KR20210093825A - 기판처리장치 및 배기가스 처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판이 처리되는 공간을 형성하는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안치되는 기판안치수단; 상기 기판으로 소스가스를 분사하는 소스가스 분사수단; 상기 기판으로 반응가스를 분사하는 반응가스 분사수단; 상기 공정챔버의 소스가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 안내하는 소스가스 배기라인; 상기 공정챔버의 반응가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 안내하는 반응가스 배기라인; 및 증착공정에 사용되지 않은 소스가스와 반응가스를 상기 공정챔버의 외부로 배출하기 위한 배기펌프를 포함하되, 상기 소스가스 배기라인에는 상기 배기펌프의 내면에 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나가 공급되는 기판처리장치 및 배기가스 처리방법에 관한 것이다.

Description

기판처리장치 및 배기가스 처리방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND EXHAUST GAS TREATMENT METHOD}
본 발명은 배기가스에 의하여 배기펌프가 손상되는 것을 방지한 기판처리장치 및 배기가스 처리방법에 관한 것이다.
반도체소자, 평판표시소자 또는 태양전지 등은, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 증착된 박막들 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등에 의하여 제조된다.
박막증착공정에는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)법 등이 있다.
박막증착공정은 다양한 재료를 이용하여 기판에 박막을 증착한다. 이때, 기판이 처리되는 공간이 형성된 공정챔버로 유입된 전구체인 소스가스는 소량만이 증착공정에 사용되고, 대부분은 증착공정시 발생하는 부산물과 함께 공정챔버의 외부로 배출된다.
증착공정에 사용되지 않은 공정챔버의 소스가스 및 부산물은 배기라인과 배기펌프에 의해 공정챔버의 외부로 배출된다. 즉, 증착공정에 사용되지 않은 공정챔버의 소스가스 및 부산물은 배기펌프에 의하여 추출되며, 배기라인과 배기펌프를 통과하여 배기펌프의 외부로 배출된다.
그런데, 증착공정에 사용되지 않은 소스가스는 배기펌프에서 발생되는 열 또는 공정챔버에서 배출되는 반응가스와 작용하여 분해되며, 분해된 소스가스는 배기펌프의 내면에 증착되어 박막을 형성한다. 그러면, 배기펌프를 구성하는 부품들 사이의 클리어런스(Clearance)가 변경되므로, 배기펌프가 손상되는 문제점이 있다.
소스가스가 저온용이고, 공정챔버의 외부로 배출된 소스가스가 배기펌프의 내부에 쌓였을 경우, 배기펌프에서 발생하는 열에 의하여 소스가스가 폭발할 수도 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치 및 배기가스 처리방법을 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정챔버에서 배출되는 증착공정에 사용되지 않은 소스가스에 의하여 배기펌프가 손상되는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 소스가스가 폭발하는 것을 완전히 방지할 수 있는 기판처리장치 및 배기가스 처리방법을 제공하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판이 처리되는 공간을 형성하는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안치되는 기판안치수단; 상기 기판으로 소스가스를 분사하는 소스가스 분사수단; 상기 기판으로 반응가스를 분사하는 반응가스 분사수단; 상기 공정챔버의 소스가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 안내하는 소스가스 배기라인; 상기 공정챔버의 반응가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 안내하는 반응가스 배기라인; 및 증착공정에 사용되지 않은 소스가스와 반응가스를 상기 공정챔버의 외부로 배출하기 위한 배기펌프를 포함할 수 있다. 상기 소스가스 배기라인에는 상기 배기펌프의 내면에 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나가 공급될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 배기가스 처리방법은 기판이 처리되는 공정챔버로 분사되어 기판에 박막을 증착하는 소스가스 및 반응가스 중, 증착공정에 사용되지 않은 소스가스 및 반응가스를 배출시켜 처리하는 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치의 배기가스 처리방법은 일측은 상기 공정챔버와 연통되고 타측은 배기펌프측과 연통된 소스가스 배기라인 및 일측은 상기 공정챔버와 연통되고 타측은 상기 배기펌프측과 연통된 반응가스 배기라인으로, 상기 배기펌프를 이용하여, 소스가스 및 반응가스를 각각 배기하는 단계; 및 상기 배기펌프의 내면에 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나를 상기 소스가스 배기라인으로 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 기판처리장치 및 배기가스 처리방법은, 공정챔버에서 배기되는 소스가스가 별도로 공급되는 O2, N2O 또는 O3와 반응한 후, 반응가스와 상호 혼합된 혼합가스 형태가 되어 배기펌프로 유입되어 배출되거나, 배기펌프에서 반응가스와 혼합되어 배출된다. 이로 인해, 소스가스는 배기펌프에서 발생되는 열과 반응하지 않고, 반응가스와 작용하지 않으므로, 배기펌프의 내부로 유입된 소스가스가 배기펌프의 내면에 증착되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있을 수 있다. 그리고, 배기펌프의 내부에 쌓인 소스가스가 폭발하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 구성을 보인 도.
도 2는 도 1의 평단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 구성을 보인 도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 배기가스 처리방법을 보인 흐름도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, S100, S110, S120 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 결정하여 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고, 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며, 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 본 실시예에 따른 기판처리장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 구성을 보인 도이고, 도 2는 도 1의 평단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판(50)이 투입되어 처리되는 공간이 형성된 공정챔버(110)를 포함할 수 있다. 공정챔버(110)는 상면이 개방되며 상대적으로 하측에 위치된 본체(111)와 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 결합되며 상대적으로 상측에 위치된 리드(115)를 포함할 수 있다.
공정챔버(110)의 내부 하면측에는 기판(50)이 탑재 지지되는 기판안치수단(120)이 설치될 수 있다. 기판안치수단(120)은 공정챔버(110)의 내부에 위치되며 상면에 기판(50)이 탑재 지지되는 지지대(121)와 상단부는 지지대(121)의 하면에 결합되고 하단부는 공정챔버(110)의 하면 외측으로 노출되어 구동부(130)에 연결되는 지지축(125)을 포함할 수 있다.
지지대(121)에는, 지지대(121)의 중심을 기준으로, 복수의 기판(50)이 방사상으로 탑재 지지될 수 있고, 구동부(130)는 기판안치수단(120)을 승강시키거나, 회전시킬 수 있다. 즉, 구동부(130)는 지지축(125)을 승강시키거나 회전시켜, 지지대(121)를 승강시키거나 회전시킬 수 있다. 이로 인해, 지지대(121)에 탑재 지지된 기판(50)이 승강되거나, 회전될 수 있다.
기판(50)이 탑재 지지되는 지지대(121)의 부위에는 기판(50)을 가열하기 위한 히터 등과 같은 가열수단(미도시)이 설치될 수 있다.
기판(50)에 박막을 증착하기 위해서는, 기판(50)에 증착되는 물질인 소스가스와 소스가스가 기판(50)에 용이하게 증착되도록 도와주는 반응가스가 공정챔버(110)로 공급되어야 한다. 이를 위하여, 공정챔버(110)의 내부 상면측에는 소스가스 및 반응가스를 각각 지지대(121)에 탑재된 기판(50)으로 분사하기 위한 소스가스 분사수단(141) 및 반응가스 분사수단(145)이 설치될 수 있다.
소스가스 분사수단(141) 및 반응가스 분사수단(145)은 각각 샤워헤드 등으로 마련될 수 있으며, 상호 구획되어 설치될 수 있다. 그리고, 소스가스 분사수단(141)에서 분사되는 소스가스는 지지대(121)의 정해진 소스가스영역(121a)으로만 분사되고, 반응가스 분사수단(145)에서 분사되는 반응가스는 지지대(121)의 반응가스영역(121b)으로만 분사될 수 있다. 이때, 소스가스 분사수단(141)에서 분사되는 소스가스와 반응가스 분사수단(145)에서 분사되는 반응가스는 기판(50)으로 분사되는 도중에는 혼합되지 않으면서 분사될 수 있다.
그리하여, 기판안치수단(120)에 탑재 지지된 복수의 기판(50)은, 기판안치수단(120)이 회전함에 따라, 순차적으로 소스가스영역(121a)에 위치되고, 순차적으로 반응가스영역(121b)에 위치된다. 즉, 기판안치수단(120)이 회전함에 따라, 소스가스영역(121a)에 위치되어 소스가스를 공급받은 기판(50)이 반응가스영역(121b)에 위치되어 반응가스를 공급받으면, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(50)에 소스가스가 증착될 수 있다.
공정챔버(110)로 공급된 소스가스 및 반응가스는 소량만이 증착공정에 사용되고, 대부분은 증착공정시 발생하는 부산물과 함께 공정챔버(110)의 외부로 배출된다.
증착공정에 사용되지 않은 소스가스 및 반응가스를 부산물과 함께 공정챔버(110)의 외부로 배출하기 위하여, 소스가스 배기라인(151), 반응가스 배기라인(153) 및 배기펌프(155)가 마련될 수 있다.
소스가스 배기라인(151)의 일단부측은 공정챔버(110)의 하면과 연통되고, 타단부측은 배기펌프(155)측과 연통될 수 있으며, 반응가스 배기라인(153)의 일단부측은 공정챔버(110)의 하면과 연통되고, 타단부측은 배기펌프(155)측과 연통될 수 있다. 이때, 소스가스 배기라인(151)의 일단부측 및 반응가스 배기라인(153)의 일단부측은 각각 소스가스영역(121a) 및 반응가스영역(121b)의 직하방에 위치된 공정챔버(110)의 하면과 연통되는 것이 바람직하다.
그리하여, 진공펌프 등으로 마련된 배기펌프(155)가 구동하면, 소스가스영역(121a)으로 분사되었으나 증착공정에 사용되지 않는 소스가스가 추출되어 소스가스 배기라인(151)으로 유입되고, 반응가스영역(121b)으로 분사되었으나 증착공정에 사용되지 않는 반응가스가 추출되어 반응가스 배기라인(153)으로 유입된다. 그 후, 소스가스와 반응가스는 상호 혼합된 혼합가스 형태가 되어 배기펌프(155)의 내부로 유입되며, 배기펌프(155)의 내부를 통과하여 배기펌프(155)의 외부로 배출된다.
증착공정에 사용되지 않고, 소스가스 배기라인(151)을 통하여 배기펌프(155)로 유입된 소스가스는 배기펌프(155)에서 발생되는 열이나, 반응가스 배기라인(153)을 통하여 배기펌프(155)로 유입되는 반응가스와 작용하여 배기펌프(155)의 내면에 증착될 수 있다. 그러면, 배기펌프(155)가 손상될 수 있다. 특히, 소스가스가 저온용일 경우, 배기펌프(155)의 내부에 쌓인 소스가스는 배기펌프(155)에서 발생하는 열에 의하여 폭발할 우려도 있다.
이를 방지하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 소스가스 배기라인(151)으로 유입된 소스가스를 분해하는 배기가스 분해기(160)가 마련될 수 있다.
배기가스 분해기(160)는 공정챔버(110)와 배기펌프(155) 사이의 소스가스 배기라인(151) 부위에 설치될 수 있으며, 소스가스 배기라인(151)으로 유입된 소스가스를 분해할 수 있다. 이때, 배기가스 분해기(160)는 소스가스의 리간드(Ligand)를 분해할 수 있으며, 분해된 소스가스를 배기펌프(155)측으로 공급할 수 있다.
리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 불안정한 상태이므로 안정화시킬 필요가 있다. 이를 위하여, 배기가스 분해기(160)와 배기펌프(155) 사이의 소스가스 배기라인(151)으로 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나를 공급할 수 있다. 그러면, 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 O2, N2O 또는 O3와 반응하여 안정화된 상태가 될 수 있다.
그 후, 안정화된 리간드 및 안정화된 리간드가 분해된 소스가스는 반응가스 배기라인(153)의 반응가스와 상호 혼합된 혼합가스 형태가 되어 배기펌프(155)로 유입되어 배출된다. 이로 인해, 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 배기펌프(155)에서 발생되는 열과 반응하지 않고, 반응가스와 작용하지 않으므로, 배기펌프(155)의 내부로 유입된 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스가 배기펌프(155)의 내면에 증착되는 것이 방지되고, 배기펌프(155)의 내부에 쌓인 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스가 폭발하는 것이 방지된다.
이때, 배기가스 분해기(160)는 플라즈마를 발생시켜 소스가스를 분해하는 플라즈마 발생기 또는 소스가스를 가열하여 분해하는 열원(熱源)으로 마련될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 구성을 보인 도로서, 도 1과의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치는 배기가스 분해기(260)에서 분해된 소스가스 배기라인(251)의 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스와 반응가스 배기라인(253)의 반응가스는 각각 배기펌프(255)의 내부로 유입된 후, 배기펌프(255)의 내부에서 혼합될 수 있다. 그 후, 혼합가스는 배기펌프(255)의 외부로 배출될 수 있다.
다음에는, 본 실시예에 따른 기판처리장치의 배기가스 처리방법에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 배기가스 처리방법을 보인 흐름도이다.
도시된 바와 같이, 단계(S110)에서는 공정챔버(110)로 각각 분사된 소스가스 및 반응가스 중, 기판(50)에 박막을 증착하기 위한 증착공정에 사용되지 않은 소스가스 및 반응가스를 소스가스 배기라인(151) 및 반응가스 배기라인(153)으로 각각 추출하여 공정챔버(110)의 외부로 배기시킨다.
전술한 바와 같이, 소스가스 배기라인(151)의 일측은 공정챔버(110)와 연통되고 타측은 배기펌프(155)측과 연통되며, 반응가스 배기라인(153)의 일측은 공정챔버(110)와 연통되고 타측은 배기펌프(155)측과 연통된다. 그러므로, 배기펌프(155)를 구동하면, 공정챔버(110)의 소스가스 및 반응가스를 소스가스 배기라인(151) 및 반응가스 배기라인(153)으로 각각 추출하여 배기할 수 있다.
그 후, 단계(S120)에서는 소스가스 배기라인(151)으로 유입된 소스가스를 배기가스 분해기(160)로 분해할 수 있다. 그리고, 단계(S130)에서는 소스가스 배기라인(151)의 분해된 소스가스와 반응가스 배기라인(153)의 반응가스를 혼합하여 혼합가스 형태로 만든 다음, 단계(S140)에서는 혼합가스를 배기펌프(155)의 내부로 통과시켜 배출하면 된다.
이때, 배기가스 분해기(160)는 플라즈마를 발생하여 소스가스를 분해하는 플라즈마 발생기일 수 있고, 소스가스를 가열하여 분해하는 열원일 수 있다. 그리고, 소스가스 배기라인(151)의 소스가스는 리간드가 분리될 수 있다.
전술한 바와 같이, 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 별도로 공급되는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후, 반응가스 배기라인(153)의 반응가스와 혼합되어 배기펌프(155)의 내부로 유입되어 배출되거나,배기펌프(255)의 내부에서 반응가스 배기라인(153)의 반응가스와 혼합되어 배출될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법은 배기가스 분해기(160, 260)에서 분해된 후, 안정화된 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스와 반응가스 배기라인(153, 253)의 반응가스는 상호 혼합된 혼합가스 형태가 되어 배기펌프(155, 255)로 유입되어 배출되거나, 배기펌프(155, 255)에서 반응가스와 혼합되어 배출된다. 이로 인해, 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 배기펌프(155, 255)에서 발생되는 열과 반응하지 않고, 반응가스와 작용하지 않으므로, 배기펌프(155, 255)의 내부로 유입된 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스가 배기펌프(155, 255)의 내면에 증착되는 것이 방지될 수 있고, 배기펌프(155, 255)의 내부에 쌓인 리간드가 분해된 소스가스가 폭발하는 것이 방지될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 공정챔버
120: 기판안치수단
141: 소스가스 분사수단
145: 반응가스 분사수단
151: 소스가스 배기라인
153: 반응가스 배기라인
155: 배기펌프
160: 배기가스 분해기

Claims (10)

  1. 기판이 처리되는 공간을 형성하는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 내부에 설치되며, 기판이 안치되는 기판안치수단;
    상기 기판으로 소스가스를 분사하는 소스가스 분사수단;
    상기 기판으로 반응가스를 분사하는 반응가스 분사수단;
    상기 공정챔버의 소스가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 안내하는 소스가스 배기라인;
    상기 공정챔버의 반응가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 안내하는 반응가스 배기라인; 및
    증착공정에 사용되지 않은 소스가스와 반응가스를 상기 공정챔버의 외부로 배출하기 위한 배기펌프를 포함하고,
    상기 소스가스 배기라인에는 상기 배기펌프의 내면에 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후에 상기 배기펌프의 내부로 유입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후에 상기 반응가스 배기라인의 반응가스와 혼합되어 상기 배기펌프의 내부로 유입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후에 상기 배기펌프의 내부에서 상기 반응가스 배기라인의 반응가스와 혼합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 리간드가 분해되고,
    상기 소스가스 배기라인의 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 기판이 처리되는 공정챔버로 분사되어 기판에 박막을 증착하는 소스가스 및 반응가스 중, 증착공정에 사용되지 않은 소스가스 및 반응가스를 배출시켜 처리하는 기판처리장치의 배기가스 처리방법에 있어서,
    일측은 상기 공정챔버와 연통되고 타측은 배기펌프측과 연통된 소스가스 배기라인 및 일측은 상기 공정챔버와 연통되고 타측은 상기 배기펌프측과 연통된 반응가스 배기라인으로, 상기 배기펌프를 이용하여, 소스가스 및 반응가스를 각각 배기하는 단계; 및
    상기 배기펌프의 내면에 소스가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나를 상기 소스가스 배기라인으로 공급하는 단계를 포함하는 기판처리장치의 배기가스 처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후에 상기 배기펌프의 내부로 유입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 배기가스 처리방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후에 상기 반응가스 배기라인의 반응가스와 혼합되어 상기 배기펌프의 내부로 유입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 배기가스 처리방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화된 상태가 된 후에 상기 배기펌프의 내부에서 상기 반응가스 배기라인의 반응가스와 혼합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 배기가스 처리방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 소스가스 배기라인의 소스가스는 리간드가 분해되고,
    상기 소스가스 배기라인의 리간드 및 리간드가 분해된 소스가스는 상기 소스가스 배기라인으로 공급되는 O2, N2O 또는 O3 중에서 선택된 어느 하나와 반응하여 안정화되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 배기가스 처리방법.
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