシ(ソージフェニルホスフイノプ
。
ピル)シランを用いて行われる。0.1肋以下の粒径を
もち、3.の重量%のパラジウムを含む不均化パラジウ
ム鍔体を1:15の割合でポリジメチルシロキサンポリ
マと混合し、119×滋×0.5凧の大きさの多孔性鋼
シート上に塗布する。
もち、3.の重量%のパラジウムを含む不均化パラジウ
ム鍔体を1:15の割合でポリジメチルシロキサンポリ
マと混合し、119×滋×0.5凧の大きさの多孔性鋼
シート上に塗布する。
加硫を25℃の温度で8時間、次いで7ぴ0で2時間行
うと、0.4豚の厚さのフィルムが得られる。こうして
得られる触媒は重量%で次の組成を持て):多孔性金属
基質 80ポリジメチルシロ
キサンポリマ 16不均化パラジウム銭体
4温度2び0、シクロベンタジェン蒸
気とアルゴンとの混合物供給速度10の‘/分、水素化
帯におけるシクロベンタジェンの分技8.5胸Hg、水
素分圧11.4肌Hgでこの触媒を用いた反応器におい
てシクロベンテンに関する選択性0.75で、97.7
%のシクロベンタジェンの転化率が達成される。
うと、0.4豚の厚さのフィルムが得られる。こうして
得られる触媒は重量%で次の組成を持て):多孔性金属
基質 80ポリジメチルシロ
キサンポリマ 16不均化パラジウム銭体
4温度2び0、シクロベンタジェン蒸
気とアルゴンとの混合物供給速度10の‘/分、水素化
帯におけるシクロベンタジェンの分技8.5胸Hg、水
素分圧11.4肌Hgでこの触媒を用いた反応器におい
てシクロベンテンに関する選択性0.75で、97.7
%のシクロベンタジェンの転化率が達成される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 多孔性金属基質、ポリオルガノシロキサンポリマ、
及び触媒的に活性なパラジウムをベースとした成分から
なる、シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒において
、ポリオルガノシロキサンポリマと一般式▲数式、化学
式、表等があります▼ 〔ただし、R=アルキル、アルコキシ; R′=−(CH_2)n−(ただしn=1〜10);D
=−PR_2″(ただしR″=フエニル)、−NR_2
′″(ただしR′″=アルキル)、−C_5H_4N;
L=−Cl である〕をもつ不均化パラジウム錯体との反応生成物か
らなるフイルムが多孔性金属基質上に塗布されているこ
とを特徴とする上記の膜状触媒。 2 各成分を重量百分率で 多孔性金属基質 50〜89 ポリオルガノシロキサンポリマ 10〜39不均化パラ
ジウム錯体 1〜4の割合で含有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の膜状触媒。 3 フイルムとして、ポリオルガノシロキサンポリマと
、ピリジニウムリガンドで不均化されたパラジウム錯体
との反応生成物を含有することを特徴とする、特許請求
の範囲第1項記載の膜状触媒。 4 フイルムとして、ポリオルガノシロキサンポリマと
、第3級アミンリガンドにより不均化されたパラジウム
錯体との反応生成物を含有することを特徴とする、特許
請求の範囲第1項記載の膜状触媒。 5 フイルムとして、ポリオルガノシロキサンポリマと
、第3級ホスフインリガンドにより不均化されたパラジ
ウム錯体との反応生成物を含有することを特徴とする、
特許請求の範囲第1項記載の膜状触媒。 6 フイルムとして、パラジウムの不均化錯体とポリジ
メチルシロキサンとの反応生成物を含有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の膜状触媒。 7 フイルムとして、パラジウムの不均化錯体とポリメ
チルフエニルシロキサンとの反応生成物を含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の膜状触媒。 8 フイルムの厚さが0.3〜1.0mmに等しいこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の膜状触媒。 9 シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒の製造方法
において、ポリオルガノシロキサンポリマと一般式▲数
式、化学式、表等があります▼ 〔ただし、R=アルキル、アルコキシ; R′=−(CH_2)n−(ただしn=1〜10);D
=−PR_2″(ただしR″=フエニル)、−NR_2
′″(ただしR′″=アルキル)、−C_5H_4N;
L=−Cl である〕をもつ不均化パラジウム錯体との混合物を多孔
性金属基質上に塗布し、これを20〜150℃の温度に
おいて加硫剤の存在下に0.3〜1.0mmの厚さのフ
イルムが生成されるまで加硫することを特徴とする上記
の方法。 10 ポリオルガノシロキサンポリマとしてポリジメチ
ルシロキサンを使用することを特徴とする特許請求の範
囲第9項記載の方法。 11 ポリオルガノシロキサンポリマとしてポリメチル
フエニルシロキサンを使用することを特徴とする、特許
請求の範囲第9項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56007107A JPS602908B2 (ja) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56007107A JPS602908B2 (ja) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57119840A JPS57119840A (en) | 1982-07-26 |
JPS602908B2 true JPS602908B2 (ja) | 1985-01-24 |
Family
ID=11656860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56007107A Expired JPS602908B2 (ja) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | シクロペンタジエンの水素化用膜状触媒及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS602908B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220010526A (ko) | 2019-12-04 | 2022-01-25 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4549802B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-09-22 | 花王株式会社 | フィルム状触媒およびフィルム状触媒の製造方法 |
-
1981
- 1981-01-20 JP JP56007107A patent/JPS602908B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220010526A (ko) | 2019-12-04 | 2022-01-25 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57119840A (en) | 1982-07-26 |
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