KR102311324B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 질화 실리콘층을 갖는 기판을 식각하는 방법은, 설정 온도로 가열된 상기 기판에 설정 온도 및 설정 농도의 제1 처리액을 공급하여 상기 질화 실리콘을 식각하되, 상기 질화 실리콘 식각 과정에서, 상기 제1 처리액이 공급되는 과정에서 설정 시간 중첩되어 제2 처리액을 추가로 공급한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPRATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.
일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급한다. 케미칼 공급시 케미칼은 고온으로 가열된 상태로 공급되고, 지지 유닛에는 히터가 제공되어 기판을 가열한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 온도 유니포미티를 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 질화 실리콘층을 갖는 기판을 식각하는 방법은, 설정 온도로 가열된 상기 기판에 설정 온도 및 설정 농도의 제1 처리액을 공급하여 상기 질화 실리콘을 식각하되, 상기 질화 실리콘 식각 과정에서, 상기 제1 처리액이 공급되는 과정에서 설정 시간 중첩되어 제2 처리액을 추가로 공급한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액은 제1 인산이고, 상기 제2 처리액은 제2 인산이며, 상기 제1 인산과 상기 제2 인산은 설정 온도 및 설정 농도 중 어느 하나 이상이 서로 상이할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 인산은, 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액이고, 상기 제2 인산은, 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판에 설정 온도 및 설정 농도의 제3 처리액을 더 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 처리액은 실리콘 혼합액일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 실리콘 혼합액은 인산 또는 DIW 중 어느 하나 이상일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액, 상기 제2 처리액 및 제3 처리액에 포함되는 실리콘(Si)의 농도는, 상기 제1 처리액 및 상기 제2 처리액과 비교하여 상기 제3 처리액에서 더 높게 제공할 기판 처리 방법.
일 실시 예에 있어서, 기판의 영역별 온도를 측정하는 온도 센서의 온도 측정 결과에 기초하여 상기 제1 처리액과 상기 제2 처리액 중 어느 하나 이상의 토출 위치, 토출 시간 및 토출 유량 중 어느 하나 이상을 조절할 기판 처리 방법.
일 실시 예에 있어서, 제1 기판을 투입하는 단계와; 상기 제1 기판에 상기 제1 인산을 공급하여 기판을 처리하면서 상기 제1 기판의 표면 온도 측정 결과를 수집하는 단계와; 상기 표면 온도 수집 결과에 기초하여, 상기 제2 처리액의 토출 위치, 토출 시간 및 토출 유량 중 어느 하나 이상을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액의 토출 위치는 상기 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높게 측정된 영역일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액의 토출 시간은 상기 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높아지기 시작하는 어느 시점에서부터 온도가 낮아지기 전의 어느 시점까지일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 기판의 처리는 제3 처리액을 더 공급하여 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급할 수 있다.
상기 제2 처리액은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 실리콘 혼합액은, 섭씨 10도 이상 175도 이하로 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급할 수 있다.
상기 제2 처리액의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급할 수 있다.
상기 제2 처리액의 공급은 설정시간의 공급 상태와 설정시간의 비공급 상태를 반복할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 처리액의 유량은 0 초과 100cc/min이하로 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액과 상기 제2 처리액과 상기 제3 처리액 중 어느 하나 이상은 기판 상부에서 설정 영역을 이동시키며 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액은 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역에 고정되어 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액은 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역을 이동하며 공급될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 유닛과; 상기 기판을 가열하는 히터와; 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액 중 어느 하나인 제1 처리액을 공급하는 제1 노즐과; 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액 중 어느 하나인 제2 처리액을 공급하는 제2 노즐을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제어기와, 기판의 영역별 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 온도 센서의 온도 측정 결과에 기초하여 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 중 어느 하나 이상의 토출 위치, 토출 시간 및 토출 유량 중 어느 하나 이상을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액의 토출 위치는 상기 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높게 측정된 영역일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액의 토출 시간은 상기 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높아지기 시작하는 어느 시점에서부터 온도가 낮아지기 전의 어느 시점까지일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액의 공급은 설정시간의 공급 상태와 설정시간의 비공급 상태가 반복될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 노즐은, 스프레이 형태로 제2 처리액을 분사하며 토출하는 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 실리콘(Si) 계열의 케미칼인 제3 처리액을 공급하는 제3 노즐을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 처리액은, 상기 실리콘(Si) 계열의 케미칼에 인산 또는 DIW 중 어느 하나 이상을 더 포함하고, 상기 제1 처리액, 상기 제2 처리액 및 상기 제3 처리액에 포함되는 실리콘(Si)의 농도는 상기 제1 처리액 및 상기 제2 처리액과 비교하여, 상기 제3 처리액이 더 높게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급되고, 상기 제2 처리액은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급되고, 상기 제3 처리액은, 섭씨 10도 이상 175도 이하로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급되고, 상기 제2 처리액의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급되고, 상기 제3 처리액의 유량은 0 초과 100cc/min이하로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐과, 상기 제2 노즐과, 상기 제3 노즐 중 어느 하나 이상은 기판 상부에서 설정 영역을 이동하며 액을 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 노즐은, 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역에 액을 공급하도록 고정될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 노즐은, 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역을 이동하며 액을 공급할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 히터는 기판을 영역별로 가열하는 가열부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공 될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 온도 유니포미티가 높게 기판을 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 노즐과 일 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 노즐과 일 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 노즐과 다른 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 노즐과 또 다른 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 노즐의 동작을 상부에서 바라본 도면이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 제1 기판의 처리시에 일 시점에 따른 기판의 온도 분포를 도시한 도면이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 제1 기판의 처리 시에 일 지점의 기판의 시간별 온도 변화를 도시한 도면이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 기판의 처리 방법을 도시한 플로우 차트이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다.
인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하며, 제1 방향(12)과 제2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3 방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 위치된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 변경될 수 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다.
이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 변경될 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 컵(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 제1 처리액 공급 유닛(370), 제2 처리액 공급 유닛(390), 제3 처리액 공급 유닛(380), 및 제어기(미도시)를 포함한다.
제어기(미도시)는 후술하는 바와 같이 기판을 설정 공정에 따라 처리되도록 공정 챔버(260)의 구성 요소들을 제어한다.
컵(320)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 컵(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)를 감싸는 환형의 링형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(326a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다.
일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)의 저면 아래에는 제1 회수라인(322b), 제2 회수라인(324b), 제3 회수라인(326b)이 연결된다. 각각의 제1 회수통(322), 제2 회수통(324), 제3 회수통(326)에 유입된 처리액들은 제1 회수라인(322b), 제2 회수라인(324b), 제3 회수라인(326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)는 스핀척(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 스핀척(342)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀척(342)의 외측면은 단차지도록 제공된다. 스핀척(342)는 그 저면이 상부면에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 스핀척(342)의 외측면은 제1경사면(341), 수평면(343), 그리고 제2경사면(345)을 가진다. 제1 경사면(341)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 아래로 연장된다. 수평면(343)은 제1 경사면(341)의 하단으로부터 내측방향으로 연장된다. 제2 경사면(345)은 수평면(343)의 내측단으로부터 아래로 연장된다. 제1경사면(341) 및 제2경사면(345) 각각은 몸체의 중심축과 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 중심축에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 기판 지지 유닛(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 스핀척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
지지축(348)은 스핀척(342)을 회전 가능하게 지지한다. 지지축(348)은 스핀척(342)의 아래에 위치된다. 지지축(348)은 회전축(347) 및 고정축(349)을 포함한다. 회전축(347)은 내축으로 제공되고, 고정축(349)은 외축으로 제공된다. 회전축(347)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 회전축(347)은 스핀척(342)의 저면에 고정 결합된다. 회전축(347)은 구동부재(350)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 스핀척(342)는 회전축(347)과 함께 회전되도록 제공된다. 고정축(349)은 회전축(347)을 감싸는 중공의 원통 형상을 가진다. 고정축(349)은 회전축(347)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 고정축(349)의 내측면은 회전축(347)과 이격되게 위치된다. 고정축(349)은 회전축이 회전되는 중에 고정된 상태를 유지한다.
가열 부재(400)는 스핀척(342) 내부에 위치되어 기판(W)을 가열한다. 가열 부재(400)는 기판(W)의 전체 영역을 가열할 수 있다. 일 예에 의하면 가열 부재(400)는 기판을 영역별로 가열할 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(400)는 코일 형태로 스핀척(342) 내부에 균일한 간격으로 제공될 수 있다. 가열 부재(400)가 스핀척(342)을 가열하면, 스핀척(342)에 접촉된 기판(W)의 하면이 전도 가열되면서 기판(W)이 건조된다. 다른 예에 의하면, 기판(W)이 가열되면서 동시에 회전될 수도 있다. 이와 달리, 가열 부재가 램프(미도시)로 제공되어 기판의 상부에 제공될 수도 있다. 이러한 경우에는 램프가 기판(W)의 상면을 가열하여 기판이 건조될 수 있다.
승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다.
브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 기판 지지 유닛(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
제1 처리액 공급 유닛(370)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 제1 처리액 공급 유닛(370)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 제1 처리액을 기판(W)에 분사할 수 있다. 제1 처리액 공급 유닛(370)은 제1 지지축(376), 제1 아암(372), 그리고 제1 노즐(371)을 포함한다. 제1 지지축(376)은 컵(320)의 일측에 배치된다. 제1 지지축(376)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 제1 지지축(376)은 구동 부재(378)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 제1 지지축(386)은 구동 부재(389)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강 운동할 수 있다. 제1 아암(372)은 제1 노즐(371)을 지지한다. 제1 아암(372)은 제1 지지축(376)에 결합되고, 끝단 저면에는 제1 노즐(371)이 고정 결합된다. 제1 노즐(371)은 제1 지지축(376) 또는 또는 제1 아암(372)의 회전에 의해 스윙 이동될 수 있다. 제1 노즐(371)은 제1 지지축(376)의 회전 또는 제1 아암(372)의 이동에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.
여기서 공정위치는 제1 노즐(371)이 기판 지지 유닛(340)와 대향되는 위치이고, 대기 위치는 제1 노즐(371)이 공정위치를 벗어난 위치이다.
제1 처리액은 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액 중 어느 하나이다. 제1 처리액은 인산에 순수가 첨가되어 농도가 조정된 약액 등 일 수 있다. 제1 처리액의 공급 온도는 섭씨 130도 이상 200도 이하이고, 제1 처리액의 공급 유량은 0 초과 1000cc/min이하이다.
제2 처리액 공급 유닛(390)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 제2 처리액 공급 유닛(390)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 제2 처리액을 기판(W)에 분사할 수 있다. 제2 처리액 공급 유닛(380)은 제2 아암(392), 그리고 제2 노즐(391)을 포함한다. 제2 아암(392)은 제2 노즐(391)을 지지한다. 제2 아암(392)은 제1 지지축(373)에 결합되고, 끝단 저면에는 제2 노즐(391)이 고정 결합된다. 제2 노즐(391)은 제2 아암(392)의 회전에 의해 스윙 이동될 수 있다. 제2 노즐(391)은 제2 아암(392)의 회전에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다. 또는 제2 아암(392)은 별도의 지지축(미도시)에 연결되고, 별도의 지지축(미도시)의 스윙이동에 의해 제2 노즐(391)이 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.
여기서 제2 공정 위치는 제2 노즐(391)이 기판 지지 유닛(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 제2 노즐(391)이 공정위치를 벗어난 위치이다.
제2 처리액은 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액 중 어느 하나이다. 제2 처리액은 인산에 순수가 첨가되어 농도가 조정된 약액 등 일 수 있다. 제2 처리액의 공급 온도는 섭씨 130도 이상 200도 이하이고, 제2 처리액의 공급 유량은 0 초과 1000cc/min이하이다. 제2 처리액의 공급은 설정시간의 공급 상태와 설정시간의 비공급 상태가 반복될 수 있다.
제3 처리액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 제3 처리액 공급 유닛(380)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 제3 처리액을 기판(W)에 분사할 수 있다. 제3 처리액 공급 유닛(380)은 제3 지지축(386), 제3 아암(382), 그리고 제3 노즐(381)을 포함한다. 제3 지지축(386)은 컵(320)의 일측에 배치된다. 제3 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 제3 지지축(386)은 구동 부재(384)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 제3 지지축(386)은 구동부재(384)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강 운동할 수 있다. 제3 아암(382)은 제3 노즐(381)을 지지한다. 제3 아암(382)은 제3 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 제3 노즐(381)이 고정 결합된다. 제3 노즐(381)은 제3 지지축(386)의 회전에 의해 스윙 이동될 수 있다. 제3 노즐(381)은 제3 지지축(386)의 회전에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.
여기서 공정 위치는 제3 노즐(381)이 기판 지지 유닛(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 제3 노즐(381)이 공정위치를 벗어난 위치이다.
제3 처리액은 실리콘(Si) 계열의 케미칼이다. 제3 처리액은 실리콘 계열의 케미칼에 인산 또는 DIW 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 포함되는 인산은 순수가 첨가되어 농도가 조정된 약액 등 일 수 있다. 제3 처리액의 공급 온도는 섭씨 10도 이상 175도 이하이고, 제3 처리액의 공급 유량은 0 초과 100cc/min이하이다.
제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액에 포함되는 실리콘(Si)의 농도는 제1 처리액 및 제2 처리액과 비교하여, 제3 처리액이 더 높게 제공된다.
도 3은 일 실시 예에 따른 노즐과 일 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면, 제1 노즐(371)은 제1 공급 라인(375)에 연결되고, 제1 공급 라인(375)은 제1 공급원(378)에 연결된다. 제1 공급원(378)은 제1 처리액을 저장한다. 제2 노즐(391)은 제2 공급 라인(395)에 연결되고, 제2 공급 라인(395)은 제2 공급원(398)에 연결된다. 제2 공급원(398)은 제2 처리액을 저장한다. 제3 노즐(381)은 제3 공급 라인(385)에 연결되고, 제3 공급 라인(385)은 제3 공급원(388)에 연결된다. 제3 공급원(378)은 제3 처리액을 저장한다.
제1 공급 라인(375)에는 제1 히터(377)과 제1 유량 조절 부재(376)이 제공된다. 제2 공급 라인(395)에는 제2 히터(397)과 제2 유량 조절 부재(396)이 제공된다. 제3 공급 라인(385)에는 제3 히터(387)과 제3 유량 조절 부재(386)이 제공된다.
제1 노즐(371)과 제2 노즐(391)과 제3 노즐(381)은 각각 처리액을 플로우 형태로 공급한다.
도 4는 다른 실시 에에 따른 노즐과 일 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다. 도 4를 참조하면, 제2 노즐(1391)은 제3 처리액을 스프레이 형태로 공급할 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 노즐과 다른 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다. 도 5를 참조하면, 제1 공급 라인(375)와 제2 공급 라인(395)는 공급원의 전단에서 연결된다. 즉, 제1 공급원(1378)에 연결된 공급 라인은 분기되어 제1 공급 라인(375)와 제2 공급 라인(395)를 이룬다. 제1 공급 라인(375)에는 제1 히터(377)과 제1 유량 조절 부재(376)이 제공된다. 제2 공급 라인(395)에는 제2 히터(397)과 제2 유량 조절 부재(396)이 제공된다. 제1 노즐(371)에서 공급되는 제1 처리액의 온도와 제2 노즐(391)에서 공급되는 제2 처리액의 농도는 상이하게 제공될 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 노즐과 또 다른 실시 예에 따른 유통 라인을 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 제1 공급 라인(375a)와 제2 공급 라인(395)는 공급원의 전단에서 연결된다. 즉, 제1 공급원(1378)에 연결된 공급 라인은 분기되어 제1 공급 라인(375a)와 제2 공급 라인(395)를 이룬다. 제1 공급 라인(375a)는 일 지점에서 보조 라인(375b)과 연결된다. 보조 라인(375b)는 보조액 공급원(379)와 연결된다. 보조액 공급원(379)는 제1 처리액의 농도를 조절하기 위한 보조액이 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 보조액은 DIW, 인산, 실리콘 혼합액 중 어느 하나 또는 조합에 따른 혼합액일 수 있다. 제1 공급 라인(375a)에는 제1 히터(377a)과 제1 유량 조절 부재(376a)가 제공된다. 보조 라인(375b)에는 제4 히터(377a)과 제4 유량 조절 부재(376b)가 제공된다. 제2 공급 라인(395)에는 제2 히터(397)과 제2 유량 조절 부재(396)이 제공된다. 제1 공급 라인(375a)과 보조 라인(375b)이 연결된 하류의 통합 라인(375c)에는 제5 히터(377c)가 제공될 수 있다. 제1 노즐(371)에서 공급되는 제1 처리액의 온도와 제2 노즐(391)에서 공급되는 제2 처리액의 농도는 상이하게 제공될 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따른 노즐의 동작을 상부에서 바라본 도면이다. 도 7을 참조하면, 제1 노즐(371)은 R1경로를 따라, 기판을 스캔할 수 있도록 제공된다. 제2 노즐(391)은 R2경로를 따라 기판을 스캔할 수 있도록 제공된다. 제3 노즐(381)은 R3경로를 따라 기판을 스캔할 수 있도록 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 제1 노즐(371)은 기판 상부에서 설정 영역을 이동하며 기판에 대하여 제1 처리액을 공급한다. 설정영역은 기판의 중앙에서부터 기판의 가장자리 영역일 수 있다. 또는 설정영역은 기판 중앙 영역의 단부에서 기판 가장자리 영역일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제3 노즐(381)는 기판 상부에서 설정 영역을 이동하며 기판에 대하여 제3 처리액을 공급한다. 설정영역은 기판의 중앙에서부터 기판의 가장자리 영역일 수 있다. 또는 설정영역은 기판의 중앙에서부터 기판의 가장자리 영역일 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 제1 기판의 처리시에 일 시점에 따른 기판의 온도 분포를 도시한 도면이고, 도 9는 일 실시 예에 따른 제1 기판의 처리 시에 일 지점의 기판의 시간별 온도 변화를 도시한 도면이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 기판의 처리 과정에서 일정 시간 동안에 기판의 A영역은 B영역 및 C영역보다 높은 온도로 상승될 수 있다.
기판의 처리 중 기판은 히터에 의해 가열된다. 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액의 공급 온도는 기판의 가열 온도보다 낮다. 때문에 기판의 가열 온도보다 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액 중 어느 하나 이상이 공급되면, 기판의 표면 온도는 하강하고, 공급되지 않는 동안은 기판의 표면 온도가 상승한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 온도 센서(400)는 기판의 표면에 대한 시간별, 영역별 온온도 변화를 측정한다. 일 실시 예에 따르면 테스트 기판인 제1 기판에 대하여 제1 처리액과 제3 처리액으로 기판을 처리하는 경우, 일 지점은 도 9와 같이 A영역의 일 지점은 온도의 변화폭이 크고, B영역의 일 지점은 A영역보다는 변화폭이 작지만 온도의 변화폭이 큰 편이고, C영역의 일지점은 온도의 변화 폭이 거의 없이 일정한 상태를 유지한다.
온도 센서(400)의 기판 표면 온도 측정 결과에 기초하여 제1 처리액과, 제2 처리액과, 제3 처리액 중 어느 하나 이상의 토출 위치, 토출 시간 및 토출 유량 중 어느 하나 이상을 조절할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 표면 온도 수집 결과에 기초하여, 제2 처리액의 토출 위치, 토출 시간 및 토출 유량 중 어느 하나 이상을 설정한다. 도 9의 t1-t2 구간, t3-t4 구간 및 t5-t6 구간은 A영역 일 지점의 온도가 상승하는 구간이다. t2-t3 구간, t4-t5 구간은 A영역 일 지점의 온도가 감소하는 구간이다. 제어기는 t1-t2 구간, t3-t4 구간 및 t5-t6 구간에서 어느 일 시점에 제2 처리액을 공급한다. 제2 처리액의 공급량은 기판 표면의 온도가 감소되어 기판 표면의 온도가 일정해지는 양이다.
일 실시 예에 따르면, 제2 노즐(391)는 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역에 제2 처리액을 공급하도록 고정될 수 있다. 설정 영역은 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높게 측정된 영역이다. 일 실시 예에 따르면, 제2 노즐(391)는 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역을 이동하며 제2 처리액을 공급할 수 있다. 설정 영역은 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높게 측정된 영역이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 기판의 처리 방법을 도시한 플로우 차트이다. 도 10을 참조하면, 제1 기판에 대하여 표면 온도를 모니터링하며 처리하고(S110). 제1 기판의 처리시 온도가 높은 영역의 위치와 발생 시간을 입력 받는다(S120). 그리고 제2 기판 처리시, 입력 받은 제1 기판 처리시 온도가 높은 영역의 위치와 발생 시간에 대응하여 제2 처리액이 공급되도록 제어한다(S130).
도시하지 않았으나, 제3 노즐(381)은 사선 방향으로 처리액을 토출할 수 있다.
도시하지 않았으나, 제2 암(382)은 길이가 길어지거나 짧아지도록 조정될 수 있다. 이로서 제2 노즐(381)은 기판의 전 영역의 상부에 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 기판에 설정 온도 및 설정 농도의 제1 처리액과 제2 처리액과 제3 처리액을 설정 시간 중첩되도록 공급하되, 제1 처리액과 제2 처리액과 제3처리액의 농도 및 온도를 상이하게 제공함으로써, 실리콘 질화막의 식각 속도 및 선택비를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 제1 기판에 대하여 측정한 기판의 표면 온도 변화값에 기반하여 제2 처리액을 공급함으로써 기판의 온도 유니포미티가 증가될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
371: 제1 노즐
381: 제3 노즐
391: 제2 노즐

Claims (33)

  1. 질화 실리콘층을 갖는 기판을 식각하는 방법에 있어서,
    상기 기판으로 제1 기판을 투입하는 단계와;
    설정 온도로 가열된 상기 제1 기판에 설정 온도 및 설정 농도의 제1 인산을 공급하여 상기 질화 실리콘을 식각하되, 상기 질화 실리콘 식각 과정에서, 상기 제1 인산이 공급되는 과정에서 상기 제1 기판의 표면 온도 측정 결과를 수집하는 단계와;
    상기 제1 인산의 공급과 설정 시간 중첩되어 제2 인산을 추가로 공급하되, 상기 표면 온도 수집 결과에 기초하여, 상기 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높게 측정된 영역과 시간을 상기 제2 인산의 토출 위치 및 토출 시간으로 설정하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 인산은, 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액이고,
    상기 제2 인산은, 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액인 기판 처리 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 인산과 상기 제2 인산은 설정 온도 및 설정 농도 중 어느 하나 이상이 서로 상이한 기판 처리 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판의 처리시 온도가 높은 영역의 위치와 발생 시간을 저장하고, 후속되는 제2 기판의 처리시, 저장된 상기 제1 기판 처리시 온도가 높은 영역의 위치와 발생 시간에 대응하여 상기 제2 인산이 공급되도록 하는 기판 처리 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판에 설정 온도 및 설정 농도의 제3 처리액을 더 공급하는 기판 처리 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제3 처리액은 실리콘 혼합액인 기판 처리 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 실리콘 혼합액은 인산 또는 DIW 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 인산, 상기 제2 인산 및 제3 처리액에 포함되는 실리콘(Si)의 농도는, 상기 제1 인산 및 상기 제2 인산과 비교하여 상기 제3 처리액에서 더 높게 제공하는 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 인산의 토출 시간은 상기 제1 기판의 처리 과정에서 온도가 높아지기 시작하는 어느 시점에서부터 온도가 낮아지기 전의 어느 시점까지인 기판 처리 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판의 처리는 제3 처리액을 더 공급하여 이루어지는 기판 처리 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 인산은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급하고,
    상기 제2 인산은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급하는 기판 처리 방법.
  14. 제5 항에 있어서,
    상기 실리콘 혼합액은, 섭씨 10도 이상 175도 이하로 공급하는 기판 처리 방법.
  15. 제1 항에 있어서
    상기 제1 인산의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급하고,
    상기 제2 인산의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급하고,
    상기 제2 인산의 공급은 설정시간의 공급 상태와 설정시간의 비공급 상태를 반복하는 기판 처리 방법.
  16. 제4 항에 있어서,
    상기 제3 처리액의 유량은 0 초과 100cc/min이하로 공급하는 기판 처리 방법.
  17. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 인산과 상기 제2 인산과 상기 제3 처리액 중 어느 하나 이상은 제1 기판의 상부에서 설정 영역을 이동시키며 공급되는 기판 처리 방법.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 인산은 상기 제1 기판이 처리되는 과정에서 상기 제1 기판의 설정 영역에 고정되어 공급되는 기판 처리 방법.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 제2 인산은 상기 제1 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역을 이동하며 공급되는 기판 처리 방법.
  20. 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 유닛과;
    상기 기판을 가열하는 히터와;
    상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액 중 어느 하나인 제1 처리액을 공급하는 제1 노즐과;
    상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 인산 또는 인산과 실리콘(Si) 계열의 케미칼의 혼합액 중 어느 하나인 제2 처리액을 공급하는 제2 노즐과;
    상기 기판의 영역별 온도를 측정하는 온도 센서와;
    제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 제1 노즐으로부터 상기 제1 처리액을 상기 기판으로 공급하여 상기 기판을 처리하는 과정에서, 상기 온도 센서의 온도 측정 결과에 기초하여 상기 기판의 처리 과정에서 온도가 높게 측정된 영역을 상기 제2 처리액의 토출 위치로 설정하고, 상기 기판의 처리 과정에서 온도가 높아지기 시작하는 어느 시점에서부터 온도가 낮아지기 전의 어느 시점까지를 상기 제2 처리액의 토출 시간으로 설정하는 기판 처리 장치.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 제20 항에 있어서,
    상기 제2 처리액의 공급은 설정시간의 공급 상태와 설정시간의 비공급 상태가 반복되는 기판 처리 장치.
  25. 제20 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은, 스프레이 형태로 제2 처리액을 분사하며 토출하는 것인 기판 처리 장치.
  26. 제20 항에 있어서,
    상기 기판이 처리되는 과정에서 기판으로 실리콘(Si) 계열의 케미칼인 제3 처리액을 공급하는 제3 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  27. 제26 항에 있어서,
    상기 제3 처리액은,
    상기 실리콘(Si) 계열의 케미칼에 인산 또는 DIW 중 어느 하나 이상을 더 포함하고,
    상기 제1 처리액, 상기 제2 처리액 및 상기 제3 처리액에 포함되는 실리콘(Si)의 농도는 상기 제1 처리액 및 상기 제2 처리액과 비교하여, 상기 제3 처리액이 더 높게 제공되는 기판 처리 장치.
  28. 제26 항에 있어서,
    상기 제1 처리액은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급되고,
    상기 제2 처리액은, 섭씨 130도 이상 200도 이하로 공급되고,
    상기 제3 처리액은, 섭씨 10도 이상 175도 이하로 공급되는 기판 처리 장치.
  29. 제26 항에 있어서
    상기 제1 처리액의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급되고,
    상기 제2 처리액의 유량은 0 초과 1000cc/min이하로 공급되고,
    상기 제3 처리액의 유량은 0 초과 100cc/min이하로 공급되는 기판 처리 장치.
  30. 제26 항에 있어서,
    상기 제1 노즐과, 상기 제2 노즐과, 상기 제3 노즐 중 어느 하나 이상은 기판 상부에서 설정 영역을 이동하며 액을 공급하는 기판 처리 장치.
  31. 삭제
  32. 제26 항에 있어서,
    상기 제3 노즐은, 상기 기판이 처리되는 과정에서 기판의 설정 영역을 이동하며 액을 공급하는 기판 처리 장치.
  33. 제20 항에 있어서,
    상기 히터는 기판을 영역별로 가열하는 가열부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
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