DE102021206551A1 - Wafer-reinigungsvorrichtung - Google Patents

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Tomohisa Ishikawa
Tsunaki Sakai
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Abstract

Eine Wafer-Reinigungsvorrichtung zum Reinigen eines Umfangsrandes eines Wafers weist eine Reinigungseinheit auf, die Hochdruckwasser in Richtung des Umfangsrandes des Wafers von einer äußeren Oberfläche in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers, der von einer Halteoberfläche eines Haltetisches gehalten wird, ausstößt, um den Umfangsrand des Wafers zu reinigen. Die Reinigungseinheit weist eine erste Düse auf, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von einer äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer Richtung parallel zu der Haltefläche ausstößt, eine zweite Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers in einer Richtung von 45 Grad nach unten relativ zu der Haltefläche ausstößt, und eine dritte Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers in einer Richtung von 45 Grad nach oben relativ zu der Haltefläche ausstößt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wafer-Reinigungsvorrichtung.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Bei der Herstellung eines Wafers wird durch ein Schneiden eines Halbleiter-Ingots ein mit einer Welligkeit und/oder Wölbung ausgebildeter Wafer erhalten. Um die Welligkeit und/oder Wölbung von diesem Wafer zu entfernen, wird ein Schutzelement, das einen Kunststoff und eine Folie aufweist, an einer Oberfläche an einer Seite des Wafers ausgebildet, wie in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2017-168565 offenbart ist.
  • Dann wird die Oberfläche an einer Seite des Wafers von einem Einspanntisch durch das Schutzelement gehalten und eine Oberfläche an der anderen Seite des Wafers wird durch einen Schleifstein geschliffen, um dadurch die Welligkeit und/oder Wölbung zu entfernen.
  • Nach einem Schleifen der Oberfläche der anderen Seite des Wafers wird das Schutzelement abgezogen, und die Oberfläche der einen Seite des Wafers wird geschliffen, wie in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2018-098241 offenbart. Als ein Ergebnis wird ein Wafer mit einer vorgegebenen Dicke hergestellt.
  • Bei einem Abziehen des Schutzelements vom Wafer könnte der Kunststoff am Umfangsrand (Rand) des Wafers verbleiben. In Anbetracht dessen wird der Umfangsrand des Wafers durch ein Reinigungswerkzeug gereinigt, wodurch der anhaftende Kunststoff entfernt wird, wie in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2019-047054 offenbart.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Das herkömmliche Reinigungsverfahren weist jedoch ein Problem dahingehend auf, dass aufgrund des Verbrauchs eines Schwamms als das Reinigungswerkzeug die Kosten für den Austausch des Reinigungswerkzeugs anfallen.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Wafer-Reinigungsvorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, einen an einem Umfangsrand eines Wafers anhaftenden Kunststoff zu entfernen, ohne ein Reinigungswerkzeug zu verwenden.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Wafer-Reinigungsvorrichtung zum Reinigen eines Umfangsrandes eines Wafers bereitgestellt, wobei die Wafer-Reinigungsvorrichtung aufweist: einen Haltetisch, der den Wafer durch eine Haltefläche so hält, dass der Umfangsrand des Wafers vorsteht, Motor, der den Haltetisch mit der Mitte der Halteoberfläche als eine Achse dreht; Drehungs-Steuerungsabschnitt, der eine Drehgeschwindigkeit des Motors steuert; und eine Reinigungseinheit, die Hochdruckwasser in Richtung des Umfangsrandes des Wafers von einer äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des von der Halteoberfläche gehaltenen Wafers ausstößt, um den Umfangsrand des Wafers zu reinigen, wobei Reinigungseinheit aufweist: eine erste Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von der äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer 0-Grad-Richtung parallel zu der Haltefläche ausstößt, eine zweite Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von einer äußeren oberen Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer Richtung von 45 Grad nach unten relativ zur Haltefläche ausstößt, und eine dritte Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von einer äußeren unteren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer Richtung von 45 Grad nach oben relativ zu der Haltefläche ausstößt, und wobei die erste Düse, die zweite Düse und die dritte Düse so angeordnet sind, dass sie in einer Umfangsrichtung des Wafers voneinander beabstandet sind.
  • Bevorzugt ist die Reinigungseinheit so ausgestaltet, dass sie das Hochdruckwasser unter Verwendung von Druck von Luft ausstößt, indem sie Wasser und die Luft mischt.
  • Bevorzugt ist der Drehungs-Steuerungsabschnitt ausgestaltet, um den Haltetisch mit einer Drehgeschwindigkeit von gleich oder weniger als 10 U/min zu drehen, um den Umfang des Wafers zu reinigen, und danach den Haltetisch mit einer Drehgeschwindigkeit von gleich oder mehr als 1.000 U/min zu drehen, um den Wafer zu trocknen.
  • Gemäß der vorliegenden Wafer-Reinigungsvorrichtung wird Hochdruckwasser aus drei verschiedenen Richtungen zum Umfangsrand des Wafers geblasen, wodurch der Umfangsrand vollständig gereinigt werden kann und der am Umfangsrand anhaftende Kunststoff oder ähnliches entfernt werden kann. Daher wird in der vorliegenden Wafer-Reinigungsvorrichtung kein Reinigungswerkzeug wie beispielsweise ein Schwamm als Verbrauchsmaterial zum Reinigen des Umfangsrandes benötigt. Folglich ist ein Austauschvorgang des Reinigungswerkzeugs nicht erforderlich, so dass die Kosten für den Austausch des Reinigungswerkzeugs vermieden werden können.
  • Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise ihrer Verwirklichung werden deutlicher, und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Seitenansicht, welche die Ausgestaltung einer Wafer-Reinigungsvorrichtung darstellt;
    • 2 ist eine Draufsicht, die einen Wafer, einen Haltetisch und Düsen einer Reinigungseinheit zeigt; und
    • 3 ist eine Seitenansicht, die eine weitere Ausgestaltung der Wafer-Reinigungsvorrichtung darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Wie in 1 dargestellt, dient eine Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zum Reinigen eines Umfangsrandes 101 eines Wafers 100. Der Umfangsrand 101 ist in einer Bogenform von einer Oberfläche an einer Seite des Wafers 100 zu einer Oberfläche an der anderen Seite des Wafers 100 abgefast und ist abgerundet.
  • Außerdem wurde der Wafer 100 bereits geschliffen, und ein an einer Oberfläche davon ausgebildetes Schutzelement wurde abgezogen. Daher haftet eine Verunreinigung wie beispielsweise ein Kunststoff, der das Material des Schutzelements ist, am Umfangsrand 101 des Wafers 100 an.
  • Die Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 reinigt den Umfangsrand 101 des Wafers 100, um die Verunreinigung, wie beispielsweise diesen Kunststoff, zu entfernen.
  • Die Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 weist einen Haltetisch 10 zum Halten des Wafers 100 auf. Der Haltetisch 10 weist eine Halteoberfläche 11 auf, die kleiner ist als der Wafer 100. Die Halteoberfläche 11 weist beispielsweise ein poröses Material auf und kann durch die Verbindung mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) den Wafer 100 ansaugen. Daher hält der Haltetisch 10 den Wafer 100 durch die Halteoberfläche 11 auf eine solche Weise, dass der Umfangsrand 101 des Wafers 100 herausragt.
  • Die Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 weist ferner eine Spindel 13, die an der unteren Seite des Haltetisches 10 vorgesehen ist, einen Motor 15 zum Drehen der Spindel 13, und einen Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 auf, der eine Drehgeschwindigkeit des Motors 15 steuert.
  • Die Spindel 13 ist so ausgestaltet, dass sie sich mit der Mitte der Halteoberfläche 11 als eine Achse drehen kann. Der Motor 15 kann durch ein Drehen der Spindel 13 den Haltetisch 10 mit der Mitte der Halteoberfläche 11 als eine Achse drehen, wie durch einen Pfeil 200 angezeigt.
  • Die Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 weist ferner eine Reinigungseinheit 20 an der Außenseite des Umfangsrandes 101 des von der Halteoberfläche 11 des Haltetisches 10 gehaltenen Wafers 100 auf. Die Reinigungseinheit 20 stößt Hochdruckwasser von der äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand 101 des von der Halteoberfläche 11 gehaltenen Wafers 100 in Richtung des Umfangsrandes 101 des Wafers 100 aus, z.B. in Richtung der Mitte in der Dickenrichtung des Umfangsrandes 101, um dadurch den Umfangsrand 101 des Wafers 100 zu reinigen.
  • Wie in 1 dargestellt, weist die Reinigungseinheit 20 drei Düsen auf, nämlich eine erste Düse 21, eine zweite Düse 24 und eine dritte Düse 27.
  • Wie in 1 durch einen Pfeil 201 dargestellt, stößt die erste Düse 21 das Hochdruckwasser zum Umfangsrand 101 des Wafers 100 von der äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand 101 des Wafers 100 in einer 0-Grad-Richtung parallel zu der Halteoberfläche 11 des Haltetisches 10 aus.
  • Wie in 1 durch einen Pfeil 202 angedeutet, stößt die zweite Düse 24 das Hochdruckwasser zum Umfangsrand 101 des Wafers 100 von der äußeren oberen Seite in Bezug auf den Umfangsrand 101 des Wafers 100, in einer Richtung von 45 Grad nach unten relativ zur Halteoberfläche 11 des Haltetisches 10, aus.
  • Wie in 1 durch einen Pfeil 203 angedeutet, stößt die dritte Düse 27 das Hochdruckwasser zum Umfangsrand 101 des Wafers 100 von der äußeren unteren Seite in Bezug auf den Umfangsrand 101 des Wafers 100, in einer Richtung von 45 Grad nach oben relativ zur Halteoberfläche 11 des Haltetisches 10, aus.
  • Zusätzlich sind, wie in 2 dargestellt, die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 in der Umfangsrichtung des Wafers 100 in einem Abstand von z.B. 10 Grad voneinander beabstandet. Die Richtung des aus der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27 ausgestoßenen Wassers mit hohem Druck befindet sich auf einer horizontalen Ebene (einer Ebene parallel zur Halteoberfläche 11) beispielsweise in Richtung eines Mittelpunkts 12, der die Mitte in der radialen Richtung der Halteoberfläche 11 (die Mitte des Wafers 100) ist.
  • Daneben ist die Reinigungseinheit 20 so ausgestaltet, dass sie das Hochdruckwasser ausstößt, wobei sie den Druck von Luft verwendet, indem sie Wasser und die Luft mischt. Mit anderen Worten sind die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27, wie in 1 dargestellt, mit einer Luftquelle 22 und einer Wasserquelle 23, mit einer Luftquelle 25 und einer Wasserquelle 26 bzw. mit einer Luftquelle 28 und einer Wasserquelle 29 verbunden.
  • Dann sind die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 so ausgestaltet, dass sie das Wasser aus den jeweiligen Wasserquellen 23, 26 und 29 und die Luft aus den jeweiligen Luftquellen 22, 25 und 28 mischen, um das Hochdruckwasser unter Verwendung des Drucks der Luft zu erzeugen, mit anderen Worten, das Hochdruckwasser, das ein binäres Reinigungsfluid aufweist, das aus dem Wasser und der Luft gemischt ist, und so, dass sie das Hochdruckwasser ausstoßen.
  • Auf diese Weise wirken die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 als Binärflüssigkeits-Reinigungsdüsen. Beachte, dass die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 so ausgestaltet sind, dass sie nur in der Lage sind, die Luft aus den jeweiligen Luftquellen 22, 25 und 28 auszustoßen, und nur das Wasser aus den jeweiligen Wasserquellen 23, 26 und 29 auszustoßen. Die Reinigungseinheit 20, aufweisend die die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27, wird durch einen in 1 dargestellten Reinigungs-Steuerungsabschnitt 30 gesteuert.
  • Nachfolgend wird ein Betrieb der Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 beschrieben.
  • (Reinigungsvorgang)
  • Zunächst wird ein Reinigungsvorgang ausgeführt. Bei diesem Vorgang wird der Wafer 100 zunächst von der Halteoberfläche 11 des Haltetisches 10 gehalten.
  • Danach führt der Reinigungs-Steuerungsabschnitt 30 der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27 beispielsweise 40 ml/min Wasser aus den Wasserquellen 23, 26 und 29 zu und führt den Düsen 21, 24 und 27 beispielsweise 70 l/min Luft aus den Luftquellen 22, 25 und 28 zu. Die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 vermischen das Wasser und die diesem zugeführte Luft, um Hochdruckwasser zu erzeugen, welches das Binärfluid-Reinigungswasser aufweist, und beginnen, das Hochdruckwasser zum Umfangsrand 101 des Wafers 100 in den jeweils festgelegten, oben beschriebenen, Richtungen auszustoßen.
  • Als nächstes steuert der Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 den Motor 15 so, dass er den Haltetisch 10 mit dem von der Halteoberfläche 11 gehaltenen Wafer 100 einmal mit einer Drehzahl von 10 U/min oder weniger (z.B. 1 U/min) dreht. Damit ist ein Reinigen des Wafers 100 beendet, und der Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 stoppt die Drehung des Haltetisches 10 durch den Motor 15. Gleichzeitig stoppt der Reinigungs-Steuerungsabschnitt 30 die Zufuhr des Wassers und der Luft zu der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27. Durch diesen Reinigungsvorgang werden Verunreinigungen wie beispielsweise Kunststoff, die am Umfangsrand 101 des Wafers 100 anhaften, entfernt.
  • Beachte, dass in der vorliegenden Ausführungsform das einmalige Drehen des Wafers 100 bedeutet, dass der Wafer 100 so gedreht wird, dass die drei Abschnitte des aus der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27 ausgestoßenen Wassers mit hohem Druck auf den gesamten Teil des Umfangsrandes 101 des Wafers 100 geblasen werden.
  • Dabei sind, wie in 2 dargestellt, die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 in der Umfangsrichtung des Wafers 100 beabstandet voneinander angeordnet. Deswegen ist der Drehwinkel einer einmaligen Drehung um den Betrag, der dem Winkelbereich der Anordnung der Düsen entspricht, größer als 360 Grad.
  • In einem Fall, in dem beispielsweise die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 in Abständen von 10 Grad in der Umfangsrichtung des Wafers 100 angeordnet sind, bedeutet das einmalige Drehen des Wafers 100 ein Drehen des Wafers 100 um etwa 380 Grad.
  • [Trocknungsvorgang]
  • Als nächstes wird ein Trocknungsvorgang ausgeführt. Im Trocknungsvorgang steuert zunächst der Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 den Motor 15, um den Haltetisch 10 mit dem von der Halteoberfläche 11 gehaltenen Wafer 100 mit einer Drehgeschwindigkeit von gleich oder mehr als 1.000 U/min (z.B. 2.000 U/min) für z.B. 20 Sekunden zu drehen. In diesem Fall wird in den ersten 15 Sekunden ein Ausstoßen von Luft und dergleichen von der Reinigungseinheit 20 nicht durchgeführt, und das am Wafer 100 anhaftende Wasser wird durch die Drehung des den Wafer 100 haltenden Haltetisches 10 verspritzt. Beachte, dass die Drehung des Haltetisches 10 während des Reinigungsvorgangs nicht gestoppt werden könnte und unmittelbar nach dem Reinigungsvorgang auf die Drehgeschwindigkeit des Trocknungsvorgangs umgeschaltet werden könnte.
  • Wenn seit der Drehung des Haltetisches 10 15 Sekunden vergangen sind, führt der Reinigungs-Steuerungsabschnitt 30 der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27 für fünf Sekunden Luft aus den Luftquellen 22, 25 und 28 zu und beginnt ein Ausstoßen von Luft aus diesen Düsen zum Wafer 100. In den fünf Sekunden wird dem rotierenden Wafer 100 aus drei Richtungen mit Luft zugeführt, wodurch ein Trocknen des Wafers 100 unterstützt wird.
  • Nach fünf Sekunden ab dem Start der Luftzufuhr, also nach 20 Sekunden ab dem Start des Trocknungsvorgangs, stoppt der Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 die Drehung des Haltetisches 10 durch den Motor 15, indem er feststellt, dass das Trocknen des Wafers 100 beendet ist. Gleichzeitig stoppt der Reinigungs-Steuerungsabschnitt 30 die Luftzufuhr zu der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27.
  • Wie oben beschrieben, wird in der vorliegenden Ausführungsform das Hochdruckwasser aus den drei verschiedenen Richtungen zum Umfangsrand 101 des Wafers 100 geblasen, wodurch der Umfangsrand 101, der abgerundet ist, rundum gereinigt werden kann und die Verunreinigung wie beispielsweise Kunststoff, der am Umfangsrand 101 anhaftet, entfernt werden kann. Daher wird bei der vorliegenden Ausführungsform kein Reinigungswerkzeug wie beispielsweise ein Schwamm als Verbrauchsmaterial für die Reinigung des Umfangsrands 101 benötigt. Folglich ist ein Austauschvorgang des Reinigungswerkzeugs nicht erforderlich, so dass die Kosten für den Austausch des Reinigungswerkzeugs vermieden werden können.
  • Es ist zu beachten, dass in der vorliegenden Ausführungsform zum Zeitpunkt des Trocknungsvorgangs Luft aus der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27 zum Wafer 100 ausgestoßen wird. In Bezug darauf, wie in 3 dargestellt, könnte die Wafer-Reinigungsvorrichtung 1 ferner eine Luftdüse 40 aufweisen. Die Luftdüse 40 ist an der oberen Seite der Mitte des von der Halteoberfläche 11 des Haltetisches 10 gehaltenen Wafers 100 angeordnet und ist so ausgestaltet, dass sie Luft, wie durch einen Pfeil 205 dargestellt, zum Wafer 100 ausstößt.
  • In diesem Fall stößt der Reinigungs-Steuerungsabschnitt 30 beim Trocknungsvorgang Luft aus der Luftdüse 40 zum Wafer 100 aus, anstelle von oder zusätzlich zu dem Ausstoßen von Luft auf den Wafer 100 aus der ersten Düse 21, der zweiten Düse 24 und der dritten Düse 27. Da die Luftdüse 40 Luft auf zum Drehzentrum des Wafers 100 bläst, kann die Trocknungszeit verkürzt werden. Zusätzlich könnte Luft auf den Umfang des Haltetisches 10 ausgestoßen werden, um die untere Oberfläche des Wafers 100 zu trocknen.
  • In der vorliegenden Ausführungsform steuert der Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 zum Zeitpunkt des Reinigungsvorgangs den Haltetisch 10, der den Wafer 100 hält, einmal. In Bezug darauf könnte der Drehungs-Steuerungsabschnitt 17 den Haltetisch 10 zweimal oder öfter drehen, und er könnte den Haltetisch 10 um 360 Grad drehen.
  • Darüber hinaus wird in der vorliegenden Ausführungsform die Trocknung nur durch ein Drehen des Haltetisches 10 für 15 Sekunden ausgeführt, und danach wird die Trocknung mit zusätzlichem Ausstoßen von Luft aus der Reinigungseinheit 20 für fünf Sekunden ausgeführt. In Bezug darauf könnte die Zeit des Trocknens nur durch die Drehung des Haltetisches 10 und die Zeit des Trocknens mit dem zusätzlichen Ausstoßen von Luft optional festgelegt werden.
  • Außerdem sind bei der vorliegenden Ausführungsform die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 mit den Luftquellen 22, 25 und 28 bzw. den Wasserquellen 23, 26 und 29 versehen. Anstelle dessen könnten die erste Düse 21, die zweite Düse 24 und die dritte Düse 27 so ausgestaltet sein, dass sie mit einer gemeinsamen Luftquelle und einer gemeinsamen Wasserquelle kommunizieren.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in die Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2017168565 [0002]
    • JP 2018098241 [0004]
    • JP 2019047054 [0005]

Claims (3)

  1. Wafer-Reinigungsvorrichtung zum Reinigen eines Umfangsrandes eines Wafers, wobei die Wafer-Reinigungsvorrichtung aufweist: einen Haltetisch, der den Wafer durch eine Haltefläche so hält, dass der Umfangsrand des Wafers vorsteht; einen Motor, der den Haltetisch mit einer Mitte der Halteoberfläche als eine Achse dreht, einen Drehungs-Steuerungsabschnitt, der eine Drehgeschwindigkeit des Motors steuert; und eine Reinigungseinheit, die Hochdruckwasser in Richtung des Umfangsrandes des Wafers von einer äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des von der Halteoberfläche gehaltenen Wafers ausstößt, um den Umfangsrand des Wafers zu reinigen, wobei die Reinigungseinheit aufweist: eine erste Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von der äußeren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer 0-Grad-Richtung parallel zu der Haltefläche ausstößt, eine zweite Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von einer äußeren oberen Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer Richtung von 45 Grad nach unten relativ zur Haltefläche ausstößt, und eine dritte Düse, die das Hochdruckwasser zum Umfangsrand des Wafers von einer äußeren unteren Seite in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers in einer Richtung von 45 Grad nach oben relativ zu der Haltefläche ausstößt, und wobei die erste Düse, die zweite Düse und die dritte Düse so angeordnet sind, dass sie in einer Umfangsrichtung des Wafers voneinander beabstandet sind.
  2. Wafer-Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Reinigungseinheit so ausgestaltet ist, dass sie das Hochdruckwasser unter Verwendung von Druck von Luft ausstößt, indem sie Wasser und die Luft mischt.
  3. Wafer-Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Drehungs-Steuerungsabschnitt ausgestaltet ist, um den Haltetisch mit einer Drehgeschwindigkeit von gleich oder weniger als 10 U/min zu drehen, um einen Umfang des Wafers zu reinigen, und danach den Haltetisch mit einer Drehgeschwindigkeit von gleich oder mehr als 1.000 U/min zu drehen, um den Wafer zu trocknen.
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