KR102510489B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 하나의 기판처리장치에서 공정가스를 분사하는 공정과 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 공정을 선택적으로 수행하거나, 동시에 수행하면서 기판에 박막을 증착할 수 있다. 그러면, 하나의 기판처리장치를 이용하여 공정가스를 기판으로 분사하면서 열을 이용하여 기판에 박막을 증착하거나, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판에 박막을 증착하거나, 열 및 플라즈마를 동시에 이용하여 기판에 박막을 증착할 수 있으므로, 원가가 절감되는 효과가 있을 수 있다.

Description

기판처리장치 {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 가스분사부와 플라즈마발생부를 하나의 유닛으로 형성한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체소자, 평판표시소자 또는 태양전지 등은, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 증착된 박막들 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등에 의하여 제조된다.
박막증착공정에는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)법 등이 있으며, 박막증착공정은 기판에 증착하고자 하는 박막의 특성에 적합한 기판처리장치에서 수행된다.
일반적으로, 기판처리장치는 공정가스를 분사하면서 열을 이용하여 기판에 박막을 증착하거나, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판에 박막을 증착한다. 그리고, 분사되는 공정가스를 열로 처리하는 기판처리장치와 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 기판처리장치는 각각 별도로 제조된다. 그러므로, 분사되는 공정가스를 열로 처리하여 기판에 박막을 증착하고, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판에 박막을 증착하고자 할 경우, 각각의 기판처리장치를 별도로 마련하여야 하므로, 원가가 상승하는 단점이 있다.
기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2013-013622호(2013.12.09) 등에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 가스분사부와 플라즈마발생부를 하나의 유닛으로 형성하여, 하나의 기판처리장치에서 공정가스를 열을 이용하여 기판에 증착하고 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판에 박막을 증착할 수 있도록 함으로써, 원가를 절감할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 투입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 기판이 탑재 지지되며, 회전가능하게 설치된 서셉터; 상기 챔버의 상면에 설치되고 일측 부위가 상기 서셉터와 대향하며 상기 챔버의 일측 영역을 통하여 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사부, 상기 가스분사부를 분리 구획하는 형태로 상기 가스분사부에 설치되며 상기 챔버의 일측 영역에서 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 플라즈마발생부를 가지는 가스공급유닛을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 기판처리장치는, 하나의 기판처리장치에서 공정가스를 분사하는 공정과 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 공정을 선택적으로 수행하거나, 동시에 수행하면서 기판에 박막을 증착할 수 있다. 그러면, 하나의 기판처리장치를 이용하여 공정가스를 기판으로 분사하면서 열을 이용하여 기판에 박막을 증착하거나, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판에 박막을 증착하거나, 열 및 플라즈마를 동시에 이용하여 기판에 박막을 증착할 수 있으므로, 원가가 절감되는 효과가 있을 수 있다.
그리고, 플라즈마발생부에서 발생되는 플라즈마가 서셉터와 평행하는 방향 및 서셉터를 향하는 방향으로 생성된다. 그러면, 플라즈마만을 이용하여 기판에 박막을 증착할 경우, 서셉터를 향하는 방향으로 생성되는 플라즈마에 의하여 기판이 손상되지 않도록, 플라즈마전극과 서셉터 사이의 간극 또는 플라즈전극에 인가되는 전압의 세기를 조절하여도, 서셉터와 평행하는 방향으로 생성되는 플라즈마에 의하여 기판에 박막이 충분하게 증착될 수 있다. 그러므로, 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있을 수 있다.
그리고, 열 및 플라즈마를 함께 이용하여 기판에 박막을 증착할 경우, 열에 의하여 기판에 증착되는 공정가스를 기판에 증착되는 박막의 표면처리용으로 사용할 수 있으므로, 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 사시도.
도 2는 도 1의 일부 분해 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 가스공급유닛의 확대도.
도 4는 도 3의 "Ⅲ-Ⅲ"선 단면도.
도 5는 도 4의 "A"부 확대도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 일부 분해 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판(S)이 투입되어 처리되는 공간이 형성된 챔버(110)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 상면이 개방된 본체(111)와 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 결합된 리드(115)를 포함할 수 있다.
본체(111)와 리드(115)가 상호 결합되어 상대적으로 하측과 상측에 각각 위치되므로, 챔버(110)의 하면이 본체(111)의 하면에 해당하고, 챔버(110)의 상면이 리드(115)에 해당함은 당연하다.
챔버(110)의 내부 하면측에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(Susceptor)(120)가 설치될 수 있다. 서셉터(120)의 하면에는 구동축(미도시)의 상단부가 연결될 수 있고, 상기 구동축은 하단부는 챔버(110)의 하면 외측으로 돌출될 수 있다.
챔버(110)의 하면 외측에 위치된 상기 구동축의 하단부측에는 상기 구동축을 회전 및 승강시키는 구동부(미도시)가 연결될 수 있고, 서셉터(120)는 상기 구동축(미도시)에 의하여 회전 및 승강될 수 있다. 이때, 서셉터(120)는 상기 구동축을 기준으로 자전하는 형태로 회전하는 것이 바람직하다. 그리고, 챔버(110)의 하면 외측으로 노출된 상기 구동축의 부위는 벨로즈(미도시) 등에 의하여 감싸일 수 있으며, 상기 벨로즈는 상기 구동축이 관통하는 챔버(110)의 하면 부위를 실링할 수 있다.
서셉터(120)에는, 서셉터(120)의 중심을 기준으로, 복수의 기판(S)이 방사상으로 탑재 지지될 수 있고, 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(120)의 부위에는 기판(S)을 가열하기 위한 히터 등과 같은 가열수단(미도시)이 설치될 수 있다.
기판(S)에 박막을 증착하기 위해서는, 공정가스가 챔버(110)로 공급되어야 한다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함할 수 있으며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질일 수 있다.
소스가스 및 반응가스를 챔버(110)로 공급하기 위하여, 챔버(110)의 상면에는 소스가스 및 반응가스를 챔버(110)로 각각 공급하는 가스공급장치가 설치될 수 있으며, 상기 가스공급장치는 소스가스를 공급하는 가스공급유닛(130)과 반응가스를 공급하는 가스공급유닛(150)을 포함할 수 있다.
가스공급유닛(130)과 가스공급유닛(150)은 상호 구획되어 설치될 수 있으며, 가스공급유닛(130)에서 분사되는 소스가스는 챔버(110)의 일측 영역을 통하여 기판(S)으로 분사되고, 가스공급유닛(150)에서 분사되는 반응가스는 챔버(110)의 또 다른 일측 영역을 통하여 기판(S)으로 분사될 수 있다. 이때, 가스분사유닛(130)에서 분사되는 소스가스와 가스분사유닛(150)에서 분사되는 반응가스는 기판(S)으로 분사되는 도중에는 혼합되지 않으면서 분사될 수 있다.
그리하여, 서셉터(120)에 탑재 지지된 복수의 기판(S)은, 서셉터(120)가 회전함에 따라, 순차적으로 소스가스가 분사되는 영역(122)에 위치되고, 순차적으로 반응가스가 분사되는 영역(124)에 위치된다. 즉, 서셉터(120)가 회전함에 따라, 기판(S)이 소스가스가 분사되는 영역(122) 및 반응가스가 분사되는 영역(124)에 위치되어 소스가스 및 반응가스를 공급받으면, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.
가스분사유닛(130)에서 분사되는 소스가스와 가스분사유닛(150)에서 분사되는 반응가스가 혼합되는 것을 방지하기 위하여, 챔버(110)의 상면에는 퍼지가스공급유닛(140)이 설치될 수 있다. 즉, 퍼지가스공급유닛(140)에서 분사되는 퍼지가스가 에어 커튼의 기능을 하여, 챔버(110)로 분사되는 소스가스와 반응가스가 혼합되는 것을 방지한다.
챔버(110)로 공급된 소스가스와 반응가스를 포함한 공정가스는 소량만이 증착공정에 사용되고, 대부분은 증착공정시 발생하는 부산물과 함께 챔버(110)의 외부로 배출된다. 증착공정에 사용되지 않은 공정가스를 부산물과 함께 챔버(110)의 외부로 배출하기 위하여, 가스배기라인(미도시) 및 배기펌프(미도시)가 마련될 수 있다.
기판(S)에 증착되는 박막은 공정가스를 분사하면서 열을 이용하여 증착하거나, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 증착한다. 본 실시예에 따른 기판처리장치는 기판(S)에 박막을 증착함에 있어서, 공정가스를 열을 이용하여 기판(S)에 증착할 수 있음과 동시에, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판(S)에 증착할 수 있다.
이를 위하여, 본 실시예에 따른 기판처리장치의 가스공급유닛(150)은 공정가스를 분사하는 가스분사부(160)와 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 플라즈마발생부(170)가 일체로 형성되어 하나의 유닛으로 구성될 수 있다.
본 실시예에 따른 가스공급유닛(150)에 대하여 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 가스공급유닛의 확대도이고, 도 4는 도 3의 "Ⅲ-Ⅲ"선 단면도이고, 도 5는 도 4의 "A"부 확대도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 가스공급유닛(150)은 챔버(110)의 상면인 리드(115)에 설치될 수 있으며, 리드(115)에는 가스공급유닛(150)이 삽입 설치되는 삽입공(115a)이 형성될 수 있다.
가스공급유닛(150)은 서셉터(120)와 대향하면서 공정가스를 챔버(110)의 또 다른 일측 영역을 통하여 기판(S)으로 분사하여 공급하거나, 챔버(110)의 또 다른 일측 영역에서 공정가스를 플라즈마 상태로 생성할 수 있다. 이때, 가스공급유닛(150)은 공정가스를 분사하여 공급하는 공정과 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 공정을 선택적으로 수행하거나, 동시에 수행할 수 있다.
가스공급유닛(150)은 가스분사부(160) 및 플라즈마발생부(170)를 포함할 수 있다.
가스분사부(160)에 대하여 설명한다.
가스분사부(160)는 챔버(110)의 삽입공(115a)에 삽입 설치되어, 일측 부위가 서셉터(120)와 대향하며, 기판(S)으로 공정가스를 분사하여 공급할 수 있다. 가스분사부(160)는 상호 구획된 제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165)를 포함할 수 있다.
제1가스분사부(161) 및 제2가스분사부(165)는 챔버(110)의 상면을 관통하여 챔버(110)의 내부에 위치되며 서셉터(120)와 대향하는 샤워헤드 형태의 대향판(161a)(165a), 대향판(161a)(165a)의 테두리부에서 상측으로 연장되며 삽입공(115a)을 관통하는 측판(161b)(165b), 측판(161b)(165b)의 외면에 형성되어 삽입공(115a)을 형성하는 챔버(110)의 상면에 결합됨과 동시에 상호 결합된 결합테(161c)(165c)를 각각 포함할 수 있다.
그리하여, 제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165)는 상호 간격을 가지면서 상호 구획될 수 있으며, 제1가스분사부(161)의 결합테(161c)와 제2가스분사부(165)는(165c)의 결합테(165c)에 의하여 제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165)는 상호 일체로 연결될 수 있다. 따라서, 제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165)는 하나의 유닛으로 형성될 수 있다.
제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165)는 외부로 부터 공정가스를 공급받아 공정가스를 기판(S)으로 분사할 수 있다. 이를 위하여, 제1가스분사부(161)의 측판(161b) 및 제2가스분사부(165)의 측판(165b)에는 공정가스가 주입되는 주입관(161d)(165d)이 각각 형성될 수 있다. 그리고, 제1가스분사부(161)의 측판(161b)과 대향판(161a)에는 상호 연통되게 형성되어 주입관(161d)을 통하여 주입되는 공정가스를 기판(S)으로 분사하기 위한 가스분사로(161e)가 형성될 수 있고, 제2가스분사부(165)의 측판(165b)과 대향판(165a)에는 상호 연통되게 형성되어 주입관(165d)을 통하여 주입되는 공정가스를 기판(S)으로 분사하기 위한 가스분사로(165e)가 형성될 수 있다.
그리하여, 제1가스분사부(161) 및 제2가스분사부(165)에서 공정가스가 분사되면, 챔버(110)의 분위기 열 또는 서셉터(120)에서 발생되는 열에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.
본 실시예에 따른 가스분사부(160)의 제1가스분사부(161) 및 제2가스분사부(165)는 단면(斷面) 형상이 대략 "∪" 형상으로 형성되다. 그러면, 챔버(110)의 외측으로 노출되어 공기와 접촉하는 제1가스분사부(161) 및 제2가스분사부(165)의 면적이 넓어지므로, 방열 성능이 향상될 수 있다.
플라즈마발생부(170)에 대하여 설명한다.
플라즈마발생부(170)는 가스분사부(160)를 분리 구획하는 형태로 가스분사부(160)에 설치될 수 있으며, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성할 수 있다. 즉, 플라즈마발생부(170)는 제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165) 사이에 설치되어, 제1가스분사부(161)와 제2가스분사부(165)를 분리 구획할 수 있다.
플라즈마발생부(170)는 서셉터(120)와 평행하는 방향으로 플라즈마를 생성할 수 있고, 서셉터(120)를 향하는 방향으로 플라즈마를 생성할 수 있다.
상세히 설명하면, 플라즈마발생부(170)는 몸체부(171a)와 머리부(171b)를 가지는 플라즈마전극(171)을 포함할 수 있다.
몸체부(171a)는 제1가스분사부(161)의 측판(161b)과 제2가스분사부(165)의 측판(165b) 사이에 위치될 수 있고, 몸체부(171a)의 외면은 제1가스분사부(161)의 측판(161b) 및 제2가스분사부(165)의 측판(165b)과 간격을 가질 수 있다. 그리고, 몸체부(171a)의 하단면(下端面)은 서셉터(120)와 대향할 수 있다.
머리부(171b)는 몸체부(171a)의 상단면에서 돌출 형성되어 제1가스분사부(161)의 측판(161b)의 상단면(上端面) 및 제2가스분사부(165)의 측판(165b)의 상단면에 지지 결합될 수 있다. 이때, 머리부(171b)에는 공정가스를 몸체부(171a)와 제1가스분사부(161)의 측판(161b) 사이 및 몸체부(171a)와 제2가스분사부(165)의 측판(165b) 사이로 공급하기 위한 가스공급로(171ba)가 형성될 수 있다.
그리하여, RF 전원(미도시) 등이 플라즈마전극(171)에 인가되면, 대향전극 또는 접지전극의 기능을 하는 제1가스분사부(161)의 측판(161b)과 몸체부(171a)의 외면 사이의 공간 및 제2가스분사부(165)의 측판(165b)과 몸체부(171a)의 외면 사이의 공간에서 플라즈마가 생성되고, 대향전극 또는 접지전극의 기능을 하는 서셉터(120)와 몸체부(171a)의 하단면 사이의 공간에서 플라즈마가 생성된다.
그런데, 몸체부(171a)의 외면과 제1가스분사부(161)의 측판(161b)이 대향하는 방향 및 몸체부(171a)의 외면과 제2가스분사부(165)의 측판(165b)의 외면이 대향하는 방향은 서셉터(120)와 평행하는 방향이므로, 몸체부(171a)와 제1가스분사부(161)의 측판(161b) 사이 및 몸체부(171a)와 제2가스분사부(165)의 측판(165b) 사이에서 생성되는 플라즈마는 서셉터(120)와 평행하는 방향으로 생성된다.
그리고, 몸체부(171a)의 하단면과 서셉터(120)가 대향하는 방향은 서셉터(120)에 수직하는 서셉터(120)를 향하는 방향이므로, 몸체부(171a)의 하단면과 서셉터(120) 사이에서 생성되는 플라즈마는 서셉터(120)를 향하는 방향으로 생성된다.
플라즈마발생부에서 발생되는 플라즈마가 서셉터를 향하는 방향으로만 생성될 경우, 소정 강도 이상의 플라즈마가 필요하므로, 서셉터에 탑재 지지된 기판이 플라즈마에 의하여 손상될 수 있다.
그런데, 본 실시예에 따른 기판처리장치는 플라즈마발생부(170)에서 발생되는 플라즈마가 서셉터(120)와 평행하는 방향 및 서셉터(120)를 향하는 방향으로 생성된다. 그러면, 서셉터(120)를 향하는 방향으로 생성되는 플라즈마에 의하여 기판(S)이 손상되지 않도록 플라즈마전극(171)과 서셉터(120) 사이의 간극 및 플라즈전극(171)에 인가되는 전압의 세기를 조절하여도, 서셉터(120)와 평행하는 방향으로 생성되는 플라즈마 및 서셉터(120)를 향하는 방향으로 생성되는 플라즈마에 의하여 기판(S)에 박막이 충분하게 증착될 수 있다.
가스공급유닛(150)의 가스분사부(160)와 플라즈마발생부(170)는 하나의 유닛으로 형성되어, 챔버(110)의 상면에 착탈가능하게 결합될 수 있다. 그러면, 가스분사부(160) 또는 플라즈마발생부(170)의 유지 보수시, 가스공급유닛(150)을 분리하여 작업하면 되므로, 대단히 편리하다.
가스분사부(160)에서 분사되는 공정가스와 플라즈마발생부(170)에서 플라즈마 상태로 생성되는 공정가스는 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 그리고, 가스공급유닛(130)도 가스공급유닛(150)과 동일하게 형성할 수 있다.
머리부(171b)와 제1가스분사부(161)의 측판(161b) 사이 및 머리부(171b)와 제2가스분사부(165)의 측판(165b) 사이에는 절연부재(173)가 개재될 수 있고, 도 2 내지 도 5의 미설명부호 175는 상기 RF 전원과 플라즈마전극(171)을 접속시키는 접속단자이고, 177은 보호커버이며, 179는 공정가스를 주입하기 위한 주입관이다.
본 실시예에 따른 기판처리장치의 가스공급유닛(150)은 공정가스를 분사하는 공정과 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 공정을 선택적으로 수행하거나, 동시에 수행할 수 있다. 그러면, 하나의 기판처리장치를 이용하여 공정가스를 기판(S)으로 분사하면서 열을 이용하여 기판(S)에 박막을 증착하거나, 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하여 기판(S)에 박막을 증착하거나, 공정가스를 열 및 플라즈마를 이용하여 기판(S)에 박막을 증착할 수 있으므로, 원가가 절감될 수 있다.
그리고, 플라즈마발생부(170)에서 발생되는 플라즈마가 서셉터(120)와 평행하는 방향 및 서셉터(120)를 향하는 방향으로 생성되므로, 플라즈마만을 이용하여 기판(S)에 박막을 증착할 경우, 서셉터(120)를 향하는 방향으로 생성되는 플라즈마에 의하여 기판(S)이 손상되지 않도록 조절하여도, 서셉터(120)와 평행하는 방향의 플라즈마에 의하여 기판(S)에 박막을 증착할 수 있다.
그리고, 열 및 플라즈마를 함께 이용하여 기판(S)에 박막을 증착할 경우에는 열에 의하여 기판(110)에 증착되는 공정가스를 기판(S)에 증착되는 박막의 표면처리용으로 사용할 수 있으므로, 막질이 향상될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 챔버
120: 서셉터
150: 가스공급유닛
160: 가스분사부
170: 플라즈마발생부

Claims (7)

  1. 기판이 투입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 기판이 탑재 지지되며, 회전가능하게 설치된 서셉터;
    상기 챔버의 상면에 설치되고 일측 부위가 상기 서셉터와 대향하며 상기 챔버의 일측 영역을 통하여 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사부; 및
    상기 가스분사부를 분리 구획하는 형태로 상기 가스분사부에 설치되며 상기 챔버의 일측 영역에서 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 플라즈마발생부를 가지는 가스공급유닛을 포함하고,
    상기 가스분사부는 상호 구획된 제1가스분사부와 제2가스분사부를 가지며,
    상기 제1가스분사부 및 상기 제2가스분사부는,
    상기 챔버의 내부에 위치되며 상기 서셉터와 대향하는 대향판; 및
    상기 대향판에서 상측으로 연장된 측판을 포함하고,
    상기 제1가스분사부의 상기 측판과 상기 대향판 및 상기 제2가스분사부의 상기 측판과 상기 대향판에는 가스분사로가 각각 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스공급유닛은 공정가스를 분사하는 공정과 공정가스를 플라즈마 상태로 생성하는 공정을 선택적으로 수행하거나, 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가스공급유닛에서 생성되는 플라즈마는 상기 서셉터와 평행하는 방향 및 상기 서셉터를 향하는 방향으로 생성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1가스분사부 및 상기 제2가스분사부는 상기 측판의 외면에 각각 형성되어 상기 챔버의 상면에 결합됨과 동시에 상호 결합된 결합테를 포함하고,
    상기 측판은 상기 대향판의 테두리부에서 상측으로 연장되며,
    공정가스는 상기 가스분사로를 통해 상기 기판에 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마발생부는 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부 사이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마발생부는,
    상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부 사이에 위치되어 외면은 상기 제1가스분사부 및 상기 제2가스분사부와 간격을 가지고 하단면(下端面)은 상기 서셉터와 대향하는 몸체부와 상기 몸체부의 상단면에 돌출 형성되며 상기 제1가스분사부 및 상기 제2가스분사부에 지지 결합되는 머리부를 가지는 플라즈마전극;
    상기 머리부에 형성되어 공정가스를 상기 몸체부와 상기 제1가스분사부 사이 및 상기 몸체부와 상기 제2가스분사부 사이로 공급하는 가스공급로를 포함하며,
    상기 몸체부와 상기 제1가스분사부 사이 및 상기 몸체부와 상기 제2가스분사부 사이의 공정가스는 상기 서셉터와 평행하는 방향인 상기 몸체부의 외면에서 상기 제1가스분사부 및 상기 몸체부의 외면에서 상기 제2가스분사부를 향하여 플라즈마 상태로 생성되고, 상기 몸체부의 하단면 하측의 공정가스는 상기 서셉터를 향하는 방향인 상기 몸체부에서 상기 서셉터를 향하여 플라즈마 상태로 생성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가스공급유닛은 상기 챔버의 상면에 착탈가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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