KR101491762B1 - 박막 증착 장치 및 방법 - Google Patents

박막 증착 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101491762B1
KR101491762B1 KR20140089854A KR20140089854A KR101491762B1 KR 101491762 B1 KR101491762 B1 KR 101491762B1 KR 20140089854 A KR20140089854 A KR 20140089854A KR 20140089854 A KR20140089854 A KR 20140089854A KR 101491762 B1 KR101491762 B1 KR 101491762B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
thin film
module
plasma module
substrate
Prior art date
Application number
KR20140089854A
Other languages
English (en)
Inventor
서상준
박화선
정호균
조성민
유지범
Original Assignee
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 성균관대학교산학협력단 filed Critical 성균관대학교산학협력단
Priority to KR20140089854A priority Critical patent/KR101491762B1/ko
Priority to PCT/KR2014/007152 priority patent/WO2016010185A1/ko
Priority to CN201480023046.3A priority patent/CN105473761B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101491762B1 publication Critical patent/KR101491762B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 기재가 로딩되는 기재 로딩부, 기재 로딩부에 결합되어 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함한다. 이때, 박막 증착부는 복수의 플라즈마 모듈을 포함하고, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 배치되어 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하며, 기재 수송부가 기재 로딩부를 교번 이동하여 기재상에 박막이 증착된다.

Description

박막 증착 장치 및 방법{DEPOSITION SYSTEM FOR THIN FILM AND DEPOSITION METHOD THEREOF}
본 발명은 박막 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
화합물 박막은 반도체 소자 및 집적회로, 화합물 반도체, 태양전지, 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD) 및 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 등의 게이트유전막(gate dielectrics) 또는 금속간의 분리막, 그리고 다양한 passivation 및 주변으로부터의 화학반응을 보호하는 보호막으로 다양하게 사용된다. 따라서 반도체 집적 소자의 크기가 점점 작아지고 형상이 복잡해짐에 따라 높은 단차 구조를 가지는 균일하고 얇은 두께의 박막을 도포할 수 있는 기술이 중요하게 대두되고 있다. 따라 박막의 특성을 개선하는 원자층박막증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 이 최근 다양한 분야에 널리 사용되고 있다.
원자층박막증착방법(Atomic Layer Deposition, ALD)은 화학기상증착 반응을 이용하되, 전구체(Precursor)와 반응체(Reactant)를 시분할로 주입함으로써 기상반응을 억제하고, 기판의 표면에서 이루어지는 자기제어 반응(Self-limited reaction)을 이용하여 박막의 두께를 정확히 조절하여 증착하는 공정 기술이다. 원자층박막증착법은 원자 단위의 두께 조절과 함께 자기제어 반응의 특성이 가지는 뛰어난 단차도포성(Step coverage)과 두께 균일성(Thickness uniformity)을 가지게 한다. 따라서, 구조의 단차가 큰 캐패시터 뿐 아니라 표면적이 넓고 구조가 복잡한 섬유의 내부 공간이나 미립자 구조의 표면 등에도 균일하게 박막을 형성할 수 있다. 또한, 기상반응(gas-phase reaction)을 최소화하기 때문에 핀홀밀도가 매우 낮고, 박막 밀도가 높으며 증착 온도를 낮출 수 있는 특징을 갖는다.
그러나 원자층박막증착법은 적절한 전구체와 반응체의 선택이 어렵고, 한 싸이클(cycle) 당 증착되는 박막의 두께가 원자층 혹은 그 이하로 증착되기 때문에 증착속도가 매우 느리며, 잉여 탄소 및 수소에 의하여 박막의 특성이 크게 저하되는 문제점을 동시에 안고 있다.
이에 반하여, 열화학기상증착(Thermal Chemical Vapor Deposition, TCVD) 및 플라즈마화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 이용한 실리콘화합물 박막의 증착은 원자층박막증착법에 비해 박막증착속도가 매우 빠르다. 그러나 박막에 핀홀이 많고 부산물(by-products) 및 입자(particle) 생성 등의 문제가 발생할 수 있어서 주로 고온에서 박막생성을 진행하기 때문에 플라스틱 필름 같은 기재에는 적용하기 어려운 단점이 있다.
이와 관련하여 대한민국 등록특허 제10-1200372호(발명의 명칭: 박막 제조 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법)은 반응 챔버와, 반응 챔버에 배치되고 웨이퍼가 안착되는 기판 지지부와, 소스가스, 퍼지가스 및 플라즈마에 의해서 활성화된 반응가스를 분사하는 가스 분사 수단과, 가스 분사 수단으로 소스 가스, 퍼지가스 및 반응 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 플라즈마용 전원 공급부를 포함한 박막 제조 장치와 이를 이용한 박막 증착 방법을 개시하고 있다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 및 디스플레이이에 사용되는 박막을 저온에서 형성할 수 있는 박막 증착 장치 및 방법을 제공한다.
다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상술한 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 측면에 따른 박막 증착 장치는 기재가 로딩되는 기재 로딩부, 기재 로딩부에 결합되어 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함한다. 이때, 박막 증착부는 복수의 플라즈마 모듈을 포함하고, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 배치되어 상승 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하며, 기재 수송부가 기재 로딩부를 교번 이동하여 기재상에 박막이 증착된다.
본 발명의 다른 측면에 따른 박막 증착 방법은 소스 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈이 교차되어 배열된 박막 증착부를 포함하는 박막 증착 장치에 기재를 배치하는 단계; 기재를 서로 인접한 제 1 플라즈마 모듈 및 제 2 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마를 이용하여 제 1 박막을 형성하는 단계 및 기재를 서로 인접한 제 2 플라즈마 모듈 및 제 3 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마를 이용하여 제 2 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 제 1 박막을 형성하는 단계는 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고, 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고, 제 2 박막을 형성하는 단계는 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고, 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시켜 박막을 증착한다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 화학기상 박막증착법 (chemical vapor deposition: CVD)을 이용한 박막 증착 방법에 있어서, 기재상에 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 분리하여 주입하고, 스캔방식을 이용함으로써, 박막특성이 개선됨과 동시에 박막 증착 공정 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 박막 특성을 개선시키고, 저온 증착 공정을 가능하게 하여 유연한 기재에 다층 박막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 박막 증착부의 구성도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치에서 기재가 제 1위치에 있는 경우를 도시한 도면이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치에서 기재가 제 2위치에 있는 경우를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치의 박막 증착 방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치의 박막 증착 방법에 따라 증착된 박막 증착 결과의 일례를 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치에 대해서 상세히 설명하도록 한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~(하는) 단계” 또는 “~의 단계”는 “~ 를 위한 단계”를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 ”이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, “A 및/또는 B”의 기재는 “A 또는 B, 또는 A 및 B”를 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는 기재 로딩부(100), 기재 수송부(200), 박막 증착부(400), 기재 히터(300)를 포함한다.
먼저, 본 발명의 일 구현예에 있어서, 기재 로딩부(100)에 박막을 증착하고자 하는 기재(10)가 로딩될 수 있다. 기재는 일반적으로 반도체 소자용으로 사용되는 기재로서, 유리(glass), 석영(quartz), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)등을 사용할 수 있다. 또는, 상기 기재는 고분자를 포함하는 기재로서 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌나프탈렌(polyethylene naphthalate, PEN)등을 포함하는 것일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이어서, 기재 수송부(200)는 기재 로딩부(100)에 결합되어 기재(10)를 이동시키는 역할을 한다. 이때 기재(10)의 이동 방향은 선형 또는 비선형의 경로로 교번 이동하거나 회전운동하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로, 본 발명의 일 구현예에 있어서, 박막 증착부(400)는 움직이는 기재(10) 상에 원자층 증착을 위한 복수의 플라즈마 모듈이 배치될 수 있다. 이때, 각 플라즈마 모듈은 격리부에 의하여 공간적으로 구분될 수 있다. 각 플라즈마 모듈은 플라즈마를 발생시키기 위한 전극을 포함할 수 있으며, 소스 가스 또는 반응 가스 중 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 각각의 플라즈마 모듈은 소스 가스 또는 반응 가스를 플라즈마 상태로 유지시켜주며 수 밀리초(msec) 또는 수 초(sec)의 짧은 시간 동안 기재 상에 주입시켜, 기재상에 박막을 증착할 수 있다. 이때, 소스 가스는 전구체 및 불활성기체를 포함할 수 있으나 이에 제한된 것은 아니다. 일례로 불활성기체는 아르곤(Ar)가스일 수 있다. 여기서, 전구체란 화학반응 등에서 최종적으로 얻을 수 있는 특정 물질이 되기 전 단계의 물질을 말한다. 또한 특정 물질이란 금속, 이온 등 모든 물질을 포함하며, 꼭 어떤 반응의 마지막 물질일 필요는 없고, 임의로 정한 어느 단계에서 얻을 수 있는 물질을 말한다. 예를들면, 전구체는 지르코늄(Zirconium, Zr), 트리에틸메틸아미노지르코늄(Tri Ethyl Methyl Amino Zirconium, TEMA-Zr), 실란(SiH4), 테오스(Tetraethly orthosilicate, TEOS) 인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 반응 가스는 질소(N), 수소(H), 암모니아(NH3) 또는 산소(O)를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 기재 히터(300)는 기재(10)의 온도를 조절하여 기재 표면에서 박막이 증착되는 경우, 기재(10)를 전구체의 열분해 온도 이하로 유지시켜 준다. 전구체의 열분해 온도는 전구체에 따라 다르나, 대부분의 전구체는 기재(10)의 온도가 낮을수록 기재(10)에 더 많이 흡착되며, 대개 약100˚C 내지 약 700˚C 의 열분해온도를 가진다. 그러나 반도체 소자용 박막 증착의 경우 기판 내 불순물 확산을 줄이기 위하여 약 400˚C 이하의 온도가 바람직하다. 기재 히터(300)에 의해 조절되는 기재(10)의 온도는 0˚C내지 400˚C, 바람직하게는 약 100 ˚C 내지 약 200˚C, 더욱 바람직하게는 약 100˚C 내지 약 160˚C 인 것일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 제조장치는 기재의 온도를 0 내지 400˚C 사이로 조절 가능하다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 플라즈마 발생모듈에 의하여 기재(10)상에 반응 플라즈마 및/또는 소스 플라즈마가 공급되면, 상기 반응 플라즈마 및/또는 소스 플라즈마에 의해서 발생된 유도체는 기재 표면에서 물리적 또는 화학적 반응에 의하여 박막물질을 형성하여 박막이 증착되는 것일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 박막물질이 형성되고 박막증착이 일어나는 과정에서 기재 히터에 의해서 적정온도가 유지되는 것일 수 있다. 기재(10)상에 반응 플라즈마 또는 소스 플라즈마가 주입되면, 기재 히터(300)는 온도를 조절하여 반응 플라즈마 또는 소스 플라즈마를 화학반응시켜 유기 박막 또는 무기 박막을 기재(10)상에 증착 시킨다.
또한, 도시되지는 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장치는 제어부를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 제어부 박막증착장치 각각의 구성요소들과 결합되어 박막 증착시 요구되는 조건들을 제어한다. 제어부는 본원의 기재 로딩부, 기재 수송부, 기재 히터, 박막 증착부, 및 격리부와 결합되어 박막증착 조건을 제어하는 것일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 제어부는 박막의 형성 과정을 수정함으로써, 박막의 특성을 개선시킨다. 일례로, 제어부는 박막 증착시 반응 플라즈마 또는 소스 플라즈마의 주입 시간, 강도, 파장, 듀티사이클(duty cycle)의 조절 등이 가능하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 박막 증착부의 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착부(400)는 제 1 플라즈마 모듈(410) 및 제 2 플라즈마 모듈(420)을 포함하는 복수개의 플라즈마 발생 모듈을 포함하며, 각각의 플라즈마 모듈 사이에 격리부(450)를 포함하여 구성될 수 있다. 각각의 플라즈마 모듈은 소스 가스 또는 반응 가스를 포함할 수 있으며, 소스 가스 또는 반응 가스를 플라즈마 상태로 짧은 시간 동안 기재(10) 상에 주입하고, 배기할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착부(400)는 복수개의 소스 가스를 포함하는 플라즈마 모듈 또는 반응 가스를 포함하는 플라즈마 모듈이 교차되어 배열된 상태로 구성될 수 있다. 일례로, 박막 증착부(400)는 소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈(410), 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈(420)을 포함하는 복수개의 플라즈마 모듈을 포함할 경우, 제 3 플라즈마 모듈은 소스 플라즈마를 발생시키고, 제 4플라즈마 모듈은 반응 플라즈마를 발생시킨다. 이때, 소스 가스는 무기물질로 이루어진 전구체 또는 유기물질로 이루어진 전구체를 포함할 수 있다. 이에 따라 하나의 박막 증착 장치를 이용하여 무기 박막과 유기 박막을 교열 증착하여 유기-무기 혼성 박막을 형성하는 것이 가능하다.
예를 들어, 기재수송부가 제 2 플라즈마 모듈 및 제 3 플라즈마 모듈의 하부에 위치하는 경우, 제 2 플라즈마 모듈 및 제 3 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고, 반응 플라즈마와 소스 플라즈마를 주입시킴으로써 소스 플라즈마와 반응 플라즈마가 기재상에서 반응 하여 박막이 증착되는 것과 같은 효과를 가져올 수 있다. 이때, 제 1 플라즈마 모듈(410) 및 제 2 플라즈마 모듈 사이(420)에 위치한 격리부(450)와, 제 3 플라즈마 모듈 및 제 4 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부(450)는 하강시켜 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시킨다. 또한, 양쪽 끝에 위치하고 있는 플라즈마 모듈의 경우, 외부 공간과 격벽에 의하여 차단될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치에서 기재가 제 1위치(202)에 있는 경우를 도시한 도면이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치에서 기재가 제 2위치(204)에 있는 경우를 도시한 도면이다.
도 3a와 도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는 세개의 플라즈마 모듈을 포함하여 구성될 수 있으나 이에 한정된 것은 아니다. 이때, 제 1 플라즈마 모듈(410), 제 2 플라즈마 모듈(420) 및 제 3플라즈마 모듈(430)은 반응 가스 또는 소스 가스를 포함할 수 있으며, 짧은 시간 동안 플라즈마 가스를 기재(10) 상에 주입하고, 배기할 수 있다. 일례로, 제 1 플라즈마 모듈(410), 제 2 플라즈마 모듈(420) 및 제 3플라즈마 모듈(430)에는 각각 반응 가스, 소스 가스, 반응 가스 또는 소스 가스, 반응 가스, 소스 가스를 순서대로 포함하고 있을 수 있으며, 박막 증착 시에 반응 플라즈마 모듈 및 소스 플라즈마 모듈은 한 쌍을 이루어 기재(10) 상에 주입될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 제 1 플라즈마 모듈(410)과 제 2 플라즈마 모듈(420) 사이에 제 1 격리부(452)가 장착되고 및 제 2 플라즈마 모듈과(420) 제 3 플라즈마 모듈(430) 사이에 제 2 격리부(454)가 장착될 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 기재수송부(200)가 제1위치(202), 즉, 제 1 플라즈마 모듈(410) 및 제 2 플라즈마 모듈(420)의 하부에 위치하는 경우, 제 1 플라즈마 모듈(410) 및 제 2 플라즈마 모듈(420) 사이에 위치한 제 1격리부(452)를 상승시켜 제 1 플라즈마 모듈(410) 하부의 공간 및 제 2 플라즈마 모듈(420) 하부의 공간을 연결시켜 박막을 증착시키는 것이 가능하다. 이때, 제 1 플라즈마 모듈(410)의 타측부 또는 제 2 플라즈마 모듈의 타측부(420)에 위치한 제 2격리부(454)를 하강시켜 제 1 플라즈마 모듈(410) 하부의 공간과 제 2 플라즈마 모듈(420) 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시킨다. 한편, 도면에서와 같이, 제 1플라즈마 모듈(410)의 타측부에 박막증착부의 외벽이 구비될 수 있다.
마찬가지로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 기재수송부(200)가 제2위치(204), 즉, 제 2 플라즈마 모듈(420) 및 제 3 플라즈마 모듈(430)의 하부에 위치하는 경우, 제 2 플라즈마 모듈(420) 및 제 3 플라즈마 모듈(430) 사이에 위치한 제 2격리부(454)를 상승시켜 제 2플라즈마 모듈(420) 하부의 공간 및 제 3 플라즈마 모듈(430) 하부의 공간을 연결시켜 박막을 증착시키는 것이 가능하다. 이때, 제 2 플라즈마 모듈(420)의 타측부 또는 제 3플라즈마 모듈의 타측부(430)에 위치한 제 1격리부(452)를 하강시켜 제 2플라즈마 모듈(420) 하부의 공간과 제 3플라즈마 모듈(430) 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시킨다. 한편, 도면에서와 같이, 제 3플라즈마 모듈(410)의 타측부에 박막증착부의 외벽이 구비될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치의 박막 증착 방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 3a, 3b및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치의 박막 증착 방법을 상세히 설명하도록 한다.
도 3a, 3b을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는 제 1 플라즈마 모듈(410), 제 2 플라즈마 모듈(420), 제 3 플라즈마 모듈(430)에 각각 소스 가스, 반응 가스, 소스 가스를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 소스가스는 전구체와 비활성기체를 포함할 수 있는데, 일례로, 제 1 플라즈마 모듈(410)에는 유기물 전구체를 포함하는 소스 가스가, 제 3 플라즈마 모듈(430)에는 무기물 전구체를 포함하는 소스 가스가 구비될 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법은, 기재가 제 1위치에 고정되는 단계(s110); 소스 가스 및 반응 가스가 주입되어 제 1 박막을 형성하는 단계(s120); 기재가 제 2 위치에 고정되는 단계(s120); 소스 가스 및 반응 가스가 주입되어 제 2 박막을 형성하는 단계(s140)를 포함한다.
먼저, 기재가 제 1위치에 고정되는 단계(s110)에서 기재(10)는 기재 로딩부(100)에 장착되고 기재 수송부(200)에 의해 제 1위치(202)에 위치하게 된다. 기재(10)가 제 1위치(202)에 고정되면, 제 1 플라즈마 모듈(410) 및 제 2 플라즈마 모듈(420) 사이에 위치한 제 1격리부(452)를 상승시켜 제 1 플라즈마 모듈(410) 하부의 공간 및 제 2 플라즈마 모듈(420) 하부의 공간을 연결시고, 제 1 플라즈마 모듈(410)의 타측부 또는 제 2 플라즈마 모듈의 타측부(420)에 위치한 제 2격리부(454)를 하강시켜 제 1 플라즈마 모듈(410) 하부의 공간과 제 2 플라즈마 모듈(420) 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시킨다.
이어서, 제 1 플라즈마 모듈(410)과 제 2 플라즈마 모듈(420)은 유기물 전구체룰 포함하는 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 각각 짧은 시간동안 기재(10) 상에 주입하고 배기할 수 있다. 이에 따라, 유기물 전구체를 포함하는 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마가 기재(10)상에서 반응하여 제 1 유기 박막을 형성한다(S120). 이때, 유기 박막은 플라즈마 내에서 유기물 단량체를 라디칼로 바꾸어 라디칼 중합을 통해 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이때, 유기물 단량체는 HMDSO(hexamethyl disiloxane), 퓨란(1,4-epoxy-1,3-butadiene, furan), 핵산, 및 이들의 조합으로 이루어진 것을 포함 할 수 있다.
이어서, 기재가 제 2위치에 고정되는 단계(s130)에서, 기재(10)는 기재 로딩부(100)에 기재 수송부(200)에 의해 제 2 위치(204)로 이동하여 고정된다.
기재(10)가 제 2 위치(204)에 고정되면, 제 2 플라즈마 모듈(420) 및 제 3 플라즈마 모듈(430) 사이에 위치한 제 2격리부(454)를 상승시켜 제 2플라즈마 모듈(420) 하부의 공간 및 제 3 플라즈마 모듈(430) 하부의 공간을 연결시켜 박막을 증착시키는 것이 가능하다. 이때, 제 2 플라즈마 모듈(420)의 타측부 또는 제 3플라즈마 모듈의 타측부(430)에 위치한 제 1격리부(452)를 하강시켜 제 2플라즈마 모듈(420) 하부의 공간과 제 3플라즈마 모듈(430) 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시킨다.
이어서, 무기물 전구체룰 포함하는 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 짧은 시간동안 기재(10) 상에 주입하고 배기할 수 있다. 이에 따라, 무기물 전구체를 포함하는 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마가 기재(10)상에서 반응하여 제 2 무기 박막을 형성한다(s140).
본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 분리시킴에 따라, 박막의 증착시, 박막물질의 형성반응 및 박막증착이 기재(10)의 표면에서 일어나도록 유도할 수 있다. 또한, 일례로 실리콘 화합물인 실리콘 나이트라이드와 같은 박막의 증착시, 소스 플라즈마에서 생성된 SiH4유도체와 반응 플라즈마에서 생성된 N2, NH3유도체가 직접적으로 반응하지 않기 때문에, 반응시에 생성되는 부산물(By-product) 및 자외선에 따른 손상(UV damage)에 대한 문제점을 제거하는 것이 가능하다.
이때, 기재 히터(30)는 기재(10)의 온도를 소스가스에 포함된 전구체의 열분해 온도 이하로 조절하여 기재(10)상에서 전구체와 반응 가스의 화학 반응을 유도시킨다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 제조장치는 도시되지는 않았으나, 제어부에 의하여, 플라즈마 모듈에서 반응 플라즈마 또는 소스 플라즈마 생성 및 챔버 내 주입시, 플라즈마의 주입 시간, 강도, 파장, 듀티사이클(duty cycle)의 조절 등이 가능하다. 이로써, 박막 증착시 요구되는 조건들을 제어하여 박막의 형성 과정을 수정함으로서, 박막의 특성을 개선시킬 수 있다. 특히, 짧은 조사 시간에 의하여 표면의 반응 속도를 순간적으로 높일 수 있는데, 이로써 낮은 기재 온도를 유지하면서도 기재(10)의 표면 온도를 순간적으로 높게 형성할 수 있는 효과를 가질 수 있다. 따라서 낮은 온도에서 박막 증착 공정을 진행 해야하는 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌나프탈렌(polyethylene naphthalate, PEN)등과 같은 유연한 기재(10)상에 박막을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 앞서 설명한 제 1박막을 형성하는 단계 또는 제 2 박막을 형성하는 단계를 미리 설정된 횟수만큼 반복 수행 함으로써, 유기 박막 또는 무기 박막을 다층으로 형성하는 것이 가능하다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치의 박막 증착 방법에 따라 증착된 박막 증착 결과의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하여 전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 세개의 플라즈마 모듈을 포함하는 박막 증착 장치에서, 제 1플라즈마 모듈 및 제 3플라즈마 모듈의 소스 가스에 포함되는 전구체의 구성 물질을 변화 시키면 기재(10)상에 유기 박막(20) 또는 무기 박막(30)을 형성하는 것이 가능하다. 또한 전술한 박막을 형성하는 단계를 미리 설정된 횟수만큼 반복 수행하면, 유기 박막, 무기 박막, 서로 다른 성분의 유기 박막 및 서로 다른 성분의 무기 박막 등을 혼성하여 증착함으로써 다층의 유기 박막 무기 박막의 형성이 가능하다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 기재 로딩부 200: 기재 수송부
300: 기재 히터 400: 박막 증착부
450: 격리부 10: 기재

Claims (12)

  1. 박막 증착 장치에 있어서,
    기재가 로딩되는 기재 로딩부,
    상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부, 및
    상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하되,
    상기 박막 증착부는 소스 플라즈마를 발생시키는 소스 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 반응 플라즈마 모듈이 서로 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 모듈 및,
    상기 각각의 플라즈마 모듈사이에 배치되어 상승 또는 하강하는 동작을 통해 서로 인접한 플라즈마 발생 모듈 하부의 공간을 연결 또는 차단시키는 격리부를 포함하고,
    상기 기재 수송부가 상기 기재 로딩부를 교번 이동하여 상기 기재상에 박막을 증착하되,
    상기 박막 증착부는 상기 격리부를 하강시켜 소스 플라즈마 모듈과 인접한 반응 플라즈마 모듈 사이를 분리시키고,
    상기 기재 수송부가 상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 인접한 반응 플라즈마 모듈의 하부에 위치하는 경우,
    상기 격리부를 상승시키고 상기 소스 플라즈마 모듈과 상기 인접한 반응 플라즈마 모듈 사이의 하부의 공간을 연결시켜 박막이 증착되도록 하는 것인 박막 증착 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 박막 증착부는 상기 소스 플라즈마와 반응 플라즈마를 각기 다른 플라즈마 모듈에서 발생시키는 것인 박막 증착 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 박막 증착부는 제 1 소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈, 및 제 2 소스 플라즈마를 발생 시키는 제 3 플라즈마 모듈을 포함하고, 상기 제 1 소스 플라즈마와 제 2 소스 플라즈마는 서로 다른 물질인 것인 박막 증착 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 소스 플라즈마는 전구체 플라즈마를 포함하는 것인 박막 증착 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 전구체는 지르코늄(Zirconium, Zr), 트리에틸메틸아미노지르코늄(Tri Ethyl Methyl Amino Zirconium, TEMA-Zr), 실란(SiH4), 테오스(Tetraethly orthosilicate, TEOS), 실리콘(Si), 티타늄(Ti) 중 어느 하나인 것인 박막 증착 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 반응 플라즈마는 질소(N), 산소(O) 및 수소(H) 플라즈마 중 어느 하나를 포함하는 것인 박막 증착 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 박막 증착부는
    소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈 및 반응 플라즈마를 발생시
    키는 제 2 플라즈마 모듈을 포함하고,
    상기 기재 수송부가 상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈의
    하부에 위치하는 경우,
    상기 제 1 플라즈마 모듈의 타측부 또는 상기 제 2 플라즈마 모듈의 타측부
    에 위치한 격리부를 하강시켜 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,
    상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고,
    상기 기재상에 상기 제 1 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스와 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입함으로써 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 박막 증착부는
    소스 플라즈마를 발생시키는 제 1 플라즈마 모듈, 반응 플라즈마를 발생시키는 제 2 플라즈마 모듈, 소스 플라즈마를 발생시키는 제 3 플라즈마 모듈 및 반응 플라즈마를 발생시키는 제 4 플라즈마 모듈을 포함하고,
    상기 기재 수송부가 상기 제 2 플라즈마 모듈 및 상기 제 3 플라즈마 모듈의
    하부에 위치하는 경우,
    상기 제 1 플라즈마 모듈 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부와 상기 제 3 플라즈마 모듈 및 상기 제 4 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 하강시켜 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,
    상기 제 2 플라즈마 모듈 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 사이에 위치한 격리부를 상승시켜 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시키고,
    상기 기재상에 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스와 상기 제 3 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입함으로써 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 박막 증착 장치는 화학기상증착(Chemical Vapor Deosition)방법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)방법을 이용하여 박막을 증착하는 것인 박막 증착 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 박막 증착 장치는 상기 기재 수송부의 하부에 기재히터를 더 포함하는 것인 박막 증착 장치.
  11. 박막 증착 방법에 있어서,
    소스 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈과 반응 플라즈마를 발생시키는 하나 이상의 플라즈마 모듈이 교차되어 배열된 박막 증착부를 포함하는 박막 증착 장치에 기재를 배치하는 단계;
    상기 기재를 서로 인접한 제 1 플라즈마 모듈 및 제 2 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 상기 소스 플라즈마 및 반응 플라즈마를 이용하여 제 1 박막을 형성하는 단계 및
    상기 기재를 서로 인접한 제 2 플라즈마 모듈 및 제 3 플라즈마 모듈의 하부에 배치시키고, 상기 반응 플라즈마 및 소스 플라즈마를 이용하여 제 2 박막을 형성하는 단계를 포함하되,
    제 1 박막을 형성하는 단계는
    상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,
    상기 제 1 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시켜, 상기 기재상에 상기 제 1 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스와 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입하고,
    제 2 박막을 형성하는 단계는
    상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간과 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 외부 공간으로부터 차단시키고,
    상기 제 2 플라즈마 모듈 하부의 공간 및 상기 제 3 플라즈마 모듈 하부의 공간을 연결시켜, 상기 기재상에 상기 제 2 플라즈마 모듈에 포함된 반응 플라즈마 가스와 상기 제 3 플라즈마 모듈에 포함된 소스 플라즈마 가스를 기재의 표면에 주입하는 것인 박막 증착 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1박막을 형성하는 단계 및 제 2 박막을 형성하는 단계를 미리 설정된 횟수만큼 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 박막 증착 방법.
KR20140089854A 2014-07-16 2014-07-16 박막 증착 장치 및 방법 KR101491762B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140089854A KR101491762B1 (ko) 2014-07-16 2014-07-16 박막 증착 장치 및 방법
PCT/KR2014/007152 WO2016010185A1 (ko) 2014-07-16 2014-08-04 박막 증착 장치 및 방법
CN201480023046.3A CN105473761B (zh) 2014-07-16 2014-08-04 用于薄膜沉积的装置和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140089854A KR101491762B1 (ko) 2014-07-16 2014-07-16 박막 증착 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101491762B1 true KR101491762B1 (ko) 2015-02-11

Family

ID=52591856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140089854A KR101491762B1 (ko) 2014-07-16 2014-07-16 박막 증착 장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101491762B1 (ko)
CN (1) CN105473761B (ko)
WO (1) WO2016010185A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101802384B1 (ko) * 2016-03-03 2017-11-28 임경철 증착 장치 및 방법
KR20180002521A (ko) * 2016-06-28 2018-01-08 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 플라즈마 소스의 배기구조
KR101926985B1 (ko) * 2016-06-28 2018-12-10 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 증착장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208592A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Sharp Corp 絶縁膜の形成方法、半導体装置、製造装置
JP2010118541A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20110032682A (ko) * 2009-09-23 2011-03-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 기판처리챔버
KR20130141409A (ko) * 2013-11-07 2013-12-26 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005045582B3 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Gasphasenabscheidung unter Atmosphärendruck und deren Verwendung
CN1865497A (zh) * 2006-06-10 2006-11-22 中国科学技术大学 一种连续化学气相淀积的方法与装置
KR101363002B1 (ko) * 2011-12-30 2014-02-18 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법
CN102644062A (zh) * 2012-03-30 2012-08-22 北京七星华创电子股份有限公司 一种在线原子层沉积装置和沉积方法
CN102650046B (zh) * 2012-05-23 2013-08-21 徐明生 一种规模化连续制备二维纳米薄膜的装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208592A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Sharp Corp 絶縁膜の形成方法、半導体装置、製造装置
JP2010118541A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20110032682A (ko) * 2009-09-23 2011-03-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 기판처리챔버
KR20130141409A (ko) * 2013-11-07 2013-12-26 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101802384B1 (ko) * 2016-03-03 2017-11-28 임경철 증착 장치 및 방법
KR20180002521A (ko) * 2016-06-28 2018-01-08 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 플라즈마 소스의 배기구조
KR101926985B1 (ko) * 2016-06-28 2018-12-10 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 증착장치
KR101932344B1 (ko) * 2016-06-28 2018-12-26 (주)아이씨디 고밀도 박막증착을 위한 플라즈마 소스의 배기구조

Also Published As

Publication number Publication date
CN105473761A (zh) 2016-04-06
CN105473761B (zh) 2018-02-02
WO2016010185A1 (ko) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8283744B2 (en) Molybdenum-doped indium oxide structures and methods
US7727910B2 (en) Zirconium-doped zinc oxide structures and methods
KR101473464B1 (ko) 무기박막의 제조방법 및 이를 위한 제조장치
US7498230B2 (en) Magnesium-doped zinc oxide structures and methods
US9129913B2 (en) Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
KR20120056878A (ko) 곡면상에 박막을 형성하기 위한 기상증착 반응기
US20230012818A1 (en) Deposition apparatus and deposition method using the same
WO2017099057A1 (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
KR101491762B1 (ko) 박막 증착 장치 및 방법
CN104798220A (zh) 用于在电子器件的表面区域上制造层的方法
KR20190098533A (ko) 산화물 박막의 제조 장치와 제조 방법 및 그 산화물 박막을 포함하는 디스플레이 장치
KR20130078815A (ko) 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법
US8119514B2 (en) Cobalt-doped indium-tin oxide films and methods
KR101800755B1 (ko) 유연성 박막 증착 방법, 및 이를 위한 증착 장치
KR101533033B1 (ko) 초슬림 구조의 박막 증착 방법 및 이를 위한 증착 장치
US20060024964A1 (en) Method and apparatus of forming thin film using atomic layer deposition
WO2014176077A1 (en) Thin film formation for device sensitive to environment
US20170365447A1 (en) Plasma generator apparatus
KR101533032B1 (ko) 박막 증착 장치
KR101685366B1 (ko) 무기박막의 고속 증착방법
KR101685367B1 (ko) 다중 전구체를 함유하는 무기박막의 제조방법
CN105369222B (zh) 包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置
KR20220041978A (ko) 영역 선택적 원자층 증착방법 및 그에 의해 제조된 박막
KR20160146634A (ko) 금속산화물 박막의 증착 방법 및 이를 위한 제조 장치
KR20160090741A (ko) 금속산화물 박막의 증착 방법 및 이를 위한 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180201

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190104

Year of fee payment: 5