JP2010118541A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板のような被処理物に対して、複数回プラズマ処理を施す場合に、比較的強いプラズマ処理を施される箇所を、被処理物にて重複させないプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置５９は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、をずらす。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、太陽電池に含まれる半導体デバイス（太陽電池セル）の製造に用いられるプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法に関する。

太陽電池セルのような半導体デバイスの製造には、成膜等の可能なプラズマ処理装置が用いられる。そして、このようなプラズマ処理装置における生産能力の向上およびコスト削減の要望を満たすべく、複数の基板をまとめて（同時に）プラズマ処理するバッチ式を採用するプラズマ処理装置が、一例として挙げられる。

バッチ式のプラズマ処理装置では、１バッチあたりの基板枚数が増加すると、プラズマ処理に要するプラズマ放電を引き起こす電極の面積も、広面積を有さなくてはならない。なぜなら、プラズマ処理の均一性の点で、電極全体が基板を覆うだけの面積を有しておくと望ましいためである。

ただし、あまりに広面積な大型の電極がプラズマ処理装置に搭載されると、その電極のメンテナンス（取り替え等）が煩わしい。そのため、複数の電極片を含んで一体化した電極、いわゆる分割型電極が採用される（例えば、特許文献１参照）。

ところで、バッチ式を採用するプラズマ処理装置の一例を図示すると、図１６の断面図のようになる。この図示されるプラズマ処理装置１５９は、４つのチャンバーｃｂ（ｃｂ０〜ｃｂ３）を含むとともに、基板１６１を載せるトレイ１６２をチャンバーｃｂ０〜ｃｂ３へ搬送するステージユニット（不図示）を含む。

詳説すると、プラズマ処理装置１５９は、プラズマ処理に適した温度を設定可能な予備加熱チャンバーｃｂ０、プラズマ処理を施す２つのプラズマ処理チャンバーｃｂ１・ｃｂ２、２度プラズマ処理された基板１６１を大気中に取り出すためのアンロードチャンバーｃｂ３を直列に連結して含む。

なお、２つのプラズマチャンバーｃｂ１・ｃｂ２を搭載する理由は、以下の通りである。すなわち、予備加熱チャンバーｃｂ０における予備加熱に要する時間が、１つのプラズマ処理チャンバーｃｂ１におけるプラズマ処理を施す必要時間よりも短い場合、予備加熱チャンバーｃｂ０につづけて複数のプラズマチャンバー（ｃｂ１・ｃｂ２）を直列に連結することで、複数のプラズマ処理チャンバーｃｂ１・ｃｂ２におけるプラズマ処理を組み合わせ、プラズマ処理装置１５９の設置面積当りの生産能力を向上させるためである。
特開２００８−１０６３０４号公報

ここで、図１７に示される第１プラズマ処理チャンバーｃｂ１の拡大断面図と、図１８に示される第２プラズマ処理チャンバーｃｂ２の拡大断面図とを用いて、両プラズマ処理チャンバーｃｂ１・ｃｂ２を詳説する。

これらプラズマ処理チャンバーｃｂ１・ｃｂ２では、プラズマ放電を引き起こすための高周波電圧印加電極１１１（１１１ｂ・１１１ｃ）と接地電極１２１（１２１ｂ・１２１ｃ）とを含む。特に、高周波電源１１０（１１０ｂ・１１０ｃ）から電力供給を受ける高周波電圧印加電極１１１ｂ・１１１ｃは、混合ガス供給ユニット１４５（１４５ｂ・１４５ｃ）からの混合ガスをシャワー状にさせるシャワー孔（不図示）を有するシャワー型電極体１１４（１１４ｂ・１１４ｃ）を含む。

ただし、このシャワー型電極体１１４ｂは、複数の電極片１１５ｂ（１１５ｂ１〜１１５ｂ３）の集まりであり、シャワー型電極体１１４ｃは、複数の電極片１１５ｃ（１１５ｃ１〜１１５ｃ３）の集まりである。その上、コスト上、電極片１１５ｂ（１１５ｂ１〜１１５ｂ３）と電極片１１５ｃ（１１５ｃ１〜１１５ｃ３）とは同形状であることが多い。さらに、電極片１１５ｂ（１１５ｂ１〜１１５ｂ３）は間隔ｗｂをあけて並んでおり、電極片１１５ｃ（１１５ｃ１〜１１５ｃ３）も間隔ｗｃをあけて並ぶ。

このような間隔（電極片間隔）ｗｂ・ｗｃが、プラズマ処理チャンバーｃｂ１・ｃｂ２に含まれる場合、通常、プラズマ処理チャンバーｃｂ内部における電極片間隔ｗｂ・ｗｃに重なる空間（強プラズマ処理空間）にて、比較的強いプラズマ放電が生じ、それに起因して、比較的強いプラズマ処理が基板１６１に対して施される。

すると、第１プラズマ処理チャンバーｃｂ１での強プラズマ処理空間（第１プラズマ処理空間）で、一度目のプラズマ処理を施された基板１６１の箇所と、第２プラズマ処理チャンバーｃｂ２での強プラズマ処理空間で、二度目のプラズマ処理を施された基板１６１の箇所と、が一致してしまうおそれがある。このようになってしまうと、例えば、プラズマ処理にて基板１６１に堆積する堆積膜の厚みが一定にならない。すなわち、均一性の高い比較的高品質な堆積膜が基板に形成されない。

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。そして、その目的は、基板のような被処理物に対して、複数回プラズマ処理を施す場合に、比較的強いプラズマ処理を施される箇所を、被処理物にて重複させないプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供することにある。

プラズマ処理装置は、第１電極から第２電極までの間の電位差で生じる電界で材料ガスを分解し、被処理物に対してプラズマ処理を施すチャンバーを、少なくとも２つ含む（なお、プラズマ処理方法は、このプラズマ処理装置を用いる）。

そして、チャンバー内部にて、第１電極に含まれる複数の電極片同士の電極片間隔に重なる空間を第１プラズマ処理空間とすると、１つのチャンバーでの被処理物に対する少なくとも一部の第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つのチャンバーでの被処理物に対する少なくとも一部の第１プラズマ処理空間の位置とを、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとでずらす。

通常、プラズマ放電を引き起こす電極が間隔を有しながら並列する複数の電極片を含むと、電極片同士の間隔（電極片間隔）に重なる空間は、他の空間に比べて、プラズマ放電が強い（このような比較的強いプラズマ処理の施される空間を第１プラズマ処理空間とする）。これを踏まえると、以上のプラズマ処理装置およびそのプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法では、以下のようなことがいえる。

すなわち、被処理物が１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとでプラズマ処理される場合、１つのチャンバーの第１プラズマ処理空間にてプラズマ処理される被処理物の箇所と、別の少なくとも１つのチャンバーの第１プラズマ処理空間にてプラズマ処理される被処理物の箇所と、がずれる。そのため、被処理物上に、比較的強いプラズマ処理された箇所が重ならない。その結果、被処理物に、過度のプラズマ処理される箇所が無くなり、例えば、堆積膜が均一に形成される。

なお、１つのチャンバーでの被処理物に対する少なくとも一部の第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つのチャンバーでの被処理物に対する少なくとも一部の第１プラズマ処理空間の位置とを、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとでずらす一例としては、以下のような場合が挙げられる。

すなわち、１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも１つの形状と、別の少なくとも１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも１つの形状とが、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで異なるとよい。

また、別例としては、以下のような場合が挙げられる。すなわち、１つのチャンバーにおける複数の電極片の個数と、別の少なくとも１つのチャンバーにおける複数の電極片の個数とが、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで異なるとよい。

また、さらなる別例としては、以下のような場合が挙げられる。すなわち、１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも一部の位置とが、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで異なるとよい。

なお、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで、共通する同形状の電極片を、共通電極片とする。すると、１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも一部の位置とが、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで異なるとは、以下のような場合が一例として想定される。

すなわち、１つのチャンバーにおける複数の共通電極片の少なくとも一部である変位共通電極片の配列位置と、別の少なくとも１つのチャンバーにおける変位共通電極片の配列位置とが、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで異なることである。

また、電極片が複数並ぶことで形成される面を電極片並列面とする。すると、１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つのチャンバーにおける複数の電極片のうちの少なくとも一部の位置とが、１つのチャンバーと別の少なくとも１つのチャンバーとで異なるとは、以下のような場合が一例として想定される。

すなわち、１つのチャンバーでの被処理物に対する複数の電極片の位置が、別の少なくとも１つのチャンバーでの電極片並列面の面内中心軸を基準に回転した複数の電極片の被処理物に対する位置に、一致することである。

なお、電極片間隔が、被処理物に重ならずに、被処理物の外縁よりも外側に重なると望ましい。

このようになっていると、電極片間隔に重なる第１プラズマ処理空間が、被処理物に重ならない。そのため、被処理物の一部分に対して過度なプラズマ処理が施されない。その結果、被処理物全体に、例えば堆積膜が均一に形成される。

本発明によれば、プラズマ処理される被処理物において、過度にプラズマ処理される箇所が無くなる。すなわち、被処理物に対して、均一なプラズマ処理が施される。そのため、例えば、プラズマ処理で形成される堆積膜は、均一になる。

［実施の形態１］
実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。また、記載される数値実施例は、一例にすぎず、その数値に限定されるものではない。

図１は、例えば、太陽電池に含まれる半導体デバイス（太陽電池セル）の製造に使用するプラズマ処理装置５９を模式的に示す断面図である。このプラズマ処理装置５９は、複数の基板（被処理物）６１に対して同時にプラズマ処理をするバッチ式を採用する。

なお、プラズマ処理とは、電界で材料ガスを解離させることでプラズマを生成させ、そのプラズマによって、基板６１に対して施す処理（成膜、エッチング、アッシング等）のことである｛本例は、プラズマ化学気相成長法［プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法］に基づくプラズマ処理である｝。

図１に示すように、プラズマ処理装置５９は、４つのチャンバーＣＢ（ＣＢ０〜ＣＢ３）と、基板６１を載せるトレイ６２をチャンバーＣＢ０〜ＣＢ３へ搬送するステージユニットとを含む。なお、図面では、便宜上、ステージユニットは図示されず、さらに、プラズマ処理前の基板６１を載せるトレイ６２と、プラズマ処理後の基板６１を載せるトレイ６２とが、併記される（なお、図面における白色矢印は、トレイ６２の進行方向を意味する）。

４つのチャンバーＣＢは、予備加熱チャンバーＣＢ０、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２、およびアンロードチャンバーＣＢ３である。これら４つのチャンバーＣＢは、予備加熱チャンバーＣＢ０、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２、およびアンロードチャンバーＣＢ３の順番で直列につながる。

そして、トレイ６２の進入する予備加熱チャンバーＣＢ０の開口（入口）、隣り合うチャンバーＣＢの開口同士の境界、および、トレイ６２の退出するアンロードチャンバーＣＢ３の開口（出口）には、各チャンバーＣＢの内部を密閉空間にする弁ＶＡ(ＶＡ０〜ＶＡ４)が取り付けられる。

予備加熱チャンバーＣＢ０は、プラズマ処理での真空雰囲気下に基板６１を導入させるための圧力調整を行うとともに、プラズマ処理に要する温度にまで基板６１を予備的に加熱する。この予備加熱チャンバーＣＢ０は、図２に示すように、ハウジング３１（３１Ａ）、排気ポンプ３２（３２Ａ）、圧力計３３（３３Ａ）、チッ素供給ユニット４１（４１Ａ）、およびランプヒータ３４を含む。

なお、予備加熱チャンバーＣＢ０における２つの開口のうち、トレイ６２の進入する入口には開閉可能な弁（入口弁）ＶＡ０が取り付けられ、トレイ６２の退出する出口にも開閉可能な弁（第１仕切り弁）ＶＡ１が取り付けられる。

ハウジング３１Ａは、予備加熱チャンバーＣＢ０の内部である閉空間を形成するものであり、特に形状等は問われない。

排気ポンプ３２Ａは、ハウジング３１Ａの内部、すなわち予備加熱チャンバーＣＢ０の内部の空気を外部に排出する（要は、排気ポンプ３２Ａは、予備加熱チャンバーＣＢ０の内部を減圧する）。

圧力計３３Ａは、予備加熱チャンバーＣＢ０の内部の圧力を測定する。なお、不図示の制御部が、この圧力計３３Ａの測定値を参照しつつ、排気ポンプ３２Ａの駆動を制御する。

チッ素供給ユニット４１Ａは、予備加熱チャンバーＣＢ０の内部につながる供給管４２（４２Ａ）と、その供給管４２Ａに流すべきチッ素ガスを貯留するガスボンベ４３（４３Ａ）と、を含む。つまり、チッ素供給ユニット４１Ａは、ガスボンベ４３Ａ内のチッ素ガスを、供給管４２Ａを介して予備加熱チャンバーＣＢ０の内部に流入させる。

ランプヒータ３４は、予備加熱チャンバーＣＢ０に進入してくるトレイ６２、ひいてはトレイ６２上の基板６１を加熱するものである。

第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１は、基板６１に対して、プラズマ処理を施す。この第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１は、図３に示すように、ハウジング３１（３１Ｂ）、排気ポンプ３２（３２Ｂ）、圧力計３３（３３Ｂ）、高周波電源１０（１０Ｂ）、高周波電圧印加電極１１（１１Ｂ）、混合ガス供給ユニット４５（４５Ｂ）、および接地電極２１（２１Ｂ）を含む。

なお、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における２つの開口のうち、トレイ６２の進入する入口には第１仕切り弁ＶＡ１が取り付けられ、トレイ６２の退出する出口には開閉可能な弁（第２仕切り弁）ＶＡ２が取り付けられる。

ハウジング３１Ｂ、排気ポンプ３２Ｂ、および圧力計３３Ｂの機能は、予備加熱チャンバーＣＢ０に含まれるハウジング３１Ａ、排気ポンプ３２Ａ、および圧力計３３Ａの機能と同様である。そのため、これらの詳細な説明は省略する。

高周波電源１０Ｂは、高周波電圧印加電極１１Ｂに対して、高周波電力を供給する電源である。例えば、この高周波電源１０Ｂは、周波数１３．５６ＭＨｚ程度で１０００Ｗ程度の高周波電力を、高周波電圧印加電極１１Ｂに供給する。

高周波電圧印加電極（第１電極）１１Ｂは、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１の内部に位置し、高周波電源１０Ｂからの高周波電圧を印加される電極である。そして、この高周波電圧印加電極１１Ｂは、外殻電極体１２（１２Ｂ）、区分け導電体１３（１３Ｂ）、およびシャワー型電極体１４（１４Ｂ）を含む。つまり、高周波電圧印加電極１１Ｂは、複数の導電性を有する部材（１２、１３、１４）の集まりである。

外殻電極体１２Ｂは、例えば板状であり、高周波電源１０Ｂに電気的に接続する。区分け導電体１３Ｂは、外殻電極体１２Ｂの一面を区分けするとともに、その外殻電極体１２Ｂに物理的かつ電気的に接続する。シャワー型電極体１４Ｂは、区分け導電体１３Ｂを介して、外殻電極体１２Ｂに物理的につながっており、さらに、その外殻電極体１２Ｂに電気的に接続する（なお、シャワー型電極体１４Ｂと搬送されてくるトレイ６２との距離が、数十ｍｍ程度になるように設定される）。

また、外殻電極体１２Ｂとシャワー型電極体１４Ｂとが、区分け導電体１３Ｂを介してつながることで、外殻電極体１２Ｂ、シャワー型電極体１４Ｂ、および区分け導電体１３Ｂに囲まれる囲み空間（中空空間）ＳＰが生じる。そして、各囲み空間ＳＰに面するシャワー型電極体１４Ｂには、媒体（例えば、ガス）を通過させるシャワー孔（不図示）が形成される。

混合ガス供給ユニット４５Ｂは、囲み空間ＳＰにつながる供給管４６（４６Ｂ）と、その供給管４６Ｂに流すべき混合ガスを貯留するガスボンベ４７（４７Ｂ）と、を含む。つまり、混合ガス供給ユニット４５Ｂは、ガスボンベ４７Ｂ内の混合ガスを、供給管４６Ｂを介して囲み空間ＳＰの内部に流入させる。すると、例えば、モノシラン（ＳｉＨ₄）、アンモニア（ＮＨ₃）、およびチッ素（Ｎ₂）を含む混合ガスは、囲み空間ＳＰを形成するシャワー型電極体１４Ｂに含まれるシャワー孔（開孔）から、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１の内部に流入する。

接地電極（第２電極）２１Ｂは、グランド（ＧＮＤ）の役割を果たす電極である。そして、この接地電極２１Ｂと高周波電圧印加電極１１Ｂとの間であるプラズマ放電空間では、高周波電圧印加電極１１Ｂへの高周波電圧の印加によって、プラズマが発生する。

なお、接地電極２１Ｂには、不図示の内蔵ヒータが組み込まれている。そして、この内蔵ヒータは、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１に進入してきたトレイ６２、ひいてはトレイ６２上の基板６１を加熱する。

また、高周波電源１０Ｂおよび高周波電圧印加電極１１Ｂ（外殻電極体１２Ｂ、区分け導電体１３Ｂ、シャワー型電極体１４Ｂ）と、それら以外の種々部材とは、電気的に絶縁されており、さらに、種々部材は接地される。

第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１にて一度プラズマ処理された基板６１に、さらにプラズマ処理を施す。第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２は、図４に示すように、ハウジング３１（３１Ｃ）、排気ポンプ３２（３２Ｃ）、圧力計３３（３３Ｃ）、高周波電源１０（１０Ｃ）、高周波電圧印加電極１１（１１Ｃ）、混合ガス供給ユニット４５（４５Ｃ）、および接地電極２１（２１Ｃ）を含む。

なお、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における２つの開口のうち、トレイ６２の進入する入口には第２仕切り弁ＶＡ２が取り付けられ、トレイ６２の退出する出口には開閉可能な弁（第３仕切り弁）ＶＡ３が取り付けられる。

ハウジング３１Ｃ、排気ポンプ３２Ｃ、圧力計３３Ｃ、高周波電源１０Ｃ、高周波電圧印加電極（第１電極）１１Ｃ、混合ガス供給ユニット４５Ｃ、および接地電極（第２電極）２１Ｃの機能は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１におけるハウジング３１Ｂ、排気ポンプ３２Ｂ、圧力計３３Ｂ、高周波電源１０Ｂ、高周波電圧印加電極１１Ｂ、混合ガス供給ユニット４５Ｂ、および接地電極２１Ｂの機能と同様である。そのため、これらの詳細な説明は省略する。

ただし、高周波電圧印加電極１１Ｃにおける構造は、高周波電圧印加電極１１Ｂの構造とは異なる。そこで、後に、両高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃの構造に関する詳細を説明する。

アンロードチャンバーＣＢ３は、２度プラズマ処理された基板６１を大気中に取り出すための圧力調整を行う。このアンロードチャンバーＣＢ３は、図５に示すように、ハウジング３１（３１Ｄ）、排気ポンプ３２（３２Ｄ）、圧力計３３（３３Ｄ）、チッ素供給ユニット４１（４１Ｄ）を含む。

なお、アンロードチャンバーＣＢ３における２つの開口のうち、トレイ６２の進入する入口には第３仕切り弁ＶＡ３が取り付けられ、トレイ６２の退出する出口には開閉可能な弁（出口弁）ＶＡ４が取り付けられる。

ハウジング３１Ｄ、排気ポンプ３２Ｄ、圧力計３３Ｄ、およびチッ素供給ユニット４１Ｄの機能は、予備加熱チャンバーＣＢ０におけるハウジング３１Ａ、排気ポンプ３２Ａ、圧力計３３Ａ、およびチッ素供給ユニット４１Ａの機能と同様である。そのため、これらの詳細な説明は省略する。

ステージユニットは、図６の平面図に示すような基板６１を複数個載せたトレイ６２を、プラズマ処理装置５９へ搬送する（なお、白色矢印は搬送方向を意味する）。ただし、プラズマ処理装置５９における各チャンバーＣＢ０〜ＣＢ３へトレイ６２を搬送できれば、ステージユニットの機構等は、特に限定されない（なお、チャンバーＣＢ０〜ＣＢ３間で、基板６１を載せたトレイ６２を移動させるプラズマ処理装置５９を、インライン式のプラズマ処理装置５９ともいう）。

なお、一例として、矩形の１５５ｍｍ×１５５ｍｍの面サイズ、および、０．２ｍｍの厚みを有するシリコン製の基板６１が挙げられる。また、図６に示すように、このような基板６１を６個×８個の合計４８個を、重ならせることなく敷き詰められるトレイ６２が、一例として挙げられる。なお、この一例となるトレイ６２は、カーボン製で、矩形の１１００ｍｍ×１５００ｍｍの面サイズ、および、１０ｍｍの厚みを有する。

ここで、以上のプラズマ処理装置５９が、基板６１にプラズマ処理を施す過程について説明する。なお、以降の種々部材の動作は、プラズマ処理装置５９に搭載される制御部（不図示）によって制御される。

まず、プラズマ処理装置５９における全ての弁ＶＡ０〜ＶＡ４が閉じられ、全てのチャンバーＣＢ０〜ＣＢ３の内部は密閉空間となる（もちろん、全てのチャンバーＣＢ０〜ＣＢ３の内部は、外部から隔てられている）。次に、全ての排気ポンプ３２Ａ〜３２Ｄが駆動し、チャンバーＣＢ０〜ＣＢ３における内部の圧力を１Ｐａ以下の真空にする。

そして、この真空状態の下、チッ素供給ユニット４１Ａが、供給管４２Ａを介して、ガスボンベ４３Ａのチッ素を予備加熱チャンバーＣＢ０の内部に流し込む。詳説すると、チッ素供給ユニット４１Ａは、予備加熱チャンバーＣＢ０の内部の圧力を大気圧と同程度になるまで、チッ素を流し込む。

次に、予備加熱チャンバーＣＢ０の入口を塞いでいる入口弁ＶＡ０が開けられ、ステージユニットが、基板６１を載せたトレイ６２を予備加熱チャンバーＣＢ０の内部に搬送する。この後、入口弁ＶＡ０が閉じられ、予備加熱チャンバーＣＢ０は、基板６１を載せたトレイ６２を密閉された内部に収容する。さらに、排気ポンプ３２Ａが駆動し、予備加熱チャンバーＣＢ０の内部における内部の圧力を１Ｐａ以下の真空にする。

そして、この真空状態の下、ランプヒータ３４が、赤外線を発して、トレイ６２を５００℃程度に加熱する。これにより、トレイ６２上の基板６１も熱せられ、その基板６１はプラズマ処理に適した温度状態になる。

次に、熱せられたトレイ６２を第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１に搬送させるべく、第１仕切り弁ＶＡ１が開けられる。そして、ステージユニットによって、熱せられたトレイ６２が、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１の内部に搬送される。

詳説すると、トレイ６２は、内蔵ヒータを組み込む接地電極２１Ｂ上の所定位置に搬送される（なお、この所定位置は、高周波電圧印加電極１１Ｂとの相関関係によって決定される）。この後、第１仕切り弁ＶＡ１が閉じられ、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１は、基板６１を載せたトレイ６２を密閉された内部に収容する。

そして、基板６１に対するプラズマ処理に適した環境を作り出すべく、混合ガス供給ユニット４５Ｂ、排気ポンプ３２Ｂ、および接地電極２１Ｂの内部ヒータが、制御部の管理の下で適切に駆動する。

詳説すると、混合ガス供給ユニット４５Ｂが、供給管４６Ｂを介して、ガスボンベ４７Ｂの混合ガスを高周波電圧印加電極１１Ｂにおける囲み空間ＳＰに流し込む。すると、混合ガスは、囲み空間ＳＰを形成するシャワー型電極体１４Ｂに含まれるシャワー孔から、基板６１を収容する第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１の内部に流入する（なお、シャワー孔は数百個程度である）。

このように混合ガスが流れ込む過程において、排気ポンプ３２Ｂは、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１の内部の圧力を１００Ｐａ程度に安定させるように駆動する。一方で、内蔵ヒータは、ランプヒータ３４同様、トレイ６２を５００℃程度に加熱する（なお、内部ヒータは、接地電極２１Ｂ上にトレイ６２が有るか無いかにかかわらず、加熱している）。

そして、このような第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１の内部環境の下で、高周波電源１０Ｂは、高周波電圧印加電極１１Ｂに、高周波電力を供給する｛なお、電力供給時間は、予め定められた数十秒程度の成膜時間Ｔ（ｓｅｃ）以内である｝。これにより、高周波電圧印加電極１１Ｂと接地電極２１Ｂとの間には、高周波電圧が印加され、この高周波電圧（電位差）に応じて混合ガスが反応し、基板６１に膜が堆積していく。

なお、所定の成膜時間Ｔ経過後、高周波電源１０Ｂは電力供給を停止し、混合ガス供給ユニット４５Ｂは混合ガスの供給を停止する。さらに、排気ポンプ３２Ｂが最大の排気能力で、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における内部の圧力を１Ｐａ以下の真空にする。

次に、一度目のプラズマ処理をされた基板６１を載せたトレイ６２を第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２に搬送させるべく、第２仕切り弁ＶＡ２が開けられる。そして、ステージユニットによって、トレイ６２が、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２の内部に搬送される。

詳説すると、トレイ６２は、内蔵ヒータを組み込む接地電極２１Ｃ上の所定位置に搬送される（なお、この所定位置は、高周波電圧印加電極１１Ｃとの相関関係によって決定される）。この後、第２仕切り弁ＶＡ２が閉じられ、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２は、基板６１を載せたトレイ６２を密閉された内部に収容する。

そして、基板６１に対するプラズマ処理に適した環境を作り出すべく、混合ガス供給ユニット４５Ｃ、排気ポンプ３２Ｃ、および接地電極２１Ｃの内部ヒータが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における、混合ガス供給ユニット４５Ｂ、排気ポンプ３２Ｂ、および接地電極２１Ｂの内部ヒータ同様に、制御部の管理の下で適切に駆動する。

詳説すると、混合ガス供給ユニット４５Ｃが、供給管４６Ｃを介して、ガスボンベ４７Ｃの混合ガスを高周波電圧印加電極１１Ｃにおける囲み空間ＳＰに流し込む。すると、混合ガスは、囲み空間ＳＰを形成するシャワー型電極体１４Ｃに含まれるシャワー孔から、基板６１を収容する第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２の内部に流入する（なお、シャワー孔は、シャワー型電極体１４Ｂ同様に、数百個程度である）。

このように混合ガスが流れ込む過程において、排気ポンプ３２Ｃは、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２の内部の圧力を１００Ｐａ程度に安定させるように駆動する。一方で、内蔵ヒータは、接地電極２１Ｂの内蔵ヒータ同様、トレイ６２を５００℃程度に加熱する（なお、内部ヒータは、接地電極２１Ｃ上にトレイ６２が有るか無いかにかかわらず、加熱している）。

そして、このような第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２の内部環境の下で、高周波電源１０Ｃは、高周波電圧印加電極１１Ｃに、高周波電力を供給する｛なお、電力供給時間は、高周波電源１０Ｂによる成膜時間Ｔ（ｓｅｃ）と同じである｝。これにより、高周波電圧印加電極１１Ｃと接地電極２１Ｃとの間には、高周波電圧が印加され、この高周波電圧に応じて混合ガスは反応し、基板６１に膜が堆積していく。

なお、所定の成膜時間Ｔ経過後、高周波電源１０Ｃは電力供給を停止し、混合ガス供給ユニット４５Ｃは混合ガスの供給を停止する。さらに、排気ポンプ３２Ｃが最大の排気能力で、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における内部の圧力を１Ｐａ以下の真空にする。

次に、二度目のプラズマ処理をされた基板６１を載せたトレイ６２をアンロードチャンバーＣＢ３に搬送させるべく、第３仕切り弁ＶＡ３が開けられる。そして、ステージユニットによって、トレイ６２が、アンロードチャンバーＣＢ３の内部に搬送される。この後、第３仕切り弁ＶＡ３が閉じられ、アンロードチャンバーＣＢ３は、基板６１を載せたトレイ６２を密閉された内部に収容する。

そして、チッ素供給ユニット４１Ｄが、供給管４２Ｄを介して、ガスボンベ４３Ｄのチッ素をアンロードチャンバーＣＢ３の内部に流し込む。詳説すると、チッ素供給ユニット４１Ｄは、アンロードチャンバーＣＢ３の内部の圧力を大気圧と同程度になるまで、チッ素を流し込む。

そして、このようにアンロードチャンバーＣＢ３の内部がチッ素の満たされた状態の下で、出口弁ＶＡ４が開けられ、ステージユニットがトレイ６２をプラズマ処理装置５９から外部へと搬送する。なお、トレイ６２がアンロードチャンバーＣＢ３から外部に搬送された後に、出口弁ＶＡ４は閉められ、さらに、排気ポンプ３２Ｄが駆動し、アンロードチャンバーＣＢ３の内部における内部の圧力を１Ｐａ以下の真空にする。

以上のようにして、シリコン製の基板６１の上には、所望の堆積膜（シリコン窒化膜）が形成される。そして、このようなシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を形成するプラズマ処理装置５９では、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における高周波電圧印加電極１１Ｂの構造と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における高周波電圧印加電極１１Ｃの構造とに、違いが存在する。そこで、その違いについて、図３、図４、および、図７〜図１０を用いて説明する。

図７の平面図は、基板６１を載せたトレイ６２を示すとともに、そのトレイ６２に重なる高周波電圧印加電極１１Ｂのシャワー型電極体１４Ｂの外形を破線で示す。一方、図８の平面図は、基板６１を載せたトレイ６２を示すとともに、そのトレイ６２に重なる高周波電圧印加電極１１Ｃのシャワー型電極体１４Ｃの外形を一点鎖線で示す。

また、図９は図７と図８とに示されるシャワー型電極体１４Ｂ・１４Ｃを重畳させた平面図である。そして、図１０は図９に対する比較例を示す平面図である。

高周波電圧印加電極１１Ｂのシャワー型電極体１４Ｂは、図３および図７に示すように、トレイ６２の進行方向に沿って３つの電極片１５（１５Ｂ１〜１５Ｂ３）を並べる。詳説すると、これら３つの電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３は、第１仕切り弁ＶＡ１から第２仕切り弁ＶＡ２に向かって、電極片１５Ｂ１、電極片１５Ｂ２、電極片１５Ｂ３が、この順で並ぶ（なお、電極片１５Ｂ１と電極片１５Ｂ３とは、同サイズの外形を有し、電極片１５Ｂ２は、電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３よりも小型な外形を有する）。

ただし、これら電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３は、互いに１０ｍｍ程度の間隔（電極片間隔）Ｗをあけている。その理由は以下の通りである。

すなわち、電極片間隔Ｗが設けられないと、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１にて、接地電極２１Ｂの内蔵ヒータによる昇温工程中および昇温工程の前後にて、高周波電圧印加電極１１Ｂにおける外殻電極体１２Ｂの温度、区分け導電体１３Ｂの温度、およびシャワー型電極体１４Ｂの温度が、不均一になる。そして、その不均一な温度分布に起因して、外殻電極体１２Ｂ、区分け導電体１３Ｂ、およびシャワー型電極体１４Ｂの少なくとも１つが、熱膨張の不均一によって変形しかねない。そこで、このような熱膨張を想定して、シャワー型電極体１４Ｂの電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３同士は、互いに電極片間隔Ｗ（ＷＢ）をあけている。

また、図７に示すように、電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３同士の電極片間隔ＷＢは、トレイ６２上の基板６１に重ならない。すなわち、電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３同士の電極片間隔ＷＢに、基板６１が重ならないように、トレイ６２は接地電極２１Ｂ上の所定位置に搬送される。

そして、このような電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３を含むシャワー型電極体１４Ｂと、接地電極２１Ｂとの間では、高周波電源１０Ｂによる高周波電圧印加電極１１Ｂ（ひいてはシャワー型電極体１４Ｂ）への高周波電力の供給で、プラズマが発生する。そして、このプラズマによって、基板６１の上面（トレイ６２に接しない基板面）、および、トレイ６２にて基板６１の載っていない支持面（基板６１を載せられるトレイ６２の一面）には、シリコン窒化膜が形成される。

一方、高周波電圧印加電極１１Ｃのシャワー型電極体１４Ｃは、図４および図８に示すように、トレイ６２の進行方向に沿って４つの電極片１５（１５Ｃ１〜１５Ｃ４）を並べる。詳説すると、これら４つの電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４は、第２仕切り弁ＶＡ２から第３仕切り弁ＶＡ３に向かって、電極片１５Ｃ１、電極片１５Ｃ２、電極片１５Ｃ３、電極片１５Ｃ４が、この順で並ぶ（なお、電極片１５Ｃ１と電極片１５Ｃ４とは同サイズの外形を有し、電極片１５Ｃ２と電極片１５Ｃ３とは、電極片１５Ｃ１・１５Ｃ４よりも小型ではあるものの、同サイズの外形を有する）。

ただし、これら電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４は、電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３と同様に、互いに１０ｍｍ程度の電極片間隔Ｗ（ＷＣ）をあけている。また、図８に示すように、電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４同士の電極片間隔ＷＣは、トレイ６２上の基板６１に重ならない。すなわち、電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４同士の電極片間隔ＷＣに、基板６１が重ならないように、トレイ６２は接地電極２１Ｃ上の所定位置に搬送される。

そして、このような電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４を含むシャワー型電極体１４Ｃと、接地電極２１Ｃとの間では、高周波電源１０Ｃによる高周波電圧印加電極１１Ｃ（ひいてはシャワー型電極体１４Ｃ）への高周波電力の供給で、プラズマが発生する。そして、このプラズマによって、基板６１の上面、および、トレイ６２にて基板６１の載っていない支持面には、さらにシリコン窒化膜が堆積する。

ここで、図７および図８に加えて、図９および図１０を参照する。なお、図９は、シャワー型電極体１４Ｂ（電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３）の外形線とシャワー型電極体１４Ｃ（電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４）の外形線とをトレイ６２上に重ねて示す（ただし、便宜上、両外形線は重ならないようにする）。

図９に示すように、基板６１を載せたトレイ６２上に対する電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３同士の電極片間隔ＷＢと、電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４同士の電極片間隔ＷＣとは重ならない。

一方、図１０は、比較例であり、シャワー型電極体１４Ｂ’に電極片１５Ｂ’１〜１５Ｂ’３が含まれる一方、シャワー型電極体１４Ｃ’に電極片１５Ｃ’１〜１５Ｃ’３が含まれ、電極片１５Ｂ’１〜１５Ｂ’３と電極片１５Ｃ’１〜１５Ｃ’３とが同じ外形であることを二点鎖線で示す（なお、電極片１５Ｂ’１〜１５Ｂ’３および電極片１５Ｃ’１〜１５Ｃ’３は同形のため、１本の二点鎖線で示す）。

そして、この図１０に示すように、基板６１を載せたトレイ６２上に対する電極片１５Ｂ’１〜１５Ｂ’３同士の電極片間隔Ｗ（ＷＢ’）と、電極片１５Ｃ’１〜１５Ｃ’３同士の電極片間隔Ｗ（ＷＣ’）とは重なる。その上、重なり合う電極片間隔ＷＢ’・ＷＣ’は、基板６１にも重なる。

以上を踏まえると、図９および図１０から以下のようなことがいえる。通常、シャワー型電極体１４における電極片１５同士の電極片間隔Ｗの直下および電極片間隔Ｗの近傍では、他の部分に比べて、プラズマ放電が強い｛なお、このようなプラズマ放電の比較的強い部分、すなわち、比較的強いプラズマ処理の施される空間を、強プラズマ処理空間（第１プラズマ処理空間）と称する。一方、この強プラズマ処理空間以外のプラズマ放電の比較的弱い部分、すなわち、比較的弱いプラズマ処理の施される空間を、弱プラズマ処理空間と称する｝。

そのため、図１０に示すような電極片１５Ｂ’１〜１５Ｂ’３を含む高周波電圧印加電極１１Ｂ’で、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が引き起こされ、さらに、電極片１５Ｃ’１〜１５Ｃ’３を含む高周波電圧印加電極１１Ｃ’で、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が引き起こされると、電極片間隔ＷＢ’・ＷＣ’の直下およびそれら近傍には、合計２Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が起きる。

すると、電極片間隔ＷＢ’・ＷＣ’の直下およびそれらの近傍に位置する被処理物（基板６１およびトレイ６２）に形成されるシリコン窒化膜の堆積量と、電極片間隔ＷＢ’・ＷＣ’の直下およびそれらの近傍から離れたその他の箇所に位置する被処理物に形成されるシリコン窒化膜の堆積量とに、比較的大きな差が生じる（なお、両シリコン窒化膜の量の差を、膜厚換算にして、Δｄの差と称する）。

要は、被処理物に対して、２度のプラズマ処理を施す過程で、比較的強いプラズマ放電の起きる箇所（強プラズマ処理空間）が重なり、その箇所でのシリコン窒化膜の堆積量が、その箇所以外の箇所、すなわち電極片間隔ＷＢ’・ＷＣ’の直下およびそれらの近傍以外の箇所（弱プラズマ処理空間）でのシリコン窒化膜の堆積量に比べておおくなる。

一方、図９に示すような電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３を含む高周波電圧印加電極１１Ｂで、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が引き起こされ、さらに、電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４を含む高周波電圧印加電極１１Ｃで、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が引き起こされると、電極片間隔ＷＢの直下およびその近傍には、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が起き、電極片間隔ＷＣの直下およびその近傍には、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が起きる。

ただし、比較的強いプラズマ放電が起きる電極片間隔ＷＢの直下およびその近傍と、比較的強いプラズマ放電が起きる電極片間隔ＷＣの直下およびその近傍とは、重なることなく散らばる（要は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における少なくとも一部の強プラズマ処理空間と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における少なくとも一部の強プラズマ処理空間とが重ならずにずれる）。したがって、図１０に示す比較例のように、合計２Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電が起きる箇所は存在しない。

したがって、電極片間隔ＷＢの直下およびその近傍に位置する被処理物（トレイ６２）に形成されるシリコン窒化膜の堆積量と、電極片間隔ＷＢの直下およびその近傍から離れたその他の箇所に位置する被処理物に形成されるシリコン窒化膜の堆積量とに、比較的小さな差しか生じない。また、同様に、電極片間隔ＷＣの直下およびその近傍に位置する被処理物（トレイ６２）に形成されるシリコン窒化膜の堆積量と、電極片間隔ＷＣの直下およびその近傍から離れたその他の箇所に位置する被処理物に形成されるシリコン窒化膜の堆積量とにも、比較的小さな差しか生じない。

そして、この堆積量差は、図１０に示す比較例のような合計２Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電ではなく、Ｔ（ｓｅｃ）ほどプラズマ放電に起因するために、比較例で挙げた膜厚換算での差であるΔｄに比べて、約半分のΔｄ／２となる。つまり、比較例のプラズマ処理装置５９と比べて、図９に示すような高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃを含むプラズマ処理装置５９は、基板６１上に、過度にプラズマ処理される箇所を無くし、シリコン窒化膜を均一に堆積させる。そのため、このような均一なシリコン窒化膜を含む太陽電池セルの品質は向上する。

総括すると、プラズマ処理装置５９は、高周波電圧印加電極１１から接地電極２１までの間の電位差で生じるプラズマで材料ガス（混合ガス）を分解することで、基板６１に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理チャンバーＣＢを、少なくとも２つ含む。そして、このプラズマ処理装置５９にて、プラズマ処理が施されるプラズマ処理チャンバーＣＢの内部を、基板６１に対するプラズマ処理の強弱度合いに基づいて、強いプラズマ処理を施す空間を強プラズマ処理空間と、弱いプラズマ処理を施す空間を弱プラズマ処理空間と、に区別する。

ここで、シリコン窒化膜を均一に堆積させるために、プラズマ処理装置５９では、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とでずれる。

なお、図１にて、２つのプラズマ処理チャンバーＣＢ１・ＣＢ２を含むプラズマ処理装置５９が例に挙げられているが、これに限定されるものではない。例えば、３つ以上のプラズマ処理チャンバーＣＢを含むプラズマ処理装置５９であってもかまわない。そして、このような３つ以上のプラズマ処理チャンバーＣＢを含むプラズマ処理装置５９に、上述の第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１および第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２が含まれているとよい。このようになっていると、そのプラズマ処理装置５９は、シリコン窒化膜を均一に堆積させられるためである。

要は、複数のプラズマ処理チャンバーＣＢにおいて、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢ（例えば、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１）での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢ（第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２）での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とでずれていればよい（別表現すると、基板６１に対する強プラズマ処理空間を互いに異にするプラズマ処理チャンバーＣＢが、少なくとも２つ含まれるプラズマ処理装置５９であればよい）。

ところで、高周波電圧印加電極１１Ｂは、材料ガスを通過させるシャワー孔を有する電極片１５（１５Ｂ１〜１５Ｂ３）を複数含み、それら電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３を、電極片間隔ＷＢをあけて並べる（したがって、高周波電圧印加電極１１は、分割型電極といえる）。また、高周波電圧印加電極１１Ｃも、材料ガスを通過させるシャワー孔を有する電極片１５（１５Ｃ１〜１５Ｃ４）を複数含み、それら電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４を、電極片間隔ＷＣをあけて並べる。

すると、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における強プラズマ処理空間は、電極片間隔ＷＢに重なり、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における強プラズマ処理空間は、電極片間隔ＷＣに重なる。

このようになっていると、高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃは、大型の１枚状のシャワー型電極体ではなく、複数枚の電極片１５を含む。そのため、これら高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃは、１枚状のシャワー型電極体を含む高周波電圧印加電極に比べて、取り扱いが簡単になる（小型の電極片１５であれば、簡単に取り外しができる）。したがって、これら高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃを含むプラズマ処理装置５９は、メンテナンスが簡単に行える。

また、プラズマ処理装置５９における高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃは、大型の１枚状のシャワー型電極体ではないが、並列させた電極片１５から成る広面積なシャワー型電極体１４を含む。そのため、このプラズマ処理装置５９は、一度に大量の基板６１に対してプラズマ処理を施せる。したがって、このプラズマ処理装置５９は、メンテナンス性に優れているだけでなく、生産性も優れている。

なお、電極片１５を複数有するシャワー型電極体１４を含む高周波電圧印加電極１１であれば、電極片間隔Ｗの位置が、プラズマ処理チャンバーＣＢ毎に変わることで、強プラズマ処理空間の位置が適宜設定されることにもなる。すなわち、シリコン窒化膜を均一に堆積させられるプラズマ処理装置５９の設計が容易に行える。

ところで、図７と図８とに示すように、矩形状の電極片１５Ｂ１、１５Ｂ２、１５Ｂ３の幅（トレイ６２の進行方向に沿う長さ）である幅ＰＢ１、幅ＰＢ２、幅ＰＢ３、と、矩形状の電極片１５Ｃ１、１５Ｃ２、１５Ｃ３、１５Ｃ４の幅である幅ＰＣ１、幅ＰＣ２、幅ＰＣ３、幅ＰＣ４、とを比較すると、以下のような関係が成立する（なお、各幅ＰＢ・ＰＣに対して直交する奥行き長は、全ての電極片１５で同じである）。
・幅ＰＢ１＝幅ＰＢ３
・幅ＰＢ２＝幅ＰＣ２＝幅ＰＣ３
・幅ＰＣ１＝幅ＰＣ４
・幅ＰＢ１＞幅ＰＢ２
・幅ＰＣ１＞幅ＰＣ２
・幅ＰＢ１＋幅ＰＢ２＋幅ＰＢ３＋電極片幅ＷＢ×２
＝幅ＰＣ１＋幅ＰＣ２＋幅ＰＣ３＋幅ＰＣ４＋電極片幅ＷＣ×３

この関係が成立することから、電極片１５Ｂ１と電極片１５Ｂ３とが同じ矩形状になり、電極片１５Ｂ２と電極片１５Ｃ２と電極片１５Ｃ３とが同じ矩形状になり、電極片１５Ｃ１と電極片１５Ｃ４とが同じ矩形状になる（逆に、電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３における少なくとも一箇所の寸法と、電極片１５Ｂ２・１５Ｃ２・１５Ｃ３における少なくとも一箇所の寸法と、電極片１５Ｃ１・１５Ｃ４における少なくとも一箇所の寸法と、が互いに異なる）。

また、いいかえると、高周波電圧印加電極１１Ｂにおける電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３と、高周波電圧印加電極１１Ｃにおける電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４とでの比較で、互いに同じ形状になる電極片１５（電極片１５Ｂ２と電極片１５Ｃ２・１５Ｃ３）が存在する。一方で、互いで異なる形状になる電極片１５（電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３に対する電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４、電極片１５Ｃ１・１５Ｃ４に対する電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３）も存在する。

これらを踏まえると、高周波電圧印加電極１１Ｂにおける複数の電極片１５Ｂの少なくとも１つ（例えば、電極片１５Ｂ１）の形状と、高周波電圧印加電極１１Ｃにおける複数の電極片１５Ｃの少なくとも１つ（例えば、電極片１５Ｃ１）の形状とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とで異なることで、以下のようになる。

すなわち、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する全部の電極片間隔ＷＢの位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する全部の電極片間隔ＷＣの位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とでずれる。

要は、プラズマ処理チャンバーＣＢの１つである第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢである第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ４との間で、共通しない形状の電極片１５（電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３・１５Ｃ１・１５Ｃ４）が含まれることで、基板６１に対する全部の電極片間隔ＷＢの位置と、基板６１に対する全部の電極片間隔ＷＣの位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とでずれる。

そして、このようになっていると、基板６１に対する第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における強プラズマ処理空間と、基板６１に対する第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における強プラズマ処理空間とがずれ、そのプラズマ処理装置５９は、シリコン窒化膜を均一に堆積させられる。

なお、図９に示すように、基板６１に対する全部の電極片間隔ＷＢの位置と、基板６１に対する全部の電極片間隔ＷＣの位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とでずれていた。しかし、これに限定されるものではない。

すなわち、基板６１に対する一部の電極片間隔ＷＢと一部の電極片間隔ＷＣとが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とで重なっていてもかまわない。なぜなら、電極片間隔ＷＢと電極片間隔ＷＣとが重なっていない箇所が、基板６１を載せたトレイ６２上に１つでも存在すれば、シリコン窒化膜を比較的均一に堆積させられるからである。

したがって、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢ（例えば、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１）での複数の電極片１５のうちの少なくとも１つの形状と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢ（例えば、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２）での複数の電極片１５のうちの少なくとも１つの形状とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとで異なることに起因して、以下のようになっているとよい。

すなわち、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢでの基板６１に対する少なくとも一部の電極片間隔Ｗの位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢでの基板６１に対する少なくとも一部の電極片間隔Ｗの位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとでずれるとよい。

なお、図７と図８とを比較すると、以下のようにも表現できる。すなわち、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５の個数と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５の個数とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとで異なることで、以下のようになっているとよい。

すなわち、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢでの基板６１に対する少なくとも一部の電極片間隔Ｗの位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢでの基板６１に対する少なくとも一部の電極片間隔Ｗの位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとでずれる。

［実施の形態２］
実施の形態２について説明する。なお、実施の形態１で用いた部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付記し、その説明を省略する。なお、この実施の形態２では、電極片１５の位置について説明する。

詳説すると、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢでの基板６１に対する少なくとも一部の電極片間隔Ｗの位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢでの基板６１に対する少なくとも一部の電極片間隔Ｗの位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとでずれる理由について説明する。

より詳説すると、この理由が、複数のプラズマ処理チャンバーＣＢにて、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５のうちの少なくとも一部の位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとで異なることであることを、図１１〜図１５を用いて説明する。

図１１は図３に示される第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１とは異なる第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１を示す断面図であり、図１２は図４に示される第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とは異なる第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２を示す断面図である。

また、図１３は図１１に示される第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１および基板６１を載せたトレイ６２の別例であり、図１４は図１２に示される第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２および基板６１を載せたトレイ６２の別例である。なお、図１５は、図１３と図１４とに示されるシャワー型電極体１４Ｂ・１４Ｃの外形線を重畳させた平面図である（ただし、便宜上、両外形線は重ならないようにする）。

図１１と図１２とに示すように、高周波電圧印加電極１１Ｂは電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３を含み、高周波電圧印加電極１１Ｃは電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ３を含む。さらに、図１３と図１４とに示すように、電極片１５Ｂ１は電極片１５Ｃ３と同形状で、電極片１５Ｂ２は電極片１５Ｃ２と同形状で、電極片１５Ｂ３は電極片１５Ｃ１と同形状である（すなわち、幅ＰＢ１＝幅ＰＣ３、幅ＰＢ２＝幅ＰＣ２、幅ＰＢ３＝幅ＰＣ１）。

そして、高周波電圧印加電極１１Ｂのシャワー型電極体１４Ｂは、トレイ６２の進行方向に沿わせつつトレイ６２の退出側に向かって、３つの電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３をこの順で並べる。一方、高周波電圧印加電極１１Ｃのシャワー型電極体１４Ｃは、トレイ６２の進行方向に沿わせつつトレイ６２の退出側に向かって、３つの電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ３をこの順で並べる。

すると、図１５に示すように、基板６１に対する電極片間隔ＷＢと電極片間隔ＷＣとが重ならない。すなわち、高周波電圧印加電極１１Ｂと高周波電圧印加電極１１Ｃとは、同形状の電極片を有するにもかかわらず、並べる順番を変えるだけで、基板６１に対する電極片間隔ＷＢと電極片間隔ＷＣとを重ねない。

詳説すると、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とで、共通する同形状の電極片１５を、共通電極片１５とすると、プラズマ処理装置５９は、以下のようになる。

すなわち、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１における共通電極１５Ｂ１〜１５Ｂ３の一部である共通電極片１５Ｂ１および共通電極片１５Ｂ３の配列位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における共通電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ３の一部である共通電極片１５Ｃ３（共通電極片１５Ｂ１と同形状の共通電極片１５Ｃ３）および共通電極片１５Ｃ１（共通電極片１５Ｂ３と同形状の共通電極片１５Ｃ１）の配列位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とで異なる。

なお、この配列位置は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１にて、一方向から他方向に向かって共通電極片１５Ｂ１、１５Ｂ２、１５Ｂ３の順で並ぶ配列順が逆になった配列順、すなわち、一方向から他方向に向かって共通電極１５Ｂ３、１５Ｂ２、１５Ｂ１の順で並ぶ高周波電圧印加電極１１が、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における高周波電圧印加電極１１Ｃになるともいえる（要は、高周波電圧印加電極１１Ｃでは、一方向から他方向に向かって、共通電極１５Ｂ３と同形状の共通電極１５Ｃ１、共通電極１５Ｂ２と同形状の共通電極１５Ｃ２、共通電極１５Ｂ１と同形状の共通電極１５Ｃ３の順で並ぶ）。

そして、以上のようなプラズマ処理装置５９であると、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とは、共通する電極片１５を使用できるので、種々のコストを抑えられる。例えば、プラズマ処理装置５９の設計費用の削減、電極片１５の種類数を抑えることによる部品コストの削減、メンテナンスのための予備の電極片１５の数を抑えることによるランニングコストの削減等が達せされる。

なお、図１１〜図１５を用いて説明したプラズマ処理装置５９では、高周波電圧印加電極１１Ｂ・１１Ｃは、ともに３つの共通電極片１５（１５Ｂ１〜１５Ｂ３、１５Ｃ１〜１５Ｃ３）を有しており、そのうちの一部である共通電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３の配列位置と、これら共通電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３に対し同形状の共通電極片１５Ｃ３・１５Ｃ１の配列位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とで異なっていた。しかし、これに限定されるものでない。

例えば、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１に含まれる全ての共通電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３の配列位置と、この共通電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３に対し同形状の全ての電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ３の配列位置とが、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１と第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２とで異なっていてもよい。

以上を踏まえると、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５のうちの少なくとも一部の位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとで異なるとは、以下の通りになることを意味する。

すなわち、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける共通電極片の少なくとも一部である変位共通電極片（例えば、電極片１５Ｂ１・１５Ｂ３）の配列位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーにおける変位共通電極片（例えば、電極片１５Ｃ１・１５Ｃ３）の配列位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとで異なることである。

なお、図１３〜図１５を参照すると、以下のような別表現もできる。まず、電極片１５が複数並ぶことで形成される面を電極片並列面（密集する電極片１５全体としての外周で囲まれる面）とする。さらに、その電極片並列面の面内中心軸ＣＰを定める（なお、この面内中心軸ＣＰは、電極片並列面に対して垂直である；図１３〜図１５参照）。

すると、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２における複数の電極片１５Ｃ１〜１５Ｃ３の位置が、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での電極片並列面の面内中心軸ＣＰを基準に、１８０°回転した複数の電極片１５Ｂ１〜１５Ｂ３の位置と一致する。

そのため、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢにおける複数の電極片１５のうちの少なくとも一部の位置とが、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢと別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢとで異なるとは、以下の通りになることを意味する。

すなわち、１つのプラズマ処理チャンバーＣＢ（例えば、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２）での基板６１に対する複数の電極片１５の位置が、別の少なくとも１つのプラズマ処理チャンバーＣＢ（例えば、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１）での電極片並列面の面内中心軸ＣＰを基準に回転した複数の電極片１５の基板６１に対する位置と、一致することである。

［その他の実施の形態］
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

例えば、図７〜図９および図１３〜図１５に示すように、電極片間隔Ｗが、基板６１に重ならずに、基板６１の外縁よりも外側（すなわち、基板６１同士の間のトレイ６２上）に重なると望ましい。

このようになっていると、電極片間隔Ｗに重なる強プラズマ処理空間が、基板６１に重ならない。そのため、基板６１の一部分に対して過度なプラズマ処理が施されなくなる。その結果、基板６１全体に、シリコン窒化膜が均一に堆積する。

は、プラズマ処理装置を模式的に示した断面図である。 は、図１に示されるプラズマ処理装置に含まれる予備加熱チャンバーの拡大断面図である。 は、図１に示されるプラズマ処理装置に含まれる第１プラズマ処理チャンバーの拡大断面図である。 は、図１に示されるプラズマ処理装置に含まれる第２プラズマ処理チャンバーの拡大断面図である。 は、図１に示されるプラズマ処理装置に含まれるアンロードチャンバーの拡大断面図である。 は、基板を載せたトレイの平面図である。 は、基板を載せたトレイを示すとともに、そのトレイに重なる高周波電圧印加電極のシャワー型電極体の外形を破線で示す平面図である。 は、基板を載せたトレイを示すとともに、そのトレイに重なる高周波電圧印加電極のシャワー型電極体の外形を一点鎖線で示す平面図である。 は、図７に示されるシャワー型電極体と図８に示されるシャワー型電極体とを重畳させた平面図である。 は、図９に対する比較例を示す平面図である。 は、図３に示される第１プラズマ処理チャンバーとは異なる第１プラズマ処理チャンバーを示す断面図である。 は、図４に示される第２プラズマ処理チャンバーとは異なる第２プラズマ処理チャンバーを示す断面図である。 は、図１１に示される第１プラズマ処理チャンバーおよび基板を載せたトレイの別例図である。 は、図１２に示される第２プラズマ処理チャンバーおよび基板を載せたトレイの別例図である。 は、図１３に示されるシャワー型電極体と図１４に示されるシャワー型電極体とを重畳させた平面図である。 は、従来のプラズマ処理装置を模式的に示した断面図である。 は、図１６に示されるプラズマ処理装置に含まれる第１プラズマ処理チャンバーの拡大断面図である。 は、図１６に示されるプラズマ処理装置に含まれる第２プラズマ処理チャンバーの拡大断面図である。

符号の説明

ＣＢ チャンバー
ＣＢ０ 予備加熱チャンバー
ＣＢ１ 第１プラズマ処理チャンバー
ＣＢ２ 第２プラズマ処理チャンバー
ＣＢ３ アンロードチャンバー
ＶＡ（ＶＡ０〜ＶＡ４） 弁
１０（１０Ｂ・１０Ｃ） 高周波電源
１１（１１Ｂ・１１Ｃ） 高周波電圧印加電極（第１電極）
１２（１２Ｂ・１２Ｃ） 外殻電極体
１３（１３Ｂ・１３Ｃ） 区分け導電体
１４（１４Ｂ・１４Ｃ） シャワー型電極体
１５ 電極片
１５Ｂ１〜１５Ｂ３ 第１プラズマ処理チャンバーに含まれる電極片
１５Ｃ１〜１５Ｃ４ 第２プラズマ処理チャンバーに含まれる電極片
Ｗ（ＷＢ・ＷＣ） 電極片間隔
ＳＰ 囲み空間
ＣＰ 面内中心軸
２１（２１Ｂ・２１Ｃ） 接地電極（第２電極）
３１（３１Ａ〜３１Ｄ） ハウジング
３２（３２Ａ〜３２Ｄ） 排気ポンプ
３３（３３Ａ〜３３Ｄ） 圧力計
３４ ランプヒータ
４１（４１Ａ・４１Ｄ） チッ素供給ユニット
４５（４５Ｂ・４５Ｃ） 混合ガス供給ユニット
５９ プラズマ処理装置
６１ 基板（被処理物）
６２ トレイ

Claims (14)

1. 第１電極から第２電極までの間の電位差で生じる電界で材料ガスを分解し、被処理物に対してプラズマ処理を施すチャンバーを、少なくとも２つ含むプラズマ処理装置にあって、
   上記チャンバー内部にて、上記第１電極に含まれる複数の電極片同士の電極片間隔に重なる空間を第１プラズマ処理空間とすると、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部上記第１プラズマ処理空間の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずれるプラズマ処理装置。
2. １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも１つの形状と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも１つの形状とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異なることで、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずれる請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片の個数と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片の個数とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異なることで、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずれる請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異なることで、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずれる請求項１に記載のプラズマ処理装置。
5. １つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで、共通する同形状の電極片を、共通電極片とすると、
   １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異なるとは、
   １つの上記チャンバーにおける複数の上記共通電極片の少なくとも一部である変位共通電極片の配列位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける上記変位共通電極片の配列位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異なることである請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 上記電極片が複数並ぶことで形成される面を電極片並列面とすると、
   １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置とが、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異なるとは、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する複数の上記電極片の位置が、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記電極片並列面の面内中心軸を基準に回転した複数の上記電極片の上記被処理物に対する位置に、一致することである請求項４に記載のプラズマ処理装置。
7. 上記第１プラズマ処理空間が、上記被処理物に重ならずに、上記被処理物の外縁よりも外側に重なる請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
8. 第１電極から第２電極までの間の電位差で生じる電界で材料ガスを分解し、被処理物に対してプラズマ処理を施すチャンバーを、少なくとも２つ含むプラズマ処理装置でのプラズマ処理方法にあって、
   上記チャンバー内部にて、上記第１電極に含まれる複数の電極片同士の電極片間隔に重なる空間を第１プラズマ処理空間とすると、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずらすプラズマ処理方法。
9. １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも１つの形状と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも１つの形状とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異ならせることで、
   １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずらす請求項８に記載のプラズマ処理方法。
10. １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片の個数と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片の個数とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異ならせることで、
    １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずらす請求項８に記載のプラズマ処理方法。
11. １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異ならせることで、
    １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する少なくとも一部の上記第１プラズマ処理空間の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとでずらす請求項８に記載のプラズマ処理方法。
12. １つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで、共通する同形状の電極片を、共通電極片とすると、
    １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異ならせるとは、
    １つの上記チャンバーにおける複数の上記共通電極片の少なくとも一部である変位共通電極片の配列位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける上記変位共通電極片の配列位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異ならせることである請求項１１に記載のプラズマ処理方法。
13. 上記電極片が複数並ぶことで形成される面を電極片並列面とすると、
    １つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置と、別の少なくとも１つの上記チャンバーにおける複数の上記電極片のうちの少なくとも一部の位置とを、１つの上記チャンバーと別の少なくとも１つの上記チャンバーとで異ならせるとは、
    １つの上記チャンバーでの上記被処理物に対する複数の上記電極片の位置を、別の少なくとも１つの上記チャンバーでの上記電極片並列面の面内中心軸を基準に回転した複数の上記電極片の上記被処理物に対する位置に、一致させることである請求項１１に記載のプラズマ処理方法。
14. 上記第１プラズマ処理空間を、上記被処理物に重ねずに、上記被処理物の外縁よりも外側に重ねる請求項８〜１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。

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