JPH10256199A - 吸着支持面の洗浄装置 - Google Patents
吸着支持面の洗浄装置Info
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- JPH10256199A JPH10256199A JP5304097A JP5304097A JPH10256199A JP H10256199 A JPH10256199 A JP H10256199A JP 5304097 A JP5304097 A JP 5304097A JP 5304097 A JP5304097 A JP 5304097A JP H10256199 A JPH10256199 A JP H10256199A
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- Japan
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- cleaning liquid
- carrier plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】板状体加工機の吸着支持面を洗浄し、微細な異
物まで残すことなく除去できる洗浄装置を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ加工機のキャリアプレート
５０のチャック面５２Ａに向けて、ノズル１４から高圧
で洗浄液を噴射し、チャック面５２Ａ上の異物を洗い流
す。
物まで残すことなく除去できる洗浄装置を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ加工機のキャリアプレート
５０のチャック面５２Ａに向けて、ノズル１４から高圧
で洗浄液を噴射し、チャック面５２Ａ上の異物を洗い流
す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、吸着支持面の洗浄
装置に係わり、特に、半導体ウェーハ加工機の半導体ウ
ェーハを保持するキャリアプレートを洗浄する洗浄装置
に関する。
装置に係わり、特に、半導体ウェーハ加工機の半導体ウ
ェーハを保持するキャリアプレートを洗浄する洗浄装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの表面研削、面取り、ま
たは研磨等の加工を行う半導体ウェーハ加工機では、例
えば真空吸着等の方法でキャリアプレートのチャック面
に半導体ウェーハを密着させて半導体ウェーハを保持す
る。この装着の際に半導体ウェーハとチャック面との間
に異物が挟まると、半導体ウェーハが歪んでしまうので
精度の高い加工を行うことができない。そのため、半導
体ウェーハの装着前にチャック面を洗浄する必要があ
る。
たは研磨等の加工を行う半導体ウェーハ加工機では、例
えば真空吸着等の方法でキャリアプレートのチャック面
に半導体ウェーハを密着させて半導体ウェーハを保持す
る。この装着の際に半導体ウェーハとチャック面との間
に異物が挟まると、半導体ウェーハが歪んでしまうので
精度の高い加工を行うことができない。そのため、半導
体ウェーハの装着前にチャック面を洗浄する必要があ
る。
【０００３】このような洗浄装置として、チャック面に
低圧で純水を掛けながらチャック面をブラシで擦ること
によって、チャック面の異物を除去しようとするものが
ある。
低圧で純水を掛けながらチャック面をブラシで擦ること
によって、チャック面の異物を除去しようとするものが
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄装置では、ブラシの毛よりも細かな異物を除去する
ことは困難である。また、異物が単にチャック面の上を
移動するだけで除去されなかったり、ブラシから発生す
る塵によってチャック面を汚染したりするという欠点が
ある。
洗浄装置では、ブラシの毛よりも細かな異物を除去する
ことは困難である。また、異物が単にチャック面の上を
移動するだけで除去されなかったり、ブラシから発生す
る塵によってチャック面を汚染したりするという欠点が
ある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、微細な異物まで残すことなく除去できる吸着
支持面の洗浄装置を提供することを目的とする。
たもので、微細な異物まで残すことなく除去できる吸着
支持面の洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】前記目的を達成するため
に、本発明の吸着支持面の洗浄装置は、板状体を吸着支
持面で支持して板状体を加工する加工機の吸着支持面
に、ノズルから洗浄液を噴射することによって、前記吸
着支持面を洗浄することを特徴とする。本発明の洗浄装
置では、ノズルから高圧で洗浄液を噴射して吸着支持面
を洗浄するようにしたので、異物を吸着支持面から洗い
流して除去できる。
に、本発明の吸着支持面の洗浄装置は、板状体を吸着支
持面で支持して板状体を加工する加工機の吸着支持面
に、ノズルから洗浄液を噴射することによって、前記吸
着支持面を洗浄することを特徴とする。本発明の洗浄装
置では、ノズルから高圧で洗浄液を噴射して吸着支持面
を洗浄するようにしたので、異物を吸着支持面から洗い
流して除去できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って、本発明に
係る吸着支持面の洗浄装置の好ましい実施の形態につい
て詳説する。図１に、本発明の実施の形態の吸着支持面
の洗浄装置１０を示す。この洗浄装置１０は、半導体ウ
ェーハ加工機のキャリアプレート５０のチャック面（吸
着支持面）５２Ａに向けて、ノズル１４から純水等の洗
浄液を噴射することによって、チャック面５２Ａを洗浄
するものである。
係る吸着支持面の洗浄装置の好ましい実施の形態につい
て詳説する。図１に、本発明の実施の形態の吸着支持面
の洗浄装置１０を示す。この洗浄装置１０は、半導体ウ
ェーハ加工機のキャリアプレート５０のチャック面（吸
着支持面）５２Ａに向けて、ノズル１４から純水等の洗
浄液を噴射することによって、チャック面５２Ａを洗浄
するものである。
【０００８】前記ノズル１４は、パイプ１６を介してポ
ンプ１８に接続されていて、このポンプ１８は、可撓性
のホース２０を介してタンク２２に接続されている。タ
ンク２２に貯留された洗浄液は、ポンプ１８によって加
圧されてノズル１４に送られ、チャック面５２Ａに向け
て破線で示す範囲に高圧で噴射される。前記ポンプ１８
は、テーブル２４上に設置されている。このテーブル２
４は、基台２６上に設けられたレール２８上で矢印ａ方
向に移動自在であり、テーブル２４の端部は、基台２６
に支持されているエアシリンダ３０にロッド３２を介し
て接続されている。したがって、エアシリンダ３０を作
動させると、ノズル１４はテーブル２４等を介して矢印
ａ方向に移動する。
ンプ１８に接続されていて、このポンプ１８は、可撓性
のホース２０を介してタンク２２に接続されている。タ
ンク２２に貯留された洗浄液は、ポンプ１８によって加
圧されてノズル１４に送られ、チャック面５２Ａに向け
て破線で示す範囲に高圧で噴射される。前記ポンプ１８
は、テーブル２４上に設置されている。このテーブル２
４は、基台２６上に設けられたレール２８上で矢印ａ方
向に移動自在であり、テーブル２４の端部は、基台２６
に支持されているエアシリンダ３０にロッド３２を介し
て接続されている。したがって、エアシリンダ３０を作
動させると、ノズル１４はテーブル２４等を介して矢印
ａ方向に移動する。
【０００９】前記キャリアプレート５０の下面には、多
孔質樹脂（例えばポリウレタン）製のバッキング材５２
が接着されている。このバッキング材５２の下面である
前記チャック面５２Ａが液体（例えば水）で濡らされ、
そこに半導体ウェーハ（板状体）１が吸着支持される。
キャリアプレート５０の上面中央には、軸５４が固着さ
れている。キャリアプレート５０は、軸５４に連結され
た図示しないモータによって矢印ｂ方向に回転駆動され
るとともに、図示しないキャリアプレート移動機構によ
って矢印ｃで示すように水平方向及び垂直方向に移動さ
れる。
孔質樹脂（例えばポリウレタン）製のバッキング材５２
が接着されている。このバッキング材５２の下面である
前記チャック面５２Ａが液体（例えば水）で濡らされ、
そこに半導体ウェーハ（板状体）１が吸着支持される。
キャリアプレート５０の上面中央には、軸５４が固着さ
れている。キャリアプレート５０は、軸５４に連結され
た図示しないモータによって矢印ｂ方向に回転駆動され
るとともに、図示しないキャリアプレート移動機構によ
って矢印ｃで示すように水平方向及び垂直方向に移動さ
れる。
【００１０】例えばこの加工機が半導体ウェーハ研磨機
である場合、研磨定盤６０が設けられている。研磨定盤
６０は、その上面に研磨パッド６２が接着されていて、
モータ６４によって矢印ｄ方向に回転される。半導体ウ
ェーハ１の研磨を行う際には、キャリアプレート５０の
チャック面５２Ａに半導体ウェーハ１を被研磨面を下に
向けて装着する。そして、研磨パッド６２上に研磨液を
供給するとともに、キャリアプレート移動機構でキャリ
アプレート５０を移動させて半導体ウェーハ１を研磨パ
ッド６２に押し付けながら、半導体ウェーハ１と研磨パ
ッド６２とをそれぞれ回転させて擦り合わせることで、
半導体ウェーハ１の研磨が行われる。
である場合、研磨定盤６０が設けられている。研磨定盤
６０は、その上面に研磨パッド６２が接着されていて、
モータ６４によって矢印ｄ方向に回転される。半導体ウ
ェーハ１の研磨を行う際には、キャリアプレート５０の
チャック面５２Ａに半導体ウェーハ１を被研磨面を下に
向けて装着する。そして、研磨パッド６２上に研磨液を
供給するとともに、キャリアプレート移動機構でキャリ
アプレート５０を移動させて半導体ウェーハ１を研磨パ
ッド６２に押し付けながら、半導体ウェーハ１と研磨パ
ッド６２とをそれぞれ回転させて擦り合わせることで、
半導体ウェーハ１の研磨が行われる。
【００１１】次に、以上のように構成された洗浄装置１
０の動作について説明する。キャリアプレート５０で加
工作業が行われチャック面５２Ａから半導体ウェーハ１
を外した後、キャリアプレート移動機構によってキャリ
アプレート５０を研磨定盤６０上から退避させる。そし
て、エアシリンダ３０を作動させてノズル１４をチャッ
ク面５２Ａの下方に位置させ、ポンプ１８を作動させて
ノズル１４から洗浄液を噴射する。
０の動作について説明する。キャリアプレート５０で加
工作業が行われチャック面５２Ａから半導体ウェーハ１
を外した後、キャリアプレート移動機構によってキャリ
アプレート５０を研磨定盤６０上から退避させる。そし
て、エアシリンダ３０を作動させてノズル１４をチャッ
ク面５２Ａの下方に位置させ、ポンプ１８を作動させて
ノズル１４から洗浄液を噴射する。
【００１２】ノズル１４から噴射された洗浄液は、粒径
が１μｍ以上３００μｍ以下である霧粒となり、１０ｍ
／ｓ以上５００ｍ／ｓ以下の速度でチャック面５２Ａに
衝突する。チャック面５２Ａ上の研磨屑等の異物は、洗
浄液によって洗い流される。そして、ノズル１４から洗
浄液を噴射させながら、図示しないモータによってキャ
リアプレート５０を回転させるとともに、エアシリンダ
３０によってノズル１４を移動させる。これにより、チ
ャック面５２Ａを全面にわたって洗浄することができ
る。なお、ノズル１４は固定されていて、キャリアプレ
ート５０をキャリアプレート移動機構によって移動させ
る構成であってもよい。
が１μｍ以上３００μｍ以下である霧粒となり、１０ｍ
／ｓ以上５００ｍ／ｓ以下の速度でチャック面５２Ａに
衝突する。チャック面５２Ａ上の研磨屑等の異物は、洗
浄液によって洗い流される。そして、ノズル１４から洗
浄液を噴射させながら、図示しないモータによってキャ
リアプレート５０を回転させるとともに、エアシリンダ
３０によってノズル１４を移動させる。これにより、チ
ャック面５２Ａを全面にわたって洗浄することができ
る。なお、ノズル１４は固定されていて、キャリアプレ
ート５０をキャリアプレート移動機構によって移動させ
る構成であってもよい。
【００１３】本洗浄装置１０では、洗浄液を高圧で噴射
し、洗浄液の霧粒の粒径及びチャック面５２Ａへの衝突
速度を最適化したので、チャック面５２Ａ上の比較的大
きな異物から微細な異物にいたるまで除去することがで
きる。また、異物は、洗浄液によってチャック面５２Ａ
上から洗い流されるので、チャック面５２Ａに再付着す
ることはない。
し、洗浄液の霧粒の粒径及びチャック面５２Ａへの衝突
速度を最適化したので、チャック面５２Ａ上の比較的大
きな異物から微細な異物にいたるまで除去することがで
きる。また、異物は、洗浄液によってチャック面５２Ａ
上から洗い流されるので、チャック面５２Ａに再付着す
ることはない。
【００１４】ノズル１４への洗浄液の供給圧力は、４Ｍ
Ｐａ以上３０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以上
１５ＭＰａ以下であることが望ましい。圧力が小さすぎ
ると、噴射される洗浄液の運動エネルギーが足りず、チ
ャック面５２Ａを充分に洗浄することができない。ま
た、圧力が大きすぎると、バッキング材５２が損傷した
り洗浄液の周囲への飛散が多くなったりしてしまう。
Ｐａ以上３０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以上
１５ＭＰａ以下であることが望ましい。圧力が小さすぎ
ると、噴射される洗浄液の運動エネルギーが足りず、チ
ャック面５２Ａを充分に洗浄することができない。ま
た、圧力が大きすぎると、バッキング材５２が損傷した
り洗浄液の周囲への飛散が多くなったりしてしまう。
【００１５】また、チャック面５２Ａへ衝突させる洗浄
液の霧粒の粒径は、１μｍ以上３００μｍ以下、より好
ましくは１μｍ以上１００μｍ以下であることが望まし
く、その衝突速度は、１０ｍ／ｓ以上５００ｍ／ｓ以
下、より好ましくは３０ｍ／ｓ以上１５０ｍ／ｓ以下で
あることが望ましい。洗浄液の霧粒のチャック面５２Ａ
への衝突エネルギーは、霧粒の粒径の３乗とチャック面
５２Ａへの衝突速度の２乗との積に比例する。このエネ
ルギーが小さすぎると、チャック面５２Ａを充分に洗浄
することができない。また、このエネルギーが大きすぎ
ると、バッキング材５２が損傷したり洗浄液の周囲への
飛散が多くなったりしてしまう。
液の霧粒の粒径は、１μｍ以上３００μｍ以下、より好
ましくは１μｍ以上１００μｍ以下であることが望まし
く、その衝突速度は、１０ｍ／ｓ以上５００ｍ／ｓ以
下、より好ましくは３０ｍ／ｓ以上１５０ｍ／ｓ以下で
あることが望ましい。洗浄液の霧粒のチャック面５２Ａ
への衝突エネルギーは、霧粒の粒径の３乗とチャック面
５２Ａへの衝突速度の２乗との積に比例する。このエネ
ルギーが小さすぎると、チャック面５２Ａを充分に洗浄
することができない。また、このエネルギーが大きすぎ
ると、バッキング材５２が損傷したり洗浄液の周囲への
飛散が多くなったりしてしまう。
【００１６】なお、洗浄装置１０にノズル１４を揺動運
動させる機構を設けて、チャック面５２Ａに対する洗浄
液の噴射角度を変化させるようにしてもよい。これによ
り、チャック面５２Ａにこびりついた異物を、チャック
面５２Ａから引き剥がすようにして洗い流すことができ
る。また、ノズル１４を自転させる機構や旋回させる機
構を設けて、洗浄液に旋回方向のエネルギーを与えるこ
とで、洗浄効果を高めることもできる。
動させる機構を設けて、チャック面５２Ａに対する洗浄
液の噴射角度を変化させるようにしてもよい。これによ
り、チャック面５２Ａにこびりついた異物を、チャック
面５２Ａから引き剥がすようにして洗い流すことができ
る。また、ノズル１４を自転させる機構や旋回させる機
構を設けて、洗浄液に旋回方向のエネルギーを与えるこ
とで、洗浄効果を高めることもできる。
【００１７】また、前記キャリアプレート５０の下面
に、バッキング材５２の代わりに真空吸着部が設けられ
ていて、そこに半導体ウェーハ１が吸着支持される構成
であってもよい。この場合、真空吸着部の下面がチャッ
ク面となる。このチャック面と半導体ウェーハ１との密
着度を増すために、半導体ウェーハ１が装着される際
に、チャック面にシール剤（例えばパラフィン）が塗布
されてもよい。
に、バッキング材５２の代わりに真空吸着部が設けられ
ていて、そこに半導体ウェーハ１が吸着支持される構成
であってもよい。この場合、真空吸着部の下面がチャッ
ク面となる。このチャック面と半導体ウェーハ１との密
着度を増すために、半導体ウェーハ１が装着される際
に、チャック面にシール剤（例えばパラフィン）が塗布
されてもよい。
【００１８】なお、以上の説明においては、洗浄の対象
として半導体ウェーハ加工機のキャリアプレートのチャ
ック面を例にとったが、これに限定されることなく、本
発明の装置を用いて、ハードディスクや板ガラス等の板
状体の加工機の、被加工物が支持される吸着支持面を洗
浄することができる。
として半導体ウェーハ加工機のキャリアプレートのチャ
ック面を例にとったが、これに限定されることなく、本
発明の装置を用いて、ハードディスクや板ガラス等の板
状体の加工機の、被加工物が支持される吸着支持面を洗
浄することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の吸着支持
面の洗浄装置では、ノズルから高圧で洗浄液を噴射して
吸着支持面を洗浄するようにしたので、異物を吸着支持
面から洗い流して除去できる。
面の洗浄装置では、ノズルから高圧で洗浄液を噴射して
吸着支持面を洗浄するようにしたので、異物を吸着支持
面から洗い流して除去できる。
【図１】本発明の実施の形態の吸着支持面の洗浄装置の
要部構造図
要部構造図
１０…洗浄装置 １４…ノズル １８…ポンプ ２２…タンク ５０…キャリアプレート ５２…バッキング材 ５２Ａ…チャック面 ６０…研磨定盤 ６２…研磨パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 隆穂 愛知県尾張旭市旭前町新田洞5050番地 旭 サナック株式会社内 (72)発明者 宮地 計二 愛知県尾張旭市旭前町新田洞5050番地 旭 サナック株式会社内 (72)発明者 清家 善之 愛知県尾張旭市旭前町新田洞5050番地 旭 サナック株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】板状体を吸着支持面で支持して板状体を加
工する加工機の吸着支持面に、ノズルから洗浄液を噴射
することによって、前記吸着支持面を洗浄することを特
徴とする吸着支持面の洗浄装置。 - 【請求項２】前記ノズルに洗浄液を４ＭＰａ以上３０Ｍ
Ｐａ以下の圧力で供給することを特徴とする請求項１記
載の吸着支持面の洗浄装置。 - 【請求項３】前記ノズルから、粒径が１μｍ以上３００
μｍ以下である洗浄液の霧粒を、１０ｍ／ｓ以上５００
ｍ／ｓ以下の速度で前記吸着支持面に衝突させることを
特徴とする請求項１記載の吸着支持面の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5304097A JPH10256199A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 吸着支持面の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5304097A JPH10256199A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 吸着支持面の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256199A true JPH10256199A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12931785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5304097A Pending JPH10256199A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 吸着支持面の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256199A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216122A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 |
| JP2001319902A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの研磨装置 |
| JP2002170798A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨用プレートの洗浄方法及び洗浄装置、及びウエーハ研磨方法 |
| KR101333232B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2013-11-26 | 대진하이텍(주) | 터보차저의 터빈하우징용 세척장치 |
| KR101362042B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2014-02-12 | 대진하이텍(주) | 터보차저용 터빈하우징 세척장치 및 이를 이용한 세척방법 |
| WO2019085564A1 (zh) * | 2017-11-03 | 2019-05-09 | 深圳市创世纪机械有限公司 | 一种上下双置冲屑的机床 |
| KR20190052138A (ko) | 2016-11-15 | 2019-05-15 | 가부시키가이샤 사무코 | 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법 |
| CN116765957A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-09-19 | 广东希普斯科技有限公司 | 一种自动化高速双主轴内圆磨床 |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP5304097A patent/JPH10256199A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE112017005747T5 (de) | 2016-11-15 | 2019-08-14 | Sumco Corporation | Waferkantenpoliervorrichtung und -verfahren |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20031215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060303 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060626 |