KR101887072B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지부; 상기 기판 지지부를 소정 방향으로 회전시키는 구동부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부; 및 상기 기판 지지부의 중심부에 형성되어 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 상에 박막을 증착하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 및 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각 장치 등이 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 플라즈마 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.
챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 공정 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 양측 바닥면은 공정 공간을 배기시키기 위한 펌핑 포트(12a, 12b)에 연통된다.
플라즈마 전극(20)은 공정 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.
플라즈마 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 플라즈마 전극(20)에 공급한다.
또한, 플라즈마 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급 관(26)에 연통된다.
정합 부재(22)는 플라즈마 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 플라즈마 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.
서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 플라즈마 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.
승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.
가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 플라즈마 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 플라즈마 전극(20) 사이에는 플라즈마 전극(20)을 관통하는 가스 공급 관(26)으로부터 공급되는 공정 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사 홀(44)을 통해 공정 가스를 공정 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.
이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 공정 공간에 소정의 공정 가스를 분사하면서 플라즈마 전극(20)에 RF 전력을 공급하여 플라즈마를 형성함으로써 기판(W) 상에 소정의 박막을 형성하게 된다. 그리고, 박막 증착 공정 동안 공정 공간으로 분사되는 공정 가스는 서셉터(30)의 가장자리 쪽으로 흘러 공정 챔버(10)의 양측 바닥면에 형성된 펌핑 포트(12a, 12b)를 통해 공정 챔버(10)의 외부로 배기된다.
그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 공정 공간으로 분사되는 공정 가스는 서셉터(30)의 중심 영역에 인접한 기판(W)의 내측 영역에서 서셉터(30)의 가장자리 영역에 인접한 기판(W)의 외측 영역으로 흘러 펌핑 포트(12a, 12b)를 통해 배기되기 때문에 상기 기판(W)의 외측 영역에 증착되는 박막의 두께가 상기 기판(W)의 내측 영역보다 상대적으로 두껍게 된다. 이에 따라, 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도가 불균일하게 된다.
둘째, 서셉터의 상부 전영역에 형성되는 플라즈마 밀도의 불균일로 인하여 기판(W)에 증착되는 박막 물질의 균일도가 불균일하고, 박막 물질의 막질 제어에 어려움이 있다.
셋째, 서셉터의 상부 전영역에 공정 가스를 분사하기 때문에 공정 가스의 사용량이 증가하고 이로 인해 공정 가스의 사용 효율성이 저하된다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 박막의 막질 제어를 용이하게 하고, 공정 가스의 사용 효율성을 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지부; 상기 기판 지지부를 소정 방향으로 회전시키는 구동부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부; 및 상기 기판 지지부의 중심부에 형성되어 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 펌핑부는 상기 기판 지지부의 중심부를 관통하도록 형성된 제 1 펌핑 홀; 상기 공정 가스의 펌핑 통로를 가지며, 상기 구동부의 회전축과 상기 기판 지지부에 결합되어 상기 회전축의 회전에 연동하여 상기 기판 지지부를 회전시키는 회전체; 및 상기 회전체에 마주보도록 형성되어 상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 회전체의 펌핑 통로로 유입되는 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑 포트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부; 및 상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑부를 포함하여 구성되고, 상기 제 1 펌핑부는 상기 기판 지지부에 마련된 기판 안착 영역에 인접하도록 상기 기판 지지부를 관통하여 형성된 제 1 펌핑 홀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 펌핑부는 상기 공정 가스의 펌핑 통로를 가지며, 상기 구동부의 회전축과 상기 기판 지지부에 결합되어 상기 회전축의 회전에 연동하여 상기 기판 지지부를 회전시키는 회전체; 및 상기 회전체에 마주보도록 형성되어 상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 회전체의 펌핑 통로로 유입되는 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑 포트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 회전체는 상기 회전축에 결합되는 회전 플레이트; 상기 기판 지지부에 결합되는 회전 링; 및 상기 회전 플레이트와 상기 회전 링 사이에 수직하게 설치되어 상기 회전 플레이트와 상기 회전 링 사이에 상기 펌핑 통로를 마련하는 복수의 지지체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 복수의 지지체 각각은 원 기둥, 다면체 또는 날개 형태로 가질 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성되어 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 2 펌핑부를 더 포함하여 구성될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 펌핑 포트와 상기 회전체 사이에 펌핑 가이드 가스를 분사하는 펌핑 가이드 가스 분사부를 더 포함하며, 상기 펌핑 가이드 가스는 상기 회전체를 통과하여 상기 기판 지지부의 하면으로 침투하는 공정 가스를 상기 제 1 펌핑 포트로 유입시키는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성되어 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 2 펌핑부; 및 상기 챔버 리드의 중심부에 형성되어 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 3 펌핑부를 더 포함하여 구성될 수 있다.
상기 가스 분사부는 상기 챔버 리드에 공간적으로 분리되도록 설치되어 상기 공정 가스를 상기 기판 지지부 상의 각기 다른 영역에 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 공정 가스는 제 1 및 제 2 가스로 이루어지며, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 포함하며, 상기 제 1 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스와 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 활성화시켜 분사하는 것을 특징으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버의 공정 공간 내부에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계; 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계; 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부의 중심부에 형성된 제 1 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계는 상기 기판 지지부의 중심부를 관통하도록 형성된 제 1 펌핑 홀, 상기 기판 지지부의 회전과 함께 회전하는 회전체에 마련된 펌핑 통로, 및 상기 펌핑 통로에 마주보는 제 1 펌핑 포트를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 것을 특징으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버의 공정 공간 내부에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계; 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계; 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부에 안착된 기판에 인접하도록 상기 기판 지지부를 관통하여 형성된 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계는 상기 제 1 펌핑 홀, 상기 기판 지지부의 회전과 함께 회전하는 회전체에 마련된 펌핑 통로, 및 상기 펌핑 통로에 마주보는 제 1 펌핑 포트를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 방법은 상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성된 제 2 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 기판 처리 방법은 상기 제 1 펌핑 포트와 상기 회전체 사이에 펌핑 가이드 가스를 분사하는 단계를 더 포함하여 이루어지고, 상기 펌핑 가이드 가스는 상기 회전체를 통과하여 상기 기판 지지부의 하면으로 침투하는 공정 가스를 상기 제 1 펌핑 포트로 유입시키는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 방법은 상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성된 제 2 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계; 및 상기 챔버 리드의 중심부에 형성된 제 3 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계는 상기 기판 지지부 상에 공간적으로 분리되도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 통해 상기 공정 가스를 상기 기판 지지부 상의 각기 다른 영역에 분사하는 것을 특징으로 한다.
상기 공정 가스는 제 1 및 제 2 가스로 이루어지며, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 포함하며, 상기 제 1 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스와 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 활성화시켜 분사하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기판 지지부의 중심부에 형성된 펌핑부를 통해 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하여 각 기판의 전영역에 걸쳐 공정 가스의 흐름을 균일하게 함으로써 기판의 전체 영역에 균일한 두께를 가지는 박막층을 증착하여 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있다.
둘째, 복수의 가스 분사 모듈을 통해 공정 가스를 국부적으로 분사함으로써 공정 가스의 사용 효율성이 향상될 수 있으며, 박막의 막질 제어가 용이할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제 1 및 제 2 펌핑부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 I-I'선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 제 1 펌핑부의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 변형 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 다른 변형 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 또 다른 변형 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 제 1 및 제 2 펌핑부를 설명하기 위한 평면도이며, 도 4는 도 3에 도시된 I-I'선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버(110), 공정 챔버(110)의 바닥면에 설치되어 적어도 하나의 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(120), 공정 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버 리드(Chamber Lid; 130), 기판 지지부(120)에 국부적으로 대향되도록 챔버 리드(130)에 설치되어 공정 가스를 기판 지지부(120) 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부(140); 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시키는 구동부(150), 및 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 및 제 2 펌핑부(160, 170)를 포함하여 구성된다.
공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)을 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 공정 챔버(110)는 "U"자 형태의 단면을 가지도록 형성된다. 이러한 공정 챔버(110)의 바닥면에는 바닥 프레임(114)이 설치된다. 상기 바닥 프레임(114)은 기판 지지부(120)를 가열하기 위한 가열 부재(미도시), 기판 지지부(120)의 회전을 가이드하는 가이드 레일(116) 등을 포함하여 이루어진다.
기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 내부 바닥면, 즉 바닥 프레임(114)에 회전 가능하게 설치되어 구동부(150)의 구동에 따라 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전한다. 이때, 기판 지지부(120)의 가장자리 영역은 바닥 프레임(114)에 형성된 상기 가이드 레일(116)에 의해 가이드 된다. 이를 위해, 기판 지지부(120)의 하면 가장자리 영역에는 상기 가이드 레일(116)이 삽입되는 가이드 홈이 형성되어 있다.
상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 적어도 하나의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)는 원판 형태로 형성되어 전기적으로 접지 또는 플로팅(Floating) 상태로 유지된다. 상기 기판(W)은 반도체 기판 또는 웨이퍼가 될 수 있다. 이 경우, 기판 처리 공정의 생산성 향상을 위해 기판 지지부(120)에는 복수의 기판(W)이 원 형태를 가지도록 일정한 간격으로 배치되는 것이 바람직하다.
상기 기판 지지부(120)의 상면에는 기판(W)이 안착되는 복수의 기판 안착 영역(121)이 마련될 수 있다. 상기 복수의 기판 안착 영역(121) 각각은 상기 기판 지지부(120)의 상면에 표시된 복수의 얼라인 마크(미도시)로 이루어지거나, 상기 기판 지지부(120)의 상면으로부터 소정 깊이를 가지도록 오목하게 형성된 포켓 형태로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 기판 안착 영역(121)에는 기판 로딩 장치에 의해 기판(W)이 로딩되어 안착되는데, 기판(W)의 일측에는 기판(W)의 하부를 가리키는 식별 부재(미도시)가 형성되어 있다. 이에 따라, 기판 로딩 장치는 기판(W)의 일측에 마련된 식별 부재를 검출하여 로딩 위치를 정렬하고, 정렬된 기판을 기판 안착 영역(121)에 로딩시킨다. 따라서, 기판 지지부(120) 상에 안착된 각 기판(W)의 하부는 기판 지지부(120)의 가장자리 부분에 위치하게 되고, 각 기판(W)의 상부는 기판 지지부(120)의 중심 부분에 위치하게 된다. 상기 식별 부재는 기판 처리 공정이 완료된 기판에 대한 각종 검사 공정에서 검사 기준 위치로 활용되기도 한다.
상기 기판 지지부(120)는 회전축(152)의 회전에 따라 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전됨으로써 정해진 순서에 따라 기판(W)이 이동되어 가스 분사부(140)의 하부를 순차적으로 통과하도록 한다. 이에 따라, 기판(W)은 기판 지지부(120)의 회전 및 회전 속도에 따라 가스 분사부(140)로부터 국부적으로 분사되는 공정 가스에 노출됨으로써 기판(W)의 상면에는 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정에 의한 단층 또는 복층의 박막이 증착된다.
챔버 리드(130)는 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 공정 공간을 밀폐시키고, 가스 분사부(140)를 지지한다. 이러한 챔버 리드(130)는 가스 분사부(140)를 지지하는 것으로, 가스 분사부(140)가 일정한 간격, 예를 들어 방사 형태를 가지도록 삽입 설치되는 복수의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)는 챔버 리드(130)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 대칭되도록 90도 단위로 이격될 수 있다.
도 2에서, 챔버 리드(115)는 4개의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(130)는 그 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 홀수 개의 모듈 설치부가 구비될 수도 있다. 이하, 챔버 리드(130)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.
공정 챔버(110) 및 챔버 리드(130)는 도시된 것처럼 원형 구조로 형성될 수도 있지만, 6각형과 같은 다각형 구조 또는 타원형 구조로 형성될 수도 있다. 이때, 6각형과 같은 다각형 구조일 경우 공정 챔버(110)는 복수로 분할 결합되는 구조를 가질 수 있다.
가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120)의 중심점을 기준으로 방사 형태로 배치된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d)을 포함하여 구성된다. 이러한, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각은 기판 지지부(120) 위의 각기 다른 가스 분사 영역에 공정 가스(PG)를 분사한다. 이에 따라, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각에서 분사되는 공정 가스(PG)는 기판(W) 상에 분사되어 상호 반응함으로써 기판(W)에 소정의 박막을 형성하는 제 1 및 제 2 가스로 이루어질 수 있다. 이와 같은, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
구동부(150)는 회전 모터를 포함하여 이루어지는 것으로, 제어 장치(미도시)의 제어에 따라 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다. 이를 위해, 구동부(150)의 회전축(152)은 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면과 바닥 프레임(114)을 관통하여 수직하게 설치된다. 상기 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기 회전축(152)은 구동부(150)의 구동에 따라 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전한다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기 회전축(152)은 공정 챔버(110)의 하면과 구동부(150) 간에 설치된 벨로우즈(154)에 의해 밀폐된다.
제 1 펌핑부(160)는 기판 지지부(120)의 중심부(또는 기판 지지부(120)에 마련된 기판 안착 영역(121)에 인접한 영역)에 형성되어 공정 공간 내부(예를 들어, 기판 지지부의 중앙 영역, 공정 공간의 중앙 영역, 또는 기판의 상부 영역)의 공정 가스(PG)를 외부로 펌핑한다. 이를 위해, 제 1 펌핑부(160)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 펌핑 홀(161), 회전 전달 부재(162), 회전체(163), 제 1 펌핑 포트(164)를 포함하여 구성된다.
제 1 펌핑 홀(161)은 기판 지지부(120)의 중심부(또는 기판 지지부(120)에 마련된 기판 안착 영역(121)에 인접한 영역)의 기판 지지부(120)를 관통하여 형성된다.
회전 전달 부재(162)는 제 1 펌핑 홀(161)에 중첩되도록 기판 지지부(120)의 하면에 결합된다. 이러한, 회전 전달 부재(162)는 제 1 펌핑 홀(161)로 유입되는 공정 가스(PG)를 회전체(163) 쪽으로 통과시키는 가스 통과 홀(162a)을 포함하여 구성된다. 상기 회전 전달 부재(162)는 상기 가스 통과 홀(162a)을 포함하도록 기판 지지부(120)의 하면에 일체화되어 형성된다. 이 경우, 기판 지지부(120)는 하면으로부터 회전 전달 부재(162)와 동일한 구조를 가지도록 소정 높이로 돌출된 돌출부를 포함하여 이루어질 수 있다.
회전체(163)는 구동부(150)의 회전축(152)과 회전 전달 부재(162)에 결합되어 회전축(152)의 회전에 연동해 회전되어 회전 전달 부재(162)를 회전시킨다. 이에 따라, 기판 지지부(120)는 회전체(163)에 결합된 회전 전달 부재(162)의 회전에 따라 소정 방향으로 회전된다. 그리고, 상기 회전체(163)는 제 1 펌핑 홀(161)을 통해 유입되는 공정 가스(PG)가 제 1 펌핑 포트(164) 쪽으로 진행되도록 한다. 즉, 회전체(163)는 회전축(152)의 회전에 따라 회전하면서도 제 1 펌핑 홀(161)을 통해 유입되는 공정 가스(PG)가 제 1 펌핑 포트(164) 쪽으로 진행하는 통로를 제공한다. 이를 위해, 회전체(163)는 회전 플레이트(163a), 회전 링((163b), 및 복수의 지지체(163c)를 포함하여 구성된다.
회전 플레이트(163a)는 원판 형태로 형성되어 회전축(152)의 상면에 결합됨으로써 회전축(152)의 회전에 따라 회전한다.
회전 링(163b)은 가스 유입 홀(163d)을 가지도록 원통 형태로 형성되어 회전 전달 부재(162)의 하면에 결합된다. 이때, 상기 회전 전달 부재(162)가 기판 지지부(120)에 일체화되어 생략될 경우, 상기 회전 링(163b)은 기판 지지부(120)의 하면으로부터 돌출된 돌출부에 결합된다.
복수의 지지체(163c)는 회전 플레이트(163a)의 가장자리 부분과 회전 링(163b) 사이에 일정한 간격을 가지도록 수직하게 설치되어 회전 링(163b)을 지지함과 아울러 복수의 펌핑 통로(163e)를 마련한다. 이때, 상기 복수의 펌핑 통로(163e)는 복수의 지지체(163c) 사이사이에 마련됨으로써 가스 유입 홀(163d)을 통해 유입되는 공정 가스(PG)가 제 1 펌핑 포트(164) 쪽으로 펌핑되도록 한다. 그리고, 복수의 지지체(163c)는 회전 플레이트(163a)의 회전에 따라 회전하여 회전 링(163b)을 회전시킴으로써 기판 지지부(120)를 회전시킨다. 이때, 복수의 지지체(163c)가 회전 플레이트(163a)의 회전에 따라 회전되더라도 가스 유입 홀(163d)을 통해 유입되는 공정 가스(PG)는 복수의 지지체(163c) 사이사이에 마련되는 펌핑 통로(163e)를 통해 제 1 펌핑 포트(164) 쪽으로 진행한다.
한편, 도 5에서는 복수의 지지체(163c) 각각이 원 기둥 형태로 형성된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 다면체 기둥 형태로 형성될 수 있다. 나아가, 복수의 지지체(163c) 각각은 일자형 또는 나선형 날개 형태로 형성되어 회전 플레이트(163a)의 회전에 따라 회전함으로써 상기 가스 유입 홀(163d)을 통해 유입되는 공정 가스(PG)를 측면 방향으로 송풍시킬 수도 있다.
제 1 펌핑 포트(164)는 상기 회전체(163)의 측면에 마주보도록 바닥 프레임(114)의 내부에 형성되어 회전체(163)의 펌핑 통로(163e)로 유입되는 공정 가스(PG)를 펌핑한다. 이러한 제 1 펌핑 포트(164)는 바닥 프레임(114)의 내부에 설치된 제 1 펌핑 관(165)을 통해 공정 챔버(110)의 외부에 설치된 제 1 펌핑 수단(168)에 연결된다.
제 1 펌핑 수단(168)은 배기 펌프로써 제 1 펌핑 포트(164)에 소정 압력의 흡입력을 제공함으로써 제 1 펌핑 포트(164), 회전체(163)의 펌핑 통로(163e), 제 1 가스 유입 홀(161), 가스 통과 홀(162a), 및 제 1 펌핑 홀(161)을 통해 공정 공간 내부의 공정 가스(PG)를 외부로 펌핑한다.
한편, 회전체(163)의 펌핑 통로(163e)를 통과하는 공정 가스(PG) 중 일부는 기판 지지부(120)의 하면과 바닥 프레임(114) 사이의 갭 공간으로 침투할 수 있으며, 이 경우 공정 가스(PG)가 기판 지지부(120)의 하면 또는 바닥 프레임(114)의 상면에 증착될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 전술한 회전체(163)에 인접한 기판 지지부(120)와 바닥 프레임(114) 사이의 갭 공간에 펌핑 가이드 가스(PGS)를 분사하는 펌핑 가이드 가스 분사부(180)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
상기 펌핑 가이드 가스 분사부(180)는 가이드 가스 분사 포트(182), 및 펌핑 가이드 가스 공급부(184)를 포함하여 구성된다.
가이드 가스 분사 포트(182)는 회전체(163)에 인접한 기판 지지부(120)의 하면에 마주보도록 공정 챔버(110)의 바닥면 및 바닥 프레임(114)을 관통하여 형성된다.
펌핑 가이드 가스 공급부(184)는 가이드 가스 분사 포트(182)에 펌핑 가이드 가스(PGS)를 소정 압력으로 공급함으로써 펌핑 가이드 가스(PGS)가 가이드 가스 분사 포트(182)를 통해 회전체(163)에 인접한 기판 지지부(120)의 하면과 바닥 프레임(114) 사이의 갭 공간에 분사되도록 한다. 이에 따라, 회전체(163)의 펌핑 통로(163e)를 통과하여 상기 갭 공간으로 침투하는 공정 가스(PG)는 상기 펌핑 가이드 가스(PGS)의 분사 압력에 의해 제 1 펌핑 포트로 유입되게 된다.
제 2 펌핑부(170)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(120)의 측면에 인접한 공정 챔버(110)의 바닥면, 즉 바닥 프레임(114)에 형성되어 기판 지지부(120)의 가장자리 영역으로 흐르는 공정 가스(PG)를 외부로 펌핑한다. 이러한 제 2 펌핑부(170)는 에지 펌핑 배관(172), 복수의 제 2 펌핑 포트(174), 및 제 2 펌핑 관(176)을 포함하여 구성된다.
에지 펌핑 배관(172)은 원형 띠 형태로 형성되어 기판 지지부(120)와 챔버 벽 사이의 공간에 중첩되도록 바닥 프레임(114)의 내부에 설치된다.
복수의 제 2 펌핑 포트(174) 각각은 에지 펌핑 배관(172)으로부터 일정한 간격을 가지도록 돌출되어 공정 공간에 연통된다. 이러한 복수의 제 2 펌핑 포트(174) 각각은 제 1 펌핑 수단(178)의 펌핑에 의해 기판 지지부(120)의 가장자리 영역으로 흐르는 공정 가스(PG)를 외부로 펌핑한다.
제 2 펌핑 관(176)은 에지 펌핑 배관(172)을 제 2 펌핑 수단(178)에 연결시킨다. 한편, 상기 제 2 펌핑 관(176)은 전술한 제 1 펌핑부(160)의 제 1 펌핑 관(165)에 연결될 수도 있다. 이 경우, 상기 제 1 펌핑 수단(168)은 생략될 수 있으며, 공정 공간의 중심 영역과 에지 영역에 대한 펌핑 공정을 동시에 수행할 수 있다.
제 2 펌핑 수단(178)은 배기 펌프로써 제 2 펌핑 포트(174)에 소정 압력의 흡입력을 제공함으로써 제 2 펌핑 포트(174)를 통해 공정 공간 내부, 즉 공정 공간의 에지 영역으로 흐르는 공정 가스(PG)를 외부로 펌핑한다.
한편, 도 4에서는 상기 제 2 펌핑부(170)가 공정 챔버(110)의 바닥 프레임(114) 내부에 설치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 공정 챔버(110)의 측면 챔버 벽에 설치될 수도 있다. 이 경우, 상기 제 2 펌핑부(170)는 기판 지지부(120)의 측면에 마주보도록 공정 챔버(110)의 측면 챔버 벽에 일정한 간격으로 관통 설치된 복수의 제 2 펌핑 포트, 및 복수의 제 2 펌핑 포트에 연결된 제 2 펌핑 관을 포함하여 구성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이며, 도 7은 도 6에 도시된 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 6 및 도 7을 도 2와 결부하면, 제 1 및 제 4 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각은 하우징(141), 플라즈마 전극(143a), 절연 부재(145a)를 포함하여 구성된다.
하우징(141)은 챔버 리드(130)의 상면에 안착되는 접지 플레이트(141a), 및 접지 플레이트(141a)의 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 기판 지지부(120) 쪽으로 돌출되어 공간적으로 분리된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)을 형성하는 복수의 접지 전극(141b)을 포함하도록 형성된다.
접지 플레이트(141a)는 챔버 리드(130)의 상면에 안착되어 볼트 또는 스크류와 같은 복수의 체결 부재(미도시)에 의해 챔버 리드(130)의 상면에 결합됨으로써 챔버 리드(130)를 통해 전기적으로 접지된다.
복수의 접지 전극(141b)은 접지 플레이트(141a)의 하면 가장자리 부분으로부터 돌출되는 4개의 접지 측벽(141b1), 및 4개의 접지 측벽(141b1)에 의해 마련되는 공간을 분리하여 공간적으로 분리된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)을 마련하는 접지 격벽(141b2)을 포함하여 구성된다. 이러한 접지 측벽(141b1)의 일측 장변과 접지 격벽(141b2) 각각은 플라즈마 전극(143a)과 나란하게 마주보는 접지 전극의 역할을 한다.
상기 제 1 가스 분사 공간(S1)은 접지 측벽(141b1)의 일측 장변과 접지 격벽(141b2) 사이에 마련되는 것으로, 기판(W)의 길이보다 큰 길이를 가지도록 다각형 형태로 형성된다. 이러한 제 1 가스 분사 공간(S1)은 하우징(141)의 상면, 즉 접지 플레이트(141a)에 형성된 복수의 제 1 가스 공급 홀(142a)에 연통되고, 상기 복수의 제 1 가스 공급 홀(142a)에 연결된 제 1 가스 공급 관(미도시)을 통해 제 1 가스 공급부(미도시)로부터 제 1 가스(G1)가 공급된다.
상기 제 1 가스(G1)는 기판(W) 상에 형성된 박막층의 일부 재질을 포함하는 반응 가스로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 가스(G1)는 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 물(H2O), 또는 오존(O3) 등이 될 수 있다. 이때, 상기 제 1 가스(G1)에는 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등으로 이루어진 퍼지 가스(Purge Gas)가 혼합될 수 있다.
상기 제 2 가스 분사 공간(S2)은 접지 측벽(141b1)의 타측 장변과 접지 격벽(141b2) 사이에 마련되는 것으로, 접지 격벽(141b2)에 의해 상기 제 1 가스 분사 공간(S1)과 공간적으로 분리되도록 나란하게 형성된다. 이러한 제 2 가스 분사 공간(S2)은 하우징(141)의 상면, 즉 접지 플레이트(141a)에 형성된 복수의 제 2 가스 공급 홀(142b)에 연통되고, 상기 복수의 제 2 가스 공급 홀(142b)에 연결된 제 2 가스 공급 관(미도시)을 통해 제 2 가스 공급부(미도시)로부터 제 2 가스(G2)가 공급된다. 이에 따라, 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급되는 제 2 가스(G2)는 기판(W) 상에 국부적으로 분사된다.
상기 제 2 가스(G2)는 기판(W) 상에 증착될 박막층의 재질을 포함하여 이루어진다. 상기 제 2 가스(G2)는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등을 포함하는 소스 가스로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si) 물질을 포함하는 제 2 가스(G2)는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다. 상기 제 2 가스(G2)에는 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등으로 이루어진 퍼지 가스(Purge Gas)가 혼합될 수 있다.
전술한 상기 제 1 및 제 4 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각에 마련되는 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)의 위치는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 이동되는 기판(W)이 제 2 가스(G2)에 먼저 노출된 후 활성화된 제 1 가스(G1)에 노출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각은 하우징(141)의 하면에 슬릿 형태로 개구되도록 형성될 수 있으며, 나아가 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각의 하면은 복수의 가스 분사 홀(미도시)을 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각의 하면에는 복수의 가스 분사 홀을 가지는 샤워 헤드가 설치될 수 있다. 이와 같이, 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각의 하면에 복수의 가스 분사 홀 또는 샤워 헤드를 설치할 경우, 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 가스가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 침투하거나, 제 2 가스 분사 공간(S2)으로부터 분사되는 가스가 제 1 가스 분사 공간(S1)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
플라즈마 전극(143a)은 상기 하우징(141)과 전기적으로 절연되도록 상기 제 1 가스 분사 공간(S1)에 삽입되어 접지 격벽(141b2)과 나란하게 배치된다. 이때, 상기 플라즈마 전극(143a)과 접지 격벽(141b2) 간의 간격 또는 상기 플라즈마 전극(143a)과 접지 측벽(141b1) 간의 간격은 상기 플라즈마 전극(143a)과 기판(W) 간의 간격보다 좁게 형성된다. 이 경우, 기판(W)과 플라즈마 전극(143a) 사이에 전기장이 형성되지 않기 때문에 상기 전기장에 의해 형성되는 플라즈마에 의한 기판(W)의 손상을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명은 플라즈마 방전 공간이, 종래와 같이 플라즈마 전극과 기판 사이의 영역에 형성되는 것이 아니라, 서로 마주하는 플라즈마 전극(143a)과 접지 전극(141b) 사이에서 형성된다. 따라서, 본 발명에 따르면, 플라즈마 방전 공간이 상기 기판 지지부(120)에 의해 지지되는 박막 증착 영역과 오버랩되지 않기 때문에, 플라즈마 방전에 의해서 기판(W)이 손상되고 기판(W) 상에 증착되는 막질이 떨어지는 문제가 해소될 수 있다.
상기 플라즈마 전극(143a)은 플라즈마 전원 공급부(147a)에 전기적으로 연결되어 플라즈마 전원 공급부(147a)로부터 플라즈마 전원이 공급된다. 이때, 상기 플라즈마 전극(143a)과 상기 플라즈마 전원 공급부(147a)를 전기적으로 연결하는 제 1 급전 부재(미도시)에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속될 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원 공급부(147a)로부터 플라즈마 전극(143a)에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.
상기 플라즈마 전원은 고주파 전력 또는 RF(Radio Frequency) 전력, 예를 들어, LF(Low Frequency) 전력, MF(Middle Frequency), HF(High Frequency) 전력, 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 될 수 있다. 이때, LF 전력은 3㎑ ~ 300㎑ 범위의 주파수를 가지고, MF 전력은 300㎑ ~ 3㎒ 범위의 주파수를 가지고, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.
상기 플라즈마 전극(143a)은 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되는 제 1 가스(G1)로부터 플라즈마를 형성한다. 이때, 상기 플라즈마는 플라즈마 전원에 따라 플라즈마 전극(143a)과 접지 전극(141b) 간에 걸리는 전기장에 의해 플라즈마 전극(143a)과 접지 전극(141b)이 마주보는 대향 공간에 형성된다. 이에 따라, 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되는 제 1 가스(G1)는 상기 플라즈마에 의해 활성화되어 기판(W) 상에 국부적으로 분사된다.
절연 부재(145a)는 하우징(141)에 형성된 제 1 절연 부재 삽입 홀에 삽입되어 플라즈마 전극(143a)과 하우징(141)을 전기적으로 절연시킨다. 이러한 절연 부재(145a)에는 상기 플라즈마 전극(143a)이 삽입되는 전극 삽입 홀이 형성된다.
도 4와 도 6과 결부하여 전술한 바와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시켜 안착시킨다.
그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩되어 안착된 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전시킨다.
그런 다음, 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각을 통해 제 1 가스(G1)와 제 2 가스(G2)를 국부적으로 하향 분사하면서 제 1 가스(G1)가 공급되는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마를 형성해 제 1 가스(G1)를 활성화시켜 국부적으로 하향 분사한다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 따라 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각의 하부를 통과하는 각 기판(W) 상에는 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각으로부터 국부적으로 분사되는 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(G1)의 상호 반응에 의해 소정의 박막층이 증착되게 된다.
상기 기판 지지부(120)의 회전과 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d) 각각을 통한 구부적인 가스 분사와 동시에 제 1 및 제 2 펌핑부(160, 170) 각각을 통해 공정 공간 내부의 가스를 외부로 펌핑한다. 이때, 기판 지지부(120)에 분사되는 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(G1) 등의 공정 가스는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 펌핑부(160, 170)에 의해 각 기판(W)의 상부와 하부 쪽으로 분리되어 외부로 펌핑된다. 즉, 각 기판(W)의 상부 영역에 분사되는 공정 가스들은 전술한 제 1 펌핑부(160)를 통해 외부로 펌핑되고, 각 기판(W)의 하부 영역에 분사되는 공정 가스들은 전술한 제 2 펌핑부(170)를 통해 외부로 펌핑된다. 이에 따라, 기판 지지부(120)에 분사되어 외부로 펌핑되는 공정 가스의 흐름은 각 기판(W)의 전영역에 걸쳐 균일하게 되고, 이로 인해 각 기판(W) 상에는 균일한 두께의 박막층이 증착되게 된다.
이상과 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 지지부(120)의 중심부에 형성된 제 1 펌핑부(160)를 통해 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하여 각 기판(W)의 전영역에 걸쳐 공정 가스의 흐름을 균일하게 함으로써 기판(W) 상에 증착되는 박막층의 두께가 전체적으로 균일하게 된다.
또한, 종래에는 기판 상의 전영역에 공정 가스가 분사되므로 공정 가스의 사용 효율성이 저하되는 반면, 본 발명에 따르면 복수의 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d)을 사용하여 공정 가스를 국부적으로 분사함으로써 공정 가스의 사용 효율성이 향상될 수 있으며, 박막의 막질 제어가 용이할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 변형 실시 예를 나타내는 단면도로서, 이는 도 7에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에 가스 홀 패턴 부재(149)를 추가로 형성한 것이다. 이하에서는, 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
가스 홀 패턴 부재(149)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 설치되어 상기 접지 격벽(141b2)을 사이에 두고 인접한 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 활성화된 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. 즉, 상기 활성화된 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투할 경우, 제 2 가스 분사 공간(S2) 내에서 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(G1)가 반응할 수 있고, 이로 인해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되어 기판에 떨어지는 파티클이 생성될 수도 있다. 따라서, 상기 가스 홀 패턴 부재(149)는 이와 같은 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되는 것을 방지하는 기능을 하는 것이다.
상기 가스 홀 패턴 부재(149)는 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면을 덮도록 제 2 가스 분사 공간(S2)을 마련하는 접지 측벽들(141b1)과 접지 격벽(141b2) 각각의 하면에 일체화되거나, 극성을 가지지 않는 절연 재질의 절연판(또는 샤워 헤드) 형태로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면에 결합될 수 있다. 이에 따라, 하우징(141)의 접지 플레이트(141a)와 가스 홀 패턴 부재(149) 사이의 제 2 가스 분사 공간(S2)에는 소정의 가스 확산 공간 또는 가스 버퍼링 공간이 마련된다.
상기 가스 홀 패턴 부재(149)는 제 2 가스 공급 홀(142b)을 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급되는 제 2 가스(G2)를 기판 쪽으로 하향 분사하는 복수의 가스 분사 홀 패턴(149h)을 포함하여 구성된다.
상기 복수의 가스 분사 홀 패턴(149h)은 제 2 가스(G2)가 확산되는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 형성되어 제 2 가스(G2)의 분사 압력이 상기 활성화된 제 1 가스(G1)의 분사 압력보다 높도록 한다. 이와 같이, 상기 가스 홀 패턴 부재(149)는 기판 상에 분사되는 제 2 가스(G2)의 분사 압력을 높임으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 활성화된 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다.
또한, 상기 가스 홀 패턴 부재(149)는 상기 복수의 가스 분사 홀 패턴(149h)을 통해 상기 제 2 가스(G1)를 하향 분사하고, 홀이 형성된 판 형상으로 인해 제 2 가스(G2)의 분사를 지연시키거나 정체시켜 제 2 가스(G2)의 사용량을 감소시킬 수 있으며, 복수의 가스 분사 홀 패턴(149h)의 형상에 따라 가스의 유량을 조절할 수 있어서 상기 제 2 가스(G2)의 사용 효율성을 증대시킨다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 다른 변형 실시 예를 나타내는 단면도로서, 이는 도 7에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에 플라즈마 전극(143b)을 추가로 형성한 것이다. 이하에서는, 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
먼저, 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명한 기판 처리 장치에서는 제 1 가스가 플라즈마에 의해 활성화되어 기판 상에 분사되고, 제 2 가스(G1)는 활성화되지 않은 상태로 기판 상에 분사된다. 하지만, 기판 상에 증착하고자 하는 박막층의 재질에 따라 제 2 가스(G2)를 활성화시켜 기판 상에 분사할 필요성이 있다. 이에 따라, 도 2 내지 도 8에 도시된 기판 처리 장치 각각에 있어서, 다른 변형 실시 예에 따른 가스 분사 모듈은 제 1 및 제 2 가스(G1, G2) 각각을 활성화시켜 기판 상에 분사한다.
다른 변형 실시 예에 다른 가스 분사 모듈은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 삽입 배치된 플라즈마 전극(143b)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 이를 위해, 하우징(141)의 접지 플레이트(141a)를 관통하여 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되는 절연 부재 삽입 홀이 형성되고, 절연 부재(145b)가 상기 절연 부재 삽입 홀에 삽입된다. 그리고, 상기 절연 부재(145b)에는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되는 전극 삽입 홀이 형성되고, 플라즈마 전극(143b)이 전극 삽입 홀을 관통 삽입된다. 이에 따라, 플라즈마 전극(143b)은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 삽입되어 접지 측벽(141b1)과 접지 격벽(141b2) 사이에 나란하게 배치된다.
이와 같은, 상기 플라즈마 전극(143b)은 플라즈마 전원에 따라 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급되는 제 1 가스(G1)로부터 플라즈마를 형성한다. 이때, 상기 플라즈마는 플라즈마 전원에 따라 플라즈마 전극(143b)과 접지 전극(141b) 간에 걸리는 전기장에 의해 플라즈마 전극(143b)과 접지 전극(141b) 간에 이 마주보는 대향 공간에 형성된다. 이에 따라, 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급되는 제 1 가스(G1)는 상기 플라즈마에 의해 활성화되어 기판(W) 상에 국부적으로 분사된다. 이때, 플라즈마 전극(143b)과 접지 전극(141b) 사이의 갭(또는 간격)이 일정 거리 이하일 경우, 상기 플라즈마는 플라즈마 전극(143b)과 접지 전극(141b) 각각의 끝단 영역에 인접하도록 형성된다.
상기 플라즈마 전극(143b)에 공급되는 플라즈마 전원은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 삽입된 플라즈마 전극(143a)에 공급되는 플라즈마 전원과 동일하거나 상이할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 또 다른 변형 실시 예를 나타내는 단면도로서, 이는 도 9에 도시된 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에, 도 8에 도시된 가스 홀 패턴 부재(149)를 추가로 형성한 것이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도로서, 이는 챔버 리드(130)의 중심 영역에 제 3 펌핑부(190)를 추가로 형성한 것이다. 이하에서는, 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
상기 제 3 펌핑부(190)는 제 3 펌핑 포트(192), 및 제 3 펌핑 관(194)을 포함하여 구성된다.
제 3 펌핑 포트(192)는 챔버 리드(130)의 중심 영역을 관통하도록 형성된다. 이러한 제 3 펌핑 포트(192)는 제 3 펌핑 수단(미도시)의 구동에 따라 공정 공간의 상부에서 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑한다.
제 3 펌핑 관(194)은 제 3 펌핑 포트(192)에 연결되도록 챔버 리드(130)의 상면에 설치되어 제 3 펌핑 포트(192)와 제 3 펌핑 수단 사이를 연결시킨다.
제 3 펌핑 수단은 배기 펌프로써 제 3 펌핑 포트(192)에 소정 압력의 흡입력을 제공함으로써 제 3 펌핑 포트(192)를 통해 공정 공간 내부, 즉 공정 공간의 중심 영역 상부에서 공정 가스(PG)를 외부로 펌핑한다. 이때, 제 3 펌핑 포트(192)에 의한 공정 가스의 펌핑 량은 전술한 제 1 펌핑부(160)에 의한 펌핑 량보다 상대적으로 작게 설정될 수 있다. 즉, 상기 제 3 펌핑 포트(192)에 의한 펌핑 량이 과도하게 많을 경우 기판의 상부 영역에 도달하는 공정 가스 량이 감소하여 박막의 증착 균일도가 저하될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 3 펌핑 포트(192)에 의한 펌핑 량은 기판 지지부(120)에 안착된 복수의 기판 각각의 상부 영역 사이의 공간, 즉 공정 공간의 중심부 상에 정체되어 있는 공정 가스만을 펌핑하도록 설정되는 것이 바람직하다.
한편, 전술한 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치들에서는, 기판 지지부가 회전하고, 가스 분사부가 챔버 리드에 고정 설치되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 가스 분사부가 회전하면서 위치 고정된 기판 지지부 상에 공정 가스를 분사하는 ALD 장비에도 적용될 수 있다. 이 경우, 전술한 제 1 펌핑부는 기판 지지부의 중심 영역 또는 기판의 상부 영역에 인접한 영역을 관통하도록 형성된 펌핑 포트, 상기 펌핑 포트에 연결된 펌핑 관, 및 상기 펌핑 관에 연결된 펌핑 수단을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 공정 챔버 120: 기판 지지부
130: 챔버 리드 140: 가스 분사부
140a: 제 1 가스 분사 모듈 140b: 제 2 가스 분사 모듈
140c: 제 3 가스 분사 모듈 140d: 제 4 가스 분사 모듈
150: 구동부 160: 제 1 펌핑부
170: 제 2 펌핑부 190: 제 3 펌핑부

Claims (22)

  1. 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;
    적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지부;
    상기 기판 지지부를 소정 방향으로 회전시키는 구동부;
    상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
    상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부; 및
    상기 기판 지지부의 중심부에 형성되어 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑부를 포함하고,
    상기 제 1 펌핑부는 상기 기판 지지부의 중심부를 관통하도록 형성된 제 1 펌핑 홀, 및 상기 구동부의 회전축과 상기 기판 지지부 각각에 결합되어서 상기 회전축의 회전에 따라 회전하면서 상기 기판 지지부를 회전시키는 회전체를 포함하며,
    상기 회전체는 상기 제 1 펌핑 홀로 유입되는 공정가스를 외부로 펌핑하기 위한 펌핑 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 펌핑부는 상기 회전체에 마주보도록 형성되어 상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 회전체의 펌핑 통로로 유입되는 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑 포트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;
    적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부;
    상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
    상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 가스 분사부;
    상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑부; 및
    상기 기판 지지부를 소정 방향으로 회전시키는 구동부를 포함하고,
    상기 제 1 펌핑부는 상기 기판 지지부에 마련된 기판 안착 영역에 인접하도록 상기 기판 지지부를 관통하여 형성된 제 1 펌핑 홀, 및 상기 구동부의 회전축과 상기 기판 지지부 각각에 결합되어서 상기 회전축의 회전에 따라 회전하면서 상기 기판 지지부를 회전시키는 회전체를 포함하며,
    상기 회전체는 상기 제 1 펌핑 홀로 유입되는 공정가스를 외부로 펌핑하기 위한 펌핑 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 펌핑부는 상기 회전체에 마주보도록 형성되어 상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 회전체의 펌핑 통로로 유입되는 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 1 펌핑 포트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 회전체는,
    상기 회전축에 결합되는 회전 플레이트;
    상기 기판 지지부에 결합되는 회전 링; 및
    상기 회전 플레이트와 상기 회전 링 사이에 수직하게 설치되어 상기 회전 플레이트와 상기 회전 링 사이에 상기 펌핑 통로를 마련하는 복수의 지지체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 지지체 각각은 원 기둥, 다면체 또는 날개 형태로 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성되어 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 2 펌핑부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 펌핑 포트와 상기 회전체 사이에 펌핑 가이드 가스를 분사하는 펌핑 가이드 가스 분사부를 더 포함하며,
    상기 펌핑 가이드 가스는 상기 회전체를 통과하여 상기 기판 지지부의 하면으로 침투하는 공정 가스를 상기 제 1 펌핑 포트로 유입시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성되어 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 2 펌핑부; 및
    상기 챔버 리드의 중심부에 형성되어 공정 가스를 외부로 펌핑하는 제 3 펌핑부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 분사부는 상기 챔버 리드에 공간적으로 분리되도록 설치되어 상기 공정 가스를 상기 기판 지지부 상의 각기 다른 영역에 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 10 항에 있어서,
    상기 공정 가스는 제 1 및 제 2 가스로 이루어지며,
    상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 포함하며, 상기 제 1 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스와 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 활성화시켜 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간 중 적어도 하나의 가스 분사 공간에 마련된 플라즈마 전극과 접지 전극에 의해 형성되는 플라즈마를 통해 가스를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 공정 챔버의 공정 공간 내부에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계;
    구동부가 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계;
    공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계; 및
    상기 기판 지지부의 중심부에 형성된 제 1 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계는 상기 기판 지지부의 중심부를 관통하도록 형성된 제 1 펌핑 홀 상기 구동부의 회전축과 상기 기판 지지부 각각에 결합되어서 상기 회전축의 회전에 따라 회전하면서 상기 기판 지지부를 회전시키는 회전체에 마련된 펌핑 통로를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계는 상기 펌핑 통로에 마주보는 제 1 펌핑 포트를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    공정 챔버의 공정 공간 내부에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계;
    구동부가 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계;
    공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계; 및
    상기 기판 지지부에 안착된 기판에 인접하도록 상기 기판 지지부를 관통하여 형성된 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계는 상기 제 1 펌핑 홀 상기 구동부의 회전축과 상기 기판 지지부 각각에 결합되어서 상기 회전축의 회전에 따라 회전하면서 상기 기판 지지부를 회전시키는 회전체에 마련된 펌핑 통로를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 펌핑 홀을 통해 상기 공정 공간 내부의 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계는 상기 펌핑 통로에 마주보는 제 1 펌핑 포트를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성된 제 2 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 14 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 펌핑 포트와 상기 회전체 사이에 펌핑 가이드 가스를 분사하는 단계를 더 포함하여 이루어지고,
    상기 펌핑 가이드 가스는 상기 회전체를 통과하여 상기 기판 지지부의 하면으로 침투하는 공정 가스를 상기 제 1 펌핑 포트로 유입시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 측면에 인접한 상기 공정 챔버의 바닥면 또는 챔버 측벽에 형성된 제 2 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계; 및
    상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드의 중심부에 형성된 제 3 펌핑부를 통해 상기 공정 가스를 외부로 펌핑하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계는 상기 기판 지지부 상에 공간적으로 분리되도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 통해 상기 공정 가스를 상기 기판 지지부 상의 각기 다른 영역에 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. ◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 20 항에 있어서,
    상기 공정 가스는 제 1 및 제 2 가스로 이루어지며,
    상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 포함하며, 상기 제 1 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스와 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 활성화시켜 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. ◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제 21 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간 중 적어도 하나의 가스 분사 공간에 마련된 플라즈마 전극과 접지 전극에 의해 형성되는 플라즈마를 통해 가스를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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