KR102620773B1 - 기판처리장치 - Google Patents
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Abstract
기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버의 높이 방향을 기준으로, 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면이 가스분사유닛을 향하는 디스크의 상면과 동일 높이에 위치되거나, 디스크의 상면 보다 더 높은 위치에 위치된다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에 정체되지 않고 신속하게 배출되므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못한다. 이로 인해, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다. 또한, 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 가스분사유닛에서 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁으므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에는 정체되지 않는다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못하므로, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
Description
본 발명은 공정가스의 반응가스 및 기판의 처리시 발생하는 부산물이 기판의 상면측에서 정체되는 것을 방지한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체소자, 평판표시소자 또는 태양전지 등은, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 증착된 박막들 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등에 의하여 제조된다.
박막증착공정에는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)법 등이 있으며, 박막증착공정은 기판에 증착하고자 하는 박막의 특성에 적합한 기판처리장치에서 수행된다.
도 1a는 종래의 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 "A"부 확대도로서, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 기판(S)이 투입되어 처리되는 챔버(11)를 구비한다. 챔버(11)의 내부에는 디스크(13)가 회전가능하게 설치되고, 디스크(13)의 상면(13a)에는 기판(S)이 각각 탑재 지지되는 복수의 서셉터(15)가 설치된다. 서셉터(15)는 디스크(13)와 함께 회전하며, 디스크(13)의 회전시, 디스크(13)의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전한다.
그리고, 디스크(13) 상측의 챔버(11)의 내부에는 공정가스를 기판(S)측으로 분사하는 가스분사유닛(17)이 설치된다. 가스분사유닛(17)에서 기판(S)측으로 분사된 공정가스는 디스크(13)의 테두리면측으로 유동하여 챔버(11)의 외부로 배출된다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함하며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질이다.
서셉터(15)는 공전 및 자전한다. 이로 인해, 서셉터(15)가 안정되게 디스크(13)에 설치되어 안정되게 공전 및 자전할 수 있도록, 디스크(13)의 상면(13a)에는 서셉터(15)가 안치되는 안치홈(13b)이 하측으로 함몰 형성된다. 이때, 서셉터(15)에 탑재된 기판(S)은 디스크(13)의 상면(13a) 하측에 위치되어 안치홈(13b)의 내부에 위치된다.
그리하여, 디스크(13) 및 서셉터(15)를 회전시키면서, 공정가스를 기판(S)측으로 분사하면, 공정가스의 소스가스가 서셉터(15)에 탑재 지지된 기판(S)에 증착되어 박막이 형성된다.
상기와 같은 종래의 기판처리장치는 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 기판(S)의 주위에서 정체된다.
상세히 설명하면, 서셉터(15)가 디스크(13)의 안치홈(13b)에 삽입 설치되고, 기판(S)은 안치홈(13b)의 내부에 위치된다. 이때, 기판(S)의 상면은 디스크(13)의 상면(13a) 하측에 위치된다. 그러면, 가스분사유닛(17)에서 분사된 공정가스가 안치홈(13b)의 내부까지 분사되므로, 안치홈(13b) 내부로 분사된 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 안치홈(13b)의 외부로 신속하게 배출되지 못하고, 안치홈(13b)의 내부에서 정체하여 기판(S)의 주위에 머무르게 된다.
그러면, 기판(S)의 처리에 참여하지 못하면서 기판(S)의 주위에 정체된 공정가스의 반응가스 및 부산물로 인하여, 기판(S)에 증착되는 공정가스의 소스가스가 영향을 받게 된다. 이로 인해, 막질이 저하되는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정가스의 반응가스 및 기판의 처리시 발생하는 부산물이 기판의 상측에서 정체되는 것을 방지하여, 막질을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 회전가능하게 설치되며, 상면에는 하측으로 함몰된 안치홈이 형성된 디스크; 상기 안치홈에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며, 상기 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 가스분사유닛을 향하는 상기 디스크의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 회전가능하게 설치되며, 상면에는 하측으로 함몰된 안치홈이 형성된 디스크; 상기 안치홈에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며, 상기 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 가스분사유닛을 향하는 상기 디스크의 상면 보다 높은 위치에 위치될 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 회전가능하게 설치된 디스크; 상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 상기 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며, 상기 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 상기 가스분사유닛에서 상기 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁을 수 있다.
본 실시예에 따른 기판처리장치는, 챔버의 높이 방향을 기준으로, 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면이 가스분사유닛을 향하는 디스크의 상면과 동일 높이에 위치되거나, 디스크의 상면 보다 더 높은 위치에 위치된다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에 정체되지 않고 신속하게 배출되므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못한다. 이로 인해, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
또한, 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 가스분사유닛에서 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁으므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에는 정체되지 않는다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못하므로, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
도 1a는 종래의 기판처리장치의 개략 단면도.
도 1b는 도 1a의 "A"부 확대도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 3은 도 2의 "B"부 확대도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 1b는 도 1a의 "A"부 확대도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 3은 도 2의 "B"부 확대도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 3은 도 2의 "B"부 확대도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판(S)이 투입되어 처리되는 공간이 형성된 챔버(110)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 상면이 개방된 본체(111)와 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 결합된 리드(115)를 포함할 수 있다.
본체(111)와 리드(115)가 상호 결합되어 상대적으로 하측과 상측에 각각 위치되므로, 챔버(110)의 하면이 본체(111)의 하면에 해당하고, 챔버(110)의 상면이 리드(115)에 해당함은 당연하다.
챔버(110)의 내부 하면측에는 디스크(120)가 회전가능하게 설치될 수 있고, 디스크(120)는 모터(131)에 의하여 회전하는 구동축(133)에 의하여 회전할 수 있다.
상세히 설명하면, 구동축(133)의 상단부는 디스크(120)의 하면에 결합되고, 하측 부위는 챔버(110)의 하면 외측으로 노출되어 동력전달모듈을 매개로 모터(131)의 회전축과 연결된다. 그리하여, 모터(131)의 회전축이 회전하면 구동축(133)이 회전하고, 이로 인해 디스크(120)가 회전한다. 구동축(133)은 승강할 수도 있으며, 디스크(120)와 구동축(133)은 동심을 이루는 것이 바람직하다.
구동축(133)이 통과하는 챔버(110)의 부위와 구동축(133) 사이를 실링하기 위하여, 챔버(110)의 외측으로 노출된 구동축(133)의 부위는 벨로즈(135)에 의하여 감싸일 수 있다.
디스크(120)의 상면(121)에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(Susceptor)(140)가 설치될 수 있다. 서셉터(140)는, 디스크(120)의 중심을 기준으로, 복수개가 방사상으로 설치될 수 있고, 디스크(120)와 함께 운동할 수 있다. 그러므로, 디스크(120)가 회전하면, 서셉터(140)는 디스크(120)의 중심을 기준으로 공전한다. 따라서, 디스크(120)가 회전하면, 서셉터(140)의 상면에 탑재 지지된 기판(S)도 디스크(120)의 중심을 기준으로 공전함은 당연하다.
서셉터(140)가 디스크(120)의 상면(121)에 안정되게 설치될 수 있도록, 디스크(120)의 상면(121)에는 서셉터(140)가 삽입 안치되는 안치홈(122)이 하측으로 함몰 형성될 수 있다. 안치홈(122)은 서셉터(140)의 수와 동일하게 마련됨은 당연하다.
기판(S)에 박막을 증착하기 위해서는, 공정가스가 챔버(110)로 공급되어 분사되어야 한다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함할 수 있으며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질일 수 있다.
소스가스 및 반응가스를 챔버(110)로 공급 분사하기 위하여, 챔버(110)의 상면에는 소스가스 및 반응가스를 포함하는 공정가스를 챔버(110)로 공급 분사하는 가스분사유닛(160)이 설치될 수 있고, 가스분사유닛(160)은 샤워헤드로 마련될 수 있다.
그리하여, 디스크(120)를 회전시켜 서셉터(140)를 회전시키면서, 가스분사유닛(160)을 통하여 공정가스를 기판(S)측으로 분사하면, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.
서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)은 디스크(120)의 중심을 기준으로 일정한 속도로 공전하므로, 각 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)에는 균일한 박막이 형성될 수 있다. 이때, 각 서셉터(140)가 일정하게 자신의 중심을 기준으로 자전하면, 각 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성될 수 있다.
디스크(120)의 회전에 의하여 각 서셉터(140)를 일정하게 자전시키기 위하여, 챔버(110)의 내부에 위치된 구동축(133)의 외주면 및 서셉터(140)의 하면측에는 마그네트(133a)(151a)가 각각 설치될 수 있다. 마그네트(151a)는 서셉터(140)의 하면에서 하측으로 돌출 형성된 지지축(151a)의 외주면에 설치될 수 있다. 그리하여, 구동축(133)을 회전시켜 디스크(120)를 회전시키면, 마그네트(133a)가 구동축(133)과 함께 회전하며, 회전하는 마그네트(133a)와의 작용에 의하여 마그네트(151a)도 회전한다. 그러면, 지지축(151a)이 회전하므로, 서셉터(140)는 지지축(151a)을 중심으로 자전한다.
챔버(110)로 분사된 공정가스의 소스가스 중, 기판(S)에 증착되지 않은 소스가스를 포함한 부산물과 반응가스는 챔버(110)의 외부로 배출된다. 반응가스와 부산물을 챔버(110)의 외부로 각각 배출하기 위하여, 챔버(110)에는 가스배기라인(171, 175) 및 배기펌프(172, 176)가 각각 마련될 수 있다.
가스분사유닛(160)에서 분사된 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 기판(S)의 주위에서 정체되면, 기판(S)에 증착되는 공정가스의 소스가스가 영향을 받을 수 있으므로, 막질이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 가스분사유닛(160)에서 분사된 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 기판(S)의 주위에서 정체되지 않고, 신속하게 배출될 수 있도록 마련된다.
상세히 설명하면, 디스크(120)의 상면(121)은 가스분사유닛(160)의 하면과 대향하고, 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)의 상면은 가스분사유닛(160)의 하면과 대향한다. 이때, 챔버(110)의 높이 방향을 기준으로, 디스크(120)의 상면(121)과 기판(S)의 상면은 동일 높이에 위치될 수 있다. 즉, 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)의 상면이 안치홈(122)의 내부에 위치되지 않을 수 있다.
그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 서셉터(140) 외측의 안치홈(122)에 정체될 수는 있으나, 기판(S)의 상면측에는 정체되지 않는다. 즉, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판(S)의 상면측에는 정체되지 않고 신속하게 배출될 수 있으므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치지 못한다. 따라서, 기판(S)의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
가스분사유닛(160)이 디스크(120) 및 기판(S)의 수직 상측이 아니라, 디스크(120) 및 기판(S)의 외측 상측에 위치될 수 있다. 이때에는, 디스크(120)의 상면(121) 및 기판(S)의 상면이 가스분사유닛(160)의 하면측을 향한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 이를 설명한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 서셉터(240)가 안치되는 디스크(220)의 안치홈(222)의 부위 중, 서셉터(240) 외측의 디스크(220)의 안치홈(222)의 부위에는 배출공(224)이 형성될 수 있다. 이때, 배출공(224)은 서셉터(240)의 테두리면을 따라 복수개 형성될 수 있다.
그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 안치홈(222)에 정체되지 않고, 안치홈(222)으로부터 신속하게 배출될 수 있다. 따라서, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치지 못한다.
도 4a에 도시된 기판처리장치의 그 이외의 구성은 도 2 및 도 3에 도시된 기판처리장치의 구성과 동일 또는 유사할 수 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 챔버(110)(도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 기판(S)의 상면은 디스크(320)의 상면(321) 보다 높은 위치에 위치될 수 있다.
더 구체적으로 설명하면, 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(340)의 상면(341)은 가스분사유닛(360)의 하면과 대향할 수 있고, 챔버(110)(도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 서셉터(340)의 상면(341)은 디스크(320)의 상면(321)과 동일 높이에 위치될 있다. 그러면, 기판(S)의 상면이 디스크(320)의 상면(321) 보다 높은 위치에 위치된다. 그리고, 서셉터(340)가 안치되는 디스크(320)의 안치홈(322)의 부위 중, 서셉터(340) 외측의 디스크(320)의 안치홈(322)의 부위에는 배출공(324)이 형성될 수 있다.
그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판(S)의 상면측에는 더욱 정체되지 않을 뿐만 아니라, 안치홈(322)에 정체되지 않고, 신속하게 배출될 수 있다. 따라서, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치지 못한다.
서셉터(340)의 상면(341)이 디스크(320)의 상면(321) 보다 높은 위치에 위치될 수도 있음은 당연하다.
도 4b에 도시된 기판처리장치의 그 이외의 구성은 도 4a에 도시된 기판처리장치의 구성과 동일 또는 유사할 수 있다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 디스크(420)의 상면에는 안치홈이 형성되지 않을 수 있고, 서셉터(440)는 디스크(420)의 상면에 설치될 수 있다.
그리고, 가스분사유닛(460)의 하면에서 기판(S)의 상면 까지의 간격(G1)은 가스분사유닛(460)의 하면에서 디스크(420)의 상면(421) 까지의 간격(G2) 보다 좁을 수 있다. 이때, 가스분사유닛(460)과 기판(S) 사이의 간격(G1)은 17㎜ ∼ 19㎜인 것이 바람직하고, 가스분사유닛(460)과 디스크(420) 사이의 간격(G2)은 26㎜ ∼ 30㎜인 것이 바람직하다.
그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판(S)의 상면측에 정체되지 못하므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치 못한다.
서셉터(440)의 테두리면에 정체되어 있을 수도 있는 공정가스의 반응가스 및 부산물을 신속하게 배출하기 위하여, 서셉터(440) 외측의 디스크(420)의 부위에는 배출공(424)이 형성될 수 있다.
도 4c에서는 상기 안치홈이 디스크(420)에는 형성되지 않은 것을 예로 들어 설명하였으나, 디스크(420)의 상면에 상기 안치홈이 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도로서, 도 1과의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 공정가스를 분사하는 가스분사유닛(560)은 소스가스를 분사하는 제1가스분사유닛(561), 반응가스를 분사하는 제2가스분사유닛(563) 및 퍼지가스를 분사하는 제3가스분사유닛(565)을 포함할 수 있다.
제1가스분사유닛(561)과 제2가스분사유닛(563)은 상호 구획되어 설치될 수 있으며, 제1가스분사유닛(561)은 챔버(510)의 일측을 통하여 소스가스를 기판(S)측으로 분사할 수 있고, 제2가스분사유닛(563)은 챔버(510)의 타측을 통하여 반응가스를 기판(S)측으로 분사할 수 있다.
그리고, 제3가스분사유닛(565)은, 제1가스분사유닛(561)에서 분사되는 소스가스와 제2가스분사유닛(563)에서 분사되는 반응가스가 혼합되는 것을 방지하기 위하여, 제1가스분사유닛(561)과 제2가스분사유닛(563)을 구획하는 형태로 설치되어 퍼지가스를 공급할 수 있다.
그리하여, 각 서셉터(540)에 탑재 지지된 기판(S)은, 디스크(520)가 회전함에 따라, 순차적으로 소스가스가 분사되는 영역에 위치되고, 순차적으로 반응가스가 분사되는 영역에 위치된다. 즉, 디스크(520)가 회전함에 따라, 기판(S)은 소스가스 및 반응가스를 공급받으며, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 챔버
120: 디스크
140: 서셉터
S: 기판
120: 디스크
140: 서셉터
S: 기판
Claims (8)
- 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버에 회전가능하게 설치된 디스크;
상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터;
상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 상기 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며,
상기 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 상기 가스분사유닛에서 상기 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁고,
상기 디스크의 상면에는 안치홈이 형성되지 않으며,
상기 서셉터는 안치홈이 형성되지 않은 디스크의 상면에 설치되고,
상기 서셉터의 상면은 상기 디스크의 상면보다 높은 위치에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 서셉터 외측의 상기 디스크의 부위에는 배출공이 형성되고,
상기 배출공은 공정가스의 반응가스와 부산물을 배출시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 디스크의 하면에 결합되어서 모터에 의하여 회전하는 구동축;
상기 서셉터의 하면에서 하면으로 돌출 형성된 지지축; 및
상기 구동축의 외주면과 상기 지지축의 외주면 각각에 설치되어서 상기 구동축이 회전됨에 따라 상기 지지축을 회전시키는 마그네트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 가스분사유닛은 상기 디스크 및 상기 기판의 외측 상측에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 17㎜ ∼ 19㎜이고,
상기 가스분사유닛에서 상기 디스크의 상면 까지의 간격은 26㎜ ∼ 30㎜인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 삭제
- 삭제
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