KR20220003453A - 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

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KR20220003453A
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cleaning
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KR1020210080875A
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쇼헤이 다케다
도모히사 이시카와
츠나키 사카이
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명의 과제는, 세정구를 이용하는 일 없이, 웨이퍼의 외주 가장자리에 부착된 수지를 제거하는 데 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는, 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정하는 웨이퍼 세정 장치로서, 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 웨이퍼의 외주 가장자리를 향하여 고압수를 분사하여, 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정하는 세정 유닛을 포함한다. 세정 유닛은, 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 유지면에 평행인 방향으로, 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제1 노즐과, 유지면에 대하여 45도 하향이 되는 방향으로, 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제2 노즐과, 유지면에 대하여 45도 상향이 되는 방향으로, 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제3 노즐을 포함한다.

Description

웨이퍼 세정 장치{WAFER CLEANING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
웨이퍼의 제조에서는, 반도체 잉곳을 슬라이스함으로써, 주름이나 휘어짐이 형성된 웨이퍼가 얻어진다. 이 웨이퍼로부터 주름이나 휘어짐을 제거하기 위해, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 웨이퍼의 한쪽의 면에, 수지 및 시트를 포함하는 보호 부재를 형성하고 있다.
그리고, 보호 부재를 통해 척 테이블에 의해 웨이퍼의 한쪽의 면을 유지하고, 연삭 지석에 의해 웨이퍼의 다른쪽의 면을 연삭함으로써, 주름이나 휘어짐을 제거하고 있다.
웨이퍼의 다른쪽의 면의 연삭 후에는, 특허문헌 2에 개시된 바와 같이, 보호 부재를 박리하여, 웨이퍼의 한쪽의 면을 연삭한다. 이에 의해, 소정의 두께의 웨이퍼가 제조된다.
웨이퍼로부터 보호 부재를 박리할 때에, 웨이퍼의 외주 가장자리(에지)에 수지가 남는 경우가 있다. 그래서, 특허문헌 3에 개시된 바와 같이, 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정구에 의해 세정함으로써, 부착된 수지를 제거하고 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2017-168565호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2018-098241호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2019-047054호 공보
그러나, 종래의 세정 방법에서는, 세정구로서의 스폰지가 소모되는 등에 의해, 세정구의 교환 비용이 든다.
따라서, 본 발명의 목적은, 세정구를 이용하는 일 없이, 웨이퍼의 외주 가장자리에 부착된 수지를 제거할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정하는 웨이퍼 세정 장치로서, 유지면에 의해, 웨이퍼의 외주 가장자리가 비어져 나오도록 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지면의 중심을 축으로 상기 유지 테이블을 회전시키는 모터와, 상기 모터의 회전 속도를 제어하는 회전 제어부와, 상기 유지면에 유지된 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 웨이퍼의 외주 가장자리를 향하여 고압수를 분사하여, 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정하는 세정 유닛을 구비하고, 상기 세정 유닛은, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 상기 유지면에 평행인 0도 방향으로, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제1 노즐과, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측 상방으로부터, 상기 유지면에 대하여 45도 하향이 되는 방향으로, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제2 노즐과, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측 하방으로부터, 상기 유지면에 대하여 45도 상향이 되는 방향으로, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제3 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐과 상기 제3 노즐이, 웨이퍼의 둘레 방향에 있어서 서로 이격되어 있도록 배치되어 있는, 웨이퍼 세정 장치가 제공되다.
바람직하게는, 상기 세정 유닛은, 물과 에어를 혼합함으로써, 에어의 압력을 이용한 고압수를 분사하도록 구성되어 있다.
바람직하게는, 상기 회전 제어부는, 상기 유지 테이블을 10 rpm 이하의 회전 속도로 회전시켜 웨이퍼의 외주를 세정한 후, 상기 유지 테이블을 1000 rpm 이상의 회전 속도로 회전시켜 웨이퍼를 건조시키도록 구성되어 있다.
본 웨이퍼 세정 장치에서는, 웨이퍼의 외주 가장자리에 대하여, 다른 3개의 방향으로부터 고압수를 분무함으로써, 외주 가장자리를 빠짐없이 세정하여, 외주 가장자리에 부착된 수지 등을 제거하는 것이 가능하다. 따라서, 본 웨이퍼 세정 장치에서는, 외주 가장자리의 세정을 위해, 소모품이 되는 스폰지 등의 세정구가 불필요하다. 이 때문에, 세정구의 교환 작업이 불필요해져, 세정구의 교환에 드는 비용을 회피할 수 있다.
도 1은 웨이퍼 세정 장치의 구성을 나타내는 측면도이다.
도 2는 웨이퍼 및 유지 테이블과 세정 유닛의 노즐을 나타내는 상면도이다.
도 3은 웨이퍼 세정 장치의 다른 구성을 나타내는 측면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 웨이퍼 세정 장치(1)는, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)를 세정하기 위한 것이다. 외주 가장자리(101)는, 웨이퍼(100)의 한쪽의 면으로부터 다른쪽의 면에 걸쳐서 원호형으로 면취(面取)가 형성되어 있기 때문에, 둥그스름하게 되어 있다.
또한, 웨이퍼(100)는, 이미 연삭 가공이 실시되어, 그 한쪽의 면에 형성되어 있던 보호 부재가 박리되어 있다. 따라서, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에는, 보호 부재의 재료인 수지 등의 오물이 부착되어 있다. 웨이퍼 세정 장치(1)에서는, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)를 세정함으로써, 이 수지 등의 오물을 제거한다.
웨이퍼 세정 장치(1)는, 웨이퍼(100)를 유지하기 위한 유지 테이블(10)을 구비하고 있다. 유지 테이블(10)은, 웨이퍼(100)보다 작은 유지면(11)을 가지고 있다. 이 유지면(11)은, 예컨대 포러스재를 포함하고, 도시하지 않는 흡인원에 연통됨으로써, 웨이퍼(100)를 흡인 유지할 수 있다. 따라서, 유지 테이블(10)은, 유지면(11)에 의해, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)가 비어져 나오도록, 웨이퍼(100)를 유지한다.
웨이퍼 세정 장치(1)는, 또한, 유지 테이블(10)의 하면에 구비된 스핀들(13), 스핀들(13)을 회전시키는 모터(15) 및 모터(15)의 회전 속도를 제어하는 회전 제어부(17)를 구비하고 있다.
스핀들(13)은, 유지면(11)의 중심을 축으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 모터(15)는, 스핀들(13)을 회전시킴으로써, 화살표(200)로 나타내는 바와 같이, 유지면(11)의 중심을 축으로, 유지 테이블(10)을 회전시키는 것이 가능하다.
웨이퍼 세정 장치(1)는, 또한, 유지 테이블(10)의 유지면(11)에 유지된 웨이퍼(100)에 있어서의 외주 가장자리(101)의 외측에, 세정 유닛(20)을 가지고 있다. 세정 유닛(20)은, 유지면(11)에 유지된 웨이퍼(100)의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)를 향하여, 예컨대, 외주 가장자리(101)의 두께 방향의 중심을 향하여, 고압수를 분사함으로써, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)를 세정한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 세정 유닛(20)은, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)의, 3개의 노즐을 가지고 있다.
제1 노즐(21)은, 도 1에 화살표(201)에 의해 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)보다 외측으로부터, 유지 테이블(10)의 유지면(11)에 평행한 0도 방향으로, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에 고압수를 분사한다.
제2 노즐(24)은, 도 1에 화살표(202)에 의해 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)보다 외측 상방으로부터, 유지 테이블(10)의 유지면(11)에 대하여 45도 하향이 되는 방향으로, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에 고압수를 분사한다.
제3 노즐(27)은, 도 1에 화살표(203)에 의해 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)보다 외측 하방으로부터, 유지 테이블(10)의 유지면(11)에 대하여 45도 상향이 되는 방향으로, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에 고압수를 분사한다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 웨이퍼(100)의 둘레 방향에 있어서, 예컨대 10도 간격으로, 서로 이격되어 있도록 배치되어 있다.
제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)로부터의 분사되는 고압수의 수평면[유지면(11)에 평행인 면] 상에서의 방향은, 예컨대, 유지면(11)에 있어서의 직경 방향의 중심[웨이퍼(100)의 중심]인 중심점(12)을 향하고 있다.
또한, 세정 유닛(20)은, 물과 에어를 혼합함으로써, 에어의 압력을 이용한 고압수를 분사하도록 구성되어 있다.
즉, 도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 각각, 에어원(22) 및 수원(23), 에어원(25) 및 수원(26)과, 에어원(28) 및 수원(29)에 접속되어 있다.
그리고, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 각각의 수원(23, 26 및 29)으로부터의 물과, 각각의 에어원(22, 25 및 28)으로부터의 에어를 혼합함으로써, 에어의 압력을 이용한 고압수, 즉, 물과 에어의 혼합물인 이류체 세정수를 포함하는 고압수를 생성하고, 이 고압수를 분사하도록 구성되어 있다.
이와 같이, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 이류체 세정 노즐로서 기능한다. 또한, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 각각의 에어원(22, 25 및 28)으로부터의 에어만을 분사하는 것과, 각각의 수원(23, 26 및 29)으로부터의 물만을 분사하는 것도 가능하도록 구성되어 있다.
제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)을 포함하는 세정 유닛(20)은, 도 1에 나타낸 세정 제어부(30)에 의해 제어된다.
다음에, 웨이퍼 세정 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다.
[세정 동작]
처음에, 세정 동작이 실시된다. 이 동작에서는, 먼저, 유지 테이블(10)의 유지면(11)에 의해, 웨이퍼(100)가 유지된다.
그 후, 세정 제어부(30)가, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)에 대하여, 수원(23, 26 및 29)으로부터, 예컨대 40 ㎖/min으로 물을 공급하며, 에어원(22, 25 및 28)으로부터, 예컨대 70 ℓ/min으로 에어를 공급한다. 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 공급된 물과 에어를 혼합함으로써 이류체 세정수를 포함하는 고압수를 생성하고, 각각에 설정된 전술한 분사 방향으로, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에 대한 고압수의 분사를 개시한다.
다음에, 회전 제어부(17)가, 모터(15)를 제어하여, 유지면(11)에 의해 웨이퍼(100)를 유지하고 있는 유지 테이블(10)을, 10 rpm 이하(예컨대, 1 rpm)의 회전 속도로 1회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(100)의 세정이 종료되고, 회전 제어부(17)가, 모터(15)에 의한 유지 테이블(10)의 회전을 정지한다. 이와 함께, 세정 제어부(30)가, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)에의, 물 및 에어의 공급을 정지한다. 이 세정 동작에 의해, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에 부착된 수지 등의 오물이 제거된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 웨이퍼(100)를 1회전시킨다는 것은, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)의 모든 부분에, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)로부터 분사된 3개의 고압수가 분무되도록, 웨이퍼(100)가 회전하는 것을 의미한다.
여기서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 웨이퍼(100)의 둘레 방향에 있어서, 서로 이격되어 있도록 배치되어 있다. 이 때문에, 1회전의 회전 각도는, 노즐의 배치의 각도 범위의 분량만큼, 360도로부터 커진다.
예컨대, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)이, 웨이퍼(100)의 둘레 방향에 있어서 10도 간격으로 배치되어 있는 경우, 웨이퍼(100)를 1회전시키는 것은, 웨이퍼(100)를 대략 380도 회전시키는 것을 의미한다.
[건조 동작]
다음에, 건조 동작이 실시된다. 건조 동작으로서는, 먼저, 회전 제어부(17)가, 모터(15)를 제어하여, 유지면(11)에 의해 웨이퍼(100)를 유지하고 있는 유지 테이블(10)을, 1000 rpm 이상(예컨대, 2000 rpm)의 회전 속도로, 예컨대, 20초간에 걸쳐 회전시킨다. 이때, 최초의 15초간은, 세정 유닛(20)으로부터의 에어 등의 분사는 이루어지지 않고, 웨이퍼(100)를 유지하고 있는 유지 테이블(10)의 회전에 의해, 웨이퍼(100)에 부착되어 있는 물이 비산된다. 또한, 세정 동작으로 유지 테이블(10)의 회전을 정지시키지 않고, 세정 동작 후 즉시 건조 동작의 회전 속도로 전환하여도 좋다.
그리고, 유지 테이블(10)의 회전으로부터 15초 경과 시에, 세정 제어부(30)가, 5초간에 걸쳐, 에어원(22, 25 및 28)으로부터, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)에 에어를 공급하여, 이들 노즐로부터의 웨이퍼(100)에 대한 에어의 분사를 개시한다. 이 5초간에는, 회전하는 웨이퍼(100)에 3방향으로부터 에어가 공급되어, 웨이퍼(100)의 건조가 촉진된다.
에어의 공급 개시로부터 5초 후, 즉, 건조 동작의 개시로부터 20초 후, 웨이퍼(100)의 건조가 종료되었다고 하여, 회전 제어부(17)가, 모터(15)에 의한 유지 테이블(10)의 회전을 정지한다. 이와 함께, 세정 제어부(30)가, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)에의 에어의 공급을 정지한다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(100)의 외주 가장자리(101)에 대하여, 다른 3개의 방향으로부터 고압수를 분무함으로써, 둥그스름하게 되어 있는 외주 가장자리(101)를 빠짐없이 세정하여, 외주 가장자리(101)에 부착된 수지 등의 오물을 제거하는 것이 가능하다. 따라서, 본 실시형태에서는, 외주 가장자리(101)의 세정을 위해, 소모품이 되는 스폰지 등의 세정구가 불필요하다. 이 때문에, 세정구의 교환 작업이 불필요해지기 때문에, 세정구의 교환에 드는 비용을 회피할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 건조 동작 시, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)로부터, 웨이퍼(100)에 에어가 분사된다. 이에 관해서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 세정 장치(1)는, 에어 노즐(40)을 더 구비하고 있어도 좋다. 에어 노즐(40)은, 유지 테이블(10)의 유지면(11)에 유지되어 있는 웨이퍼(100)의 중앙의 상방에 배치되어, 웨이퍼(100)에 대하여, 화살표(205)로 나타내는 바와 같이 에어를 분사하도록 구성되어 있다.
이 경우, 세정 제어부(30)는, 건조 동작에 있어서, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)로부터 웨이퍼(100)에의 에어의 분사 대신에 또는 더하여, 에어 노즐(40)로부터, 웨이퍼(100)를 향하여 에어를 분사시킨다. 이와 같이, 에어 노즐(40)은, 웨이퍼(100)의 회전 중심에 에어를 분무하고 있기 때문에 건조 시간을 단축할 수 있다. 또한, 유지 테이블(10)의 외주에 에어를 분사시켜 웨이퍼(100)의 하면을 건조시켜도 좋다.
본 실시형태에서는, 세정 동작 시, 회전 제어부(17)는, 웨이퍼(100)를 유지하고 있는 유지 테이블(10)을 1회전시키고 있다. 이에 관해서, 회전 제어부(17)는, 유지 테이블(10)을, 2회전 이상 회전시켜도 좋고, 360도 회전시켜도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 건조 동작에 있어서, 유지 테이블(10)의 회전에만 의한 건조를 15초간에 걸쳐 실시한 후, 세정 유닛(20)으로부터의 에어의 분사를 더한 건조를 5초간에 걸쳐 실시하고 있다. 이에 관해서, 유지 테이블(10)의 회전에만 의한 건조의 시간 및 에어의 분사를 더한 건조의 시간에 대해서는, 임의로 설정되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)이, 각각, 에어원(22, 25 및 28)과, 수원(23, 26 및 29)을 구비하고 있다. 이 대신에, 제1 노즐(21), 제2 노즐(24) 및 제3 노즐(27)은, 공통의 하나의 에어원 및 수원에 연통되도록 구성되어 있어도 좋다.
1: 웨이퍼 세정 장치 10: 유지 테이블
11: 유지면 12: 중심점
13: 스핀들 15: 모터
17: 회전 제어부 20: 세정 유닛
21: 제1 노즐 22: 에어원
23: 수원 24: 제2 노즐
25: 에어원 26: 수원
27: 제3 노즐 28: 에어원
29: 수원 30: 세정 제어부
40: 에어 노즐 100: 웨이퍼
101: 외주 가장자리

Claims (3)

  1. 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정하는 웨이퍼 세정 장치로서,
    유지면에 의해, 웨이퍼의 외주 가장자리가 비어져 나오도록 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과,
    상기 유지면의 중심을 축으로 상기 유지 테이블을 회전시키는 모터와,
    상기 모터의 회전 속도를 제어하는 회전 제어부와,
    상기 유지면에 유지된 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 웨이퍼의 외주 가장자리를 향하여 고압수를 분사하여, 웨이퍼의 외주 가장자리를 세정하는 세정 유닛
    을 포함하고,
    상기 세정 유닛은,
    상기 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측으로부터, 상기 유지면에 평행인 0도 방향으로, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제1 노즐과,
    상기 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측 상방으로부터, 상기 유지면에 대하여 45도 하향이 되는 방향으로, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제2 노즐과,
    상기 웨이퍼의 외주 가장자리보다 외측 하방으로부터, 상기 유지면에 대하여 45도 상향이 되는 방향으로, 상기 웨이퍼의 외주 가장자리에 고압수를 분사하는 제3 노즐을 포함하고,
    상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐과 상기 제3 노즐은, 웨이퍼의 둘레 방향에 있어서 서로 이격되어 있도록 배치되어 있는 것인 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 유닛은, 물과 에어를 혼합함으로써, 에어의 압력을 이용한 고압수를 분사하는 것인 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 회전 제어부는, 상기 유지 테이블을 10 rpm 이하의 회전 속도로 회전시켜 웨이퍼의 외주를 세정한 후, 상기 유지 테이블을 1000 rpm 이상의 회전 속도로 회전시켜 웨이퍼를 건조시키도록 구성되어 있는 것인 웨이퍼 세정 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115889293B (zh) * 2022-11-08 2024-04-16 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017168565A (ja) 2016-03-15 2017-09-21 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP2018098241A (ja) 2016-12-08 2018-06-21 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2019047054A (ja) 2017-09-06 2019-03-22 株式会社ディスコ ウエーハ洗浄装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法
EP1091388A3 (en) * 1999-10-06 2005-09-21 Ebara Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate
US6558053B2 (en) * 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
JP5136103B2 (ja) 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
US10403517B2 (en) * 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6875104B2 (ja) * 2016-11-15 2021-05-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布方法
JP2018125499A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP7364322B2 (ja) 2018-02-23 2023-10-18 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US11342202B2 (en) * 2018-08-17 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automated wafer cleaning
KR102311324B1 (ko) * 2019-08-27 2021-10-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7341825B2 (ja) * 2019-09-27 2023-09-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017168565A (ja) 2016-03-15 2017-09-21 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP2018098241A (ja) 2016-12-08 2018-06-21 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2019047054A (ja) 2017-09-06 2019-03-22 株式会社ディスコ ウエーハ洗浄装置

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