KR101278702B1 - 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법 - Google Patents

플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 공정 챔버의 입구 측으로 진입한 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 1플라즈마 이온 소스부; 상기 공정 챔버의 하부에 위치하며, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부에서 처리된 기판을 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이송시키는 이송부; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 이송부에 의하여 상기 제 1플라즈마 이온 소스부로부터 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이동하는 상기 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 2플라즈마 이온 소스부; 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치되며, 하단이 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 상기 기판이 이동 가능한 정도로 이격된 격벽을 구비하는 것으로, 본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법은 완전방전전류가 이온 소스의 내부에서 외부로 분사되는 형태로 선형 플라즈마를 형성하므로 고밀도의 플라즈마를 형성하여 인라인 방식으로 기판에 대한 처리가 가능하고, 선형 방향으로 플라즈마의 길이를 확장시켜 대면적의 기판에 대한 처리가 가능하며, 저압에서 공정 진행이 가능하여 오염물에 대한 대응에 유리함으로써 고속으로 다량의 기판에 대한 처리 및 화학기상증착에 의한 박막 증착이 가능한 효과가 있다.

Description

플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법{APPARATUS FOR SUBSTRATE USING PLASMA ION AND METHOD OF LAYER DEPOSITION USING PLASM ION}
본 발명은 기판처리장치 및 막 증착방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 선형 플라즈마 이온을 이용하여 기판을 처리하는 기판처리장치 및 막 증착방법에 관한 것이다.
플라즈마 및 이온 소스는 반도체 웨이퍼, 디스플레이용 유리기판, 솔라셀 제조용 기판을 처리하는 공정에 사용된다. 그리고 이러한 플라즈마 및 이온 소스를 이용한 단위 공정으로는 플라즈마 보강 화학기상증착(PECVD), 반응성 이온 에칭, 플라즈마 표면 개질 및 세정 그리고 스퍼터링과 같은 공정이 있다.
그리고 플라즈마 및 이온 소스의 종류로는 중공 캐소드 플라즈마 소스, 그리드 이온 소스(gridded ion source), 엔드 홀 이온 소스(end hall ion source), 클로즈드 드리프트 타입의 이온 소스(closed drift type ion source), 임피디드 애노드 타입(impeded anode type) 등이 있다.
그런데, 종래의 플라즈마 및 이온 소스는 대부분 점 전자 소스(point electron source)를 이용하기 때문에 선형으로 확장시키는 것이 곤란하다. 따라서 대부분 고정된 스테이지 상에서 기판을 처리해야 하므로 기판 처리 효율이 높지 않다.
기판 처리 효율을 높이기 위해서는 기판의 이송 중에 기판에 대한 플라즈마 처리가 이루어지는 것이 적절하다. 하지만 점 전자 소스는 플라즈마를 선형으로 확장시키기 어렵기 때문에 기판의 이송 중에 플라즈마 처리를 수행하는 것이 곤란하다.
반면에 애노드 레이어 타입의 이온 소스의 경우는 균일한 이온을 긴 소스 길이에 걸쳐 방사할 수 있다. 하지만 애노드 레이어 타입의 이온 소스는 이온의 전류 밀도가 낮아 사용하기에 제약이 따른다.
본 발명은 플라즈마 이온 소스를 이용하여 인라인 방식으로 기판에 대한 처리를 수행할 수 있도록 하는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 막 증착방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 공정 챔버의 입구 측으로 진입한 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 1플라즈마 이온 소스부; 상기 공정 챔버의 하부에 위치하며, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부에서 처리된 기판을 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이송시키는 이송부; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 이송부에 의하여 상기 제 1플라즈마 이온 소스부로부터 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이동하는 상기 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 2플라즈마 이온 소스부; 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치되며, 하단이 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 상기 기판이 이동 가능한 정도로 이격된 격벽을 구비한다.
상기 제 1플라즈마 이온 소스부는 서로 이격된 제 1이온 소스와 제 2이온 소스를 구비하고, 상기 제 1이온 소스와 상기 제 2이온 소스 사이에는 전구체를 상기 기판 측으로 분사하는 제 1가스 공급부가 구비될 수 있다.
상기 제 1이온 소스와 상기 제 2이온 소스는 상기 제 1가스 공급부를 향하여 경사지게 설치될 수 있다.
상기 제 2플라즈마 이온 소스부는 서로 이격된 제 3이온 소스와 제 4이온 소스를 구비하고, 상기 제 3이온 소스와 상기 제 4이온 소스 사이에는 전구체를 상기 기판 측으로 분사하는 제 2가스 공급부가 구비될 수 있다.
상기 제 3이온 소스와 상기 제 4이온 소스는 상기 제 2가스 공급부를 향하여 경사지게 설치될 수 있다.
상기 공정 챔버의 입구 측에는 버퍼 챔버가 구비되고, 상기 버퍼 챔버에는 상기 기판을 가열하는 히터가 구비될 수 있다.
상기 기판은 트레이에 안착되어 상기 공정 챔버로 진입하고, 상기 이송부는 상기 트레이를 이동시켜 상기 기판이 상기 입구 측에서 상기 출구측으로 이동하도록 할 수 있다.
상기 공정 챔버 내부는 1 ~ 50mTorr로 진공 펌핑될 수 있다.
상기 공정 챔버 상부에는 진공 펌프(360)가 설치되고, 상기 진공 펌프(360)는 상기 공정 챔버 상부로 진공 펌핑력이 발생하도록 할 수 있다.
상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부는 상기 기판에 대하여 선형의 플라즈마로 박막을 증착할 수 있다.
상기 제 1플라즈마 이온 소스부는 상기 기판에 선형의 플라즈마로 박막을 증착하고, 상기 제 2플라즈마 이온 소스부는 상기 기판의 상기 박막 상에 박막을 선형의 플라즈마로 추가로 증착할 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법은 공정 챔버 내부에 제 1플라즈마 이온 소스부, 제 2플라즈마 이온 소스부, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치된 격벽을 구비하는 기판처리장치를 이용하고, 공정 챔버 내부에서 기판이 이동하는 동안 상기 기판 상에 제 1플라즈마 이온 소스부를 이용하여 선형 플라즈마로 막을 증착하고, 상기 기판을 계속해서 이동시켜 격벽을 통과시키고, 상기 격벽을 통과한 기판이 이동하는 동안 상기 기판 상에 제 2플라즈마 이온 소스부를 이용하여 선형 플라즈마로 막을 증착한다.
상기 제 1플라즈마 이온 소스부로 전달되는 기판은 가열되어 전달될 수 있다.
상기 공정 챔버 내부는 1 ~ 50mTorr로 진공 펌핑될 수 있다.
상기 공정 챔버 상부로 진공 펌핑력이 발생하도록 할 수 있다.
상기 제 1플라즈마 이온 소스부에 의하여 상기 기판에 증착된 상기 막 상부에 상기 제 2플라즈마 이온 소스부에 의하여 증착되는 상기 막이 증착될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 막 증착방법은 완전 방전 전류가 이온 소스의 내부에서 외부로 분사되는 형태로 선형 플라즈마를 형성하므로 고밀도의 플라즈마를 형성하여 인라인 방식으로 기판에 대한 처리가 가능하고, 선형 방향으로 플라즈마의 길이를 확장시켜 대면적의 기판에 대한 처리가 가능하며, 저압에서 공정 진행이 가능하여 오염물에 대한 대응에 유리함으로써 고속으로 다량의 기판에 대한 처리 및 막 증착이 가능한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ - Ⅰ 선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ - Ⅱ 선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치에 설치된 격벽의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 개시되는 실시예에서는 플라즈마 이온을 이용한 기판 처리장치를 실시예로 하여 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 인라인 방식으로 기판을 이동시키며, 선형 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다.
또한 본 실시예에서 기판의 처리 방법은 부분적으로 화학기상증착 공정을 수행하는 것을 실시예로 하지만 그 외의 다른 기판처리공정에서 플라즈마 이온을 이용하는 실시예에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치를 도시한 사시도이다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 다수의 챔버들이 연속적으로 배열되고, 기판(10)은 이들 챔버들 사이를 인라인(In-line) 방식으로 이동한다. 그리고 챔버들 사이로 기판(10)이 이동하는 동안 기판(10)에 대한 처리가 이루어진다.
그리고 다량의 기판(10)을 동시에 로딩 및 언로딩 하기 위하여 다수개의 기판(10)은 하나의 트레이(20)에 적재되어 이송된다. 기판(10)은 예를 들어 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그리고 기판(10)에 대한 처리는 옥사이드막의 증착, 나이트라이드막의 증착, 마이크로 미정질 실리콘(uC-Si:H) 및 비결정질(a-Si:H) 실리콘 박막을 증착하는 플라즈마 보강 화학기상증착(PECVD; Plasma Enhanced CVD) 공정일 수 있지만, 옥사이드막의 증착, 나이트라이드막의 증착, 마이크로 미정질 실리콘, 비결정질 실리콘 또는 화학기상증착에만 한정되지는 않는다. 그리고 트레이(20)에는 기판(10)이 삽입되는 포켓이 형성될 수 있지만, 포켓 없이 기판(10)이 지지되도록 할 수 있다.
한편, 기판(10)이 안착된 트레이(20)의 이송을 위하여 로딩부(100)가 구비된다. 그리고 로딩부(100)에는 제 1버퍼 챔버(200)가 연결된다. 필요한 경우 로딩부(100)로는 공정이 완료된 기판(10)이 언로딩 될 수 있다. 따라서 로딩부(100)는 언로딩부(500)로 기능을 할 수 도 있다.
그리고 로딩부(110)에서 언로딩부(500)까지 연장된 스테이지(700)가 구비된다. 이 스테이지(700) 상부에는 로딩부(110)와 언로딩부(500) 그리고 제 1버퍼 챔버(200), 공정 챔버(300) 그리고 제 2버퍼 챔버(400)가 위치한다.
로딩부(100)에 연결된 제 1버퍼 챔버(200)는 로딩부(100)로부터 전달된 기판(10)을 히팅하는 기능을 수행한다. 따라서 제 1버퍼 챔버(200)에는 히터(210)가 설치될 수 있다. 제 1버퍼 챔버(200)는 복수개로 구비될 수 있다. 제 1버퍼 챔버(200)에서 기판(10)을 소정 온도 이상으로 가열하게 되면 기판(10)에 대한 증착이 보다 신속하고 효율적으로 이루어진다.
그리고 제 1버퍼 챔버(200)에는 트레이(20)의 이동방향으로 공정 챔버(300)가 연결된다. 공정 챔버(300)는 플라즈마 이온을 발생시켜 기판(10)에 대한 처리를 수행한다. 공정 챔버(300)는 제 1버퍼 챔버(200)보다 길이가 더 길게 구성될 수 있다.
공정 챔버(300)의 상부 외측에는 복수개의 진공 펌프(360)가 설치되고, 또한 복수개의 플라즈마 이온 소스부(320)(340)가 공정 챔버(300) 내부 상측에 설치된다. 본 실시예에서 플라즈마 이온 소스부(320)(340)는 선형 플라즈마 이온을 발생시킨다.
공정 챔버(300)에서 기판(10)이 반출되는 위치에는 제 2버퍼 챔버(400)가 연결된다. 제 2버퍼 챔버(400)는 공정 수행 후 반출되는 기판(10)에 대한 냉각을 수행할 수 있다. 냉각을 위하여 별도의 냉각장치가 구비될 수 있고, 또는 트레이(20)의 이동 중 자연 냉각이 이루어지도록 할 수 있다. 그리고 이 제 2버퍼 챔버(400)는 복수개로 구비될 수 있다. 제 2버퍼 챔버(400) 다음에는 언로딩부(500)가 구비된다. 하지만 언로딩부(500)는 별도로 구비되지 않고, 제 2버퍼 챔버(400)에서 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 전달받은 후 다른 경로를 통하여 트레이(20)를 로딩부(100)로 복귀 시키도록 구성할 수 있다.
그리고 로딩부(100)에서 언로딩부(500) 까지 기판(10)이 안착된 트레이(20)를 이동시키기 위한 이송부(420)가 챔버들의 하부에 설치된다. 이송부(420)는 컨베이어 방식으로 기판(10)을 이동시킬 수 있고, 그 외에 다른 방법으로 실시될 수 있다.
이송부(420)를 컨베이어 방식으로 실시하는 경우 이송부(420)는 스테이지(700)에 설치되며, 트레이(20)의 하부를 지지하는 벨트(421)와 이 벨트(421)를 지지하는 롤러(422) 그리고 롤러(422)를 회전시키는 모터(423)를 구비할 수 있다. 다른 실시예로 이송부(420)는 레일과 롤러(422)를 이용하여 트레이(20)를 이동시키도록 할 수 있고, 또 다른 실시예로는 레크와 패니언 기어를 이용하여 트레이(20)를 이동시키도록 할 수 있다.
한편, 이하에서는 플라즈마 이온 소스가 설치된 공정 챔버(300)에 대한 구성을 보다 구체적으로 설명한다. 도 2는 도 1의 Ⅰ - Ⅰ 선에 따른 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅱ - Ⅱ 선에 따른 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 공정 챔버(300)의 내부에는 공정 챔버(300)의 내부 중 입구(310) 측으로 진입한 기판(10)에 대하여 처리를 수행하는 제 1플라즈마 이온 소스부(320)가 구비되고, 공정 챔버(300)의 내부 중 출구(350) 측에는 이송부(420)에 의하여 제 1플라즈마 이온 소스부(320)로부터 전달된 기판(10)에 대하여 처리를 수행하는 제 2플라즈마 이온 소스부(340)가 구비된다.
그리고 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 제 2플라즈마 이온 소스부(340) 사이에는 하단이 트레이(20)의 표면 측으로 근접하도록 설치되어 기판(10)이 안착된 트레이(20)가 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 제 2플라즈마 이온 소스부(340) 사이를 이동할 수 있을 정도의 폭만큼 바닥과 이격된 격벽(330)이 설치된다.
이 격벽(330)은 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 제 2플라즈마 이온 소스부(340)에서 각각 발생한 파티클 또는 오염원이 서로 간에 전달되지 않도록 차단하는 기능을 수행한다.
그리고 제 1플라즈마 이온 소스부(320)는 서로 이격된 제 1이온 소스(321)와 제 2이온 소스(322)를 구비하고, 제 1이온 소스(321)와 제 2이온 소스(322) 사이에는 전구체를 기판(10) 측으로 분사하는 제 1가스 공급부(323)가 구비된다. 또한 제 1이온 소스(321)와 제 2이온 소스(322)는 제 1가스 공급부(323)를 향하여 서로 마주보는 방향으로 각각이 경사지게 설치되어 선형의 플라즈마 이온이 기판(10) 표면에서 고밀도로 형성되도록 함으로써 보다 효율적인 기판(10) 처리가 이루어지도록 한다.
또한 제 2플라즈마 이온 소스부(340)는 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 동일한 구성으로 구성된다. 즉 제 2플라즈마 이온 소스부(340)도 서로 이격된 제 3이온 소스(341)와 제 4이온 소스(342)를 구비하고, 제 3이온 소스(341)와 제 4이온 소스(342) 사이에는 전구체를 기판(10)측으로 분사하는 제 2가스 공급부(343)가 구비된다. 또한 제 3이온 소스(341)와 상기 제 4이온 소스(342)는 상기 제 2가스 공급부(343)를 향하여 서로 마주 보는 방향으로 각각이 경사지게 설치된다.
한편, 제 1, 2, 3 그리고 제 4이온 소스(321)(322)(341)(342)는 동일한 구성으로 구비된다. 이 이온 소스(321)(322)(341)(342)는 선형의 플라즈마를 형성하기 위하여 비대칭 마그네트론 소스 또는 중공 캐소드 소스 등으로 실시될 수 있다.
즉 예를 들어 이온 소스는 AC 전원에 연결된 적어도 하나 이상의 전극, 마그네트론과 서로 대면한 복수의 자석으로 구성될 수 있고, 복수의 자석은 방전 공동 내에서 널 자기장 포인트(null magnetic field point)를 생성하고, AC 전원에 연결되는 각각의 플라즈마 이온 소스의 전극은 반사이클 동안 번갈아 가면서 애노드 전극이나 캐소드 전극으로서 기능을 하여 전구체 가스를 이온화 함으로써 기판(10) 표면에서 선형 플라즈마가 발생 되도록 한다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법에 대한 실시예를 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5에 도시된 바와 같이 기판(10)의 처리를 위하여 다수개의 기판(10)이 안착된 트레이(20)가 로딩부(100)에 안착된다. 로딩부(100)에 트레이(20)가 안착되면 제 1버퍼 챔버(200)는 게이트(220)를 열고, 이송부(420)는 트레이(20)를 제 1버퍼 챔버(200) 내부로 진입시킨다. 그리고 트레이(20)가 제 1버퍼 챔버(200)로 내부로 진입하면 다음 트레이(20)가 다시 로딩부(100)에 안착된다.
이에 따라 이송부(420)는 두 번째 트레이(20)를 제 1버퍼 챔버(200) 내부로 진입시킨다. 그리고 계속해서 다음 트레이(20)를 로딩부(100)를 통하여 제 1버퍼 챔버(200) 내부로 진입시킨다. 이와 같이 적어도 2개 이상의 트레이(20)가 제 1버퍼 챔버(200) 내부로 진입하면 제 1버퍼 챔버(200)는 게이트(220)를 닫는다.
한편, 제 1버퍼 챔버(200)는 제 1버퍼 챔버(200) 내부로 진입한 트레이(20)들에 안착된 기판(10)을 가열한다. 따라서 기판(10)은 제 1버퍼 챔버(200)에서 가열된 후 공정 챔버(300)로 진입한다. 공정 챔버(300)로 기판(10)이 트레이(20)에 안착되어 진입할 때 공정 챔버(300) 또는 제 1버퍼 챔버(200)와 공정 챔버(300) 내부는 진공 펌프(360)에 의하여 펌핑된다. 이때 공정 챔버(300) 또는 제 1버퍼 챔버(200)와 공정 챔버(300) 내부의 진공 압력은 1 ~ 50mTorr 일 수 있다.
그리고 공정 챔버(300) 내부로 기판(10)이 트레이(20)와 함께 진입하면 제 1플라즈마 이온 소스부(320)의 제 1가스 공급부(323)에서 전구체를 기판(10) 상으로 분사하고, 이와 함께 제 1이온 소스(321)와 제 2이온 소스(322)에는 교류가 인가됨으로써 자기 미러장(magnetic mirror field)으로 플라즈마를 하향(downstream) 발생시킨다. 이에 따라 선형 플라즈마가 기판(10) 상에 발생하도록 함으로써 막이 기판(10) 상에 1차 증착되도록 한다(S100).
계속해서 이송부(420)에 의하여 트레이(20)가 이동하면 트레이(20)는 격벽(330)을 지난 후 제 2플라즈마 이온 소스부(340)의 하측으로 진입한다. 그리고 제 2플라즈마 이온 소스부(340)는 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 동일한 방법으로 플라즈마를 발생시켜 이미 막이 증착된 기판(10) 상에 2차적으로 막이 증착되도록 한다(S110)(S120).
한편, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치에 설치된 격벽의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 제 2플라즈마 이온 소스부(340)에서 막을 증착할 때 오염원이 발생할 수 있다. 그러나 이러한 오염원은 격벽(330)에 의하여 차단됨으로써 제 1플라즈마 이온 소스부(320)와 제 2플라즈마 이온 소스부(340)에서 발생한 오염원이 상대측으로 전달되는 것이 차단된다.
더욱이 본 발명의 실시예에서 진공 펌프(360)는 공정 챔버(300)의 상부에 위치하여 진공 펌핑이 공정 챔버(300)의 상측으로 이루어지도록 구성되어 있기 때문에 격벽(330)과 공정 챔버(300) 바닥 사이의 이격 공간으로 오염원이 서로 간에 이동하는 것을 효과적으로 차단하여 고품질의 증착 효과를 얻을 수 있도록 한다.
이상과 같은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법은 인라인 방식으로 기판에 대한 막 증착과 같은 처리가 이루어지도록 할 수 있으며, 막 증착시에는 막의 상하 방향으로의 두께를 2개의 플라즈마 이온 소스부를 이용하여 분할하여 증착할 수 있다.
따라서 상대적으로 두꺼운 후막을 기판의 이송 속도를 조절함으로서 형성할 수 있고, 또는 상대적으로 얇은 박막은 하나의 플라즈마 이온 소스부를 이용하여 형성할 수 있기 때문에 기능의 가변성이 매우 우수하다. 더욱이 이러한 공정들이 인라인 방식은 연속적으로 이루어지기 때문에 기판 처리 생산성이 매우 우수한 이점도 있다.
이상의 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
100...로딩부
200...제 1버퍼 챔버
300...공정 챔버
400...제 2버퍼 챔버
500...언로딩부
600...이송부
700...스테이지

Claims (16)

  1. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 내부 중 상기 공정 챔버의 입구측에 인접한 위치에 구비되며, 상기 공정 챔버의 상기 입구 측으로 부터 진입하여 이동 중인 기판에 대하여 선형 플라즈마로 막을 형성하는 제 1플라즈마 이온 소스부;
    상기 공정 챔버의 하부에 위치하며, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부에서 처리된 기판을 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이송시키는 이송부;
    상기 공정 챔버의 내부 중 상기 공정 챔버의 출구측에 인접한 위치에 구비되며, 상기 이송부에 의하여 상기 제 1플라즈마 이온 소스부로부터 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이동 중인 상기 기판에 대하여 선형 플라즈마로 막을 형성하는 제 2플라즈마 이온 소스부;
    상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치되며, 하단이 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 상기 기판이 이동 가능한 정도로 고정된 이격 공간을 형성하는 격벽을 구비하는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부는 서로 이격된 제 1이온 소스와 제 2이온 소스를 구비하고, 상기 제 1이온 소스와 상기 제 2이온 소스 사이에는 전구체를 상기 기판 측으로 분사하는 제 1가스 공급부가 구비되는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 1이온 소스와 상기 제 2이온 소스는 상기 제 1가스 공급부를 향하여 경사지게 설치된 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 2플라즈마 이온 소스부는 서로 이격된 제 3이온 소스와 제 4이온 소스를 구비하고, 상기 제 3이온 소스와 상기 제 4이온 소스 사이에는 전구체를 상기 기판 측으로 분사하는 제 2가스 공급부가 구비되는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 제 3이온 소스와 상기 제 4이온 소스는 상기 제 2가스 공급부를 향하여 경사지게 설치된 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 공정 챔버의 입구 측에는 버퍼 챔버가 구비되고, 상기 버퍼 챔버에는 상기 기판을 가열하는 히터가 구비되는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 트레이에 안착되어 상기 공정 챔버로 진입하고, 상기 이송부는 상기 트레이를 이동시켜 상기 기판이 상기 입구 측에서 상기 출구측으로 이동하도록 하는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 공정 챔버 내부는 1 ~ 50mTorr로 진공 펌핑되는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 공정 챔버 상부에는 진공 펌프가 설치되고, 상기 진공 펌프는 상기 공정 챔버 상부로 진공 펌핑력이 발생하도록 하는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부는 상기 기판에 대하여 선형의 플라즈마로 박막을 증착하는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부는 상기 기판에 선형의 플라즈마로 박막을 증착하고, 상기 제 2플라즈마 이온 소스부는 상기 기판의 상기 박막 상에 박막을 선형의 플라즈마로 추가로 증착하는 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치.
  12. 공정 챔버 내부의 입구 측에 인접한 위치에 설치되는 제 1플라즈마 이온 소스부, 상기 공정 챔버 내부의 출구 측에 인접한 위치에 설치되는 제 2플라즈마 이온 소스부, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치되며 고정된 이격 공간을 형성하는 격벽을 구비하는 기판처리장치를 이용한 박막증착방법에 있어서,
    공정 챔버 내부에서 기판이 이동하는 동안 상기 기판 상에 제 1플라즈마 이온 소스부를 이용하여 선형 플라즈마로 막을 증착하고,
    상기 기판을 계속해서 이동시켜 격벽을 통과시키고,
    상기 격벽을 통과한 기판이 이동하는 동안 상기 기판 상에 제 2플라즈마 이온 소스부를 이용하여 선형 플라즈마로 막을 증착하는 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부로 전달되는 기판은 가열되어 전달되는 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 공정 챔버 내부는 1 ~ 50mTorr로 진공 펌핑되는 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 공정 챔버 상부로 진공 펌핑력이 발생하도록 하는 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부에 의하여 상기 기판에 증착된 상기 막 상부에 상기 제 2플라즈마 이온 소스부에 의하여 상기 막이 증착되는 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법.
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