KR20210113955A - 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

복수의 촬상 대상물의 촬상 조건의 균일성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
다이 본딩 장치는, 기판을 반송하는 반송로와, 반송로의 상방에 기판의 폭 방향을 따라 일렬로 고정 배치된 복수의 촬상 장치와, 기판 상에 위치하는 폭 방향을 따른 일렬의 복수의 어태치먼트 영역을 복수의 촬상 장치로 촬상하여 복수의 화상을 취득하고, 취득한 복수의 화상에 기초하여 합성 화상을 생성하고, 합성 화상에 기초하여 어태치먼트 영역의 촬상 대상물을 인식하도록 구성되는 제어부를 구비한다. 각 촬상 장치의 촬상 시야는 기판 상에서 중복되고, 중복된 촬상 시야는 어태치먼트 영역보다 크게 구성된다.

Description

다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{DIE BONDING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS}
본 개시는 다이 본딩 장치에 관한 것이며, 예를 들어 복수의 인식 카메라로 어태치먼트 영역을 촬상하는 다이 본더에 적용 가능하다.
반도체 장치의 제조 공정의 일부에 반도체 칩(이하, 간단히 다이라고 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 간단히 기판이라고 함)에 적재하여 패키지를 조립하는 공정이 있으며, 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 함)로부터 다이를 분할하는 공정(다이싱 공정)과, 분할한 다이를 기판 상에 적재하는 본딩 공정이 있다. 본딩 공정에 사용되는 반도체 제조 장치가 다이 본더 등의 다이 본딩 장치이다.
다이 본더는 수지 페이스트, 땜납, 금 도금 등을 접합 재료로 하여, 다이를 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩(적재하여 접착)하는 장치이다. 예를 들어, 다이를 기판의 표면에 본딩하는 다이 본더에 있어서는, 본딩 헤드의 선단에 설치된 콜릿이라고 불리는 흡착 노즐을 사용하여 다이를 웨이퍼로부터 흡착하여 픽업하고, 기판 상의 소정의 위치에 적재하여, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다고 하는 동작(작업)이 반복하여 행해진다.
수지를 접합 재료로서 사용하는 경우, Ag 에폭시 및 아크릴 등의 수지 페이스트가 접착제(이하, 페이스트상 접착제라고 함)로서 사용된다. 다이를 기판에 접착하는 페이스트상 접착제는 시린지 내에 봉입되며, 이 시린지가 기판에 대하여 상하 이동하여 페이스트상 접착제를 사출하여 도포한다. 즉, 페이스트상 접착제를 봉입한 시린지에 의해 페이스트상 접착제가 소정의 위치에 소정량 도포되고, 그 페이스트상 접착제 상에 다이가 압착ㆍ베이크되어 접착된다. 시린지의 근방에는 인식 카메라가 설치되며, 이 인식 카메라로 페이스트상 접착제가 도포되는 위치를 확인하여 위치 결정이 행해지며, 또한 도포된 페이스트상 접착제가 소정 위치에 소정의 형상으로 소정량만큼 도포되어 있는지가 확인된다.
또한, 본딩 헤드의 근방에는 인식 카메라가 설치되며, 이 인식 카메라로 다이가 본딩되는 기판의 위치를 확인하여 위치 결정이 행해지고, 또한 본딩된 다이가 소정 위치에 본딩되어 있는지가 확인된다.
일본 특허 공개 제2013-197277호 공보
비(非)텔레센트릭 렌즈를 사용한 하나의 촬상 장치로 복수의 촬상 대상물을 촬상하면, 촬상 장치의 바로 밑에서부터 이격된 촬상 대상물은 비스듬하게 촬상됨으로써, 입체 형상의 측면을 보게 된다.
본 개시의 과제는, 복수의 촬상 대상물의 촬상 조건의 균일성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
그 밖의 과제와 신규의 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 다이 본딩 장치는, 기판을 반송하는 반송로와, 상기 반송로의 상방에 상기 기판의 폭 방향을 따라 일렬로 고정 배치된 복수의 촬상 장치와, 상기 기판 상에 위치하는 상기 폭 방향을 따른 일렬의 복수의 어태치먼트 영역을 상기 복수의 촬상 장치로 촬상하여 복수의 화상을 취득하고, 취득한 복수의 상기 화상에 기초하여 합성 화상을 생성하고, 상기 합성 화상에 기초하여 상기 어태치먼트 영역의 촬상 대상물을 인식하도록 구성되는 제어부를 구비한다. 각 촬상 장치의 촬상 시야는 상기 기판 상에서 중복되며, 중복된 상기 촬상 시야는 상기 어태치먼트 영역보다 크게 구성된다.
상기 다이 본딩 장치에 따르면, 복수의 촬상 대상물의 촬상 조건의 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
도 1의 (a)는 통상 시야 광학계를 도시하는 사시도이고, 도 1의 (b)는 광시야 광학계를 도시하는 사시도이다.
도 2의 (a)는 매크로 렌즈를 사용한 광시야 광학계의 개념도이고, 도 2의 (b)는 텔레센트릭 렌즈를 사용한 광시야 광학계의 개념도이다.
도 3의 (a)는 페이스트의 입체 형상의 이미지를 도시하는 도면이고, 도 3의 (b)는 기판을 매크로 렌즈로 와이드 에어리어로 보았을 때의 페이스트 위의 휘선을 도시하는 도면이다.
도 4의 (a)는 실시 형태의 촬상 장치의 다연화에 대하여 설명하는 상면도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 측면도이다.
도 5는 실시 형태의 촬상 장치에 사용하는 조명 장치에 대하여 설명하는 도면이다.
도 6은 복수의 촬상 장치의 촬상 시야의 중복에 대하여 설명하는 상면도이다.
도 7은 도 6에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 측면도이다.
도 8은 촬상 시야의 중복량에 대하여 설명하는 도면이다.
도 9는 이미지 모자이킹과 좌표 매핑을 설명하는 도면이다.
도 10은 캘리브레이션 플레이트를 사용한 이미지 모자이킹과 좌표 변환을 설명하는 모식도이다.
도 11은 디스토션을 설명하는 도면이다.
도 12는 아핀 변환 및 사영 변환의 변환 행렬의 식을 나타내는 도면이다.
도 13은 기판의 타깃 모델에 의한 이미지 모자이킹과 좌표 변환을 설명하는 도면이다.
도 14는 촬상 장치의 경시 변위의 영향을 설명하는 도면이다.
도 15는 공간 재보정을 설명하는 도면이다.
도 16은 캘리브레이션 플레이트의 높이를 바꾸는 방법을 설명하는 도면이다.
도 17은 슈트에 마련하는 마커를 설명하는 도면이다.
도 18은 변형예에 있어서의 촬상 장치의 다연화에 대하여 설명하는 사시도이다.
도 19는 실시예에 있어서의 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다.
도 20은 도 19에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
도 21은 도 19의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
도 22는 도 19의 다이 본더의 제어계의 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
도 23은 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
이하, 실시 형태, 변형예 및 실시예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해, 실제의 양태에 비하여, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례로서, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
우선, 본 개시자들이 검토한 기술에 대하여 도 1 내지 도 3을 사용하여 설명한다. 도 1의 (a)는 통상 시야 광학계를 도시하는 사시도이고, 도 1의 (b)는 광시야 광학계를 도시하는 사시도이다.
기판(S)의 위치 결정, 어태치먼트(다이 본딩 또는 페이스트 도포), 검사를 순차적으로 행하는 동작에 있어서, 도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이, 저해상도의 촬상 장치(CML)를 사용한 통상 시야 광학계를 사용하면, 하나의 어태치먼트 영역(AA)보다 조금 큰 영역밖에 촬상하지 못하므로, 어태치먼트 영역(AA)의 수만큼의 촬상 및 화상 인식이 필요하다. 여기서, 일례로서 기판(S)에는 1열에 6개의 어태치먼트 영역(AA)을 갖고, 5열의 어태치먼트 영역을 갖는 예를 나타내고 있다. 저해상도의 촬상 장치란, 하나의 어태치먼트 영역보다 조금 큰 영역만 충분한 해상도로 촬상할 수 있는 촬상 장치이며, 예를 들어 해상도가 약 30만 내지 약 130만 화소인 촬상 장치이다.
그 때문에, 도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이, 촬상 장치(CML)를 기판(S)의 폭 방향(Y축 방향)으로 이동시켜, 그 열에 있어서의 다른 어태치먼트 영역의 촬상 및 화상 인식을 행하고, 그 화상 인식에 기초하는 처리를 행한다고 하는 동작을 반복하여 행할 필요가 있다. 또한, 1열의 촬상 후에는 기판(S)을 기판 반송 방향(X축 방향)으로 이동시켜 다음 열의 촬상을 행한다.
따라서, 촬상 장치(CML)의 지지 부재(도시하지 않음)를 기판(S)의 폭 방향으로 이동시키는 이동 기구가 필요하게 되며, 촬상 장치(CML)의 지지 기구가 복잡화 및 대형화되고, 고가가 된다. 또한, 촬상 장치(CML)의 폭 방향으로의 이동 시간때문에, 또한 지지 부재의 이동에 수반하여 발생하는 진동에 의한 촬상 장치(CML)의 흔들림이 수렴될 때까지의 촬상의 대기 시간이 필요하기 때문에, 다이 본더를 고속화할 수 없다. 또는, 진동을 방지하기 위해서는 진동 방지 기구가 필요하게 되어, 추가로 다이 본더가 고가가 된다. 또한, 어태치먼트 영역의 상공이며 촬상 장치의 하방을 왕복 동작하는 기구부가 있는 경우에는, 당해 기구부에 의해 촬상 시야가 차폐되지 않는 타이밍을 가늠하여 촬상할 필요가 있다. 이 촬상 타이밍을 확보함으로써 다이 본더를 고속화할 수 없다.
한편, 기판의 반송 후의 어태치먼트마다 그것을 반복하는 것이 아니라, 도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 고해상도의 촬상 장치(CMH)를 사용한 광시야 광학계를 사용하면, 전단의 위치 결정 또는 후단의 검사를 기판(S)의 전체 어태치먼트 영역(전체 탭 일괄) 또는 기판의 폭 방향의 적어도 1열의 어태치먼트 영역에서 촬상하여 인식하는 것은 처리 시간의 효율화로 되어, 상술한 문제점은 해결할 수 있다. 여기서, 고해상도의 촬상 장치란, 적어도 기판(S)의 폭 방향 1열분의 전체 영역을 일괄하여 충분한 해상도로 촬상할 수 있는 촬상 장치이며, 예를 들어 해상도가 약 500만 화소 이상인 촬상 장치이다. 1열에는 복수의 어태치먼트 영역이 포함되며, 예를 들어 4개의 어태치먼트 영역이 포함된다.
그러나, 광시야 광학계(와이드 에어리어 카메라)에는 이하의 문제점이 있다. 이 문제점에 대하여 도 2 및 도 3을 사용하여 설명한다. 도 2의 (a)는 매크로 렌즈를 사용한 광시야 광학계의 개념도이고, 도 2의 (b)는 텔레센트릭 렌즈를 사용한 광시야 광학계의 개념도이다. 도 3의 (a)는 페이스트의 입체 형상의 이미지를 도시하는 도면이고, 도 3의 (b)는 기판을 매크로 렌즈로 와이드 에어리어로 보았을 때의 페이스트 위의 휘선을 도시하는 도면이다.
(1) 텔레센트릭성의 확보
매크로 렌즈의 배율을 단순하게 내리는 것만으로도 와이드 에어리어로 되지만, 시야의 중심으로부터 벗어날수록 경사 상방에서 본 상태로 되어, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 시야 중심의 촬상 대상물(OBC)에서는 측면은 보이지 않지만, 좌측의 촬상 대상물(OBL)에서는 우측면이 보이고, 우측의 촬상 대상물(OBR)에서는 좌측면이 보여, 입체 형상의 측면을 보게 된다. 또한, 촬상 대상물(OBL)의 높이에 따라 배율이 변화해 버려, 높이가 바뀌어 버리면 예를 들어 얼라인먼트가 어려워진다. 예를 들어, 기판에 도포된 페이스트나 기판에 적층된 다이는 개소에 따라 높이가 다르다.
이들 문제점은 텔레센트릭 렌즈를 사용함으로써 해소하는 것이 가능하다. 텔레센트릭 렌즈는 평행광을 집광하므로 모든 촬상 대상물에 있어서 측면은 보이지 않게 된다. 그러나, 그 경우, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 일반적으로는 보고 싶은 시야보다 큰 구경의 렌즈가 필요하게 되며, 예를 들어 한 변이 100mm인 정사각형의 시야를 확보하려고 하면, 그의 대각인 141mm 이상의 구경이 필요하게 되고, 그것에 수반하여 초점 거리도 길어져 버린다. 이러한 대형 렌즈를 다이 본딩 장치에 실장하는 것은 효율성의 관점에서 바람직하지 않다.
(2) 시야 내에 있어서의 균일한 조명의 조사
비텔레센트릭 렌즈를 사용하여 와이드 에어리어를 확보하려고 한 경우, 시야의 끝 쪽에서는 비스듬하게 위에서 보는 상태로 된다. 이것이 시야의 우측단과 좌측단, 또는 상단과 하단에서는 방향이 반대로 되기 때문에, 조명의 조사 방향이 불균일해지기 쉽다. 또한 텔레센트릭광을 사용한 평행광을 조사한 경우라도, 촬상 시야 내에서 균일하게 조사된 화상을 얻기가 어려워진다. 예를 들어, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 십자 형상으로 기판에 도포된 페이스트상 접착제(PA)는 중심 부분이 높고, 선단 부분은 낮게 형성된다. 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같은 페이스트상 접착제가 도포된 기판을 매크로 렌즈로 와이드 에어리어로 본 경우, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 촬상 시야의 중앙부는 촬상 대상물을 바로 위에서 보기 때문에 밝지만, 주변부는 비스듬하게 보기 때문에 어둡고, 또한 페이스트상 접착제의 높이가 균일하지 않으므로, 페이스트상 접착제(PA) 상의 휘선이 이동해 버린다. 여기서, 도 3의 (b)의 화상 중심에 촬상 장치의 시야 중심이 위치한다. 기판(S)에는 1열에 6개의 어태치먼트 영역인 탭(TB)이 있고, 7열 도시되어 있다. 기판(S)의 우측의 4열의 탭(TB)에는 페이스트상 접착제(PA)가 도포되어 있다.
다음에, 상술한 문제점을 해결하는 실시 형태에 대하여 도 4 내지 도 5를 사용하여 설명한다. 도 4의 (a)는 실시 형태의 촬상 장치의 다연화에 대하여 설명하는 상면도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 측면도이다. 도 5는 실시 형태의 촬상 장치에 사용하는 조명 장치에 대하여 설명하는 도면이며, 도 5의 (a)는 조명 장치의 단면도, 도 5의 (b)는 측면도이다.
상술한 문제점을 해결하는 실시 형태로서 촬상 장치의 다연화(스테레오화)를 행한다. 예를 들어, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기판(S)의 상방에 기판(S)의 폭 방향(Y축 방향)으로 복수의 촬상 장치(CM1 내지 CM4)를 일렬로 배열하여 고정적으로 배치한다. 여기서, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각은, 촬상 장치(CML)와 동일 정도 이상의 해상도의 촬상 장치이며, 기판(S)의 폭 방향 1열분의 전체 영역을 일괄하여 충분한 해상도로 촬상할 수 없는 촬상 장치이다. 또한, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각은 텔레센트릭 렌즈를 사용해도 되지만, 매크로 렌즈 등의 비텔레센트릭 렌즈를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 촬상 장치(CM1 내지 CM4)는 동일한 높이로 수평 방향으로 소정 간격을 두고 있고, 각 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 광축은 서로 평행이고, 또한 기판(S)에 대하여 수직으로 된다. 또한, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 광축은, 촬상 시야에 있어서의 초점 흐려짐이 허용되는 범위에서, 기판(S)에 대한 수직선으로부터 약간 경사지게 해도 된다.
본 실시 형태에서는 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각은 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA14)의 촬상 대상물을 촬상한다. 또한, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각의 촬상 시야(IA1 내지 IA4)는 중복되어 있지 않다. 또한, 기판(S)을 반송 방향(Y축 방향)으로 이동시킴으로써 남은 열의 촬상 대상물을 순차적으로 촬상한다. 촬상 장치를 다연화함으로써 촬상 대상물의 거의 바로 위에서 촬상할 수 있어, 촬상 시야 내의 조명의 균일성을 향상시켜 검사할 수 있다. 또한, 촬상 장치를 다연화함으로써 촬상 장치를 움직일 필요가 없어지고, 광시야 광학계와 동일한 처리 효율을 얻을 수 있다.
여기서, 기판(S)은, 예를 들어 도 4의 (a) (b)에 도시하는 바와 같이, 직사각 형상 또한 평판상이며, 종횡으로 다수의 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA14, AA21 내지 AA24, …)을 갖고 있다. 기판(S)은 반송 방향(X축 방향)의 길이는 폭 방향(Y축 방향)의 길이보다 길게 구성되어 있다.
다연화된 촬상 장치는 각각이 동일한 조명계를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)와 기판(S) 사이에는, 면 발광 조명(광원)(SL), 하프 미러(반투과경)(HM)를 내부에 구비한 조명 장치(LD)가 배치되어 있다. 면 발광 조명(SL)으로부터의 조사광은, 하프 미러(HM)에 의해 촬상 장치(CM1 내지 CM4)와 동일한 광축에서 반사되어, 기판(S)의 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA14)의 촬상 대상물에 조사된다. 촬상 장치(CM1 내지 CM4)와 동일한 광축에서 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA14)의 촬상 대상물에 조사된 그 산란광은, 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA14)의 촬상 대상물에서 반사되고, 그 중의 정반사광이 하프 미러(HM)를 투과하여 촬상 장치(CM1 내지 CM4)에 도달하고, 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA14)의 촬상 대상물의 영상을 형성한다. 즉, 조명 장치(LD)는 동축 낙사 조명(동축 조명)의 기능을 갖는다.
도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 면 발광 조명(SL) 및 하프 미러(HM)의 Y축 방향의 길이는 기판(S)의 폭 방향에 있어서의 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 촬상 시야 전체보다 조금 넓게 구성되어 있고, 면 발광 조명(SL)은 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각 촬상 시야보다 조금 넓은 발광 에어리어(SL1 내지 SL4)로 분할되어, 개별적으로 점등/소등 가능하게 되어 있다. 동축 조명 장치의 발광 에어리어가 나뉘어져 있으므로, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)마다 조광하는 것이 가능하다. 이에 의해, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 촬상 시야의 모든 에어리어에서의 조명의 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 후술하는 바와 같이 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 촬상 시야의 각각이 중복되는 경우에는, 발광 에어리어(SL1 내지 SL4)도 중복된다.
다음에, 복수의 촬상 장치의 촬상 시야의 중복에 대하여 도 6 내지 도 8을 사용하여 설명한다. 도 6은 복수의 촬상 장치의 촬상 시야의 중복에 대하여 설명하는 상면도이다. 도 7은 도 6에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 측면도이다. 도 8은 촬상 시야의 중복량에 대하여 설명하는 도면이다.
상술한 실시 형태에서는 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각의 촬상 시야(IA1 내지 IA4)는 중복되어 있지 않은 예를 나타내고 있다. 그러나, 촬상 장치의 다연화를 행할 때 다양한 제품 피치(어태치먼트 영역의 피치)와 촬상 장치의 피치가 반드시 동일하게 되는 것은 아니므로, 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 촬상 시야 사이를 어느 정도 중복시키는 것이 바람직하다.
도 6 및 도 7에서는, 일례로서 촬상 장치를 4대 마련하고, 기판(S)의 1열에 어태치먼트 영역을 6개 마련한 예를 도시하고 있으며, 촬상 장치의 피치가 어태치먼트 영역의 피치보다 크게 되어 있다. 이 때문에, 인접하는 촬상 장치의 촬상 시야를 중복시켜, 예를 들어 하나의 촬상 장치의 촬상 시야에는 2개 이상의 촬상 대상물이 포함되도록 한다. 따라서, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각은 촬상 장치(CML)보다 높은 해상도의 촬상 장치이다. 촬상 장치(CM1 내지 CM4)의 각각은 기판(S)의 폭 방향 1열분의 전체 영역을 일괄하여 충분한 해상도로 촬상할 수 없는 촬상 장치이지만, 기판(S)의 폭 방향 1열분의 전체 영역을 일괄하여 충분한 해상도로 촬상할 수 있는 촬상 장치여도 된다. 여기서, 기판(S)은, 예를 들어 도 6에 도시하는 바와 같이 직사각 형상 또한 평판상이며, 종횡으로 다수의 어태치먼트 영역(AA11 내지 AA16, AA21 내지 AA26, ~)을 갖고 있다. 기판(S)은 반송 방향(X축 방향)의 길이는 폭 방향(Y축 방향)의 길이보다 길게 구성되어 있다.
촬상 시야의 중복 영역(OVL)은, 최대 사이즈의 촬상 대상물이 포함되는 크기이면 된다(최대 제품 사이즈를 유지하면 됨). 이에 의해, 모든 촬상 대상물은 어느 촬상 시야에 그 촬상 대상물의 전체가 들어간다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 중복 영역(OVL)은 촬상 대상물(OB2)이 들어가는 크기이면 되며, 예를 들어 서브스트레이트 기판이라면 최대 탭 사이즈의 중복량이 있다면, 모든 탭은 어느 시야에 그 탭의 전경이 들어간다.
복수의 촬상 화상의 합성에 대하여 도 9 내지 도 15를 사용하여 설명한다. 도 9는 이미지 모자이킹과 좌표 매핑을 설명하는 도면이다. 도 10은 캘리브레이션 플레이트를 사용한 이미지 모자이킹과 좌표 변환을 설명하는 모식도이다. 도 11은 디스토션을 설명하는 도면이다. 도 12는 아핀 변환 및 사영 변환의 변환 행렬의 식을 나타내는 도면이다. 도 13은 기판의 타깃 모델에 의한 이미지 모자이킹과 좌표 변환을 설명하는 도면이다. 도 14는 다연 리드 프레임의 탭 상에 페이스트상 접착제를 도포한 상태를 복수의 촬상 장치로 촬상한 화상이며, 도 14의 (a)는 경시 변이가 없는 경우의 촬상 화상이고, 도 14의 (b)는 경시 변이가 있는 경우의 촬상 화상이다. 도 15는 공간 재보정을 설명하는 도면이며, 도 15의 (a)는 공간 재보정 전의 상태를 도시하는 도면이고, 도 15의 (b)는 공간 재보정 후의 상태를 도시하는 도면이다.
중복량을 억제하기 위해, 제어부(CNT)는 복수의 촬상 장치로 촬상한 화상을 이미지 모자이킹 등으로 합성한다. 일반적인 이미지 모자이킹은 복수의 화상을 원활하게 서로 연결시키려고 하기 때문에, 그 상태에서는 화상의 캘리브레이션을 잃어 버리는 경우가 있다.
그래서, 실시 형태에서는 복수대의 촬상 장치로 촬상한 화상의 합성에 있어서,
(A) 다이 본딩 장치의 출하 시 또는 조정 시에는 캘리브레이션 플레이트를 사용한 이미지 모자이킹과 좌표 변환을 행하고,
(B) 다이 본딩 장치의 미세 조정 시 또는 연속 운전 중에는 기판의 타깃 모델에 의한 이미지 모자이킹과 슈트 상에 배치한 타깃 모델에 의한 좌표 변환을 행한다.
상기 (A)에 대하여 도 9 내지 도 12를 사용하여 설명한다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 제어부(CNT)는, 다이 본딩 장치의 조정 시에 다연화된 촬상 장치의 모든 촬상 시야를 커버하는 스케일로 되는 좌표 마커(CMRK)를 비추고, 중복 영역(OVL) 범위에 들어가는 좌표 마커(CMRK)의 동일 교점(IP)을 기준으로 화상을 사영 변환이나 아핀 변환 등에 의한 좌표 변환을 하여, 각 촬상 장치간의 화상을 원활하게 서로 연결시킨 1매의 화상(합성 화상)을 얻는다. 여기서, 좌표 마커(CMRK)는, 조정 지그로서 캘리브레이션 플레이트를 준비하고, 그 플레이트에 마킹하여 사용하는 것이며, 좌표 마커(CMRK)는 예를 들어 격자상의 것이다. 좌표 변환 시에는 전체 공간의 위치 관계를 보증하는 마커가 필요하게 된다. 도 9에 도시하는 바와 같은 합성 시야 전체를 커버하는 좌표 마커(CMRK)가 있으면, 사영 변환 등의 좌표 변환 시에는 전체 공간의 위치 관계를 보증할 수 있고, 각 교점 피치에서 화상 공간 좌표와 실제 공간 좌표의 매칭은 가능하다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 제어부(CNT)는, 격자상의 모양을 갖는 1개의 큰 캘리브레이션 플레이트(CP)를 예를 들어 3대의 촬상 장치에 의해 시야를 나누어 촬상한다. 3대의 촬상 장치는 인접하는 서로의 촬상 장치에 의해 어느 정도 시야가 중복되는 중복 영역(OV12, OV23)을 갖는다. 중복 영역(OV12, OV23) 내의 격자 모양의 교점(IP)이 흑점으로 도시되어 있다.
우선, 제어부(CNT)는, 아핀 변환 혹은 사영 변환에 의해 인접하는 촬상 장치 중 어느 것을 기준으로 다른 한쪽의 촬상 장치의 화상의 화소 좌표를 변환한다. 여기서는 예로서 기준 화상이 화상(IV1), 변환 화상을 화상(IV2)으로서 설명한다. 변환은 서로의 변환되는 화상에 있어서의 교점(IP)의 좌표(흑점 좌표)가 대응하는 기준 화상에 있어서의 교점(IP)의 좌표(흑점 좌표)에 맞도록, 아핀 변환 혹은 사영 변환의 변환 행렬의 각 파라미터를 산출한다. 여기서, 일반적으로 아핀 변환의 변환 행렬은 도 12의 식 (1)에 나타내고, 사영 변환의 행렬식은 도 12의 식 (2)에 나타낸다. 변환 행렬의 산출에는 일반적으로 3점의 좌표가 있으면 되는데, 변환을 일의적이 아니라, 격자상의 격자 무늬에 상당하는 부분별로 행함으로써 보다 정확한 변환이 가능하게 되므로, 격자 무늬마다 변환을 행하는 것이 바람직하다.
기준으로 되는 화상(IV1)이 도 11에 도시하는 바와 같은 통형 혹은 실패(絲卷)형 등으로 대표되는 디스토션을 갖고 있는 경우에는 먼저 시야 내에 들어가는 캘리브레이션 플레이트(CP)의 모든 교점(IP)을 사용하여 원화상을 정립하는 직교 좌표계에 맞춘 화상으로 변환하여 디스토션 보정을 해 두는 것이 바람직하다(제1 디스토션 보정). 이에 의해 중복 영역(OV12, OV23) 이외에도 단순한 배율 맞춤에 의해 합성 화상에 도입할 수 있다.
좌표 맞춤은 화소 좌표계에서 행하기 때문에, 화상(IV2)의 변환 후의 좌표는 정수값으로 되는 것이 요구되지만, 아핀 변환이나 사영 변환으로 변환된 화소는, 반드시 그 장소에 수렴되는 것은 아니며, 변환 후 좌표가 중간값으로 되는 경우가 있다. 그때에는 변환 후의 화상의 각 좌표는, 근접하는 변환 후의 좌표의 농담값으로부터 최근린법이나 바이리니어법, 바이큐빅법 등으로 대표되는 농담값 보간을 행한다.
상기 (B)에 대하여 도 13 내지 도 15를 사용하여 설명한다.
생산 가동 전의 조정 작업에 있어서의 변환은 시야 내 화상 공간에 있어서 좌표의 기준을 나타내는 캘리브레이션 플레이트(CP)의 교점(IP)이 다수 또한 등피치로 배치되어 있기 때문에, 화상 공간과 실좌표 공간의 끼워맞춤이 비교적 용이하다. 이에 비해, 연속 운전 중 혹은 간이 조정에서는 캘리브레이션 플레이트(CP)를 사용하지 않고 화상 합성과 좌표 맞춤을 행한다. 화상 합성은 서로 동일한 장소를 나타내는 위치를 알면 되므로, 기판 상의 위치 결정용 타깃 마크(TM) 등을 이용한다. 위치 결정용 타깃 마크(TM)는 어태치먼트(본딩 혹은 페이스트) 시의 탭의 위치 결정 공정으로서 템플릿 모델의 등록이 이루어지고 있기 때문에 그것을 이용한다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 화상의 중복 영역(OV12, OV23)에 복수의 탭이 들어가는 경우에는 인접하는 탭의 위치 결정용 타깃 마크(TM)를 사용하여 3점 이상의 포인트를 확보한다. 중복 영역에 하나의 탭밖에 들어가지 않는 경우에는 하나의 탭에 미리 3점의 위치 결정용 타깃 마크(TM)를 템플레이트 이미지 모델로서 등록해 둔다.
이 방법이면 화상간의 좌표 맞춤에 의한 합성은 가능하지만 실공간과의 위치 맞춤은 불가능하다. 어느 화상을 기준으로 하여 맞춘다고 해도, 먼저 좌표 공간과의 끼워맞춤을 행하지 않고, 그대로 합성하면, 도 11에 도시하는 바와 같이, 기준 화상으로서의 화상(IV1)에 인접하는 화상(IV2) 및 화상(IV2)에 인접하는 화상(IV3)은 화상(IV1)의 디스토션의 영향을 받게 된다. 디스토션에 의한 어긋남은 화상(IV1)으로부터 순차적으로 인접해 가면, 가장 먼 위치의 화상(IV3)이 가장 증폭된다. 이 증폭량을 억제하기 위해, 슈트(SCT) 상의 기지의 좌표에 마커(SMRK)를 설치하고, 설치한 마커(SMRK)의 좌표를 다시 화상으로부터 측정함으로써, 합성 후의 화상으로 일괄 반환한다. 이 화상의 디스토션은 촬상 장치의 렌즈에 의존하기 때문에, 최초의 변환 시의 변환(제1 디스토션 보정)을 실시 후에 화상 합성을 행하여, 전체의 좌표를 맞추기 위해 슈트(SCT) 상의 마커(SMRK)를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 제어부(CNT)는 좌표 마커(CMRK)를 사용하여 실공간과 화상 공간의 보정을 행한 후, 반송로로서의 슈트(SCT) 상에 별도 마련한 마커(SMRK)의 좌표를 파악한다. 여기서, 슈트(SCT)는 기판(S)의 폭 방향의 양단부의 외측에 위치한다.
상술한 바와 같이, 좌표 마커(CMRK)는 다이 본딩 장치에 의한 생산 가동 전에 조정 작업으로서 맞춰넣는다. 그러나, 착공이 진행됨에 따라, 촬상 장치의 자발열과 그의 포화 상태나, 촬상 장치간의 열분포의 변동에 의해, 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이, 각 촬상 장치의 촬상 시야는 약간 각각의 경시 변위를 갖는 경우가 있다. 여기서, 촬상 장치(CM2)의 촬상 시야(IA2) 내의 화상은 촬상 장치(CM1)의 촬상 시야(IA1) 내의 화상에 대하여 우측으로 어긋나 있다. 즉, 촬상 장치(CM2)는 우측으로 변위되어 있다. 또한, 사각형의 프레임으로 둘러싼 개소는 각 탭의 좌측 하단의 모퉁이부 부근을 나타내고 있다. ㎛ 단위의 정밀도가 요구되는 다이 본딩 장치에서는 이 어긋남을 무시할 수 없다. 착공 중이라도 그들 미세한 어긋남을 보정할 필요가 있다. 이하에 그 미세한 어긋남을 보정하는 방법에 대하여 도 15를 사용하여 설명한다.
상술한 바와 같이, 연속 착공 중에 촬상 장치간의 어긋남이 발생하면 기지의 피치를 갖는 기판(S)의 탭간 피치에 차이가 발생하는 경우가 있다. 제어부(CNT)는 이 기지의 탭간 피치를 정기적으로 측정함으로써 촬상 장치의 열 등의 요인에 의한 고유의 변위를 검출한다. 또한, 제어부(CNT)는 기지의 슈트(SCT) 상의 마커(SMRK)간의 거리를 정기적으로 측정함으로써도 촬상 장치의 열 등의 요인에 의한 고유의 변위를 검출한다.
이 변위를 검출하였을 때, 제어부(CNT)는 기판(S) 상의 위치 결정용 타깃 마크(TM) 등의 특징 마커를 사용하여 화상을 합성 변환하는 사영 변환 행렬이나 아핀 변환 행렬을 재계산한다. 이때, 구한 사영 변환 행렬이나 아핀 변환 행렬은 화상의 연결은 가능하지만, 도 15의 (a)에 도시하는 바와 같이, 화상 공간과 실공간의 매칭이 되어 있지 않은 상태로 되는 경우가 있다. 그 때문에, 제어부(CNT)는 최초로 측정하였던 슈트(SCT) 상의 마커(SMRK)를 사용하여, 그 좌표를 기준으로 재변환을 행한다. 이에 의해, 도 15의 (b)에 도시하는 바와 같은 합성 화상을 얻는다.
또한, 기판(P)의 두께(기판(P)의 상면의 높이)에 따라 배율이 변화되어 버려, 높이가 바뀌어 버리면 얼라인먼트가 어려워진다. 기판의 두께의 영향을 경감하기 위한 방법을 도 16 및 도 17을 사용하여 설명한다.
도 16은 캘리브레이션 플레이트의 높이를 바꾸는 방법을 설명하는 도면이며, 도 16의 (a)는 기판이 어태치먼트 스테이지 상으로 반송되어 적재된 상태를 도시하는 단면도이고, 도 16의 (b)는 캘리브레이션 플레이트의 상하 이동을 도시하는 단면도이다. 도 17은 슈트에 마련하는 마커를 설명하는 도면이며, 도 17의 (a)는 기판이 어태치먼트 스테이지 상으로 반송되어 적재된 상태를 도시하는 단면도이고, 도 17의 (b)는 마커가 마련된 슈트의 상면도이고, 도 17의 (b)는 다른 예에 있어서의 마커가 마련된 슈트의 단면도이다.
제어부(CNT)는, 높이 변위에 대응하기 위해, 캘리브레이션 플레이트(CP)를 상하로 미동시켜 높이마다 사영 변환 행렬을 얻는다. 제어부(CNT)는 기지의 기판의 두께나 페이스트 높이, 다이 두께 등으로부터 얼라인먼트 패턴 위치나 검사 시야 위치의 예상 높이를 산출하여, 높이마다 유지하고 있는 어느 사영 변환 행렬을 사용할지 자동 선택한다. 제어부(CNT)는 인접하는 촬상 장치간의 중복 영역에서 기판 상의 동일 포인트의 인식을 행하고, 높이를 측정한다. 제어부(CNT)는 그 측정값으로부터 사용할 사영 변환 행렬을 자동 선택한다.
구체적으로는, 최초의 캘리브레이션 플레이트(CP)에 의한 보정 시에, 도 16의 (b)에 도시하는 바와 같이, 캘리브레이션 플레이트(CP)를 설치하고 있는 어태치먼트 스테이지(AS)를 상하 이동시켜, 캘리브레이션 플레이트(CP)의 교점의 좌표를 어태치먼트 스테이지(AS)의 높이마다 측정한다. 어태치먼트 스테이지의 상하 이동 기구는, ㎛ 단위의 상하 이동이 가능하게 구성되어 있다.
또한, 슈트(SCT) 상에 설치하는 마커(SMRK)는, 기판(P)의 상면의 높이와 동일한 높이로 하는 것이 바람직하다. 도 17의 (a) (b)에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 슈트(SCT)에 깊이 및 직경이 다른 홀(구멍)을 성형한다. 마커(SMRK)를 나타내는 홀은, 도 17의 (c)에 도시하는 바와 같이 깊이마다 개별적으로 마련해도 된다. 마커(SMRK)는 기판(P)의 상면과 높이가 맞다면 홀이 아니어도 된다.
실시 형태에 따르면, 이하의 하나 또는 복수의 효과를 갖는다.
(a) 각 촬상 대상물을 거의 바로 위에서 볼 수 있으므로, 단순한 저배율 광학계에서 발생하는 시야의 깊은 곳에서의 화상의 높이 방향의 경사를 방지하는 것이 가능하다.
(b) 촬상 장치의 열 등의 요인에 의한 고유의 변위를 검출할 수 있고, 촬상 장치간의 보정을 다이 본더의 운전 동작 중에 실시할 수 있으므로, 촬상 장치의 경시 변위의 영향을 경감하는 것이 가능하다.
(c) 높이 변위에 대응할 수 있고, 기판의 품종에 따른 두께의 변화의 영향을 받지 않게 되므로, 품종의 차이의 영향을 경감하는 것이 가능하다.
(d) 적어도 상기 (a) 내지 (c) 중 어느 것에 의해, 위치 결정 정밀도의 안정화, 검사의 안정화가 가능하다.
<변형예>
이하, 실시 형태의 대표적인 변형예에 대하여 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 실시 형태에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 실시 형태에 있어서의 설명이 적절하게 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부, 및 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절하게 복합적으로 적용될 수 있다.
도 18은 변형예에 있어서의 촬상 장치의 다연화에 대하여 설명하는 사시도이다. 실시 형태에서는, 기판(S)의 폭 방향의 1열의 촬상 대상물을 복수의 촬상 장치로 촬상하는 예를 설명하였지만, 기판(S)의 길이 방향으로도 복수의 촬상 장치를 배치하여, 즉 복수의 촬상 장치를 격자상으로 배치하여, 복수열의 촬상 대상물을 촬상하도록 해도 된다.
예를 들어, 도 18에 도시하는 바와 같이, 4열의 촬상 장치군(CM10 내지 CM40)이 배치되고, 각 촬상 장치군은 각각 일렬로 배치된 실시 형태의 4대의 촬상 장치(CM1 내지 CM4)를 가지며, 16대의 촬상 장치가 격자상으로 배치된다. 여기서, 기판(S)에는 1열 6개의 촬상 대상부가 5열 배치되어 있고, 인접하는 촬상 장치의 촬상 시야는 중복되어 있다.
도 18에 도시하는 바와 같이, 기판(S)의 제1열째의 전체 촬상 대상물뿐만 아니라, 제2열째 이후의 몇 열째까지의 전체 촬상 대상물을 병행하여 촬상하여, 합성한 화상을 인식할 수 있으므로, 기판(S)을 이동시켜 촬상하는 횟수가 실시 형태보다 적게 하는 것이 가능하다.
[실시예]
상술한 실시 형태를 적용한 실시예에 대하여 이하에 설명한다. 도 19는 실시예에 있어서의 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 20은 도 19에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
다이 본더(10)는, 크게 구별하여, 기판(S)에 실장하는 다이(D)를 공급하는 다이 공급부(1)와, 픽업부(2)와, 중간 스테이지부(3)와, 프리폼부(9)와, 본딩부(4)와, 반송부(5)와, 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이고, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 전방측에 배치되고, 본딩부(4)가 안측에 배치된다. 여기서, 기판(S)에는 최종 1패키지로 되는, 복수의 제품 에어리어(이하, 패키지 에어리어(P)라고 함)가 형성되어 있다. 예를 들어, 기판(S)이 리드 프레임인 경우, 패키지 에어리어(P)는 다이(D)가 적재되는 탭을 갖는다.
우선, 다이 공급부(1)는 기판(S)의 패키지 에어리어(P)에 실장하는 다이(D)를 공급한다. 다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 밀어올리는 점선으로 나타내는 박리 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY축 방향으로 이동하여, 픽업할 다이(D)를 박리 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는, 다이(D)를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y축 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X축 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부와, 웨이퍼(11)로부터 픽업하는 다이(D)의 픽업 위치를 파악하는 웨이퍼 인식 카메라(24)를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 14도 참조)을 가지며, 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X축 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는, 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
프리폼부(9)는 시린지(91)와 시린지(91)를 Y 방향 및 Z 방향으로 이동시키는 구동부(93)와, 시린지(91)의 도포 위치 등을 파악하는 촬상 장치로서의 접착제 인식 카메라(94)를 갖는다. 여기서, 접착제 인식 카메라(94)는, 예를 들어 실시 형태의 다연화된 촬상 장치(CM1 내지 CM4)이며, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)는 각각 조명 장치(LD)를 사용하여 촬상하도록 구성되어 있다. 프리폼부(9)는 반송부(5)에 의해 반송되어 온 기판(S)에 시린지(91)로 에폭시 수지 등의 페이스트상 접착제를 도포한다. 시린지(91)는 내부에 페이스트상 접착제가 봉입되어 있고, 공기압에 의해 페이스트상 접착제가 노즐 선단으로부터 기판(S)으로 압출되어 도포되도록 구성되어 있다. 기판(S)이, 예를 들어 복수개의 단위 리드 프레임이 가로 일렬로 배열되어 일련으로 연속 설치되어 있는 다연 리드 프레임인 경우에는, 단위 리드 프레임의 탭마다 페이스트상 접착제를 도포한다.
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하여, 반송되어 오는 기판(S)의 페이스트상 접착제가 도포된 패키지 에어리어(P) 상에 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 20도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y축 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판(S)의 패키지 에어리어(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하고, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다. 여기서, 기판 인식 카메라(44)는, 예를 들어 실시 형태의 다연화된 촬상 장치(CM1 내지 CM4)이며, 촬상 장치(CM1 내지 CM4)는 각각 조명 장치(LD)를 사용하여 촬상하도록 구성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치ㆍ자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하여, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판에 다이(D)를 본딩한다.
반송부(5)는, 기판(S)을 파지하고 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판(S)이 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판(S)은, 반송 레인(52)에 마련된 기판 반송 갈고리(51)의 도시하지 않은 너트를 반송 레인(52)을 따라 마련된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동된다. 이러한 구성에 의해, 기판(S)은, 기판 공급부(6)에서부터 반송 레인(52)을 따라 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여 기판 반출부(7)에 기판(S)을 전달한다.
다음에, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 21을 사용하여 설명한다. 도 21은 도 19의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는, 수평 방향(XY축 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 박리 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 고정된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 웨이퍼(11)에 있어서 그물눈상으로 다이싱된 다이(D)는, 다이싱 테이프(16)에 접착 고정되어 있다. 박리 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는, 다이(D)의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 신장되어 다이(D)의 간격이 확대되고, 박리 유닛(13)에 의해 다이(D) 하방으로부터 다이싱 테이프(16)를 밀어올리거나 수평 이동하거나 하여, 다이(D)의 픽업성을 향상시키고 있다.
도 22에 도시하는 바와 같이, 제어계(80)는 제어부(8)와 구동부(86)와 신호부(87)와 광학계(88)를 구비한다. 제어부(8)는, 크게 구별하여, 주로 CPU(Central Processor Unit)로 구성되는 제어ㆍ연산 장치(81)와, 기억 장치(82)와, 입출력 장치(83)와, 버스 라인(84)과, 전원부(85)를 갖는다. 기억 장치(82)는, 처리 프로그램 등을 기억하고 있는 RAM으로 구성되어 있는 주기억 장치(82a)와, 제어에 필요한 제어 데이터나 화상 데이터 등을 기억하고 있는 HDD로 구성되어 있는 보조 기억 장치(82b)를 갖는다. 입출력 장치(83)는, 장치 상태나 정보 등을 표시하는 모니터(83a)와, 오퍼레이터의 지시를 입력하는 터치 패널(83b)과, 모니터를 조작하는 마우스(83c)와, 광학계(88)로부터의 화상 데이터를 도입하는 화상 도입 장치(83d)를 갖는다. 또한, 입출력 장치(83)는, 다이 공급부(1)의 XY 테이블(도시하지 않음)이나 본딩 헤드 테이블의 ZY 구동축 등의 구동부(86)를 제어하는 모터 제어 장치(83e)와, 여러 가지 센서 신호나 조명 장치 등의 스위치 등의 신호부(87)로부터 신호를 도입 또는 제어하는 I/O 신호 제어 장치(83f)를 갖는다. 광학계(88)에는, 도 20에 도시하는 웨이퍼 인식 카메라(24), 접착제 인식 카메라(94), 스테이지 인식 카메라(32), 기판 인식 카메라(44)가 포함된다. 제어ㆍ연산 장치(81)는 버스 라인(84)을 통하여 필요한 데이터를 도입하고, 연산하여, 본딩 헤드(41) 등의 제어나, 모니터(83a) 등에 정보를 보낸다.
제어부(8)는 화상 도입 장치(83d)를 통하여 광학계(88)에서 촬상한 화상 데이터를 기억 장치(82)에 보존한다. 보존한 화상 데이터에 기초하여 프로그램한 소프트웨어에 의해, 제어ㆍ연산 장치(81)를 사용하여 다이(D) 및 기판(S)의 위치 결정, 페이스트상 접착제의 도포 패턴의 검사 그리고 다이(D) 및 기판(S)의 표면 검사를 행한다. 제어ㆍ연산 장치(81)가 산출한 다이(D) 및 기판(S)의 위치에 기초하여 소프트웨어에 의해 모터 제어 장치(83e)를 통하여 구동부(86)를 동작시킨다. 이 프로세스에 의해 웨이퍼(11) 상의 다이(D)의 위치 결정을 행하고, 다이 공급부(1) 및 다이 본딩부(4)의 구동부에서 동작시켜 다이(D)를 기판(S) 상에 본딩한다. 광학계(88)에서 사용하는 인식 카메라는 그레이 스케일, 컬러 카메라 등이며, 광 강도를 수치화한다.
다음에, 실시예에 관한 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 23을 사용하여 설명한다. 도 23은 도 19의 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
(스텝 S51: 웨이퍼ㆍ기판 반입 공정)
웨이퍼(11)로부터 분할된 다이(D)가 첩부된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 저장하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판(S)을 준비하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어부(8)는 기판 공급부(6)에서 기판(S)을 기판 반송 갈고리(51)에 설치한다.
(스텝 S52: 픽업 공정)
제어부(8)는, 웨이퍼 보유 지지대(12)에 의해 원하는 다이(D)를 웨이퍼 링(14)으로부터 픽업할 수 있도록 웨이퍼 링(14)을 이동시키고, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 촬상한 데이터에 기초하여 위치 결정 및 표면 검사를 행한다. 제어부(8)는 위치 결정된 다이(D)를 박리 유닛(13)에 의해 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다.
제어부(8)는 박리된 다이(D)를 픽업 헤드(21)에 의해 웨이퍼(11)로부터 픽업한다. 이와 같이 하여, 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 다이(D)는, 픽업 헤드(21)의 콜릿(22)에 흡착, 보유 지지되어 다음 공정(스텝 BS13)으로 반송된다. 그리고, 다이(D)를 다음 공정으로 반송한 콜릿(22)이 다이 공급부(1)로 되돌아오면, 상기한 수순에 따라, 다음 다이(D)가 다이싱 테이프(16)로부터 박리되고, 이후 마찬가지의 수순에 따라 다이싱 테이프(16)로부터 1개씩 다이(D)가 박리된다.
(스텝 S53: 본딩 공정)
제어부(8)는 접착제 인식 카메라(94)에 의해 도포 전의 기판(S)의 표면의 화상을 취득하여 페이스트상 접착제를 도포해야 할 면을 확인한다. 도포해야 할 면에 문제가 없으면, 제어부(8)는 반송부(5)에 의해 반송된 기판(S)에 시린지(91)로부터 페이스트상 접착제를 도포한다. 기판(S)이 다연 리드 프레임인 경우에는 모든 탭에 페이스트상 접착제를 도포한다. 제어부(8)는, 도포 후 페이스트상 접착제가 정확하게 도포되어 있는지를 접착제 인식 카메라(94)로 다시 확인하고, 도포된 페이스트상 접착제를 검사한다. 도포에 문제가 없으면, 제어부(8)는 반송부에 의해 기판(S)을 본딩 스테이지(BS)로 반송하고, 기판 인식 카메라(44)에 의해 촬상한 화상 데이터에 기초하여 위치 결정을 행한다.
제어부(8)는 웨이퍼(11)로부터 픽업 헤드(21)에 의해 픽업한 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)로 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이(D)를 픽업하여, 위치 결정된 기판(S)에 본딩한다. 제어부(8)는 기판 인식 카메라(44)에 의해 촬상한 화상 데이터에 기초하여 다이(D)가 원하는 위치에 본딩되었는지 여부 등의 검사를 행한다.
(스텝 S54: 기판 반출 공정)
제어부(8)는 기판 반출부(7)에서 기판 반송 갈고리(51)로부터 다이(D)가 본딩된 기판(S)을 취출한다. 다이 본더(10)로부터 기판(S)을 반출한다.
이상, 본 개시자들에 의해 이루어진 발명을 실시 형태, 변형예 및 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시 형태, 변형예 및 실시예에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 변경 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.
예를 들어, 실시예에서는 프리폼부에서 기판에 페이스트상 접착제를 도포하는 예를 설명하였지만, 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 시린지(91)에 의해 도포되는 페이스트상 접착제 대신에 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 첩부하는 다이 어태치 필름(DAF)이라고 불리는 필름상의 접착 재료를 사용해도 된다. DAF는 기판(S) 상의 다이 상에 다이가 몇 매 적재되어 구성되는 적층 패키지에 적합하다.
또한, 실시예에서는 다이 공급부(1)와 본딩부(4) 사이에 중간 스테이지부(3)를 마련하고, 픽업 헤드(21)로 다이 공급부(1)로부터 픽업한 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)로 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이(D)를 픽업하여, 반송되어 온 기판(S)에 본딩하는 예를 설명하였지만, 본딩 헤드(41)로 다이 공급부(1)로부터 픽업한 다이(D)를 기판(S)에 본딩하도록 해도 된다.
10: 다이 본더(다이 본딩 장치)
AA: 어태치먼트 영역
CM1 내지 CM4: 촬상 장치
CNT: 제어부
S: 기판
SCT: 슈트(반송로)

Claims (23)

  1. 기판을 반송하는 반송로와,
    상기 반송로의 상방에 상기 기판의 폭 방향을 따라 일렬로 고정 배치된 복수의 촬상 장치와,
    상기 기판 상에 위치하는 상기 폭 방향을 따른 일렬의 복수의 어태치먼트 영역을 상기 복수의 촬상 장치로 촬상하여 복수의 화상을 취득하고, 취득한 복수의 상기 화상에 기초하여 합성 화상을 생성하고, 상기 합성 화상에 기초하여 상기 어태치먼트 영역의 촬상 대상물을 인식하도록 구성되는 제어부
    를 구비하고,
    각 촬상 장치의 촬상 시야는 상기 기판 상에서 중복되고, 중복된 상기 촬상 시야는 상기 어태치먼트 영역보다 크게 구성되는, 다이 본딩 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 중복된 상기 촬상 시야에 위치하는 좌표 마커에 기초하여 상기 합성 화상을 생성하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 좌표 마커는 모든 상기 촬상 장치의 시야를 커버하는 격자상의 스케일이고,
    상기 제어부는, 상기 좌표 마커를 비추고, 중복된 상기 촬상 시야에 들어가는 상기 좌표 마커의 동일 교점을 기준으로 화상을 사영 변환하여, 각 촬상 장치간의 화상을 서로 연결시켜 상기 합성 화상을 생성하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반송로는, 상기 기판의 폭 방향의 양단의 외측에 각각 복수의 기준 마커를 갖고,
    상기 기판은 소정의 간격으로 배치되는 복수의 탭을 갖고,
    상기 제어부는, 상기 탭의 간격 또는 상기 기준 마커의 간격을 상기 촬상 장치로 측정하여, 상기 촬상 장치간의 변위를 검출하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판은 특징 마커를 더 갖고,
    상기 제어부는, 상기 촬상 장치간의 변위를 검출한 경우, 상기 특징 마커에 기초하여 화상을 합성 변환하는 사영 변환 행렬을 재계산하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 미리 측정하였던 상기 기준 마커에 기초하여, 그 좌표를 기준으로 상기 사영 변환 행렬을 재계산하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판을 상하로 미동시켜, 높이마다 사영 변환 행렬을 구하고,
    상기 기판의 두께 또는 페이스트 높이 또는 다이 두께로부터 얼라인먼트 패턴 위치 또는 검사 시야 위치의 예상 높이를 산출하고, 산출한 예상 높이에 기초하여 높이마다 유지하고 있는 상기 사영 변환 행렬 중 어느 것을 선택하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어부는, 인접하는 촬상 장치간의 중복된 촬상 시야에 있어서 상기 기판 상의 동일 포인트의 인식을 행하여 높이를 측정하고, 측정된 상기 높이에 기초하여 높이마다 유지하고 있는 상기 사영 변환 행렬을 선택하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 상기 촬상 장치의 각각에 대응하여 마련된 복수의 조명 장치를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 복수의 상기 조명 장치를 독립적으로 조광하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판을 당해 기판의 길이 방향으로 반송하여 다음 열의 복수의 어태치먼트 영역을 상기 복수의 촬상 장치로 촬상하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 촬상 대상물은 상기 기판에 도포된 페이스트상 접착제인, 다이 본딩 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제어부는 상기 촬상 장치에 의해 상기 기판에 도포된 페이스트상 접착제의 외관 검사를 행하도록 구성되는, 다이 본딩 장치.
  13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 촬상 대상물은 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩된 다이인, 다이 본딩 장치.
  14. 복수의 어태치먼트 영역을 갖는 기판을 반송하는 반송로와, 상기 반송로의 상방에 상기 기판의 폭 방향을 따라 일렬로 고정 배치된 복수의 촬상 장치와, 복수의 상기 촬상 장치의 각각에 대응하여 마련된 복수의 조명 장치를 구비하고, 각 촬상 장치의 촬상 시야는 상기 기판 상에서 중복되고, 중복된 상기 촬상 시야는 상기 어태치먼트 영역보다 크게 하도록 구성되는 다이 본딩 장치에 기판을 반입하는 공정과,
    상기 기판 상에 위치하는 상기 폭 방향을 따른 일렬의 복수의 상기 어태치먼트 영역을 상기 복수의 촬상 장치로 촬상하여 복수의 화상을 취득하고, 취득한 복수의 상기 화상에 기초하여 합성 화상을 생성하고, 상기 합성 화상에 기초하여 상기 어태치먼트 영역의 촬상 대상물을 인식하는 공정과,
    상기 기판을 당해 기판의 길이 방향으로 반송하여 다음 열의 복수의 어태치먼트 영역을 상기 복수의 촬상 장치로 촬상하는 공정
    을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 중복된 상기 촬상 시야에 위치하는 좌표 마커에 기초하여 상기 합성 화상을 생성하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 좌표 마커는 모든 상기 촬상 장치의 시야를 커버하는 격자상의 스케일이고,
    상기 좌표 마커를 비추고, 중복된 상기 촬상 시야에 들어가는 상기 좌표 마커의 동일 교점을 기준으로 화상을 사영 변환하여, 각 촬상 장치간의 화상을 서로 연결시켜 상기 합성 화상을 생성하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 반송로는, 상기 기판의 폭 방향의 양단의 외측에 각각 복수의 기준 마커를 갖고,
    상기 기판은 소정의 간격으로 배치되는 복수의 탭을 갖고,
    상기 탭의 간격 또는 상기 기준 마커의 간격을 상기 촬상 장치로 측정하여, 상기 촬상 장치간의 변위를 검출하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판은 특징 마커를 더 갖고,
    상기 촬상 장치간의 변위를 검출한 경우, 상기 특징 마커에 기초하여 화상을 합성 변환하는 사영 변환 행렬을 재계산하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 미리 측정하였던 상기 기준 마커에 기초하여, 그 좌표를 기준으로 상기 사영 변환 행렬을 재계산하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 기판을 상하로 미동시켜, 높이마다 사영 변환 행렬을 구하고,
    상기 기판의 두께 또는 페이스트 높이 또는 다이 두께로부터 얼라인먼트 패턴 위치 또는 검사 시야 위치의 예상 높이를 산출하고, 산출한 예상 높이에 기초하여 높이마다 유지하고 있는 상기 사영 변환 행렬 중 어느 것을 선택하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서, 인접하는 촬상 장치간의 중복된 촬상 시야에 있어서 상기 기판 상의 동일 포인트의 인식을 행하여 높이를 측정하고, 측정된 상기 높이에 기초하여 높이마다 유지하고 있는 상기 사영 변환 행렬을 선택하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제14항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판에 페이스트상 접착제를 도포하는 공정을 더 구비하고,
    상기 촬상 대상물은 도포된 상기 페이스트상 접착제인, 반도체 장치의 제조 방법.
  23. 제14항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 다이를 본딩하는 공정을 더 구비하고,
    상기 촬상 대상물은 본딩된 상기 다이인, 반도체 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115008007B (zh) * 2022-06-15 2023-09-22 东莞市德镌精密设备有限公司 一种针刺式pcb焊接排晶机

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324599A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Canon Machinery Inc ダイボンダ用撮像装置
JP2008218537A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装用装置および電子部品実装用装置における情報コードの読取り方法
KR20120084738A (ko) * 2009-09-22 2012-07-30 사이버옵틱스 코포레이션 고속, 고해상도, 3차원 태양 전지 검사 시스템
JP2013172011A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Panasonic Corp 部品実装装置、撮像装置および撮像方法
JP2013187509A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Seiko Epson Corp 実装部材の位置情報取得方法及び装置、電子デバイスの製造方法
JP2013197277A (ja) 2012-03-19 2013-09-30 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ
JP2014216621A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 株式会社日立製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP2019163956A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 東レエンジニアリング株式会社 チップ位置測定装置
KR20190112641A (ko) * 2018-03-26 2019-10-07 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316259A (ja) * 1995-05-15 1996-11-29 Rohm Co Ltd 半導体製品のワイヤボンディング方法および装置
JP2008170298A (ja) 2007-01-12 2008-07-24 Oki Electric Ind Co Ltd 外観検査装置及び外観検査方法
US20110175997A1 (en) 2008-01-23 2011-07-21 Cyberoptics Corporation High speed optical inspection system with multiple illumination imagery
WO2010090605A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Agency For Science, Technology And Research Methods for examining a bonding structure of a substrate and bonding structure inspection devices
JP5421967B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP6219838B2 (ja) * 2012-11-02 2017-10-25 富士機械製造株式会社 部品実装機
JP2014203917A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 株式会社ディスコ 板状物
JP6435099B2 (ja) 2014-02-26 2018-12-05 Juki株式会社 電子部品実装装置及び電子部品実装方法
JP6818608B2 (ja) 2017-03-28 2021-01-20 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP6821218B2 (ja) * 2017-10-26 2021-01-27 株式会社新川 ボンディング装置
JP7161870B2 (ja) * 2018-06-27 2022-10-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダおよび半導体装置の製造方法
JP7102271B2 (ja) * 2018-07-17 2022-07-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7105135B2 (ja) * 2018-08-17 2022-07-22 東京エレクトロン株式会社 処理条件補正方法及び基板処理システム

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324599A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Canon Machinery Inc ダイボンダ用撮像装置
JP2008218537A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装用装置および電子部品実装用装置における情報コードの読取り方法
KR20120084738A (ko) * 2009-09-22 2012-07-30 사이버옵틱스 코포레이션 고속, 고해상도, 3차원 태양 전지 검사 시스템
JP2013172011A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Panasonic Corp 部品実装装置、撮像装置および撮像方法
JP2013187509A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Seiko Epson Corp 実装部材の位置情報取得方法及び装置、電子デバイスの製造方法
JP2013197277A (ja) 2012-03-19 2013-09-30 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ
JP2014216621A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 株式会社日立製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP2019163956A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 東レエンジニアリング株式会社 チップ位置測定装置
KR20190112641A (ko) * 2018-03-26 2019-10-07 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

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